JP2005291725A - プローブユニット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 適切な接触圧で検体と確実に導通させることができ、プローブが基板から剥がれにくいプローブユニット、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 凹部を有する犠牲基板を形成する犠牲基板形成工程と、前記凹部の内壁に沿って前記凹部を横断する導線を前記犠牲基板上に形成する導線形成工程と、前記導線の前記凹部を横断する部分を覆う犠牲層を前記導線上に形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲基板上に絶縁材料からなる支持基板を形成して前記支持基板と前記犠牲基板との間に前記犠牲層と前記導線とを埋没させる支持基板形成工程と、前記犠牲基板と前記犠牲層とを除去する除去工程と、を含む。
【選択図】 図１
【解決手段】 凹部を有する犠牲基板を形成する犠牲基板形成工程と、前記凹部の内壁に沿って前記凹部を横断する導線を前記犠牲基板上に形成する導線形成工程と、前記導線の前記凹部を横断する部分を覆う犠牲層を前記導線上に形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲基板上に絶縁材料からなる支持基板を形成して前記支持基板と前記犠牲基板との間に前記犠牲層と前記導線とを埋没させる支持基板形成工程と、前記犠牲基板と前記犠牲層とを除去する除去工程と、を含む。
【選択図】 図１
Description
本発明はプローブユニット及びその製造方法に関する。
大きな荷重を加えて電極表面にプローブを突き刺すことによりプローブと検体とを確実に導通させる導通検査方法が知られている。
特許文献１には、両端が固定されている梁の中央から突出したプローブを検体の電極に押し当てる方法が開示されている。しかし、両端が固定されている梁は、シリコンをエッチングすることによって形成されたものであり、その製造工程によると梁は基本的に直線状になる。両端が固定された直線状のシリコンからなる梁の剛性は非常に高いため、オーバードライブにより検体の電極とプローブとの適切な接触圧を得るためには、梁を長くする必要がある。例えば、梁の長さを５００μｍとしても、３０μｍオーバードライブさせると６８ｇｆの荷重がプローブから電極に加わる。従って、特許文献１に開示されたプローブユニットでは、電極が微細なピッチで配置された検体の検査に対応できない。また、梁を短くするとプローブから電極が受ける荷重が増大するため、プローブが電極を構成するアルミ層を突き破りその下の配線を損傷させたり、アルミパッドに深い傷をつけてワイヤーボンド、はんだ等の接続不良を起こしたりするおそれがある。さらに、シリコンは脆いため、梁に過大な荷重が加わると梁が破断するおそれもある。
特許文献２には、両端が固定されているアーチ状の梁から突出したプローブを検体の電極に押し当てる方法が開示されている。しかし、プローブと基板とは一つの面で接合されているため、プローブが基板から剥がれやすい。
特開２００２−７１７１８号公報
特開２００１−２８４４２１号公報
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、適切な接触圧で検体と確実に導通させることができ、プローブが基板から剥がれにくいプローブユニット、及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するためのプローブユニットの製造方法は、凹部を有する犠牲基板を形成する犠牲基板形成工程と、前記凹部の内壁に沿って前記凹部を横断する導線を前記犠牲基板上に形成する導線形成工程と、前記導線の前記凹部を横断する部分を覆う犠牲層を前記導線上に形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲基板上に絶縁材料からなる支持基板を形成して前記支持基板と前記犠牲基板との間に前記犠牲層と前記導線とを埋没させる支持基板形成工程と、前記犠牲基板と前記犠牲層とを除去する除去工程と、を含む。凹部の内壁に沿って凹部を横断する導線を犠牲基板上に形成するため、導線の凹部に形成された部分は支持基板から離れる方向に突出する。また犠牲基板上に支持基板を形成して支持基板と犠牲基板との間に導線とを埋没させるため、導線は支持基板に埋設させる。さらに導線の凹部に形成された部分と支持基板との間に形成された犠牲層を除去するため、凹部に形成された導線の部分と支持基板との間に空隙が形成される。
つまり、本発明に係るプローブユニットの製造方法によれば、支持基板から離れる方向に一部が突出する導線を有し、導線の支持基板から突出する部分と支持基板との間に空隙を有し、導線が支持基板に埋設されるプローブユニットを製造することができる。
本発明に係るプローブユニットの製造方法で製造されたプローブユニットは、導線の突出する部分で検体と導通させることができる。オーバードライブをかけたときに、導線の突出する部分が支持基板との間に形成される空隙に沈み込むことができるため、検体に凹凸があっても適切な接触圧で検体と確実に導通させることができる。また、導線が支持基板に埋設されるため、導線が支持基板から剥がれにくい。
つまり、本発明に係るプローブユニットの製造方法によれば、支持基板から離れる方向に一部が突出する導線を有し、導線の支持基板から突出する部分と支持基板との間に空隙を有し、導線が支持基板に埋設されるプローブユニットを製造することができる。
本発明に係るプローブユニットの製造方法で製造されたプローブユニットは、導線の突出する部分で検体と導通させることができる。オーバードライブをかけたときに、導線の突出する部分が支持基板との間に形成される空隙に沈み込むことができるため、検体に凹凸があっても適切な接触圧で検体と確実に導通させることができる。また、導線が支持基板に埋設されるため、導線が支持基板から剥がれにくい。
さらに、前記犠牲基板形成工程において、前記犠牲基板を溶融可能な材料で形成し、前記除去工程において、前記犠牲基板を溶融して除去することが望ましい。除去工程において犠牲基板を溶融させて除去できる。
さらに、前記犠牲基板形成工程において、前記凹部を有する面に犠牲膜が形成されている前記犠牲基板を形成し、前記導線形成工程において、前記犠牲膜上に前記導線を形成し、前記除去工程において、前記犠牲膜を除去して前記犠牲基板と前記導線とを分離することにより、前記犠牲基板を除去することが望ましい。犠牲膜を除去して犠牲基板と導線とを分離することにより犠牲基板の除去に要する時間を短縮できる。
さらに、前記犠牲基板形成工程と前記犠牲層形成工程とにおいて、前記犠牲基板と前記犠牲層とを、選択的に除去可能な互いに異なる材料で形成し、前記除去工程において、前記犠牲基板と前記犠牲層とを別工程で除去することが望ましい。犠牲基板と犠牲層とを選択的に除去可能な互いに異なる材料で形成することにより、犠牲基板と犠牲層とを別工程で除去する製造工程に対応することができる。
さらに、前記犠牲基板形成工程と前記犠牲層形成工程とにおいて、前記犠牲基板と前記犠牲層とを、前記除去工程において同一工程で除去可能な材料で形成し、前記除去工程において、前記犠牲基板と前記犠牲層とを同一工程で除去することが望ましい。犠牲基板と犠牲層とを除去工程において同一工程で除去可能な材料で形成することにより、除去工程を簡略化できる。
上記目的を達成するためのプローブユニットは、支持基板と、両端が前記支持基板に接合され中間が前記支持基板から突出して前記支持基板との間に空隙を有し検体と接触するブリッジ部と、前記ブリッジ部に接続され少なくとも一部が前記支持基板に埋設されるリード部とを有する導線と、を備える。ブリッジ部の中間が支持基板から突出して支持基板との間に空隙を有するため、オーバードライブをかけたときに、ブリッジ部の中間が支持基板との間の空隙に沈み込むことができる。そのため、検体に凹凸があっても適切な接触圧で検体と確実に導通させることができる。また、リード部の少なくとも一部が支持基板に埋設されるため、導線が支持基板から剥がれにくい。
さらに、前記リード部が曲折していることが望ましい。リード部を曲折させることにより、支持基板に埋設されるリード部の線長が長くなるため、導線が支持基板から剥がれにくくなる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。まず、プローブユニットについて複数の実施例に基づいて説明する。
（プローブユニットの第一実施例）
図１は、プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１の構成を表す模式図である。
支持基板２は、板状であり、溝部４が形成されている。
導線としてのプローブ６は、溝部４の上方に架設されているブリッジ部８と、図示しない検査装置本体に接続され検査信号を送受信するリード部１０とからなる。ブリッジ部８は、導通試験の際に検体の電極に接触する部分である。ブリッジ部８の両端はリード部１０に接続され、中央に突部１１が形成されている。リード部１０は、支持基板２に埋設されている。プローブ６には、例えばＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｈｆなどのうち少なくとも一つの金属を含む材料を用い、単一の金属からなる材料を用いてもよいし、複数の金属を用いた合金または積層物を用いてもよい。
（プローブユニットの第一実施例）
図１は、プローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１の構成を表す模式図である。
支持基板２は、板状であり、溝部４が形成されている。
導線としてのプローブ６は、溝部４の上方に架設されているブリッジ部８と、図示しない検査装置本体に接続され検査信号を送受信するリード部１０とからなる。ブリッジ部８は、導通試験の際に検体の電極に接触する部分である。ブリッジ部８の両端はリード部１０に接続され、中央に突部１１が形成されている。リード部１０は、支持基板２に埋設されている。プローブ６には、例えばＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｗ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｈｆなどのうち少なくとも一つの金属を含む材料を用い、単一の金属からなる材料を用いてもよいし、複数の金属を用いた合金または積層物を用いてもよい。
図２は、プローブユニット１を用いた検体１２の導通試験方法を説明する模式図である。ブリッジ部８の突部１１と検体１２の電極１４とを一対一で接触させることにより、プローブ６と検体１２の電極１４とを導通させる。
まず図２（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、各プローブ６と検体１２の各電極１４が一対一で対応するように、プローブユニット１を検体１２に対して配置する。
次に図２（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、プローブユニット１を検体１２に接近させて各プローブ６のブリッジ部８の突部１１を各電極１４に接触させ、さらにプローブユニット１を検体１２に接近させる（すなわち、オーバードライブをかける）。オーバードライブをかけることにより、各プローブ６のブリッジ部８がそれぞれに撓む。これにより、各プローブ６のブリッジ部８の突部１１と各電極１４との接触圧が増大するため、各プローブ６と検体１２の各電極１４とを確実に導通させることができる。
まず図２（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、各プローブ６と検体１２の各電極１４が一対一で対応するように、プローブユニット１を検体１２に対して配置する。
次に図２（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、プローブユニット１を検体１２に接近させて各プローブ６のブリッジ部８の突部１１を各電極１４に接触させ、さらにプローブユニット１を検体１２に接近させる（すなわち、オーバードライブをかける）。オーバードライブをかけることにより、各プローブ６のブリッジ部８がそれぞれに撓む。これにより、各プローブ６のブリッジ部８の突部１１と各電極１４との接触圧が増大するため、各プローブ６と検体１２の各電極１４とを確実に導通させることができる。
次に、各プローブ６と検体１２の各電極１４とを導通させた状態で、検査装置本体からリード部１０、ブリッジ部８、および突部１１を通じて検体１２に検査信号を入力し、検体１２の導通試験を行う。
導通試験の終了後に、検体１２とプローブユニット１を離間させると、ブリッジ部８は弾力により試験前の状態に復元する。
導通試験の終了後に、検体１２とプローブユニット１を離間させると、ブリッジ部８は弾力により試験前の状態に復元する。
以上説明した本発明のプローブユニットの第一実施例に係るプローブユニット１によると、支持基板２に溝部４が形成され、その溝部４の上方にブリッジ部８が架設されている。そのため、プローブユニット１にオーバードライブをかけたとき、ブリッジ部８が溝部４に沈み込むことができる。したがって、検体１２に凹凸があっても適切な接触圧で検体と確実に導通させることができる。
また、リード部１０が支持基板２に埋設されているため、プローブ６が支持基板２から剥がれにくい。
また、ブリッジ部８の突部１１が支持基板２から突出しているため、突部１１以外の部位が検体１２に接触して検体１２を破損するおそれがない。
また、リード部１０が支持基板２に埋設されているため、プローブ６が支持基板２から剥がれにくい。
また、ブリッジ部８の突部１１が支持基板２から突出しているため、突部１１以外の部位が検体１２に接触して検体１２を破損するおそれがない。
尚、溝部４の形状についてはプローブユニットの設計条件に応じて適宜選択することができる。
また、溝部４は形成されていなくてもよい。具体的には例えば、図３に示すように、プローブユニット１６のブリッジ部８が支持基板２から離れて突出し、支持基板２との間に空隙を有していればよい。
また、図４に示すようにプローブユニット１７のリード部１０の一部が支持基板２に埋設されていてもよい。
また、図５に示すようにプローブユニット１８ブリッジ部８に突部１１がなくてもよい。
また、溝部４は形成されていなくてもよい。具体的には例えば、図３に示すように、プローブユニット１６のブリッジ部８が支持基板２から離れて突出し、支持基板２との間に空隙を有していればよい。
また、図４に示すようにプローブユニット１７のリード部１０の一部が支持基板２に埋設されていてもよい。
また、図５に示すようにプローブユニット１８ブリッジ部８に突部１１がなくてもよい。
（プローブユニットの第二実施例）
図６は、本発明のプローブユニットの第二実施例に係るプローブユニット２０である。尚、プローブユニットの第二実施例ではプローブユニットの第一実施例と実質的に同一な部分については同一の符号を付して説明を省略する。
図６は、本発明のプローブユニットの第二実施例に係るプローブユニット２０である。尚、プローブユニットの第二実施例ではプローブユニットの第一実施例と実質的に同一な部分については同一の符号を付して説明を省略する。
プローブユニット２０のリード部１０は、ジグザグ状に曲折している。支持基板２に埋設されるリード部１０の線長が長くなるため、プローブ６が支持基板２から剥がれにくい。リード部１０の形状は、ジグザグ状に限定されるものではない。具体的には例えば、リード部１０は、波状に曲折していてもよい。
尚、プローブユニット１、１６、１７、１８および２０の支持基板２には、透明樹脂などの透明な素材を使用してもよい。支持基板２のプローブ６が形成されていない側から検体１２の電極１４を確認できるため、導通試験時に各プローブ６と検体１２の各電極１４が一対一で対応するように、プローブユニット１、１６、１７、１８、および２０を検体１２に対して配置しやすくなる。
次に、プローブユニットの製造方法について複数の実施例に基づいて説明する。
（製造方法の第一実施例）
図７から１２は、プローブユニット１の製造方法の第一実施例を説明する図である。図７から１２の（Ａ１）から（Ａ２１）は、図１（Ａ）のａ１−ａ１線断面図に対応し、図７から１２の（Ｂ１）から（Ｂ２１）は、図１（Ａ）の側面図に対応する。
（製造方法の第一実施例）
図７から１２は、プローブユニット１の製造方法の第一実施例を説明する図である。図７から１２の（Ａ１）から（Ａ２１）は、図１（Ａ）のａ１−ａ１線断面図に対応し、図７から１２の（Ｂ１）から（Ｂ２１）は、図１（Ａ）の側面図に対応する。
図７および８は、第一基板１００、第一層１０６、および第二層１１２を形成する工程を説明する図である。第一基板１００、第一層１０６、および第二層１１２が特許請求の範囲に記載の犠牲基板に相当する。また、これらを形成する一連の工程が犠牲基板形成工程に相当する。以下、第一基板１００、第一層１０６、および第二層１１２を犠牲基板１１８という。
まず、第一基板１００の表面上にフォトレジストを塗布し、第一レジスト膜１０２を形成する（図７（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。第一基板１００は、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｌなどのエッチング可能な金属である。以降、第一基板１００はＣｕであるとして説明する。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第一レジスト膜１０２を除去し、棒状の第一レジストパターン１０４を形成する（図７（Ａ３）、（Ｂ３）参照）。尚、第一レジスト膜１０２等のフォトレジストの除去には、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン等の液剤を用いる。
次に、第一基板１００上にＣｕをめっきすることにより、第一層１０６を形成する（図７（Ａ４）、（Ｂ４）参照）。
次に、第一レジストパターン１０４を除去して、溝状の第一凹部１０８を形成する（図７（Ａ５）、（Ｂ５）参照）。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第一レジスト膜１０２を除去し、棒状の第一レジストパターン１０４を形成する（図７（Ａ３）、（Ｂ３）参照）。尚、第一レジスト膜１０２等のフォトレジストの除去には、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン等の液剤を用いる。
次に、第一基板１００上にＣｕをめっきすることにより、第一層１０６を形成する（図７（Ａ４）、（Ｂ４）参照）。
次に、第一レジストパターン１０４を除去して、溝状の第一凹部１０８を形成する（図７（Ａ５）、（Ｂ５）参照）。
次に、第一層１０６上と第一凹部１０８の内壁にフォトレジストを塗布し、第二レジスト膜１０９を形成する（図８（Ａ６）、（Ｂ６）参照）。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第二レジスト膜１０９を除去し、第一凹部１０８とその周縁の第一層１０６上を被覆する第二レジストパターン１１０を形成する（図８（Ａ７）、（Ｂ７）参照）。
次に、第一層１０６上にＣｕをめっきすることにより、第二層１１２を形成する（図８（Ａ８）、（Ｂ８）参照）。第二層１１２はスパッタ等で形成してもよい。
次に、第二レジストパターン１１０を除去して、第二凹部１１４を形成する（図８（Ａ９）、（Ｂ９）参照）。第二凹部１１４の底面には、第一凹部１０８が形成されている。第一凹部１０８および第二凹部１１４が、特許請求の範囲に記載の凹部に相当する。以下第一凹部１０８と第二凹部１１４とを、単に凹部１１６という。第一実施例では、第一基板１００上にめっきで第一層１０６を形成しているが、これに変えてスパッタ法で形成してもよい。このときは、めっきのように選択的に成長せず全面に形成されるため、第一レジストパターン１０４上にも第一層１０６が形成される。その後の第一レジストパターン１０４の除去の際、リフトオフにより不要な第一層１０６も除去される。なお、リフトオフに先立って、全面研磨等により、第一層１０６を除去すると、第一レジストパターンの除去時間を短縮できる。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第二レジスト膜１０９を除去し、第一凹部１０８とその周縁の第一層１０６上を被覆する第二レジストパターン１１０を形成する（図８（Ａ７）、（Ｂ７）参照）。
次に、第一層１０６上にＣｕをめっきすることにより、第二層１１２を形成する（図８（Ａ８）、（Ｂ８）参照）。第二層１１２はスパッタ等で形成してもよい。
次に、第二レジストパターン１１０を除去して、第二凹部１１４を形成する（図８（Ａ９）、（Ｂ９）参照）。第二凹部１１４の底面には、第一凹部１０８が形成されている。第一凹部１０８および第二凹部１１４が、特許請求の範囲に記載の凹部に相当する。以下第一凹部１０８と第二凹部１１４とを、単に凹部１１６という。第一実施例では、第一基板１００上にめっきで第一層１０６を形成しているが、これに変えてスパッタ法で形成してもよい。このときは、めっきのように選択的に成長せず全面に形成されるため、第一レジストパターン１０４上にも第一層１０６が形成される。その後の第一レジストパターン１０４の除去の際、リフトオフにより不要な第一層１０６も除去される。なお、リフトオフに先立って、全面研磨等により、第一層１０６を除去すると、第一レジストパターンの除去時間を短縮できる。
以上説明した犠牲基板形成工程により、第一基板１００、第一層１０６、および第二層１１２からなり、凹部１１６を有する犠牲基板１１８を形成することができる。
図９および１０は、第一導線１２６と第二導線１２８とを形成する工程を説明する図である。第一導線１２６および第二導線１２８は、プローブユニットの実施例におけるプローブ６であり、特許請求の範囲に記載の導線に相当する。また、これらを形成する一連の工程が、特許請求の範囲に記載の導線形成工程に相当する。
まず、第二層１１２上および凹部１１６の内壁に第一シード層１２０を形成する（図９（Ａ１０）、（Ｂ１０）参照）。第一シード層１２０には、例えばＮｉ（膜厚０．１μｍ）の単層、Ｔｉ（膜厚０．０５μｍ）とＮｉ（膜厚０．１μｍ）の複層、Ｃｒ（膜厚０．０５μｍ）とＮｉＦｅ合金（０．１μｍ）の複層などを用いる。第一シード層１２０の形成方法は、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、無電解めっき等である。
まず、第二層１１２上および凹部１１６の内壁に第一シード層１２０を形成する（図９（Ａ１０）、（Ｂ１０）参照）。第一シード層１２０には、例えばＮｉ（膜厚０．１μｍ）の単層、Ｔｉ（膜厚０．０５μｍ）とＮｉ（膜厚０．１μｍ）の複層、Ｃｒ（膜厚０．０５μｍ）とＮｉＦｅ合金（０．１μｍ）の複層などを用いる。第一シード層１２０の形成方法は、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、無電解めっき等である。
次に、第一シード層１２０上にフォトレジストを塗布し、第三レジスト膜１２２を形成する（図９（Ａ１１）、（Ｂ１１）参照）。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第三レジスト膜１２２を除去することにより、第一開口部１２５を形成し、第一シード層１２０上に凹部１１６の内壁に沿って凹部１１６を横断する第三レジストパターン１２４を形成する（図９（Ａ１２）、（Ｂ１２）参照）。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第三レジスト膜１２２を除去することにより、第一開口部１２５を形成し、第一シード層１２０上に凹部１１６の内壁に沿って凹部１１６を横断する第三レジストパターン１２４を形成する（図９（Ａ１２）、（Ｂ１２）参照）。
次に、めっきにより、第一開口部１２５から露出する第一シード層１２０上に第一導線１２６を形成する（図１０（Ａ１３）、（Ｂ１３）参照）。めっき材料には、例えばＮｉ、ＮｉＣｏ合金、ＮｉＦｅ合金、Ｃｕ、Ａｕ、Ｒｈなどのいずれか、またはそれらの組み合わせを用いる。尚、第一導線１２６はスパッタ等により形成してもよい。そのときは第一シード層を形成せず、第二層１１２および凹部１１６の表面上に第一導線１２６を形成すればよい。
次に、第三レジストパターン１２４を除去する（図１０（Ａ１４）、（Ｂ１４）参照）。
次に、第一導線１２６により被覆されていない第一シード層１２０を除去し、第二導線１２８を形成する（図１０（Ａ１５）、（Ｂ１５）参照）。第一シード層１２０の除去には、イオンミリング等の方法を用いる。
次に、第三レジストパターン１２４を除去する（図１０（Ａ１４）、（Ｂ１４）参照）。
次に、第一導線１２６により被覆されていない第一シード層１２０を除去し、第二導線１２８を形成する（図１０（Ａ１５）、（Ｂ１５）参照）。第一シード層１２０の除去には、イオンミリング等の方法を用いる。
図１１は、犠牲層１３８を形成する工程を説明する図である。犠牲層１３８を形成する工程が、特許請求の範囲に記載の犠牲層形成工程に相当する。
まず、フォトレジストを塗布して、プローブ６を埋没させるように第二層１１２上に第四レジスト膜１３２を形成する（図１１（Ａ１６）、（Ｂ１６）参照）。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第四レジスト膜１３２を除去することにより、第二開口部１３４を形成する（図１１（Ａ１７）、（Ｂ１７）参照）。
次に、第二開口部１３４から露出するプローブ６および第二層１１２上にＣｕをめっきすることにより、プローブ６を埋没させるように犠牲層１３８を形成する（図１１（Ａ１８）、（Ｂ１８）参照）。犠牲層１３８は、スパッタ等の他の方法で形成してもよい。
次に、第四レジストパターン１３６を除去する（図１１（Ａ１９）、（Ｂ１９）参照）。
まず、フォトレジストを塗布して、プローブ６を埋没させるように第二層１１２上に第四レジスト膜１３２を形成する（図１１（Ａ１６）、（Ｂ１６）参照）。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第四レジスト膜１３２を除去することにより、第二開口部１３４を形成する（図１１（Ａ１７）、（Ｂ１７）参照）。
次に、第二開口部１３４から露出するプローブ６および第二層１１２上にＣｕをめっきすることにより、プローブ６を埋没させるように犠牲層１３８を形成する（図１１（Ａ１８）、（Ｂ１８）参照）。犠牲層１３８は、スパッタ等の他の方法で形成してもよい。
次に、第四レジストパターン１３６を除去する（図１１（Ａ１９）、（Ｂ１９）参照）。
図１２は、支持基板２を形成する工程と犠牲基板１１８および犠牲層１３８を除去する工程とを説明する図である。支持基板２を形成する工程と犠牲基板１１８および犠牲層１３８を除去する工程とが、それぞれ特許請求の範囲に記載の支持基板形成工程と除去工程とに相当する。
まず、第二層１１２上に犠牲層１３８およびプローブ６を埋没されるように絶縁材料を成型し、支持基板２を形成する（図１２（Ａ２０）、（Ｂ２０）参照）。絶縁材料は、ポリイミド、エポキシ等の有機材料でもよいし、ガラス等の無機材料でもよいし、ＦＲＰ（Fiber Reinforced Plastics）等の有機材料と無機材料との混合材料でもよい。
次に、犠牲層１３８、第一基板１００、第一層１０６、および第二層１１２をエッチング等により除去する（図１２（Ａ２１）、（Ｂ２１）参照）。
まず、第二層１１２上に犠牲層１３８およびプローブ６を埋没されるように絶縁材料を成型し、支持基板２を形成する（図１２（Ａ２０）、（Ｂ２０）参照）。絶縁材料は、ポリイミド、エポキシ等の有機材料でもよいし、ガラス等の無機材料でもよいし、ＦＲＰ（Fiber Reinforced Plastics）等の有機材料と無機材料との混合材料でもよい。
次に、犠牲層１３８、第一基板１００、第一層１０６、および第二層１１２をエッチング等により除去する（図１２（Ａ２１）、（Ｂ２１）参照）。
以上説明した本発明の製造方法の第一実施例に係る製造方法によると、犠牲基板１１８の凹部１１６の内壁に沿って凹部１１６を横断するプローブ６を形成するため、凹部１１６に形成されたプローブ６の部分が支持基板２から離れる方向に突出する。また、プローブ６を埋没させるように絶縁材料を成型して支持基板２を形成するため、プローブ６は支持基板２に埋設される。また、プローブ６と支持基板２との間に形成された犠牲層１３８を除去するため、プローブ６と支持基板２との間に空隙を形成することができる。
また、第一基板１００、第一層１０６、および第二層１１２をＣｕで形成するため、除去工程において犠牲基板１１８をエッチングにより除去できる。
また、犠牲基板１１８と犠牲層１３８とを同一材料のＣｕで形成するため、除去工程において犠牲基板１１８および犠牲層１３８を同一工程で除去できる。
尚、第一層１０６および第二層１１２は、第一基板１００と異なる材料で形成してもよい。
また、第一基板１００、第一層１０６、および第二層１１２をＣｕで形成するため、除去工程において犠牲基板１１８をエッチングにより除去できる。
また、犠牲基板１１８と犠牲層１３８とを同一材料のＣｕで形成するため、除去工程において犠牲基板１１８および犠牲層１３８を同一工程で除去できる。
尚、第一層１０６および第二層１１２は、第一基板１００と異なる材料で形成してもよい。
（製造方法の第二実施例）
製造方法の第二実施例によるプローブユニット１の製造方法では、犠牲基板１１８と犠牲層１３８とを別工程で除去する。尚、製造方法の第二実施例では製造方法の第一実施例と実質的に同一な部分については同一の符号を付して説明を省略する。
製造方法の第二実施例によるプローブユニット１の製造方法では、犠牲基板１１８と犠牲層１３８とを別工程で除去する。尚、製造方法の第二実施例では製造方法の第一実施例と実質的に同一な部分については同一の符号を付して説明を省略する。
製造方法の第二実施例によるプローブユニット１の製造方法に係る犠牲基板１１８および犠牲層１３８は、互いに選択的に除去可能な材料で形成する。
図１３は、製造方法の第二実施例に係る除去工程を説明する図である。図１３の（Ａ１）から（Ａ３）は、図１（Ａ）のａ１−ａ１線断面図に対応し、図１３の（Ｂ１）から（Ｂ３）は、図１（Ａ）の側面図に対応する。
まず、犠牲基板１１８を除去する（図１３（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。
次に、犠牲層１３８を除去する（図１３（Ａ３）、（Ｂ３）参照）。
まず、犠牲基板１１８を除去する（図１３（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。
次に、犠牲層１３８を除去する（図１３（Ａ３）、（Ｂ３）参照）。
以上説明した製造方法の第二実施例に係る製造方法によると、犠牲基板１１８および犠牲層１３８を互いに選択的に除去可能な材料で形成するため、除去工程において犠牲基板１１８と犠牲層１３８とを別工程で除去できる。
尚、除去工程において犠牲基板１１８を除去した後に、犠牲層１３８を除去することとして説明したが、犠牲層１３８を先に除去してもよい。
尚、除去工程において犠牲基板１１８を除去した後に、犠牲層１３８を除去することとして説明したが、犠牲層１３８を先に除去してもよい。
（製造方法の第三実施例）
製造方法の第三実施例によるプローブユニット１８の製造方法では、除去工程においてプローブユニット１８と犠牲基板２１２とを分離して除去する。尚、製造方法の第三実施例では製造方法の第一実施例と実質的に同一な部分については同一の符号を付して説明を省略する。
製造方法の第三実施例によるプローブユニット１８の製造方法では、除去工程においてプローブユニット１８と犠牲基板２１２とを分離して除去する。尚、製造方法の第三実施例では製造方法の第一実施例と実質的に同一な部分については同一の符号を付して説明を省略する。
図１４から１６は、製造方法の第三実施例を説明する図である。図１４から１６の（Ａ１）から（Ａ９）は図５（Ａ）のａ４−ａ４線断面図に対応し、図１４から１６の（Ｂ１）から（Ｂ９）は図５（Ａ）の側面図に対応する。
図１４および１５は、製造方法の第三実施例に係る犠牲基板製造工程を説明する図である。製造方法の第三実施例に係る犠牲基板製造工程では、第二基板２００、第二シード層２０８、および犠牲膜２１０からなる犠牲基板２１２を形成する。
まず、第二基板２００の表面上にフォトレジストを塗布し、第五レジスト膜２０２を形成する（図１４（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第五レジスト膜２０２を除去し、第二基板２００の表面を露出させる第三開口部２０４を形成する（図１４（Ａ３）、（Ｂ３）参照）。
次に、第三開口部２０４から露出する第二基板２００をエッチング等により所定の深さまで除去し、第三凹部２０６を形成する（図１４（Ａ４）、（Ｂ４）参照）。第三凹部２０６は、切削加工、溝入れ、サンドブラスト、放電加工（第二基板２００が導電性である場合）等により形成してもよい。
次に、第五レジスト膜２０２を除去する（図１５（Ａ５）、（Ｂ５）参照）。
まず、第二基板２００の表面上にフォトレジストを塗布し、第五レジスト膜２０２を形成する（図１４（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。
次に、所定形状のマスクを配置し、露光現像処理を行って不要な第五レジスト膜２０２を除去し、第二基板２００の表面を露出させる第三開口部２０４を形成する（図１４（Ａ３）、（Ｂ３）参照）。
次に、第三開口部２０４から露出する第二基板２００をエッチング等により所定の深さまで除去し、第三凹部２０６を形成する（図１４（Ａ４）、（Ｂ４）参照）。第三凹部２０６は、切削加工、溝入れ、サンドブラスト、放電加工（第二基板２００が導電性である場合）等により形成してもよい。
次に、第五レジスト膜２０２を除去する（図１５（Ａ５）、（Ｂ５）参照）。
次に、第二基板２００上に第二シード層２０８を形成する（図１５（Ａ６）、（Ｂ６）参照）。第二シード層２０８には、例えばＮｉ（膜厚０．１μｍ）の単層、Ｔｉ（膜厚０．０５μｍ）とＮｉ（膜厚０．１μｍ）の複層、Ｃｒ（膜厚０．０５μｍ）とＮｉＦｅ合金（０．１μｍ）の複層などを用いる。第一シード層１２０の形成方法は、例えばスパッタ、蒸着、ＣＶＤ、無電解めっき等である。
次に、めっきにより第二シード層２０８上に犠牲膜２１０を形成する（図１５（Ａ７）、（Ｂ７）参照）。犠牲膜２１０は、第二基板２００に対して選択的に除去可能な材料である。尚、犠牲膜２１０は、スパッタ等により形成してもよい。そのときは、第二シード層２０８を形成せず、第二基板２００上に犠牲膜２１０を形成すればよい。
次に、めっきにより第二シード層２０８上に犠牲膜２１０を形成する（図１５（Ａ７）、（Ｂ７）参照）。犠牲膜２１０は、第二基板２００に対して選択的に除去可能な材料である。尚、犠牲膜２１０は、スパッタ等により形成してもよい。そのときは、第二シード層２０８を形成せず、第二基板２００上に犠牲膜２１０を形成すればよい。
図１６は、製造方法の第三実施例に係る除去工程を説明する図である。
製造方法の第一実施例と同様にして、犠牲基板２１２上にプローブ６、犠牲層１３８、および支持基板２を形成（図１６（Ａ８）、（Ｂ８）参照）した後に、第二シード層２０８が露出まで第二基板２００の犠牲膜２１０が形成されていない側を研磨等により除去する（図１６（Ａ９）、（Ｂ９）参照）。
次に、エッチング等により犠牲膜２１０、第二シード層２０８および犠牲層１３８を除去する。犠牲膜２１０および第二シード層２０８を除去することにより、プローブ６および支持基板２からなるプローブユニット１８と第二基板２００とを分離できる（図１６（Ａ１０）、（Ｂ１０）参照）。
製造方法の第一実施例と同様にして、犠牲基板２１２上にプローブ６、犠牲層１３８、および支持基板２を形成（図１６（Ａ８）、（Ｂ８）参照）した後に、第二シード層２０８が露出まで第二基板２００の犠牲膜２１０が形成されていない側を研磨等により除去する（図１６（Ａ９）、（Ｂ９）参照）。
次に、エッチング等により犠牲膜２１０、第二シード層２０８および犠牲層１３８を除去する。犠牲膜２１０および第二シード層２０８を除去することにより、プローブ６および支持基板２からなるプローブユニット１８と第二基板２００とを分離できる（図１６（Ａ１０）、（Ｂ１０）参照）。
以上説明した本発明の製造方法の第三実施例に係る製造方法によると、犠牲基板形成工程において、第二基板２００、第二シード層２０８、および犠牲膜２１０からなる犠牲基板２１２を形成し、除去工程において犠牲膜２１０および第二シード層２０８を除去するため、プローブ６および支持基板２からなるプローブユニット１８と第二基板２００とを分離して犠牲基板２１２を除去できる。
また、第二シード層２０８を第二基板２００から露出させた後に、エッチング等により犠牲膜２１０および第二シード層２０８を除去するため、犠牲膜２１０および第二シード層２０８を短時間で除去できる。犠牲膜２１０が露出するまで、第二基板２００を除去してもよいし、第二基板２００を除去せずに犠牲膜２１０および第二シード層２０８を除去してもよい。
また、第二シード層２０８を第二基板２００から露出させた後に、エッチング等により犠牲膜２１０および第二シード層２０８を除去するため、犠牲膜２１０および第二シード層２０８を短時間で除去できる。犠牲膜２１０が露出するまで、第二基板２００を除去してもよいし、第二基板２００を除去せずに犠牲膜２１０および第二シード層２０８を除去してもよい。
上記の実施例では、第二シード層２０８にＮｉ、Ｔｉ等、犠牲膜２１０にＣｕ等の選択的に除去できる材料を用いることができるので、除去工程においてそれぞれの材料を溶解するエッチャントによりエッチングすることができる。また、これに替えて第二シード層２０８もしくは犠牲膜２１０のいずれか一方または両方を、例えばＳｎ、はんだ等の低融点金属で形成してもよい。第二シード層２０８もしくは犠牲膜２１０のいずれか一方を低融点金属で形成すれば、加熱することにより第二シード層または犠牲膜２１０を溶融させてプローブユニット１８と第二基板２００とを分離できる。第二シード層２０８と犠牲膜２１０の両方を低融点金属で形成すれば、同時に除去することができる。その後、プローブユニット１８上に残った犠牲膜２１０と第二シード層２０８は、エッチング等により除去される。
尚、製造方法の第一実施例から第三実施例に係る製造方法によれば、プローブユニット１６、１７および２０を製造することもできる。具体的には例えば、図１７に示すように犠牲層１３８を凹部１１６のみに形成すれば、溝部４を有さないプローブユニット１６を製造することができる。また、支持基板２の形成前に導線６の一部をレジスト等で被覆すれば、リード部１０の一部が支持基板２に埋没するプローブユニット１７を製造することができる。また、ジグザグ状の第一開口部１２５を形成すれば、リード部１０がジグザグ状のプローブユニット２０を製造することができる。
１、１６、１７、１８、２０ プローブユニット、２ 支持基板、６ プローブ、８ ブリッジ部、１０ リード部、１１６ 凹部、１１８、２１２ 犠牲基板、１３８ 犠牲層
Claims (7)
- 凹部を有する犠牲基板を形成する犠牲基板形成工程と、
前記凹部の内壁に沿って前記凹部を横断する導線を前記犠牲基板上に形成する導線形成工程と、
前記導線の前記凹部を横断する部分を覆う犠牲層を前記導線上に形成する犠牲層形成工程と、
前記犠牲基板上に絶縁材料からなる支持基板を形成して前記支持基板と前記犠牲基板との間に前記犠牲層と前記導線とを埋没させる支持基板形成工程と、
前記犠牲基板と前記犠牲層とを除去する除去工程と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。 - 前記犠牲基板形成工程において、前記犠牲基板を溶融可能な材料で形成し、
前記除去工程において、前記犠牲基板を溶融して除去することを特徴とする請求項１に記載のプローブユニットの製造方法。 - 前記犠牲基板形成工程において、前記凹部を有する面に犠牲膜が形成されている前記犠牲基板を形成し、
前記導線形成工程において、前記犠牲膜上に前記導線を形成し、
前記除去工程において、前記犠牲膜を除去して前記犠牲基板と前記導線とを分離することにより、前記犠牲基板を除去することを特徴とする請求項１に記載のプローブユニットの製造方法。 - 前記犠牲基板形成工程と前記犠牲層形成工程とにおいて、前記犠牲基板と前記犠牲層とを、選択的に除去可能な互いに異なる材料で形成し、
前記除去工程において、前記犠牲基板と前記犠牲層とを別工程で除去することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のプローブユニットの製造方法。 - 前記犠牲基板形成工程と前記犠牲層形成工程とにおいて、前記犠牲基板と前記犠牲層とを、前記除去工程において同一工程で除去可能な材料で形成し、
前記除去工程において、前記犠牲基板と前記犠牲層とを同一工程で除去することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のプローブユニットの製造方法。 - 支持基板と、
両端が前記支持基板に接合され中間が前記支持基板から突出して前記支持基板との間に空隙を有し検体と接触するブリッジ部と、前記ブリッジ部に接続され少なくとも一部が前記支持基板に埋設されるリード部とを有する導線と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。 - 前記リード部が曲折していることを特徴とする請求項６に記載のプローブユニット。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513986A (ja) * | 2005-10-31 | 2009-04-02 | カプレス・アクティーゼルスカブ | 試験試料の電気的性質を試験するプローブ |
| JP2021092450A (ja) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | 石福金属興業株式会社 | Ｒｈ基合金からなるプローブピン用材料およびプローブピン |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316270A (ja) * | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置 |
| JP2001284421A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-10-12 | Advantest Corp | コンタクトストラクチャ |
| JP2002071720A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Kobe Steel Ltd | 接続装置の製造方法 |
| JP2002350467A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-12-04 | Mitsui Chemicals Inc | 電気検査用プローブの製造方法 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004102723A patent/JP2005291725A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316270A (ja) * | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置 |
| JP2001284421A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-10-12 | Advantest Corp | コンタクトストラクチャ |
| JP2002071720A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Kobe Steel Ltd | 接続装置の製造方法 |
| JP2002350467A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-12-04 | Mitsui Chemicals Inc | 電気検査用プローブの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513986A (ja) * | 2005-10-31 | 2009-04-02 | カプレス・アクティーゼルスカブ | 試験試料の電気的性質を試験するプローブ |
| US8310258B2 (en) | 2005-10-31 | 2012-11-13 | Capres A/S | Probe for testing electrical properties of a test sample |
| JP2021092450A (ja) * | 2019-12-11 | 2021-06-17 | 石福金属興業株式会社 | Ｒｈ基合金からなるプローブピン用材料およびプローブピン |
| JP7300677B2 (ja) | 2019-12-11 | 2023-06-30 | 石福金属興業株式会社 | Ｒｈ基合金からなるプローブピン用材料およびプローブピン |
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