JP2005277752A - 画像読み取り装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 LED52による照射光の強さを100%とした場合にラインセンサ54にて白基準テープ64を読み取って得られる100%シェーディングデータと、LED52による照射光の強さを50%とした場合にラインセンサ54にて白基準テープ64を読み取って得られる50%シェーディングデータとの差分を取り、この差分が予め設定された閾値より低い部位(画素)をごみ付着部位(画素)と判断する。そして、100%シェーディングデータにおけるごみ付着部位のデータを、工場出荷時に予め取得してFROMに格納しておいた初期シェーディングデータを用いて補間する。補間に際しては、100%シェーディングデータと初期シェーディングデータとのレベルの違いを加味する。
【選択図】 図2
Description
このような画像読み取り装置では、原稿の搬送経路に直交する方向の位置によって光源から照射される光量にばらつきがあったり、また、経時的に光源の光量が変動したりするといった事態が生じる。光源の光量が変動すると、例えばハーフトーンの画像が一様に形成された原稿を読み取った場合に、出力される画像信号が光源の光量に応じたばらつきを有する不均一なものとなってしまう。
また、仮に白基準部材の複数の位置でシェーディングデータを取得できたとしても、各位置において白基準部材にごみや汚れが付着している可能性を排除できないため、取得したシェーディングデータ中に異常値が存在するおそれがあった。
また、他の目的は、基準部材を読み取って得られた読み取りデータから、基準部材に付着したごみや汚れ等の影響を低減することにある。
―実施の形態1―
図1は本実施の形態が適用される画像読み取り装置を示した図である。この画像読み取り装置は、積載された原稿束から原稿を順次、搬送する原稿送り装置10、スキャンによって画像を読み込む第2の読み取り部としてのスキャナ装置70、および読み込まれた画像信号を処理する処理装置80に大別される。
図3は、処理装置80を説明するためのブロック図である。本実施の形態が適用される処理装置80は、大きく、センサ(CCDイメージセンサ78およびCIS50)から得られた画像情報を処理する信号処理部81と、原稿送り装置10およびスキャナ装置70を制御する制御部90とを備えている。信号処理部81は、表面(第1面)を読み取るCCDイメージセンサ78および裏面(第2面)を読み取るCIS50のラインセンサ54からの各々の出力に対して所定の画像処理を施している。この信号処理部81は、ラインセンサ54からの出力に対してアナログ信号の処理を行うAFE(Analog Front End)82、アナログ信号をディジタル信号に変換するADC(Analog to Digital Converter)83を有している。但し、これらの機能は、CIS50の内部にて処理されるように構成することもできる。また、信号処理部81は、ディジタル信号に対してシェーディング補正やオフセット補正等の各種処理を施す画像処理回路が2系統、備えられており、表面(第1面)の画像データに対して画像処理を施す第1画像処理回路100、裏面(第2面)の画像データに対して画像処理を施す第2画像処理回路200を備えている。これらの画像処理回路からの出力は、例えばプリンタ等のIOT(Image Output Terminal)や、パーソナルコンピュータ(PC)等のホストシステムへ出力される。
図4は、信号処理部81の構成を更に詳述したブロック図である。第1画像処理回路100は、全体の制御を行う第1CPU101、CCDイメージセンサ78から出力された表面画像データに対してサンプルホールドやオフセット調整、A/D変換等を行うAFE102、また、表裏の画像データを選択して出力するためのセレクタ(SEL)103、CCDイメージセンサ78による白基準板69(図1参照)の読み取りデータを一時的に格納するためのRAM(Random Access Memory)104を備えている。更に、シェーディング補正やライン補間(RGBの位置ずれ補間)等を実行するA集積回路(ASIC-A)110、MTFフィルタや縮拡処理、2値化処理等を実行するB集積回路(ASIC-B)130を備えている。
図10(a),(b)は、図9のステップ102に示した1パスによる片面読み取りモードと、ステップ106に示した1パスによる両面同時読み取りである第2の両面読み取りモードの原稿パスを示した図である。図10(a)に示すように、原稿トレイ11に載置された原稿は、ナジャーロール13、フィードロール14およびリタードロール15、テイクアウェイロール16によって、第1搬送路31に順次、供給される。供給された原稿は、図10(b)に示すように、プラテンロール19の読み取り部およびCIS50の読み取り部を経由して、搬送路切替ゲート42によって第2搬送路32に移動し、排出トレイ40に、順次、排出される。片面読み取りの場合には、プラテンロール19の箇所にて、下方から、図1に示すスキャナ装置70のCCDイメージセンサ78を用いた読み取りがなされる。但し、前述のように、CIS50を用いた片面読み取りも可能である。また、1パスによる両面同時読み取りの場合には、スキャナ装置70のCCDイメージセンサ78を用いて第1面を読み取り、同一搬送時にCIS50を用いて第2面を読み取る。これによって、1回の原稿パスによって両面の原稿読み取りを行うことが可能となる。
図12は、スキャナ装置70側すなわちCCDイメージセンサ78におけるシェーディングデータ取得の処理の流れを示すフローチャートである。この処理は、第1画像処理回路100の第1CPU101によって実行される。
この処理では、まず、AFE102においてCCDイメージセンサ78を構成する各センサに対するオフセット補正(CCDオフセット補正)を行う(ステップ201)。次に、第1ミラー76Aが白基準板69の下部に位置するようにフルレートキャリッジ73を移動させる(ステップ202)。なお、ステップ202では、Xeランプ74は消灯させたままである。そして、Xeランプ74を消灯させた状態で、CCDイメージセンサ78による白基準板69の読み取りを行い、黒基準のシェーディングデータを取得する(ステップ203)。そして、取得されたスキャナ装置70側の黒基準のシェーディングデータを第1画像処理回路100のA集積回路110に設けられたシェーディングメモリ121に格納する(ステップ204)。
この処理では、まず、AFE82においてCIS50のラインセンサ54を構成する各センサに対するオフセット補正(CISオフセット補正)を行う(ステップ301)。次に、LED52を消灯させた状態、すなわち、光の強さが0%の状態で、CIS50による白基準テープ64の読み取りを行い、黒基準のシェーディングデータを取得し(ステップ302)、取得されたCIS50側の黒基準のシェーディングデータを第2画像処理回路200のC集積回路210に設けられたシェーディングメモリ221に格納する(ステップ303)。
この処理では、まず、RAM203に格納された100%シェーディングデータSHD100と50%シェーディングデータSHD50とを読み出す(ステップ401)。そして、各画素番号Pi(i=1〜7100)における、100%シェーディングデータSHD100(i)と50%シェーディングデータSHD50(i)との差分Diを求める(ステップ402)。次に、得られた各画素番号Piにおける各差分Di(i=1〜7100)が、予め規定された閾値Thよりも小さいか否かを判断する(ステップ403)。そして、差分Diが閾値Thよりも小さかったものをごみ付着画素と判断し、その画素番号Piをごみ付着画素番号としてRAM203に格納し(ステップ404)、処理を終了する。
この処理では、まず、RAM203に格納された100%シェーディングデータSHD100を読み出し(ステップ501)、次いで、RAM203に格納されたごみ付着画素番号を読み出す(ステップ502)。次に、読み出されたごみ付着画素番号の前後5画素をごみ付着画素番号に追加し(ステップ503)、さらに、FROM202に格納された工場出荷時の初期シェーディングデータSHDiniより、ステップ503にて決定されたごみ付着画素番号に対応するデータを読み出す(ステップ504)。次に、100%シェーディングデータSHD100よりごみ付着画素番号の手前側10画素分を取り出してその平均値を求め(ステップ505)、得られた平均値を用いてステップ504で読み出したデータの補正を行う(ステップ506)。そして、補正されたデータを用いて、100%シェーディングデータSHD100のごみ付着画素番号のデータを補間(置換)して(ステップ507)、処理を終了する。
図16(a)は、シェーディングデータ取得時における白基準テープ64の状態を示している。なお、この例では、白基準テープ64の一部にごみGが付着しており、これを読み取った結果に基づいてCIS50用のシェーディングデータを生成するものとする。
図16(b)は、図16(a)に示す白基準テープ64を読み込むことにより、図13に示すステップ305で取得される100%シェーディングデータSHD100を示している。同図において、横軸は画素番号Pである(以下、図16(b),(c)においても同じ)。白基準テープ64にごみGが付着した部位では、ごみGが付着していない部位に比べて、反射光の量が著しく減少する。このため、ごみ付着部に対応するデータは、他の部位よりも著しく落ち込むことになる。なお、図16(b)では、100%シェーディングデータSHD100が画素方向に対して波打っているが、これは、CIS50においてセルフォックレンズ53を用いているためであり、波打ちの周期は、セルフォックレンズ53に設けられた各レンズのピッチに対応している。
図16(d)は、図14に示すステップ402で求められる100%シェーディングデータSHD100と50%シェーディングデータSHD50との差分Dを示している。同図より、ごみ付着部位では、ごみが付着していない部位と比べて差分Dが著しく小さくなっていることがわかる。本発明者の実験によれば、LED52の光の強さを100%から50%に半減させた場合に、白基準テープ64の白基準面(ごみが付着していない面)からの反射光量は略半分近くまで減少するのに対し、白基準テープ64のごみ付着面からの反射光量については、多少は減少するものの、白基準面側と比べて減少の度合いは小さくなることが判明している。この理由は、ごみ付着部位では、ごみによる吸収や散乱によってラインセンサ54へと反射する反射光量が減少しているため、照射する光の強さを大きく変化させた場合にも、反射する光量がそれほど影響を受けないことに起因するものと考えられる。したがって、差分Dが小さい部位については、ごみGが付着した領域(異常部位)であると判断することができ、本実施の形態では、図14に示すステップ403において、差分Diが閾値Thよりも小さいか否かを判断して、ごみ付着部位であるか否かを決定している。
図17(b)は、図15に示すステップ501で読み出される100%シェーディングデータSHD100のうち、ごみ付着画素の近傍を拡大したものである。なお、このステップ403では、図16(b)に示す100%シェーディングデータSHD100が読み出される。また、図15に示すステップ502では、ごみ付着画素番号(この例では画素番号Pa〜Pb)が読み出される。ここで、図16(b)を参照すると、確かに、画素番号Pa〜Pbの領域では、100%シェーディングデータSHD100が落ち込みを見せているが、実際には、画素番号Pa〜Pbの周辺画素を含む画素番号Pc〜Pdにおいて100%シェーディングデータに異常が生じていることがわかる。そこで、本実施の形態では、図15に示すステップ503において、ごみ付着画素番号Paよりも前側5画素およびごみ付着画素番号Pbよりも後ろ側5画素をごみ付着画素番号に追加している。ここで、ごみ付着画素番号として追加する画素数を5画素としているのは、発明者の実験結果に基づくものである。
これにより、本実施の形態に係るCIS50では、読み取られた画像データに対してより正確なシェーディング補正を行うことが可能となり、白基準テープ64にごみが付着することに伴う画像データにおける筋の発生を防止することができる。
本実施の形態は、実施の形態1と同様であるが、100%シェーディングデータSHD100を補正する際に初期シェーディングデータSHDiniを用いるのではなく、過去のシェーディングデータあるいは第2の読み取りデータとして、前回の画像読み取り時に使用した前回シェーディングデータSHDlastを用いるようにしたものである。なお、本実施の形態において、実施の形態1と同様のものについては、実施の形態1と同じ符号を付してその詳細な説明を省略する。
図18は、本実施の形態で用いられるフラッシュROM(FROM)202に格納されるデータ例を示した図である。本実施の形態では、実施の形態1で説明した工場出荷時に取得された初期シェーディングデータSHDiniの他に、前回の画像読み取り時に取得され、実際に用いられた前回シェーディングデータSHDlastが格納されている。
これにより、本実施の形態に係るCIS50では、読み取られた画像データに対してより正確なシェーディング補正を行うことが可能となり、白基準テープ64にごみが付着することに伴う画像データにおける筋の発生を防止することができる。
なお、本実施の形態では、一番最初に画像読み取りを行う場合には前回シェーディングデータSHDlastが存在しないため、その場合には初期シェーディングデータSHDiniを用いて補正を行うことが好ましい。
本実施の形態は、実施の形態1と略同様であるが、取得された100%シェーディングデータSHD100を補正する手法が一部異なっている。なお、本実施の形態において、実施の形態1と同様のものについては、実施の形態1と同じ符号を付してその詳細な説明を省略する。
本実施の形態では、実施の形態1と同様の手法にて白基準テープ64に対するごみ検知が行われるが、上述したように100%シェーディングデータの補正(補間)における処理が異なっている。図20は、図13のステップ311に示す100%シェーディングデータの補正(補間)における処理の流れを示すフローチャートである。この処理は、第2画像処理回路200の第2CPU201によって実行される。
その後、RAM203に格納された100%シェーディングデータSHD100を読み出し(ステップ705)、RAM203に格納されたごみ付着画素番号を読み出す(ステップ706)。次に、読み出した100%シェーディングデータSHD100のうち、左側3分の1の領域(左端領域:画素番号1〜2367)における平均値(100%左端平均値)SHD100Lを求める(ステップ707)。そして、読み出した100%シェーディングデータSHD100のうち、中央側3分の1の領域(中央領域:画素番号2368〜4734)における平均値(100%中央平均値)SHD100Cを求め(ステップ708)、さらに、読み出した100%シェーディングデータSHD100のうち、右側3分の1の領域(右端領域:画素番号4735〜7100)における平均値(100%右端平均値)SHD100Rを求める(ステップ709)。なお、ステップ707〜709において平均値(SHD100L、SHD100C、SHD100R)を計算する場合、ごみ付着画素番号に対応するデータは除外されている。
これにより、本実施の形態に係るCIS50では、読み取られた画像データに対してより正確なシェーディング補正を行うことが可能となり、白基準テープ64にごみが付着することに伴う画像データにおける筋の発生を防止することができる。
Claims (8)
- 原稿を照射する光源と、
前記原稿から反射する反射光を受光するセンサと、
前記センサにより、原稿の画像データを補正するための読み取りデータが読み取られる基準部材と、
前記基準部材を読み取って得られた基準データが予め記憶される記憶手段と、
前記光源にて前記基準部材に光を照射し前記センサで当該基準部材から反射した反射光を受光して取得された読み取りデータにおける異常部位を特定する特定手段と、
前記特定手段にて特定された前記異常部位のデータを、前記記憶手段に記憶されている前記基準データに置き換える置換手段と
を含む画像読み取り装置。 - 前記置換手段は、前記特定手段にて特定された前記異常部位のデータおよび当該異常部位近傍のデータを前記基準データに置き換えることを特徴とする請求項1記載の画像読み取り装置。
- 前記置換手段は、前記読み取りデータと前記基準データとのレベルの違いを加味して前記異常部位のデータを置き換えることを特徴とする請求項1記載の画像読み取り装置。
- 前記記憶手段には、出荷時に前記基準部材を読み取って得られた基準データが記憶されることを特徴とする請求項1記載の画像読み取り装置。
- 原稿を照射する光源と、
前記原稿から反射する反射光を受光するセンサと、
前記センサにより、原稿の画像データを補正するための読み取りデータが読み取られる基準部材と、
前記光源にて前記基準部材に光を照射し前記センサで当該基準部材から反射した反射光を受光した結果に基づいて取得された第1の読み取りデータと、当該第1の読み取りデータが取得される前に取得された第2の読み取りデータとを用いて、当該センサにて原稿を読み取って得られる画像データの補正に用いられるシェーディングデータを生成する生成部と
を含む画像読み取り装置。 - 前記生成部は、前記第2の読み取りデータを用いて前記第1の読み取りデータにおける異常箇所を補間して前記シェーディングデータを生成することを特徴とする請求項5記載の画像読み取り装置。
- 前記第2の読み取りデータを格納する格納部をさらに備え、
前記生成部は、生成された前記シェーディングデータを前記第2の読み取りデータとして前記格納部に格納することを特徴とする請求項5記載の画像読み取り装置。 - 前記光源はLED(Light Emitting Diode)を複数並べたLEDアレイからなり、当該光源はセルフォックレンズを複数並べたレンズアレイを備えていることを特徴とする請求項5記載の画像読み取り装置。
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