JP2005269525A - デュアルバンド増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の増幅器101は、第1及び第2のシングルゲートFET1,2により、第2の増幅器102は、第3及び第4のシングルゲートFET3,4により、スタック型に構成された同一の回路となっており、例えば、第1の増幅器101がオン状態にあり、第2の増幅器102がオフ状態にある場合、第1の増幅器101の出力側に配された第2のシングルゲートFET2のゲート端子G2にはバイアススイッチ用FET5のソース電位が印加される一方、第2の増幅器102の出力側に配された第4のシングルゲートFET4のゲートG4は、接地電位となるため、そのゲート・ドレイン間電圧が大きくなり、従来に比して、3次相互変調歪みの増加が十分抑圧されるものとなっている。
【選択図】図1
Description
具体的には、非特許文献1には、D帯TDMA通信時とD帯上下非対称パケット通信時において上述のような構成のデュアルバンド用低雑音増幅器が開示されている。
このデュアルバンド増幅器は、使用周波数が異なる第1及び第2の増幅器(図3においては、それぞれ「AMP1」、「AMP2」と表記)101A,102Aを有してなり、これら第1及び第2の増幅器101A,102Aは、基本的に同一の回路構成を有するものとなっており、この例では、デュプレッション型電界効果トランジスタがスタック型に構成されたものとなっている。
そして、これら第1及び第2の増幅器101A,102Aは、外部からの制御電圧によってバイアススイッチ用電界効果トランジスタ65,66の一方を導通状態、他方を非導通状態とすることで、いずれか一方の増幅器101A,102Aのみを動作状態とし、高周波信号出力端子53から所望の増幅信号を得ることができるようになっている。
したがって、ノードCから見た第2の増幅器102Aのインピーダンスは高インピーダンスを保てなくなり、その結果、第1の増幅器101Aの出力インピーダンスの変化を招くため、3次相互変調歪みの増加、すなわち、劣化を招くこととなるという問題がある。
同一の構成を有してなり、出力端子を共通としてそれぞれ増幅周波数帯域の異なる2つの増幅器を具備してなるデュアルバンド増幅器であって、
前記2つの増幅器は、共に2つの電界効果トランジスタが前記共通の出力端子とアースとの間にスタック型に構成されてなり、
前記2つの電界効果トランジスタの内、アース側に位置する電界効果トランジスタのゲート端子は、前記それぞれの増幅器の高周波信号入力端子に接続され、前記2つの電界効果トランジスタの内、前記共通の出力端子側に位置する電界効果トランジスタのドレイン端子は、共に前記共通の出力端子に接続され、
前記アース側に位置する電界効果トランジスタのソース端子は、バイパスキャパシタを介してアースに接続されると共に、バイアススイッチ用電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、当該バイアススイッチ用電界効果トランジスタのソース端子は、自己バイアス抵抗器を介してアースに接続される一方、
前記共通の出力端子側に位置する電界効果トランジスタのゲート端子は、前記バイアススイッチ用電界効果トランジスタのソース端子と前記自己バイアス抵抗器との接続点に接続されてなるものである。
なお、以下に説明する部材、配置等は本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。
最初に、本発明の実施の形態におけるデュアルバンド増幅器の構成例について、図1を参照しつつ説明する。
このデュアルバンド増幅器は、使用周波数が異なる第1及び第2の増幅器(図1においては、それぞれ「AMP1」、「AMP2」と表記)101,102を有してなり、これら第1及び第2の増幅器101,102は、基本的に同一の回路構成を有するものとなっており、この例では、デュプレッション型シングルゲート電界効果トランジスタ(以下、「シングルゲートFET」と言う)をスタック型に構成したものとなっている。
以下、具体的にその構成について説明する。なお、第1及び第2の増幅器101,102は、共に同一の構成を有してなるものであるので、以下の第1の増幅器101の構成の説明において、第1の増幅器101の構成要素の後に括弧書きで対応する第2の増幅器102の構成要素の符号、又は、構成要素の名称と符号を記し、第1の増幅器101の構成の説明を以て第2の増幅器102の構成の説明に代えることとする。
また、第1のシングルゲートFET1のソース端子S1(S3)は、第1のソースインダクタ31(第2のソースインダクタ32)を介して第1のバイアススイッチ用FET5(第2のバイアススイッチ用FET6)のドレイン端子D5(D6)に接続されると共に、第1のバイパスキャパシタ25(第3のバイパスキャパシタ27)を介して接地されている。
ここで、第1及び第2のバイアススイッチ用FET5,6は、例えば、エンハンスメント型電界効果トランジスタが好適である。
この第2のシングルゲートFET2のゲート端子G2(G4)は、第1のバイアスSW用FET5のソース端子S5と第1の自己バイアス抵抗器13との接続点に接続されると共に、第2のバイパスキャパシタ26(第4のバイパスキャパシタ28)を介して接地されるようになっている。
かかる構成において、例えば、第1の増幅器101によって高周波信号を増幅する場合を例に説明すれば、この場合、第1の制御電圧印加端子44に第1のバイアスSW用FET5を導通状態とするバイアス電圧を印加する一方、第2の制御電圧印加端子45に第2のバイアスSW用FET6を非導通状態とするバイアス電圧を印加する。
その結果、第1の増幅器101が動作状態となる一方、第2の増幅器102が非動作状態となる。
なお、第2の増幅器102を動作状態とし、第1の増幅器101を非動作状態とした場合の動作も、基本的には上述した動作説明と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略することとする。
まず、両図において、横軸は入力電力(dBm)を、縦軸は3次相互変調歪み量(dBm)を、それぞれ示している。なお、図2及び図4において、「Pin」は、入力電力を、「IM3」は、3次相互変調歪みを、それぞれ意味している。
また、本発明の実施の形態におけるデュアルバンド増幅器では、入力電力の増加に対して3次相互変調歪みがほぼ直線的に変化する線形領域が従来回路に比して改善されたものとなっている(図2及び図4の点線の直線及び実線の特性線参照)。
2…第2のシングルゲートFET
3…第3のシングルゲートFET
4…第4のシングルゲートFET
5…第1のバイアススイッチ用FET
6…第1のバイアススイッチ用FET
41…第1の高周波信号入力端子
42…第2の高周波信号入力端子
43…の高周波信号共通出力端子
101…第1の増幅器
102…第2の増幅器
Claims (2)
- 同一の構成を有してなり、出力端子を共通としてそれぞれ増幅周波数帯域の異なる2つの増幅器を具備してなるデュアルバンド増幅器であって、
前記2つの増幅器は、共に2つの電界効果トランジスタが前記共通の出力端子とアースとの間にスタック型に構成されてなり、
前記2つの電界効果トランジスタの内、アース側に位置する電界効果トランジスタのゲート端子は、前記それぞれの増幅器の高周波信号入力端子に接続され、前記2つの電界効果トランジスタの内、前記共通の出力端子側に位置する電界効果トランジスタのドレイン端子は、共に前記共通の出力端子に接続され、
前記アース側に位置する電界効果トランジスタのソース端子は、バイパスキャパシタを介してアースに接続されると共に、バイアススイッチ用電界効果トランジスタのドレイン端子に接続され、当該バイアススイッチ用電界効果トランジスタのソース端子は、自己バイアス抵抗器を介してアースに接続される一方、
前記共通の出力端子側に位置する電界効果トランジスタのゲート端子は、前記バイアススイッチ用電界効果トランジスタのソース端子と前記自己バイアス抵抗器との接続点に接続されてなることを特徴とするデュアルバンド増幅器。 - 前記2つの増幅器は、それぞれ、2つの電界効果トランジスタをスタック型に構成することに代えて、デュアルゲート電界効果トランジスタを用いて構成されてなることを特徴とする請求項1記載のデュアルバンド増幅器。
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