JP2005268762A - 多層回路配線板及びこの配線板を用いた実装基板 - Google Patents
多層回路配線板及びこの配線板を用いた実装基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005268762A JP2005268762A JP2005037341A JP2005037341A JP2005268762A JP 2005268762 A JP2005268762 A JP 2005268762A JP 2005037341 A JP2005037341 A JP 2005037341A JP 2005037341 A JP2005037341 A JP 2005037341A JP 2005268762 A JP2005268762 A JP 2005268762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stiffener
- wiring board
- multilayer circuit
- circuit wiring
- interposer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
半導体素子を多層回路配線板に電気的接合するために行うハンダリフロー過程の電気的接合の温度変化に対しても、信頼性を保証することができる多層回路配線板及びこの多層回路配線板を用いた実装基板を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、スティフナーを、スティフナーの接着領域に、接着部と空隙部を設けた構成とし、接着領域の面積より少ない面積の接着部を介して固定した多層回路配線とすることにより解決した。
【選択図】図1
Description
頼性を保証することが可能な多層回路配線板及びこの配線板を用いた実装基板に関する。
クロック周波数で1GHzに達するものが出現している。このような高速度の半導体素子
では、トランジスターの集積度が高く、その結果入出力端子数が1000を越えることも
ある。
このような多端子数の半導体素子をプリント配線板に実装するために、半導体素子とプリント配線板の基板との間には、インターポーザと呼ばれる多層回路配線板が配置され、両者の電気的接合の橋渡しを担っている。
前記多層回路配線板(以下インターポーザと記す)では、高密度に配置した半導体素子の端子との接合に対応するため、非常に薄い配線層等の層構造と、微細なライン・アンド・スペースを有する回路配線パターンを持つ特徴がある。
現在広く実用化されているインターポーザとしては、例えばBGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Size Package)等が挙げられる。最近では、更なる高密度実装への対応、又は高速度の動作周波数化への要望に答えるため、ポリイミド樹脂フィルムなどの基板に銅箔等からなる配線パターンを形成した導体層を積層してインターポーザ全体の基板厚を薄くすると共に、導体層間の接続長を短くすることにより高周波数に対応させたものも開発されてきている。
インターポーザへの半導体素子の搭載は、ハンダリフロー過程の処理プロセスにより行う。この製造プロセスでは、インターポーザと半導体素子との位置合わせの後、全体の雰囲気温度を260℃近辺まで昇温して、ハンダバンプを高温で融解し、インターポーザと半導体素子の各々ハンダバンプの所定箇所間を接合し、常温に戻す。温度低下と共に、ハンダバンプは固化してハンダバンプ接合は固定される。
このハンダリフロー過程の処理プロセスでは、インターポーザは薄く撓み易いので半導体素子搭載箇所を取り囲む形状のスティフナーと呼ばれる金属板に接着して操作する。
図8(a)は、スティフナー(2)と、接着部(3)と、インターポーザ(1)を分離して示した斜視図である。
前記スティフナー(2)は、金属等により作製し、窓枠状の中央部に開口部を設けた固定冶具である。
前記接着部(3)は、接着領域(4)の全面に形成されている。
前記インターポーザ(1)は、中央部に半導体素子を搭載する領域(5)を設けた多層回路配線板である。
次に、図8(b)は、スティフナーを接着したインターポーザの側断面図であり、インターポーザ(1)の片側に、前記接着部(3)を介して、スティフナー(2)を貼り合わせ固定する。
そして、図8(c)は、ハンダリフロー過程の側断面図であり、インターポーザ(1)のハンダバンプ領域(1a)と、半導体素子(10)のハンダバンプ領域(10a)とを位置合わせ後、半導体素子(10)を載置した状態の側断面図である。
次に、上記の状態でハンダリフロー過程に投入する。この加熱時、インターポーザの変形により、そのハンダバンプ領域(1a)上面と、半導体素子(10)のハンダバンプ領域(10a)の下面との距離が不安定となる場合がある。
しかしながら、半導体素子の端子は、高密集して配置され、端子上のハンダバンプも微小であるため、インターポーザの微小な変形による工程中の位置ズレが大きな問題であった。
ハンダリフロー過程の工程中の位置ズレの発生原因は次のように考えられる。熱膨張係数を揃えたポリイミド樹脂と銅であっても完全に熱膨張係数が一致することはなく、温度上昇に伴い膨張に差が発生する。
このためスティフナーに支持されたインターポーザは、平面状態を維持できなくなり、上面又は下面いずれかに膨れる(図8(c)参照)。
半導体素子を搭載する領域は、スティフナーに囲まれた領域であるから、半導体素子側に膨れる場合には、インターポーザと半導体素子との間隙が狭まり、高温で融解したハンダバンプがつぶれるか、半導体素子から離れる場合には、インターポーザと半導体素子との間隙が拡がり、ハンダバンプによる接合が形成されない。
このようなインターポーザの反りは、インターポーザとスティフナーとの接着による拘束が強ければ強いほど大きくなる傾向がある。従来、このような拘束を緩和する試みには弾性微粒子等の添加による接着剤の力学的特性調節が行われている(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、この方法は半導体素子の厚み等によって接着層厚の上限が100μm程度となることから、極めて限定されたものであり
問題となることがある。
電気的接合するために行うハンダリフロー過程の電気的接合の信頼性を保証することができる多層回路配線板及びこの配線板を用いた実装基板を提供することを目的とする。
前記スティフナー(2)の形状は、厚み500μm、一辺が、40mmの正方形、中央に25mmの正方形の穴が開いている。
また、インターポーザ(1)の形状は、厚み150μm、一辺40mm、中央が半導体素子を接合する領域である。スティフナーとインターポーザとの間に接着部(3)がある。
図1(b)は、スティフナー(2)と、接着部(3)と、インターポーザ(1)を分離して示した模式図である。
接着領域(4)に占める接着部の面積が26.3%で形成され、領域の接着層のパターンは離散的に格子状配列をしている場合である。すなわち、前記接着部(3)は格子状の形状で形成した。インターポーザ(1)は、スティフナー(2)へ接着を介して張り合わせ後、150℃に加温し、加圧して硬化させ固定した。
本発明の多層回路配線板用スティフナーの固定状態を、実施例を、図面に基づいて更に詳細に説明する。
ィフナーの固定方法を用いてスティフナーを接着したインターポーザの模式図である。
スティフナー(2)の形状は、厚み500μm、一辺が、40mmの正方形、中央に25mmの正方形の穴が開いている。
インターポーザ(1)の形状は、厚み150μm、一辺40mm、中央が半導体素子を接合する領域である。スティフナーとインターポーザとの間に接着部(3)がある。
図1(b)は、スティフナー(2)と、接着部(3)と、インターポーザ(1)を分離して示した模式図である。
接着領域(4)に占める接着部の面積が26.3%で形成され、領域の接着層のパターンは離散的に格子状配列をしている場合である。すなわち、前記接着部(3)は格子状の形状で形成した。インターポーザ(1)は、スティフナー(2)へ接着を介して張り合わせ後、150℃に加温し、加圧して硬化させ固定した。
スティフナーと接着部との面積比は、1:0.884の場合である。インターポーザ(1)と、スティフナー(2)と、接着部(3)は実施例1と同じ材料で、同じ形状、同じ製法により作製した。以下図面では、接着領域(4)破線で、半導体を搭載する領域(5)は実線で示した。
の平面図である。
接着層のパターンが、窓枠状であり、スリット状枠の空隙層と枠状の接着層とを5回交互に配置した形状の接着層の環状接着領域(33)である。スティフナーと接着部との面積比は、1:0.677の場合である。
インターポーザ(1)と、スティフナー(2)と、接着部(3)は実施例1と同じ材料で、同じ形状、同じ製法により作製した。以下図面では、接着領域(4)破線で、半導体を搭載する領域(5)は実線で示した。
接着部のパターンが、窓枠状であり、枠状の空隙層とスリット状枠の接着部とを4回交互に配置した形状の接着層の環状接着領域(43)である。スティフナーと接着部との面積比は、1:0.275の場合である。
インターポーザ(1)と、スティフナー(2)と、接着部(3)は実施例1と同じ材料で、同じ形状、同じ製法により作製した。以下図面では、接着領域(4)破線で、半導体を搭載する領域(5)は実線で示した。
の平面図である。
接着部のパターンが、窓枠状であり、図面左右側にライン状の空隙層とスリット状の接着部とを交互に配置し、図面上下側にライン状の空隙層とスリット状の接着部とを交互に配置した形状の接着部の放射状接着領域(53)である。スティフナーと接着部との面積比は、1:0.263の場合である。
インターポーザ(1)と、スティフナー(2)と、接着部(3)は実施例1と同じ材料で、同じ形状、同じ製法により作製した。以下図面では、接着領域(4)破線で、半導体を搭載する領域(5)は実線で示した。
の平面図である。
接着部のパターンが、窓枠状であり、格子状で、縁部の空隙層と開口部の接着部とを交互に配置した形状の接着部の格子状接着領域(63)である。
スティフナーと接着部との面積比は、1:0.242の場合である。インターポーザ(1)と、スティフナー(2)と、接着部(3)は実施例1と同じ材料で、同じ形状、同じ製法により作製した。以下図面では、接着領域(4)破線で、半導体を搭載する領域(5)は実線で示した。
図である。
接着部のパターンが、窓枠状であり、ベタ状で、空隙層が無い接着部(13)みを配置した。
スティフナーと接着層との面積比は、1:1の場合である。インターポーザ(1)と、スティフナー(2)と、接着層(3)は実施例1と同じ材料で、同じ形状、同じ製法により作製した。以下図面では、半導体を搭載する領域は実線で示した。
準備した。各実施例サンプルを計測器温調領域に位置させ、室温25℃から200℃まで変化させて室温からの反り量を測定した。その結果を表1に示す。
反り量の測定は、アクロメトリックス社製サーモレイ モデル PS88+を用いて行った。この装置は温調領域にガラス板が嵌め込まれ、外側から測定対象の形状変化(反り)を測定する。ガラス板には細線が一定間隔で書き込まれており、外側から光を照射すると物体表面に影が形成される。ガラス板上模様と影でモアレが出現する。温度昇降に伴うモアレの変化によって物体表面の形状変化を算出する。
ポーザの熱変形は接着部の面積比で決まり、面積比が同程度ならばパターンには依存しな
い。面積比が30%以下であるような接着領域を用いることで従来の形状の接着領域に比
較してインターポーザの変形は大きく減少した。よって本発明によりインターポーザの変形を抑えることが可能であることが確認された。
半導体素子と、インターポーザ(BGAの基板)と、銅からなるスティフナーを用いて、スティフナーのインターポーザを張り合わせた後、インターポーザへの半導体素子の搭載は、ハンダリフロー過程の処理プロセスにより行う。
この製造プロセスでは、インターポーザと半導体素子との位置合わせの後、全体の雰囲気温度を260℃近辺まで昇温して、ハンダバンプを高温で融解し、インターポーザと半導体素子、各々ハンダバンプの所定箇所間を接合し、常温に戻す。温度低下と共に、ハンダバンプは固化してハンダバンプ接合は固定される。次に、前記半導体素子を搭載したインターポーザの出力端子とプリント配線板上の外部端子とを電気的に接合して、半導体素子を搭載した実装基板が出来上がる。
1a…インターポーザのハンダバンプ領域
2…スティフナー
3…接着部
4…接着領域
5…半導体素子を搭載する領域
10…半導体素子
10a…半導体素子のハンダバンプ領域
13…従来接着層(環状接着領域、面積比100%
23…環状接着領域、(面積比88.4%)
33…環状接着領域、(面積比67.7)
43…環状接着領域、(面積比27.5%)
53…放射状接着領域、(面積比26.3%)
63…格子状接着領域、(面積比24.2%)
Claims (6)
- 基板上に、スティフナーを、スティフナーの接着領域の面積より少ない面積の接着部を介して固定したことを特徴とする多層回路配線板。
- 前記接着領域が、接着部と空隙部を設けた構成であることを特徴とする請求項1記載の多層回路配線板。
- 前記接着領域の接着部が、線形状、放射形状、または格子形状のいずれかの形状としたことを特徴とする請求項1または2記載の多層回路配線板。
- 前記接着領域の接着部が占める割合は、20%〜30%の範囲であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の多層回路配線板。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の多層回路配線板に、半導体素子を実装したことを特徴とする実装基板。
- 前記実装が、ハンダフロー過程により接合したことを特徴とする請求項5記載の実装基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005037341A JP2005268762A (ja) | 2004-02-16 | 2005-02-15 | 多層回路配線板及びこの配線板を用いた実装基板 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004037776 | 2004-02-16 | ||
JP2005037341A JP2005268762A (ja) | 2004-02-16 | 2005-02-15 | 多層回路配線板及びこの配線板を用いた実装基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005268762A true JP2005268762A (ja) | 2005-09-29 |
Family
ID=35092929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005037341A Pending JP2005268762A (ja) | 2004-02-16 | 2005-02-15 | 多層回路配線板及びこの配線板を用いた実装基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005268762A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10340970A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Nec Corp | Bga型半導体装置 |
JPH11111756A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-23 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH11345827A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2001358252A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2005
- 2005-02-15 JP JP2005037341A patent/JP2005268762A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10340970A (ja) * | 1997-06-06 | 1998-12-22 | Nec Corp | Bga型半導体装置 |
JPH11111756A (ja) * | 1997-10-08 | 1999-04-23 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH11345827A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2001358252A (ja) * | 2000-06-14 | 2001-12-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8336201B2 (en) | Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam | |
JP2004335641A (ja) | 半導体素子内蔵基板の製造方法 | |
TWI546924B (zh) | 用以製造包含具有開口之覆蓋層之電子裝置之方法及相關裝置 | |
JP2009117767A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれにより製造した半導体装置 | |
TW201405745A (zh) | 晶片封裝基板、晶片封裝結構及其製作方法 | |
JP2007266111A (ja) | 半導体装置、それを用いた積層型半導体装置、ベース基板、および半導体装置の製造方法 | |
KR20070051165A (ko) | 프리 솔더 범프를 갖는 반도체 패키지와, 그를 이용한 적층패키지 및 그의 제조 방법 | |
JP4894347B2 (ja) | 半導体集積回路素子搭載用基板および半導体装置 | |
JP2008010690A (ja) | スティフナ付き基板およびその製造方法 | |
KR101061175B1 (ko) | 반도체 패키지용 기판 | |
JP2007158024A (ja) | Bga型半導体装置及びその製造方法 | |
JP6464762B2 (ja) | 半導体パッケージ基板、および半導体パッケージと、半導体パッケージ基板の製造方法、および半導体パッケージの製造方法 | |
TWI503941B (zh) | 晶片封裝基板及其製作方法 | |
JP2005268762A (ja) | 多層回路配線板及びこの配線板を用いた実装基板 | |
JP5736714B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4333218B2 (ja) | スティフナー付き多層回路配線板 | |
JP2002231765A (ja) | 半導体装置 | |
JP4599891B2 (ja) | 半導体装置用基板並びに半導体装置 | |
JP2008140868A (ja) | 多層配線基板および半導体装置 | |
JP2007067129A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
JP5067107B2 (ja) | 回路基板および半導体装置 | |
WO2023246418A1 (zh) | 电路板组件、电子设备及电路板组件的制作方法 | |
JP2001223325A (ja) | 半導体装置 | |
US20050094383A1 (en) | Substrate for use in forming electronic package | |
JP2007305653A (ja) | 多層回路配線板および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20080124 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100402 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100427 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100628 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100804 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20110111 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |