JP2005266645A - 深紫外光伝送用光ファイバ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の深紫外光伝送用光ファイバは、所定量のフッ素を含有させたシリカガラスから成るコア1と、コア1上に設けられ所定量のフッ素またはホウ素を含有させたシリカガラスから成るクラッド2と、クラッド2上に設けられた保護被覆層4とを有するファイバを備えている。
かかるファイバを、温度80〜150℃、圧力10〜15MPaの酸素雰囲気中に実質的に7日間放置することで酸素処理が施され、次いで、温度15〜150℃、圧力5〜15MPaの水素雰囲気中に実質的に2日間放置することで水素処理が施される。
【選択図】図1
Description
深紫外光伝送用光ファイバにおいて、クラッドは、1000〜7000ppmのフッ素が含有されているシリカガラス、または2000〜10000ppmのホウ素が含有されているシリカガラスで形成されているものである。
[コアの作成]
コアとなる部分を作成するには、石英ガラス上に所定量のSiO2の粒子を堆積させて火炎加水分解によってガラス化させて作成する直接ガラス化法や、別の焼結工程により作成する所謂スート法等で、口径20mm程度のコアロッドを作成することができる。
[所定量のフッ素またはホウ素を含有したシリカガラスのクラッドを有する光ファイバの製造]
所定量のフッ素またはホウ素を含有したシリカガラスのクラッドを有する光ファイバを製造するには、VAD法(気相軸付け法)、OVD法(外付け法)、MCVD法(内付け法)等によることができるが、所定量のフッ素あるいはホウ素を含有させたシリカガラスから、外径30mm程度の中空のドープ管を形成し、先に形成されたコアロッドを挿入して、プレフォームを作成することができる。
[紫外線透過樹脂のクラッドを有する光ファイバの製造]
上述の方法により形成したコアロッドを、炉により加熱溶融し、所定の口径となるように、巻取機により巻取り速度を調整し、ダイスから紫外線透過樹脂を押出し、架橋装置により紫外線透過樹脂のUV架橋を行う。更に、上述の保護層と同様に、ダイスから紫外線透過樹脂の外周に保護層を形成する樹脂を所定量押し出し、架橋装置により樹脂を加熱架橋、あるいはUV照射架橋させ、保護層を作成し、光ファイバを製造することができる。
[クラッドに中空孔を有する光ファイバの製造]
コアの作成と同様にして、石英ガラス上に所定量のSiO2の粒子を堆積させて火炎加水分解によってガラス化させて作成する直接ガラス化法や、別の焼結工程により作成する所謂スート法等で、口径30mm程度の石英ロッドを作成する。このとき、石英ロッドの材質はコアの材質と同様のシリカガラスを用いることができる。なお、石英ロッドは必ずしも6角柱である必要はなく、円管を用いることもできる。この石英ロッドの中心に孔を穿設する。孔を設けた石英ロッドを伸線し、口径1mm程度とし、この伸線した石英ロッドの中央にコアとなるコアロッドを組み込む。このコアロッドを組み込んだものを石英パイプで覆い、外径30mm程度のプレフォームを形成する。その後、プレフォームを、紡糸し、所定の口径の紫外光伝送用光ファイバとする。保護層を形成するのは、上述の方法と同様の方法で形成することができる。
[酸素処理および水素処理]
上述のようにして作製したフッ素ドープシリカファイバには、次のような酸素処理および水素処理を施こす。先ず、酸素処理を施すのはODC(II)を消滅させるためである。酸素処理は、フッ素ドープシリカファイバを圧力10〜15MPa、温度80〜150℃の酸素雰囲気中に7日間放置することによりなされる。ここで、圧力10〜15MPaとしたのは、圧力が10MPa未満であると、ファイバ内に含浸する酸素量が不十分であり、十分な効果が望めないからである。一方、15MPaを超えても、効果に差異がなく、15MPaで効果は十分だからである。また、温度80〜150℃としたのは、温度が80℃未満であると、含浸した酸素がODC(II)と反応せず、ODC(II)を十分に消すことができないからであり、150℃を超えると、ファイバ被覆樹脂にダメージを与えるからである。さらに、酸素雰囲気中への放置を7日間としたのは7日間未満であると、酸素の含浸および酸素とODC(II)の反応が不十分だからであり、7日間を超えても効果に差異が見られないからである。なお、酸素処理は7日以上放置してもとくに不都合は生じないが、光ファイバ径が太い場合はさらに長時間(1か月程度)酸素雰囲気中に放置する必要がある。
フッ素ドープシリカファイバに酸素処理および水素処理を施した後に、保護被覆層を設ける。保護被覆層はナイロン樹脂等を溶融し、ダイスから光ファイバの外周に押し出し、冷却して形成することができる。
また、図5は酸素処理を施したファイバにおけるArFエキシマレーザー照射前後の透過率の変化図、図5(a)は照射前後の透過率の変化図、図5(b)は照射中の193nm波長における透過率の変化図を示している。ここで、実線L12は照射前の透過率、点線L13は照射後の透過率の変化をそれぞれ示している。
2a、2b、2c・・・クラッド
3c・・・中空孔
Claims (11)
- 所定量のフッ素を含有させたシリカガラスから成るコアと、前記コア上に設けられ所定量のフッ素またはホウ素を含有させたシリカガラスから成るクラッドと、前記クラッド上に設けられた保護被覆層とを有するファイバを備え、
前記ファイバには、酸素処理および水素処理が施されていることを特徴とする深紫外光伝送用光ファイバ。 - ODC(II)の濃度が1012/cm3以下であることを特徴とする請求項1記載の深紫外光伝送用光ファイバ。
- 前記コアは、100〜1000ppmのフッ素が含有されているシリカガラスで形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の深紫外光伝送用光ファイバ。
- 前記クラッドは、1000〜7000ppmのフッ素が含有されているシリカガラス、または2000〜10000ppmのホウ素が含有されているシリカガラスで形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか記載の深紫外光伝送用光ファイバ。
- 前記クラッドは、紫外線透過樹脂で形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか記載の深紫外光伝送用光ファイバ。
- 前記クラッドは、光軸に平行な複数の中空孔を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか記載の深紫外光伝送用光ファイバ。
- 所定量のフッ素を含有させたシリカガラスから成るコアと、前記コア上に設けられ所定量のフッ素またはホウ素を含有させたシリカガラスから成るクラッドと、前記クラッド上に設けられた保護被覆層とを有するファイバを、温度80〜150℃、圧力10〜15MPaの酸素雰囲気中に実質的に7日間放置し、次いで、温度15〜150℃、圧力5〜15MPaの水素雰囲気中に実質的に2日間放置することを特徴とする深紫外光伝送用光ファイバの製造方法。
- 前記コアは、100〜1000ppmのフッ素が含有されているシリカガラスで形成されていることを特徴とする請求項7記載の深紫外光伝送用光ファイバの製造方法。
- 前記クラッドは、1000〜7000ppmのフッ素が含有されているシリカガラス、または2000〜10000ppmのホウ素が含有されているシリカガラスで形成されていることを特徴とする請求項7または請求項8の何れか記載の深紫外光伝送用光ファイバの製造方法。
- 前記クラッドは、紫外線透過樹脂で形成されていることを特徴とする請求項7乃至請求項9の何れか記載の深紫外光伝送用光ファイバの製造方法。
- 前記クラッドは、光軸に平行な複数の中空孔を備えることを特徴とする請求項7乃至請求項10の何れか記載の深紫外光伝送用光ファイバの製造方法。
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