JP2005259825A - 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ - Google Patents

発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ Download PDF

Info

Publication number
JP2005259825A
JP2005259825A JP2004066332A JP2004066332A JP2005259825A JP 2005259825 A JP2005259825 A JP 2005259825A JP 2004066332 A JP2004066332 A JP 2004066332A JP 2004066332 A JP2004066332 A JP 2004066332A JP 2005259825 A JP2005259825 A JP 2005259825A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength
emitting device
phosphor
emission intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004066332A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4604516B2 (ja
Inventor
Masahiko Yoshino
正彦 吉野
Naoto Kijima
直人 木島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP2004066332A priority Critical patent/JP4604516B2/ja
Publication of JP2005259825A publication Critical patent/JP2005259825A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4604516B2 publication Critical patent/JP4604516B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

【課題】
本発明は、特に高効率の緑色蛍光体を開発し、それによって発光強度が高く安定してかつ製造が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】
波長350〜415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射により可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置において、第2の発光体が、酸化物蛍光体を含有し、且つ該蛍光体は波長410nmの光による励起時の発光強度が波長385nmの光による励起時の発光強度の93%以上、110%以下であることを特徴とする発光装置。
【選択図】 図1

Description

本発明は、照明装置やディスプレイ等に用いられる発光装置に関するものである。詳しくは、電力源により紫外光から可視光領域の光を発光する第1の発光体と、その発光を吸収し長波長の可視光を発する波長変換材料としての第2の発光体とを組み合わせることにより、使用環境によらず安定して高効率で光を発生させることのできる発光装置に関するものである。
現在発光ダイオード(以下、LEDと略することがある)やレーザーダイオード(以下、LDと略することがある)は青〜赤色の可視領域から、紫色、紫外線を発するものまで開発されている。こうした多色のLEDを組み合わせた表示装置がディスプレイや交通信号機として用いられている。更にLEDやLDの発光色を蛍光体で色変換させた発光装置も提案されている。例えば、特公昭49−1221号公報では、300〜530nmの波長の放射ビームを発するレーザービームを燐光体(Ln3−x−yCeGd5−zGa12(LnはY、Lu、またはLa、MはAl、Al−In、またはAl−Scを表し、xは0.001〜0.15、yは2.999以下、zは3.0以下である))に照射し、これを発光させてディスプレイを形成する方法が示されている。
また、近年では、青色発光の半導体発光素子として注目されている発光効率の高い窒化ガリウム(GaN)系のLEDやLDと、波長変換材料としての蛍光体とを組み合わせて構成される白色発光の発光装置が、画像表示装置や照明装置の発光源として提案されており、例えば、特開平10−242513号公報においては、窒化物系半導体のLED又はLDチップを使用し、これに蛍光体としてセリウム付活イットリウム・アルミニウム・ガーネット系を組み合わせ使用することよりなる発光装置が示されている。
しかしながら、例えば、この特開平10−242513号公報に示されるようなセリウム付活イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体と青色LED又は青色レーザーとの組み合わせにおいては、青色光と蛍光体から発生する黄色光の混色で白色を発生させることができるが、青色と黄色の発光ピークトップ(450nm付近と550nm付近)の中間領域(470nm−540nm)と、黄色ピークより長波長側領域(580−700nm)の発光強度が小さいために、バックライト光源などの発光源としては十分な色再現性が得られず、改良が求められている。
色再現性の改良のために紫外線発光のLEDで青色、赤色、緑色の蛍光体を励起して白色発光として利用する発光装置が提案されている。青色、緑色、赤色の蛍光体を混合して白色光とする場合は、従来の青・黄混色系のような2つのピークの重なりでなく、3つのピークの重なりとなるので、発光ピークの間の谷間が小さくなり、演色性が向上することになる。しかし、この青・緑・赤混色系においてはそれぞれの蛍光体に対し、バランスの良い十分な発光効率と、色再現(広い色再現範囲若しくは高い演色性)を示すためのスペクトル特性が求められる。特開2000−183408号公報や特開2000−073052号公報には、青色、緑色の蛍光体として、EuとMnを付活したアルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体が記載されている。しかし具体的に開示されている2(Ba,Mg)O・5Al:Eu0.2,Mn0.4や(Ba,Mg)O・8Al:Eu0.2,Mn0.4の組成物では発光強度は未だ十分ではなかった。特開2002−171000号公報では使用可能な蛍光体としてSrAl:Eu蛍光体が列挙されているが、その組成比率や製法についての詳細は何ら示されていない。
更に、LEDやLDは発光波長を精度良く安定して生産する事が非常に難しく、また温度や電流の変化によっても発光中心波長がシフトして、大きい時には5nm以上のずれを生じることもある。従来の蛍光体ではこうした発光波長のばらつきによって発光強度が大きく左右され、明るさのみならず、混合した場合の白色の色度や色温度も大きく変化してしまう。よってLEDやLDの波長の変化に対して、高輝度でかつ発光特性が大きく変化しない蛍光体の開発が望まれている。
特公昭49−1221号公報 特開平10−242513号公報 特開2000−183408号公報 特開2000−073052号公報 特開2002−171000号公報
前述の如く、従来より紫外線発光のLEDとを組合せて、青色、緑色、赤色の蛍光体を混合して白色光とする場合、それぞれの蛍光体に十分な発光強度と、混合したものが全体で高い色再現性を示すための色度とスペクトル特性をもつ事が求められており、更にLED,LDの発光波長のばらつきによって発光出力、色度が変化しない事も望まれている。本発明は、かかる従来技術に鑑み、特に高効率の緑色蛍光体を開発することにより、発光強度が高く安定してかつ製造が容易な発光装置を提供することを目的とする。
本発明者らは、波長350−415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射によって可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置において、上記第2の発光体に含有される蛍光体として、特定の発光特性を有する酸化物蛍光体であって、特に特定の化学組成の結晶相を含有する蛍光体を用いることにより、前記目的が達成できることを見出し本発明に到った。
すなわち、本発明は、波長350〜415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射により可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置において、第2の発光体が、酸化物蛍光体を含有し、且つ該蛍光体は波長410nmの光による励起時の発光強度が波長385nmの光による励起時の発光強度の93%以上、110%以下であることを特徴とする発光装置を要旨とするものである。
本発明によれば、発光強度が高く安定している発光装置を提供することができ、該発光装置は各種照明装置やディスプレイに応用することができる。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の発光装置は、波長350〜415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射によって可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置であり、該装置における第2の発光体は、第1の発光体からの照射光の波長において発光強度が高く、かつ発光強度の変化は全ての波長域で小さい事が好ましく、実質的に波長385〜410nmの間で発光強度変化が小さい発光装置とすることが好ましい。そのためには、第2の発光体を構成する蛍光体は、青、緑、赤の蛍光体を組み合わせ白色光として利用する場合、組み合わせる蛍光体の各々の発光強度変化が多少大きくても、各変化率が相互に差が無いような特殊な組み合わせを除けば、通常、各蛍光体の発光強度が高く変化が小さいことが望ましい。
一般的に、第2発光体への第1発光体からの照射光の波長が、該波長域(385〜410nm)の短波長側の方が、第2発光体の蛍光体は発光強度が高く、長波長側で低くなる。全波長域において発光強度の波長による変化が小さく、高効率が維持されるためには、本発明の発光装置における第2発光体の酸化物蛍光体は、波長410nmの光による励起時の発光強度が波長385nmの光による励起時の発光強度の93%以上であり、より好ましくは95%以上である。また逆に波長410nmの励起光での発光強度が波長385nmでの発光強度を上回ることも好ましくなく、波長410nmの光による励起時の発光強度が波長385nmの光による励起時の発光強度の110%以下であり、より好ましくは105%以下である。
更に、第1発光体からの照射光の波長領域(波長350〜415nm)において、波長変動による発光強度の変化を小さくするのには、第2発光体の酸化物蛍光体は、該波長領域内の所定波長の励起光における発光強度変化率の絶対値が特定の値以下であることが望ましい。即ち、第1発光体からの照射光の波長領域(波長350〜415nm)で単位波長当たりの発光強度変化率の絶対値は、通常波長385nm以上390nm未満で1.5%以下、390nm以上395nm未満で2.0%以下、395nm以上400nm未満で2.5%以下、400nm以上410nm未満で3.0%以下である。この値より変化率が大きい場合には、第1の発光体の発光ピーク波長が正常値より短波長側若しくは長波長側へとずれた際に、第2の発光体からの発光強度が大きく増減する。
更に青色、緑色、赤色蛍光体を組み合わせた発光装置の場合、各蛍光体の発光強度変化率の差から白色の色ずれも生じるため、特性の管理が難しく、発光強度、色度の不安定な発光装置となってしまい実用上好ましくない。各波長域における発光強度変化率の絶対値がこの値以下であれば、第1の発光体の発光ピーク波長が規格値より短波長側か長波長側へとずれた際にも、第2の発光体からの発光強度の変動は容認される範囲にとどまり、発光強度、色度の安定な好ましい発光装置が得られる。この値はより好ましくは、385nm以上390nm未満で1%以下、390nm以上395nm未満で1.5%以下、395nm以上400nm未満で2%以下、400nm以上410nm未満で2.5%以下であり、最も好ましくは385nm以上390nm未満で0.5%以下、390nm以上395nm未満で0.8%以下、395nm以上400nm未満で1.2%以下、400nm以上410nm未満で2%以下である。
このような観点から、本発明の第2の発光体の酸化物蛍光体は、その具体的指標として、第1発光体からの照射光の波長における単位波長当たりの発光強度変化率の絶対値が、所定波長385nm、390nm、395nm及び410nmの励起波長での発光強度に対する、該励起波長±1nmの両励起波長での発光強度の差の比率として、それぞれ1.5%以下、2.0%以下、2.5%以下、及び3.0%以下であることが好ましい。
ここで、発光強度変化率の絶対値とは、所定の励起波長の前後±1nmにおけるそれぞれの励起波長での発光強度を測定し、所定励起波長と励起波長の前後±1nmでの発光強度の差の絶対値の平均値を所定励起波長での発光強度で除した値の絶対値で示した値であり、下式で示される。
Figure 2005259825
但し、式中各変数は、以下の意味を表す。
a:変化率
λ:所定の励起波長
I(λ):所定の励起波長λでの発光強度
I(λ−1):励起波長(λ−1)nmでの発光強度
I(λ+1):励起波長(λ+1)nmでの発光強度
なお、励起波長が変化しても、発光のスペクトル波形が変化しないことから、発光強度の変化率は、実質的に輝度変化率と等しい。
第2の発光体が含有する蛍光体は、酸化物であることが必要である。酸化物以外の、例えば硫化物などの化合物では、発光強度の変化率は小さいが、第1の発光体から発生する波長350〜415nmの強い光が照射された場合、発光強度が低下しやすく長期間の使用が難しい。
第2の発光体に含まれる該蛍光体は、通常488nmから570nmの間に主宰波長がある酸化物蛍光体である。さらに、該蛍光体は、励起波長400nmの光による励起時の発光スペクトルにおいて、490〜550nmの波長範囲内に最大発光強度(発光ピーク)が観察される蛍光体であることが、発光強度が高い上に色再現範囲の広い自然光に近い発光装置を得る上で好ましい。発光ピークの波長が490nmより短くても、波長が550nmより長くても、緑色の色純度が悪くなり、後述の白色光を得る場合に輝度が低下する。
第2の発光体に含有される酸化物蛍光体としては、下記一般式[1]の化学組成を有する結晶相を含有するものが、波長350〜415nmの光を発生する第1の発光体からの光により励起されて、高く、かつ安定した発光強度と色度とを示し、実用に適した発光装置が得られるため好ましい。
Figure 2005259825
(式[1]において、a、b、c、dは、それぞれ0.2≦a≦0.995、0.005≦b≦0.8、0≦c≦0.5、c≦b、a+b+c+d=1を満足する数であり、Aは、Al、Ga、Sc、Bの群から選ばれる少なくとも一種の元素、MはSr、Eu、Mn以外の2価の金属元素を示す。)
aが小さすぎる場合や大きすぎる場合のいずれの場合も発光強度が低下する傾向にある。aが0.2≦a≦0.995を満足する数の化学組成を有する結晶相は、発光強度が高く安定である。
bが0.005≦b≦0.8を満足する化学組成を有する結晶相は、発光強度が高く安定で好ましい。bが0.005より小さい場合には、発光中心イオン数が少なすぎるために十分な発光強度が得られない傾向にある。一方、bが0.8より大きい場合には、強い濃度消光が観察されるために発光強度が低くなる傾向にある。同様の理由で、下限としては、b≧0.02が好ましく、b≧0.04がより好ましく、b≧0.08が更に好ましく、b≧0.15が最も好ましい。又、上限としては、b≦0.7が好ましく、b≦0.65がより好ましく、b≦0.6が更に好ましく、b≦0.55が最も好ましい。
cが0≦c≦0.5を満足する化学組成を有する結晶相は、発光強度が高く安定となる。cが大きすぎる場合には、Mnの緑色発光に濃度消光が観察されるために発光強度が低くなる傾向にある。c=0となる組成、即ちMnを含有していない組成でも比較的良好な緑色発光が得られるが、結晶中にEuと共に適量のMnが存在し、EuからMnへのエネルギー移動でMnからの強い緑色発光が得られ励起波長の変化に対して安定度が増すことから、下限としては、c≧0.01が好ましく、c≧0.02がより好ましく、c≧0.03が更に好ましく、c≧0.05が最も好ましい。また、上限としてはc≦0.4が好ましく、c≦0.3がより好ましい。
第2の発光体に含有される酸化物蛍光体の結晶相の上記一般式[1]におけるAで表される元素としては、通常、Al、Ga、Sc、Bの群から選ばれる少なくとも一種の元素が使用できる。さらに、第2の発光体が、Aの50mol%以上がAlとなる化学組成を有する結晶相を含有していることが、高い発光強度を得る上で好ましい。また、Aの全てがAlであることが、発光特性が良好となるばかりでなく、原料の価格が低いため安価に蛍光体を製造できるのでさらに好ましい。
第2の発光体に含有される蛍光体の結晶相の上記一般式[1]におけるMで表される元素としては、通常、Sr、Eu、Mn以外の2価の金属元素が使用できる。金属元素として、例えば、Ca、Mg、Zn、Baなどが挙げられるがこれらに限定されるものではない。これらの金属元素は、蛍光体の性能を損わない範囲で使用することができ、式中のa+b+c+d=1を満たす範囲で使用することができる。
本発明の第2の発光体が含む酸化物蛍光体の調製方法においては、まず式[1]中における元素、即ち、Sr、Eu、Mn、Mで表される2価の金属元素、及びAで表されるAl、Ga、Sc、Bなどの金属元素の化合物を、必要に応じて採用される各種混合機で十分混合する。混合方法は乾式のみならず、水やアルコール等の液体媒体中での湿式混合が可能で、更にその混合の間または前後に粉砕工程を追加することもある。湿式混合の場合の乾燥過程にも各種の分散処理機を併用したり、或いは調製された溶液やスラリーを、噴霧乾燥等により乾燥させる方法等も可能である。次いで、何れかの方法で得られた混合物を、加熱処理して焼成することにより製造することができる。
これらの粉砕混合法の中で、特に、発光中心イオンの元素源化合物においては少量の化合物を全体に均一に混合、分散させる必要があることから液体媒体を用いるのが好ましく、又、他の元素源化合物においても、全体に均一な混合が得られる面から湿式法が好ましい。 加熱処理法としては、アルミナや石英製の坩堝やトレイ等の耐熱容器中で、1300℃以上、より好ましくは1330℃〜1600℃、特に好ましくは1350〜1500℃の温度で、特定の雰囲気下で10分〜24時間加熱・焼成する。
加熱雰囲気としては、発光中心イオンの元素が発光に寄与するイオン状態(価数)を得るために必要な雰囲気が選択される。本発明の蛍光体における2価のEuやMn等の場合には、一酸化炭素、水素、窒素、水素、アルゴン等の単独、またはそれらを混合した、還元雰囲気下が最も好ましい。
焼成時に使用するフラックスとしてはHBO,B等ホウ素系の材料が好ましく、加熱処理後、必要に応じて、分級処理等がなされる。
上記のSr、Ca、Mg、Zn、Ba、Eu、Mn、Alなどの各元素の元素源化合物となる原料化合物としては、各元素の酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、蓚酸塩、カルボン酸塩、ハロゲン化物等が挙げられ、これらの中から、複合酸化物への反応性、及び焼成時におけるNOx、SOx等の非発生性等を考慮して選択される。
Sr及びCaの原料化合物を具体的に例示すれば、Sr源化合物としては、SrO、Sr(OH)・8HO、SrCO、Sr(NO、SrSO、Sr(OCO)・HO、Sr(OCOCH・0.5HO、SrCl等が挙げられ、中でもSrCOが好ましい。又、Ca源化合物としては、CaO、Ca(OH)、CaCO、Ca(NO・4HO、CaSO・2HO、Ca(OCO)・HO、Ca(OCOCH・HO、CaCl等が挙げられ、中でもCaCOが好ましい。
Mg及びZnについて具体的に例示すれば、Mg源化合物としては、MgO、Mg(OH)、MgCO、Mg(OH)・3MgCO・3HO、Mg(NO・6HO、MgSO、Mg(OCO)・2HO、Mg(OCOCH・4HO、MgCl等が、又、Zn源化合物としては、ZnO、Zn(OH)、ZnCO、Zn(NO、Zn(OCO)、Zn(OCOCH、ZnCl等がそれぞれ挙げられる。これらの中でもMgCO、ZnCOが好ましい。
発光中心イオンの元素であるEu及びMnについて、その元素源化合物を具体的に例示すれば、Eu源化合物としては、Eu、Eu(SO、Eu(OCO)、EuCl、EuCl等が挙げられる。Mn源化合物としては、MnCO・nHO,MnCl、Mn(NO・6HO、MnSO・nHO、MnBr、MnO、MnOが使用できる。
Al源化合物としては、α−Alが使用され、特に中心粒径0.1〜1.0μm,比表面積1.5〜15m/gの特性を有するα−Alが好ましく、より好ましくは中心粒径0.3〜0.7μm,比表面積4.5〜10m/gのα−Alが使用される。Al源化合物として、その他のγ−Al、Al(OH)、AlOOH、Al(NO・9HO、Al(SO、Al(CO・nAl(OH)、Al(CHCOO)(OH)、Al(C・4HO等も前処理などを施すことにより上記特性を有するα−Alにすれば使用できる。
本発明における第1の発光体は、前記酸化物蛍光体に照射する光を発生する発光体であり、波長350〜415nmの光を発生するが、波長350〜415nmの範囲にピーク波長を有する光を発生する発光体が好ましく使用される。
第1の発光体の具体例としては、発光ダイオード(LED)またはレーザーダイオード(LD)等を挙げることができるが、消費電力が少ない点でレーザーダイオードがより好ましい。その中で、GaN系化合物半導体を使用したGaN系LEDやLDが好ましい。なぜなら、GaN系LEDやLDは、この領域の光を発するSiC系LED等に比し、発光出力や外部量子効率が格段に大きく、前記蛍光体と組み合わせることによって、非常に低電力で非常に明るい発光が得られるからである。例えば、20mAの電流負荷に対し、通常GaN系はSiC系の100倍以上の発光強度を有する。
GaN系LEDやLDにおいては、AlxGayN発光層、GaN発光層、またはInxGayN発光層を有しているものが好ましい。これらの中、GaN系LEDにおいては、特にInxGayN発光層を有するものが発光強度が非常に強いので好ましく、また、GaN系LDにおいては、InxGayN層とGaN層の多重量子井戸構造のものが発光強度が非常に強いので、特に好ましい。なお、上記においてx+yの値は通常0.8〜1.2の範囲の値である。GaN系LEDにおいて、これら発光層にZnやSiをドープしたものやドーパント無しのものが発光特性を調節する上で好ましいものである。
GaN系LEDはこれら発光層、p層、n層、電極、および基板を基本構成要素としたものであり、発光層をn型とp型のAlxGayN層、GaN層、またはInxGayN層などでサンドイッチにしたヘテロ構造を有しているものが発光効率が高く、好ましく、さらにヘテロ構造を量子井戸構造にしたものが発光効率がさらに高く、より好ましい。
本発明においては、第1の発光体として面発光型の発光体、特に面発光型GaN系レーザーダイオード(LD)を使用することは、発光装置全体の発光効率を高めることになるので、特に好ましい。面発光型の発光体とは、膜の面方向に強い発光を有する発光体であり、面発光型GaN系LDにおいては、発光層等の結晶成長を制御し、かつ、反射層等をうまく工夫することにより、発光層の縁方向よりも面方向の発光を強くすることができる。面発光型のものを使用することによって、発光層の縁から発光するタイプに比べ、単位発光量あたりの発光断面積が大きくとれる結果、第2の発光体の蛍光体にその光を照射する場合、同じ光量で照射面積を非常に大きくすることができ、照射効率を良くすることができるので、第2の発光体に含まれる蛍光体からより強い発光を得ることができる。
第2の発光体は、上記一般式[1]の化学組成を有する結晶相を含有してなる酸化物蛍光体に該酸化物蛍光体とは異なる、他の蛍光体を組み合わせることにより白色光を得ることができる。即ち、本発明の酸化物蛍光体を構成する緑色蛍光体を各種の青色蛍光体や赤色蛍光体と組み合わせることにより第2の発光体として白色光を得ることができる。
本発明の発光装置に使用される緑色蛍光体と組み合わせ得る他の蛍光体としては、特に制限は無いが、以下の青色蛍光体及び赤色蛍光体が好ましい。
青色蛍光体としては、例えば、(Ba,Sr)MgAl1017:Eu、(Sr,Ca,Mg,Ba)10(POl2:Eu、BaMgSiO:Eu、Sr:Euの様な蛍光体が使用できる。
その中でも下記の(1)〜(4)に挙げられる4種類の少なくともいずれか1つの青色蛍光体と組み合わせることがより好ましい。
(1)BaMgAl1017:Eu系青色蛍光体
下記一般式[2]の化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体が好ましい。
Figure 2005259825
(式[2]において、Mは、Ba、Sr、およびCaからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表し、M1’は、1価、又は、六配位時2価の状態で半径が0.92Å以上の2価の金属元素(但し、Ba、Sr、Ca、Euは除く)からなる。
は、MgおよびZnからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、M2’は、六配位時2価の状態で半径が0.92Å未満の2価の金属元素(但し、Mg、Znは除く)を表す。
は、Al、Ga、およびScからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、M3’は、3価の金属元素(但し、Al、Ga、Scは除く)を表す。
は0.9≦(a+b)≦1.1、bは0.11≦b≦0.99、cは0.9≦c≦1.1、dは9≦d≦11、eは15.3≦e≦18.7、0≦x<0.2、0≦y<0.2、0≦z<0.2を満足する数である。)
(2)Sr10(POl2:Eu系青色蛍光体
下記一般式[3]の化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体が好ましい。
Figure 2005259825
(式[3]において、MはEu及びSr以外の金属元素を表す。また、XはPO以外の1価のアニオン基を表す。c及びdは、2.7≦c≦3.3、0.9≦d≦1.1を満足する数である。a及びbは、ともに0よりも大きくa+bが5以下となる数であるが、a≧0.1又はb≧3という条件を満足する。)
(3)SrMgSi:Eu系青色蛍光体
下記一般式[4]の化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体が好ましい。
Figure 2005259825
(式[4]において、Mは、Ba、Sr、およびCaからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を合計で90mol%以上含む金属元素を表し、Mは、MgおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を合計で90mol%以上含む金属元素を表し、Mは、SiおよびGeからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を合計で90mol%以上含む金属元素を表し、aは2.7≦a≦3.3を満足する数、bは0.0001≦b≦1.0を満足する数、cは0.9≦c≦1.1を満足する数、dは1.8≦d≦2.2を満足する数、eは7.2≦e≦8.8を満足する数である。)
(4)(Ca,Mg)(PO:Eu系青色蛍光体
下記一般式[5]の化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体が好ましい。
Figure 2005259825
(式[5]において、Mは、Caを含有し、かつ、CaとMgからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が80mol%以上を占める金属元素を表し、ZはPO 3−、BO 3−以外のアニオンを表す。aは0.003≦a≦2.1、bは2.7≦(a+b)≦3.3、cは1.2≦c≦2、dは0≦d≦0.1を満足する数である。)
赤色蛍光体としては、YS:Eu、YAlO:Eu、YVO:Eu、GdS:Eu、LaS:Euのような蛍光体が好ましい。
上記のこれら蛍光体を組み合わせる方法としては、各蛍光体を粉末の形態で膜状に積層する方法、樹脂中に混合して膜状に積層する方法、粉末の形態で混合する方法、樹脂中に分散する方法、薄膜結晶状に積層する方法などが利用できるが、粉末の形態で混合して使用する方法が最も容易で安価に白色光を得られるので好ましい。
第1の発光体として面発光型のものを使用する場合、第2の発光体を膜状とするのが好ましい。その結果、面発光型の発光体からの光は断面積が十分大きいので、第2の発光体をその断面の方向に膜状とすると、第1の発光体からの蛍光体への照射断面積が蛍光体単位量あたり大きくなるので、蛍光体からの発光の強度をより大きくすることができる。
また、第1の発光体として面発光型のものを使用し、第2の発光体として膜状のものを用いる場合、第1の発光体の発光面に、直接膜状の第2の発光体を接触させた形状とするのが好ましい。ここでいう接触とは、第1の発光体と第2の発光体とが互いに接する面の間に空気や気体などの間隙層を存することなくぴたりと接している状態をつくることを言う。その結果、第1の発光体からの光が第2の発光体の膜面で反射されて外にしみ出るという光量損失を避けることができるので、装置全体の発光効率を良くすることができる。
本発明の発光装置の一例における第1の発光体と第2の発光体との位置関係を示す模式的斜視図を図3に示す。図3中の1は、前記蛍光体を有する膜状の第2の発光体、2は第1の発光体としての面発光型GaN系LD、3は基板を表す。相互に接触した状態をつくるために、LD2と第2の発光体1とをそれぞれ別個につくっておいてそれらの面同士を接着剤やその他の手段によって接触させても良いし、LD2の発光面上に第2の発光体を製膜(成型)させても良い。これらの結果、LD2と第2の発光体1とを接触した状態とすることができる。
第1の発光体からの光や第2の発光体からの光は通常四方八方に向いているが、第2の発光体の蛍光体の粉を樹脂中に分散させると、光が樹脂の外に出る時にその一部が反射されるので、ある程度光の向きを揃えられる。従って、光を効率の良い向きにある程度誘導できるので、第2の発光体として、前記蛍光体の粉を樹脂中へ分散したものを使用するのが好ましい。また、蛍光体を樹脂中に分散させると、第1の発光体からの光の第2の発光体への全照射面積が大きくなるので、第2の発光体からの発光強度を大きくすることができるという利点も有する。
第2の蛍光体を分散させるのに使用できる樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリビニル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル樹脂等各種のものが挙げられるが、蛍光体粉の分散性が良い点で好ましくはエポキシ樹脂である。第2の蛍光体の粉を樹脂中に分散させる場合、当該第2の蛍光体粉の割合は、蛍光体粉と樹脂の全重量に対し、通常10〜95重量%、好ましくは20〜90重量%、さらに好ましくは30〜80%重量である。蛍光体粉が多すぎると粉の凝集により発光効率が低下することがあり、他方少なすぎると樹脂による光の吸収や散乱のため発光効率が低下することがある。
本発明の発光装置は、波長変換材料としての前記蛍光体を含有する第2の発光体と、350〜415nmの光を発生する発光素子(第1の発光体)とから構成されてなり、前記蛍光体が発光素子の発する350〜415nmの光を吸収して、使用環境によらず高強度の可視光を発生させることのできる発光装置であり、白色光とした場合は色再現性が良く、バックライト光源、信号機などの発光源、又、カラー液晶ディスプレイ等の画像表示装置や面発光等の照明装置等の光源に適している。
本発明の発光装置を図面に基づいて説明すると、図4は、第1の発光体(350〜415nmの発光体)と第2の発光体とを有する発光装置の一例を示す模式的断面図であり、4は発光装置、5はマウントリード、6はインナーリード、7は第1の発光体(350〜415nmの発光体)、8は第2の発光体としての蛍光体含有樹脂部、9は導電性ワイヤー、10はモールド部材である。
本発明の一例である発光装置は、図4に示されるように、一般的な砲弾型の形態をなし、マウントリード5の上部カップ内には、GaN系発光ダイオード等からなる第1の発光体(350〜415nm発光体)7が、その上に、蛍光体をエポキシ樹脂やアクリル樹脂等のバインダーに混合、分散させ、カップ内に流し込むことにより第2の発光体として形成された蛍光体含有樹脂部8で被覆されることにより固定されている。一方、第1の発光体7とマウントリード5、及び第1の発光体7とインナーリード6は、それぞれ導電性ワイヤー9で導通されており、これら全体がエポキシ樹脂等によるモールド部材10で被覆、保護されてなる。
又、この図4に示す発光装置を組み込んだ面発光照明装置11は、図5に示されるように、内面を白色の平滑面等の光不透過性とした方形の保持ケース12の底面に、多数の発光装置13を、その外側に発光装置13の駆動のための電源及び回路等(図示せず。)を設けて配置し、保持ケース12の蓋部に相当する箇所に、乳白色としたアクリル板等の拡散板14を発光の均一化のために固定してなる。
そして、面発光照明装置11を駆動して、発光装置13の第1の発光体に電圧を印加することにより350〜415nmの光を発光させ、その発光の一部を、第2の発光体としての蛍光体含有樹脂部における前記蛍光体が吸収して可視光を発光し、一方、蛍光体に吸収されなかった青色光等との混色により演色性の高い発光が得られ、この光が拡散板14を透過して、図面上方に出射され、保持ケース12の拡散板14面内において均一な明るさの照明光が得られることとなる。
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1
SrCO;0.85モル、α−Al;1.0モル、並びに発光中心イオンの元素源化合物としてEu;0.075モルをボールミル中で粉砕混合し、更に粉砕したHBOを0.01モル混合した後、ナイロン100メッシュ篩いを通過させ混合物を得た。得られた混合物をアルミナ製坩堝中で、4%の水素を含む窒素ガス流下、1400℃で2時間、加熱、焼成した後、分級処理を行って、緑色発光の蛍光体Sr0.85Eu0.15Alを製造した。GaN系発光ダイオードの紫外光領域の主波長である400nmでこの蛍光体を励起させ、大塚電子(株)製瞬間マルチ測光システム(MCPD−7000)で発光スペクトルを測定した。図1に得られた蛍光体の発光スペクトルを示す。この時の発光スペクトルの415〜780nm域の積分強度比は、後記の比較例1の蛍光体サンプル(基準)に対して190%であった。また発光スペクトルピーク値は521nmであった。
次に分光強度補正された日本分光(株)製分光器(型番CT−10T)で350nmから415nmまで半値幅10nmの励起光を取り出し1nm毎に該蛍光体サンプルに照射して、可視部域の425〜780nmの発光スペクトルの積分強度を測定し、385、390、395、400、410nmの各所定波長における発光強度変化率の絶対値を求めて図2に示した。385、390、395、400、410nmの各所定波長における発光強度変化率を纏めて下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度は385nm励起時の発光強度の97%であった。
なお、変化率は前述の如く、所定の励起波長の前後±1nmにおけるそれぞれの励起波長での発光強度を測定し、所定励起波長と励起波長の前後±1nmでの発光強度の差の絶対値の平均値を所定励起波長での発光強度で除した値の絶対値で示した値であり、前述の式で示される。
比較例1
仕込み原料を、BaCO;0.8モル、MgCO;0.6モル、γ−Al;5モル、およびEu;0.1モル、MnCO・0.5HO(Mnとして、0.4モル)とし、加熱条件を1400℃にしたこと以外は実施例1と同様に操作して、Ba0.8Mg0.6Eu0.2Mn0.4Al1017の組成を持つ緑色蛍光体を得た。GaN系発光ダイオードの紫外光領域の主波長である400nmでこの蛍光体を励起させ、実施例1と同様にして発光スペクトル強度を測定し、このときの積分強度比を100%(基準)とした。ピーク波長は515nmであった。
又、実施例1におけると同様の方法で発光強度変化率を求めたものを図2に示した。385、390、395、400、410nmの各所定波長における変化率を纏めて下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の44%であった。
実施例2
SrCO;0.73モル、α−Al;1.0モル、発光中心イオンの元素源化合物としてEu;0.125モル、並びにMnCO・0.5HO(Mnとして、0.02モル)を1450℃で2時間、加熱すること以外は実施例1と同様の方法でSr0.73Eu0.25Mn0.02Alを製造した。製造した蛍光体につき実施例1と同様の方法で発光特性を評価したところ、発光スペクトルの415〜780nm域の積分強度比は、比較例1のサンプルに対して181%であった。
又、実施例1におけると同様の方法で385、390、395、400、410nmの各励起波長における発光強度変化率を求め、その結果を下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の98%であった。
比較例 2
SrCO;0.73モル、γ−Al;1.0モル、発光中心イオンの元素源化合物としてEu;0.125モル、並びにMnCO・0.5HO(Mnとして、0.02モル)を1300℃で2時間、加熱すること以外は実施例1と同様の方法でSr0.73Eu0.25Mn0.02Alを製造した。実施例1と同様の方法で発光特性を評価したところ、発光スペクトルの415〜780nm域の積分強度比は比較例1のサンプルに対して124%であった。
又、実施例1におけると同様の方法で385、390、395、400、410nmの各励起波長における発光強度変化率を求め、その結果を下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の90%であった。
実施例3
仕込み原料を、SrCO;0.7モル、塩基性炭酸マグネシウム(Mgのモル数0.05モル)、α−Al;1モル、Eu;0.1モル、及びMnCO・0.5HO(Mnとして、0.1モル)とし、加熱・焼成を1600℃で2時間と変えた以外は、実施例1と同様にしてSr0.45Mg0.05Eu0.4Mn0.1Alを製造した。実施例1と同様にして発光特性を測定したところ、400nm励起での発光スペクトル積分強度比は、比較例1のサンプルに対し130%であった。
又、実施例1におけると同様の方法で385、390、395、400、410nmの各励起波長における発光強度変化率を求め、その結果を下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の97%であった。
実施例4
SrCO;0.7モル、α−Al;1.0モル、発光中心イオンの元素源化合物としてEu;0.125モル、並びにMnCO・0.5HO(Mnとして、0.02モル)を1330℃で2時間、加熱すること以外は実施例1と同様の方法でSr0.73Eu0.25Mn0.02Alを製造した。実施例1と同様の方法で発光特性を評価したところ、発光スペクトルの415〜780nm域の積分強度比は比較例1のサンプルに対して172%であった。
又、実施例1におけると同様の方法で385、390、395、400、410nmの各励起波長における変化率を求め、その結果を下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の95%であった。
Figure 2005259825
実施例1で得られた蛍光体の発光スペクトル。 実施例1と比較例1で得られた蛍光体の励起波長と発光強度の変化率。 面発光型GaN系ダイオードに膜状の第2の発光体を接触又は成型させた発光装置の一例を示す図。 本発明中の、第1の発光体(350〜415nm発光体)と第2の発光体とから構成される発光装置の一例を示す模式的断面図。 本発明の面発光照明装置の一例を示す模式的断面図。
符号の説明
1;第2の発光体
2;面発光型GaN系LD
3;基板
4;発光装置
5;マウントリード
6;インナーリード
7;第1の発光体(350〜415nmの発光体)
8;本発明中の蛍光体を含有させた樹脂部
9;導電性ワイヤー
10;モールド部材
11;発光装置を組み込んだ面発光照明装置
12;保持ケース
13;発光装置
14;拡散板

Claims (10)

  1. 波長350〜415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射により可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置において、第2の発光体が、酸化物蛍光体を含有し、且つ該蛍光体は波長410nmの光による励起時の発光強度が波長385nmの光による励起時の発光強度の93%以上、110%以下であることを特徴とする発光装置。
  2. 第2の発光体の酸化物蛍光体は、第1の発光体からの照射光の波長における所定(単位)波長当たりの発光強度変化率の絶対値が、所定波長385nm、390nm、395nm及び410nmの励起波長での発光強度に対する、該励起波長±1nmの両励起波長での発光強度の差の比率として、それぞれ1.5%以下、2.0%以下、2.5%以下、及び3.0%以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 第2の発光体が、波長488nmから570nmの間に主宰波長がある酸化物蛍光体を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 第2の発光体が、励起波長400nmの光による励起時の発光スペクトルにおいて、490〜550nmの波長範囲内に最大発光強度が観察される酸化物蛍光体を含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 酸化物蛍光体が、一般式[1]の化学組成を有する結晶相を含有してなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
    Figure 2005259825
    (式[1]において、a、b、c、dは、それぞれ0.2≦a≦0.995、0.005≦b≦0.8、0≦c≦0.5、c≦b、a+b+c+d=1を満足する数であり、Aは、Al、Ga、Sc、Bの群から選ばれる少なくとも一種の元素、MはSr、Eu、Mn以外の2価の金属元素を示す。)
  6. 式[1]において、AがAlであることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
  7. 第1の発光体がレーザーダイオード又は発光ダイオードであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 第2の発光体が、更に、上記一般式[1]の化学組成を有する酸化物蛍光体以外の、他の青色及び赤色蛍光体を含んでなり、発光装置が白色光を発することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光装置。
  9. 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の発光装置を備えた照明装置。
  10. 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の発光装置を備えたディスプレイ。
JP2004066332A 2004-03-09 2004-03-09 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ Expired - Fee Related JP4604516B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004066332A JP4604516B2 (ja) 2004-03-09 2004-03-09 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004066332A JP4604516B2 (ja) 2004-03-09 2004-03-09 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005259825A true JP2005259825A (ja) 2005-09-22
JP4604516B2 JP4604516B2 (ja) 2011-01-05

Family

ID=35085287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004066332A Expired - Fee Related JP4604516B2 (ja) 2004-03-09 2004-03-09 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4604516B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096133A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Toshiba Corp 白色ledの製造方法およびそれを用いたバックライトの製造方法並びに液晶表示装置の製造方法
JP2007173595A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Sharp Corp 発光装置とそれを含む表示装置
JP2009510536A (ja) * 2005-10-04 2009-03-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光スクリーンに基づくレーザ投影システム

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0711250A (ja) * 1993-04-28 1995-01-13 Nemoto Tokushu Kagaku Kk 蓄光性蛍光体
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JPH11199867A (ja) * 1997-03-13 1999-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体とこれを用いた蛍光体含有物ならびにこれらの製造方法
JP2001214162A (ja) * 2000-02-02 2001-08-07 Japan Science & Technology Corp オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体
JP2002134795A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製法
JP2002171000A (ja) * 2000-09-21 2002-06-14 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた発光表示装置
JP2002353516A (ja) * 2001-03-19 2002-12-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2003041252A (ja) * 2001-07-31 2003-02-13 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 赤色発光蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2003238951A (ja) * 2002-02-18 2003-08-27 Konica Corp 無機蛍光体の製造方法
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP2004210921A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Nichia Chem Ind Ltd オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0711250A (ja) * 1993-04-28 1995-01-13 Nemoto Tokushu Kagaku Kk 蓄光性蛍光体
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JPH11199867A (ja) * 1997-03-13 1999-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体とこれを用いた蛍光体含有物ならびにこれらの製造方法
JP2001214162A (ja) * 2000-02-02 2001-08-07 Japan Science & Technology Corp オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体
JP2002171000A (ja) * 2000-09-21 2002-06-14 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた発光表示装置
JP2002134795A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製法
JP2002353516A (ja) * 2001-03-19 2002-12-06 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2003041252A (ja) * 2001-07-31 2003-02-13 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 赤色発光蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2003238951A (ja) * 2002-02-18 2003-08-27 Konica Corp 無機蛍光体の製造方法
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP2004210921A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Nichia Chem Ind Ltd オキシ窒化物蛍光体及びその製造方法並びにそれを用いた発光装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096133A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Toshiba Corp 白色ledの製造方法およびそれを用いたバックライトの製造方法並びに液晶表示装置の製造方法
JP2009510536A (ja) * 2005-10-04 2009-03-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光スクリーンに基づくレーザ投影システム
KR101306023B1 (ko) * 2005-10-04 2013-09-12 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 스크린에 기초한 레이저 투사 시스템
JP2007173595A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Sharp Corp 発光装置とそれを含む表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4604516B2 (ja) 2011-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7704410B2 (en) Light-emitting device and phosphor
EP1484803B1 (en) Light emitting device and illuminating device using it
JP2005298805A (ja) 発光装置及び照明装置
JP4916651B2 (ja) 発光装置及び蛍光体
JP4617890B2 (ja) 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置、ならびに画像表示装置
JP4168776B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP4706358B2 (ja) 青色発光蛍光体およびその製造方法、発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライト並びにディスプレイ
JP4411841B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ
JP4972904B2 (ja) 蛍光体、その蛍光体の製造方法、その蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
JP4165255B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2004235546A (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ
JP2007009141A (ja) 青色発光蛍光体およびその製造方法、発光装置、照明装置、ディスプレイ用バックライト並びにディスプレイ
JP4604516B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ
JP5326986B2 (ja) 発光装置に用いる蛍光体
JP4561064B2 (ja) 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置
JP2004253747A (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP4246502B2 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ
JP2005060468A (ja) 発光装置及び表明装置ならびに画像表示装置
JP4617889B2 (ja) 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置、ならびに画像表示装置
JP2010059429A (ja) 蛍光体、それを用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
JP4363194B2 (ja) 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置、ならびに画像表示装置
JP4337468B2 (ja) 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置
JP4337465B2 (ja) 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置
JP4433847B2 (ja) 蛍光体、それを用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置
JP2005064189A (ja) 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061110

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20061110

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100209

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100329

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100608

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100712

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100907

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100920

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees