JP2005259825A - 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ - Google Patents
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Abstract
本発明は、特に高効率の緑色蛍光体を開発し、それによって発光強度が高く安定してかつ製造が容易な発光装置を提供する。
【解決手段】
波長350〜415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射により可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置において、第2の発光体が、酸化物蛍光体を含有し、且つ該蛍光体は波長410nmの光による励起時の発光強度が波長385nmの光による励起時の発光強度の93%以上、110%以下であることを特徴とする発光装置。
【選択図】 図1
Description
すなわち、本発明は、波長350〜415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射により可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置において、第2の発光体が、酸化物蛍光体を含有し、且つ該蛍光体は波長410nmの光による励起時の発光強度が波長385nmの光による励起時の発光強度の93%以上、110%以下であることを特徴とする発光装置を要旨とするものである。
本発明の発光装置は、波長350〜415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射によって可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置であり、該装置における第2の発光体は、第1の発光体からの照射光の波長において発光強度が高く、かつ発光強度の変化は全ての波長域で小さい事が好ましく、実質的に波長385〜410nmの間で発光強度変化が小さい発光装置とすることが好ましい。そのためには、第2の発光体を構成する蛍光体は、青、緑、赤の蛍光体を組み合わせ白色光として利用する場合、組み合わせる蛍光体の各々の発光強度変化が多少大きくても、各変化率が相互に差が無いような特殊な組み合わせを除けば、通常、各蛍光体の発光強度が高く変化が小さいことが望ましい。
a:変化率
λ:所定の励起波長
I(λ):所定の励起波長λでの発光強度
I(λ−1):励起波長(λ−1)nmでの発光強度
I(λ+1):励起波長(λ+1)nmでの発光強度
なお、励起波長が変化しても、発光のスペクトル波形が変化しないことから、発光強度の変化率は、実質的に輝度変化率と等しい。
aが小さすぎる場合や大きすぎる場合のいずれの場合も発光強度が低下する傾向にある。aが0.2≦a≦0.995を満足する数の化学組成を有する結晶相は、発光強度が高く安定である。
焼成時に使用するフラックスとしてはH3BO3,B2O3等ホウ素系の材料が好ましく、加熱処理後、必要に応じて、分級処理等がなされる。
第1の発光体の具体例としては、発光ダイオード(LED)またはレーザーダイオード(LD)等を挙げることができるが、消費電力が少ない点でレーザーダイオードがより好ましい。その中で、GaN系化合物半導体を使用したGaN系LEDやLDが好ましい。なぜなら、GaN系LEDやLDは、この領域の光を発するSiC系LED等に比し、発光出力や外部量子効率が格段に大きく、前記蛍光体と組み合わせることによって、非常に低電力で非常に明るい発光が得られるからである。例えば、20mAの電流負荷に対し、通常GaN系はSiC系の100倍以上の発光強度を有する。
本発明の発光装置に使用される緑色蛍光体と組み合わせ得る他の蛍光体としては、特に制限は無いが、以下の青色蛍光体及び赤色蛍光体が好ましい。
その中でも下記の(1)〜(4)に挙げられる4種類の少なくともいずれか1つの青色蛍光体と組み合わせることがより好ましい。
(1)BaMgAl10O17:Eu系青色蛍光体
下記一般式[2]の化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体が好ましい。
M3は、Al、Ga、およびScからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、M3’は、3価の金属元素(但し、Al、Ga、Scは除く)を表す。
a1は0.9≦(a1+b1)≦1.1、b1は0.11≦b1≦0.99、c1は0.9≦c1≦1.1、d1は9≦d1≦11、e1は15.3≦e1≦18.7、0≦x1<0.2、0≦y1<0.2、0≦z1<0.2を満足する数である。)
下記一般式[3]の化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体が好ましい。
下記一般式[4]の化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体が好ましい。
下記一般式[5]の化学組成を有する結晶相を含有する蛍光体が好ましい。
そして、面発光照明装置11を駆動して、発光装置13の第1の発光体に電圧を印加することにより350〜415nmの光を発光させ、その発光の一部を、第2の発光体としての蛍光体含有樹脂部における前記蛍光体が吸収して可視光を発光し、一方、蛍光体に吸収されなかった青色光等との混色により演色性の高い発光が得られ、この光が拡散板14を透過して、図面上方に出射され、保持ケース12の拡散板14面内において均一な明るさの照明光が得られることとなる。
SrCO3;0.85モル、α−Al2O3;1.0モル、並びに発光中心イオンの元素源化合物としてEu2O3;0.075モルをボールミル中で粉砕混合し、更に粉砕したH3BO3を0.01モル混合した後、ナイロン100メッシュ篩いを通過させ混合物を得た。得られた混合物をアルミナ製坩堝中で、4%の水素を含む窒素ガス流下、1400℃で2時間、加熱、焼成した後、分級処理を行って、緑色発光の蛍光体Sr0.85Eu0.15Al2O4を製造した。GaN系発光ダイオードの紫外光領域の主波長である400nmでこの蛍光体を励起させ、大塚電子(株)製瞬間マルチ測光システム(MCPD−7000)で発光スペクトルを測定した。図1に得られた蛍光体の発光スペクトルを示す。この時の発光スペクトルの415〜780nm域の積分強度比は、後記の比較例1の蛍光体サンプル(基準)に対して190%であった。また発光スペクトルピーク値は521nmであった。
なお、変化率は前述の如く、所定の励起波長の前後±1nmにおけるそれぞれの励起波長での発光強度を測定し、所定励起波長と励起波長の前後±1nmでの発光強度の差の絶対値の平均値を所定励起波長での発光強度で除した値の絶対値で示した値であり、前述の式で示される。
仕込み原料を、BaCO3;0.8モル、MgCO3;0.6モル、γ−Al2O3;5モル、およびEu2O3;0.1モル、MnCO3・0.5H2O(Mnとして、0.4モル)とし、加熱条件を1400℃にしたこと以外は実施例1と同様に操作して、Ba0.8Mg0.6Eu0.2Mn0.4Al10O17の組成を持つ緑色蛍光体を得た。GaN系発光ダイオードの紫外光領域の主波長である400nmでこの蛍光体を励起させ、実施例1と同様にして発光スペクトル強度を測定し、このときの積分強度比を100%(基準)とした。ピーク波長は515nmであった。
又、実施例1におけると同様の方法で発光強度変化率を求めたものを図2に示した。385、390、395、400、410nmの各所定波長における変化率を纏めて下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の44%であった。
SrCO3;0.73モル、α−Al2O3;1.0モル、発光中心イオンの元素源化合物としてEu2O3;0.125モル、並びにMnCO3・0.5H2O(Mnとして、0.02モル)を1450℃で2時間、加熱すること以外は実施例1と同様の方法でSr0.73Eu0.25Mn0.02Al2O4を製造した。製造した蛍光体につき実施例1と同様の方法で発光特性を評価したところ、発光スペクトルの415〜780nm域の積分強度比は、比較例1のサンプルに対して181%であった。
又、実施例1におけると同様の方法で385、390、395、400、410nmの各励起波長における発光強度変化率を求め、その結果を下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の98%であった。
SrCO3;0.73モル、γ−Al2O3;1.0モル、発光中心イオンの元素源化合物としてEu2O3;0.125モル、並びにMnCO3・0.5H2O(Mnとして、0.02モル)を1300℃で2時間、加熱すること以外は実施例1と同様の方法でSr0.73Eu0.25Mn0.02Al2O4を製造した。実施例1と同様の方法で発光特性を評価したところ、発光スペクトルの415〜780nm域の積分強度比は比較例1のサンプルに対して124%であった。
又、実施例1におけると同様の方法で385、390、395、400、410nmの各励起波長における発光強度変化率を求め、その結果を下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の90%であった。
仕込み原料を、SrCO3;0.7モル、塩基性炭酸マグネシウム(Mgのモル数0.05モル)、α−Al2O3;1モル、Eu2O3;0.1モル、及びMnCO3・0.5H2O(Mnとして、0.1モル)とし、加熱・焼成を1600℃で2時間と変えた以外は、実施例1と同様にしてSr0.45Mg0.05Eu0.4Mn0.1Al2O4を製造した。実施例1と同様にして発光特性を測定したところ、400nm励起での発光スペクトル積分強度比は、比較例1のサンプルに対し130%であった。
又、実施例1におけると同様の方法で385、390、395、400、410nmの各励起波長における発光強度変化率を求め、その結果を下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の97%であった。
SrCO3;0.7モル、α−Al2O3;1.0モル、発光中心イオンの元素源化合物としてEu2O3;0.125モル、並びにMnCO3・0.5H2O(Mnとして、0.02モル)を1330℃で2時間、加熱すること以外は実施例1と同様の方法でSr0.73Eu0.25Mn0.02Al2O4を製造した。実施例1と同様の方法で発光特性を評価したところ、発光スペクトルの415〜780nm域の積分強度比は比較例1のサンプルに対して172%であった。
又、実施例1におけると同様の方法で385、390、395、400、410nmの各励起波長における変化率を求め、その結果を下記表1に示す。また410nm励起時の発光強度が385nm励起時の発光強度の95%であった。
2;面発光型GaN系LD
3;基板
4;発光装置
5;マウントリード
6;インナーリード
7;第1の発光体(350〜415nmの発光体)
8;本発明中の蛍光体を含有させた樹脂部
9;導電性ワイヤー
10;モールド部材
11;発光装置を組み込んだ面発光照明装置
12;保持ケース
13;発光装置
14;拡散板
Claims (10)
- 波長350〜415nmの光を発生する第1の発光体と、当該第1の発光体からの光の照射により可視光を発生する第2の発光体とを有する発光装置において、第2の発光体が、酸化物蛍光体を含有し、且つ該蛍光体は波長410nmの光による励起時の発光強度が波長385nmの光による励起時の発光強度の93%以上、110%以下であることを特徴とする発光装置。
- 第2の発光体の酸化物蛍光体は、第1の発光体からの照射光の波長における所定(単位)波長当たりの発光強度変化率の絶対値が、所定波長385nm、390nm、395nm及び410nmの励起波長での発光強度に対する、該励起波長±1nmの両励起波長での発光強度の差の比率として、それぞれ1.5%以下、2.0%以下、2.5%以下、及び3.0%以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 第2の発光体が、波長488nmから570nmの間に主宰波長がある酸化物蛍光体を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
- 第2の発光体が、励起波長400nmの光による励起時の発光スペクトルにおいて、490〜550nmの波長範囲内に最大発光強度が観察される酸化物蛍光体を含有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 式[1]において、AがAlであることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
- 第1の発光体がレーザーダイオード又は発光ダイオードであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 第2の発光体が、更に、上記一般式[1]の化学組成を有する酸化物蛍光体以外の、他の青色及び赤色蛍光体を含んでなり、発光装置が白色光を発することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の発光装置。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の発光装置を備えた照明装置。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の発光装置を備えたディスプレイ。
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