JP2005249852A - 電気吸収型光変調素子およびその製造方法 - Google Patents
電気吸収型光変調素子およびその製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 半導体基板1の上に、n型或いはP型の何れか一方の導電型を有する第1のクラッド層20と、第1のクラッド層20のウエットエッチングに係るエッチングストップ層9と、一方の導電型を有する第2のクラッド層21と、光導波路層3と、第1および第2のクラッド層とは異なる導電型を有する第3のクラッド層4とがこの順に積層され、第2のクラッド層21、光導波路層3、第3のクラッド層4はこれらの両側部がエッチング除去されてストライプ状に形成され、エッチングストップ層9の上方のエッチング除去両側部の除去領域60には埋め込み層6が形成されている電気吸収型光変調素子およびその製造方法。
【選択図】 図1
Description
n−InP基板1を準備する。n−InP基板1の表面に、順次に、n−InP下部クラッド層2、InGaAsP光導波路層(変調層+パイルアップ防止層)3、p−InP上部クラッド層4、p−InGaAsPコンタクト層5より成る薄膜多層構造がエピタキシャル成長により成膜形成されている。6はFeをドープしたFe−InP埋め込み層である。p−InGaAsPコンタクト層5の上面にはp電極7が形成されている。このp−InGaAsP層5はp−InP上部クラッド層4にp電極7をオーミックコンタクトさせる電極形成用のコンタクト層である。Fe−InP埋め込み層6は、n−InP下部クラッド層2およびp−InP上部クラッド層4と共にInGaAsP光導波路層3を取り囲み、光閉じ込め構造を形成している(特許文献1 参照)。
図4(a)を参照するに、n−InP基板1上に有機金属化学堆積法(MOCVD)により、n−InPクラッド層2、InGaAsP光導波路層3(InGaAsP変調層およびパイルアップ防止層)、p−InPクラッド層4、InGaAsPコンタクト層5、を順次に積層形成する。そして、この積層体の側部にフォトリソグラフィ技術を適用し、n−InPクラッド層2の上部の両側部、InGaAsP光導波路層3の両側部、p−InPクラッド層4の両側部、InGaAsPコンタクト層5の両側部をエッチング除去してストライプ状に形成する。これには、先ず、InGaAsPコンタクト層5の表面に酸化シリコン絶縁膜のストライプマスク8を形成する。
図4(c)を参照するに、今度は燐酸系エッチング液を使用してp−InPクラッド層4をエッチングする。燐酸系エッチング液も選択性エッチング液であり、p−InPのみがエッチングされ、次層のInGaAsP光導波路層3のInGaAsPはエッチングされない。
図示される如く基板側のクラッド層が凸型とされている構造の電気吸収型光変調素子は公知である。この様な凸型のクラッド層は、反応性イオンビームエッチングの如きドライエッチングによっても製造される(特許文献2 参照)。
一方、ドライエッチングにより電気吸収型光変調素子を製造する場合、半導体材料に損傷を発生する。この損傷とは、n−InP下部クラッド層2の上面とストライプ状に形成されるInGaAsP光導波路層3およびその上面のp−InP上部クラッド層4の両側面とにおける結晶性の悪化のことをいう。特に、InGaAsP光導波路層3における結晶性の悪化はInGaAsP光導波路層の光学的および電気的性能劣化の原因となる。
(a)光導波路層3と上部クラッド層4との間の層幅の差異部分である下側の張り出し部分41と、上部クラッド層4とコンタクト層5との間の層幅の差異部分である上側の張り出し部分41’とをエッチング除去する工程において、下部クラッド層2と同一材料より成る基板1にエッチングが及ぶことを防止することができる。(b)埋め込み層6の成長を開始するに有利な良好な結晶面を提供する。仮に、エッチングストップ層9を形成せずに、下部クラッド層2へのエッチングを時間だけで制御することを考えると、このエッチングにより得られる下部クラッド層2の露出面はこの上面に埋め込み層6をエピタキシャル成長させるに充分に好適な平坦さにはならない。(c)埋め込み層6の深さ調整をするに好都合である。
図1(a)を参照するに、この発明は、n−InP下部クラッド層2中にその幅および長さ方向にInGaAsPエッチングストップ層9を介在させる点を特徴とする。即ち、n−InP下部クラッド層2を、n−InPより成る第1のクラッド層である下層クラッド層20とn−InPより成る第2のクラッド層である上層クラッド層21との間にその幅および長さ方向に亘ってInGaAsPエッチングストップ層9を介在させて形成する。InGaAsPエッチングストップ層9はこれらn−InPクラッド層に挟まれて埋設された状態にある。
図1(c)を参照するに、今度は燐酸系エッチング液を使用してp−InP上部クラッド層4をエッチングする。燐酸系エッチング液も選択性エッチング液であり、p−InPのみがエッチングされ、次層のInGaAsP光導波路層3のInGaAsPはエッチングされない。
図2(e)を参照するに、図2(d)の状態の積層構造が形成されたところで、更に、この積層構造に燐酸系エッチング液を使用してエッチングを施す。このエッチングにより、n−InP上層クラッド層21の両側部が大きくエッチング除去されると共に、p−InP上部クラッド層4の両側部も図2(d)の状態から更にエッチング除去される。その結果、図2(e)の状態の積層が形成される。
ところで、クラッド層の導電型については、図示される如く下部クラッド層2をn型により構成し、上部クラッド層4をp型にする構成とは逆としてもこの発明が有効であることに変わりはない。そして、この発明は、光変調層に多重量子井戸型の層構造を有する光変調素子にも、また、バルク型の層構造を有する光変調素子にも適用することができる。
20 下層クラッド層 21 上層クラッド層
3 光導波路層 31 導波路端面
4 上部クラッド層 41 下側の張り出し部分
41’上側の張り出し部分 5 コンタクト層
6 埋め込み層 7 電極
8 ストライプマスク 9 エッチングストップ層
Claims (2)
- 化合物半導体で構成され、n型半導体クラッド層、p型半導体クラッド層、およびこれら2つのクラッド層の間に形成される光導波路層を有し、光導波路層に電界を印加してその光吸収係数を変化させる電気吸収型光変調素子において、
半導体基板の上に、n型或いはp型の何れか一方の導電型を有する第1のクラッド層と、第1のクラッド層のウエットエッチングに係るエッチングストップ層と、一方の導電型を有する第2のクラッド層と、光導波路層と、第1および第2のクラッド層とは異なる導電型を有する第3のクラッド層とがこの順に積層され、第2のクラッド層、光導波路層、第3のクラッド層はこれらの両側部がエッチング除去されてストライプ状に形成され、エッチングストップ層の上方のエッチング除去両側部の除去領域には埋め込み層が形成されていることを特徴とする電気吸収型光変調素子。 - 化合物半導体で構成され、n型半導体クラッド層、p型半導体クラッド層、およびこれら2つのクラッド層の間に形成される光導波路層を有し、光導波路層に電界を印加してその光吸収係数を変化させる電気吸収型光変調素子の製造方法において、
半導体基板の上に、n型或いはp型の何れか一方の導電型を有する第1のクラッド層と、この第1のクラッド層のウェットエッチングに係るエッチングストップ層と、一方の導電型を有する第2のクラッド層と、光導波路層と、他方の導電型を有する第3のクラッド層と、コンタクト層とをこの順に積層し、
コンタクト層の上にフォトリソグラフィによってストライプ状マスクを形成し、
コンタクト層を選択的に除去するエッチング液によりコンタクト層の内のマスク下方の両側部を除去し、
第3のクラッド層を選択的に除去するエッチング液により第3のクラッド層の内のマスクおよびコンタクト層下方の両側部を除去し、
光導波路層を選択的に除去するエッチング液によって、光導波路層の内のマスクないし第3のクラッド層下方の両側部を除去し、
クラッド層を選択的に除去するエッチング液によって、第2のクラッド層の内の光導波路層の下方の両側部および第3のクラッド層の内の光導波路層の上方の両側部を除去し、
エッチングストップ層の上方の内の第2のクラッド層からコンタクト層に到るエッチング除去両側部の除去領域に埋め込み層を埋め込み成長させることを特徴とする電気吸収型光変調素子の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011085817A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光半導体装置及びその作製方法 |
JP2014206699A (ja) * | 2013-04-16 | 2014-10-30 | 日本電信電話株式会社 | 光変調導波路の製造方法 |
-
2004
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