JP2011085817A - 光半導体装置及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1と、この基板1上に形成された第2エッチングストップ層4、コア層2、及び、コア層2よりも屈折率の低い有機材料クラッド層3とを有しており、第2エッチングストップ層4上に有機材料クラッド層3が形成され、この有機材料クラッド層3によって、コア層2の外周面全体が覆われた構造とする。また、この構造は、基板1上に第2エッチングストップ層、クラッド層、第1エッチングストップ層、コア層を順次積層した積層構造を、幅方向の一方側と他方側に2回に分けてエッチング加工をすることによって形成する。
【選択図】図1A
Description
前記第2エッチングストップ層上に前記有機材料クラッド層が形成され、
前記有機材料クラッド層によって、前記コア層の外周面全体が覆われていること、
を特徴とする。
前記第2エッチングストップ層の上面から前記コア層の下面までの高さが、1μm以上であることを特徴とする。
前記コア層がバルク半導体、もしくは半導体を用いた量子井戸構造を含むことを特徴とする。
第1エッチングストップ層には前記コア層をエッチングするときに前記第1エッチングストップ層がエッチングされない材料を用い、前記コア層及びクラッド層には前記第1エッチングストップ層をエッチングするときに前記コア層及び前記クラッド層がエッチングされない材料を用い、前記コア層、前記第1エッチングストップ層及び前記第2エッチングストップ層には前記クラッド層をエッチングするときに前記コア層、前記第1エッチングストップ層及び前記第2エッチングストップ層がエッチングされない材料を用いることにより、
前記基板上に前記第2エッチングストップ層、前記クラッド層、前記第1エッチングストップ層、前記コア層を順次積層する工程と、
前記コア層の幅方向の一方側をエッチングする工程と、
前記第1エッチングストップ層の幅方向の一方側をエッチングする工程と、
前記クラッド層の幅方向の一方側をエッチングする工程と、
前記コア層の上面、一方の側面及び下面を、前記有機材料クラッド層で覆う工程と、
前記コア層の上面を覆っている前記有機材料クラッド層の幅方向の他方側をエッチングする工程と、
前記コア層の幅方向の他方側をエッチングする工程と、
前記第1エッチングストップ層の幅方向の他方側をエッチングする工程と、
前記クラッド層の幅方向の他方側をエッチングする工程と、
前記コア層の他方の側面及び下面を、前記有機材料クラッド層で覆う工程と、
を実施することを特徴とする。
前記コア層に用いる半導体混晶のバンドギャップ波長が、前記第1エッチングストップ層に用いる半導体混晶のバンドギャップ波長よりも小さく、更に前記第1エッチングストップ層に用いる半導体混晶のバンドギャップ波長が、前記クラッド層に用いる半導体混晶のバンドギャップ波長よりも大きいことを特徴とする。
図1Aに示すように、本発明の実施の形態例1に係る光半導体装置は、半導体混晶基板1と、この基板1上に形成された第2エッチングストップ層4、光の導波層であり半導体混晶で構成されている光導波路コア層2、及び、コア層2よりも屈折率の低い有機材料クラッド層3とを有している。そして、第2エッチングストップ層4上に有機材料クラッド層3が形成され、この有機材料クラッド層3によって、コア層2の外周面全体が覆われた構造となっている。即ち、コア層2の光の進行方向(図1Aの紙面に垂直な方向)と垂直な断面の外周面である上面2a、両側面2a,2c及び下面2dが、有機材料クラッド層3によって覆われている。コア層2は、前記光の進行方向に垂直な断面(横断面)の大きさが媒質(基板上の半導体細線導波路構造)内での光の波長程度の大きさである。
また、第2エッチングストップ層4の上面4aからコア層の下面2dまでの高さH(即ちコア層4と第2エッチングストップ層4の間の有機材料クラッド層3の厚さ)は、1μm以上である。
本発明の実施の形態例2の光半導体装置では、半導体細線導波路の構造及び作製方法は実施の形態例1と同じであるが(図1A,図2A〜図2K参照)、第1エッチングストップ層6をInGaAlAsとすることに特徴がある。通常、アルミニウムを混ぜた半導体混晶は酸に対してより溶けやすい性質をもっているため、InGaAlAsを本発明の半導体細線導波路を作成するための第1エッチングストップ層4に用いることができ、実施の形態例1と同様の効果を得ることができる。
本発明の実施の形態例3の光半導体装置では、半導体細線導波路の構造及び作製方法は実施の形態例1,2と同じであるが、コア層2及び第1エッチングストップ層6をInGaAlAsとすることに特徴がある。コア層2と第1エッチングストップ層6のバンドギャップ波長を変えることで、実施の形態例1と同様に半導体細線導波路を作成することができ、同様の効果を得ることができる。
また、上記実施の形態例1〜4においては、基板はInPを用いたが、GaAs、Si、サファイア基板などを用いても良い。
また、コア層がバルク半導体、もしくは半導体を用いた量子井戸構造であってもよい。
2 半導体導波路コア層
2a コア層の上面
2b,2c 側面
2d 下面
3 有機材料クラッド層
4 第2エッチングストップ層
5 半導体クラッド層
6 第1エッチングストップ層
Claims (5)
- 基板と、前記基板上に形成された第2エッチングストップ層、光の導波層であるコア層及び前記コア層よりも屈折率の低い有機材料クラッド層とを有しており、
前記第2エッチングストップ層上に前記有機材料クラッド層が形成され、
前記有機材料クラッド層によって、前記コア層の外周面全体が覆われていること、
を特徴とする光半導体装置。 - 請求項1に記載の光半導体装置において、
前記第2エッチングストップ層の上面から前記コア層の下面までの高さが、1μm以上であることを特徴とする光半導体装置。 - 請求項1又は2に記載の光半導体装置において、
前記コア層がバルク半導体、もしくは半導体を用いた量子井戸構造を含むことを特徴とする光半導体装置。 - 請求項1〜3の何れか1項に記載の光半導体装置を作製する方法であって、
第1エッチングストップ層には前記コア層をエッチングするときに前記第1エッチングストップ層がエッチングされない材料を用い、前記コア層及びクラッド層には前記第1エッチングストップ層をエッチングするときに前記コア層及び前記クラッド層がエッチングされない材料を用い、前記コア層、前記第1エッチングストップ層及び前記第2エッチングストップ層には前記クラッド層をエッチングするときに前記コア層、前記第1エッチングストップ層及び前記第2エッチングストップ層がエッチングされない材料を用いることにより、
前記基板上に前記第2エッチングストップ層、前記クラッド層、前記第1エッチングストップ層、前記コア層を順次積層する工程と、
前記コア層の幅方向の一方側をエッチングする工程と、
前記第1エッチングストップ層の幅方向の一方側をエッチングする工程と、
前記クラッド層の幅方向の一方側をエッチングする工程と、
前記コア層の上面、一方の側面及び下面を、前記有機材料クラッド層で覆う工程と、
前記コア層の上面を覆っている前記有機材料クラッド層の幅方向の他方側をエッチングする工程と、
前記コア層の幅方向の他方側をエッチングする工程と、
前記第1エッチングストップ層の幅方向の他方側をエッチングする工程と、
前記クラッド層の幅方向の他方側をエッチングする工程と、
前記コア層の他方の側面及び下面を、前記有機材料クラッド層で覆う工程と、
を実施することを特徴とする光半導体装置の作製方法。 - 請求項4に記載の光半導体装置の作製方法において、
前記コア層に用いる半導体混晶のバンドギャップ波長が、前記第1エッチングストップ層に用いる半導体混晶のバンドギャップ波長よりも小さく、更に前記第1エッチングストップ層に用いる半導体混晶のバンドギャップ波長が、前記クラッド層に用いる半導体混晶のバンドギャップ波長よりも大きいことを特徴とする光半導体装置の作製方法。
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