JP2005243993A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体領域内に中空構造からなる誘電体領域を形成した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板5の表面上に複数の開口部を有するエッチングマスク1を形成し、該エッチングマスク1により半導体基板5をエッチングし、溝7を形成した後、溝7の間に残った非エッチング部8(半導体部分)をさらにエッチングし空間9を形成し、エッチングマスク1の開口部5を絶縁膜10で塞ぐことにより中空構造11を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体基板5の表面上に複数の開口部を有するエッチングマスク1を形成し、該エッチングマスク1により半導体基板5をエッチングし、溝7を形成した後、溝7の間に残った非エッチング部8(半導体部分)をさらにエッチングし空間9を形成し、エッチングマスク1の開口部5を絶縁膜10で塞ぐことにより中空構造11を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、中空構造を半導体基板内に形成する方法に関し、特に一辺が5μm以上の大きさの中空構造を形成する方法に関する。
近年、シリコン基板に深溝加工や微細加工をほどこした、所謂マイクロマシニング技術を適用した製品の展開がめざましい。例えば、医療分野ではDNAチップ、μ−TASシステム、情報分野ではインクジェット素子、半導体用途では、圧力センサ、熱センサ,トレンチMOSFETなど広い分野で応用製品が市販されるようになっている。
半導体用途では溝の深さはたかだか数十μmであるのに対して、マイクロマシニング用途では数百μmのオーダーになることがある。
上記の加工をおこなう手段として、異方性エッチング手法としてドライエッチングを用いた方法が一般的である。側壁保護膜を作製しつつエッチングをおこなうものであり、そのためのガス構成として、フッ素、塩素、臭素等の反応基と、酸素を主体とする酸化基を混合して、加工溝の側壁に加工用レジストからなる炭素や酸素、フッ素、珪素からなるポリマーを形成して、アスペクト比の大きい溝を形成する。
半導体用途では溝の深さはたかだか数十μmであるのに対して、マイクロマシニング用途では数百μmのオーダーになることがある。
上記の加工をおこなう手段として、異方性エッチング手法としてドライエッチングを用いた方法が一般的である。側壁保護膜を作製しつつエッチングをおこなうものであり、そのためのガス構成として、フッ素、塩素、臭素等の反応基と、酸素を主体とする酸化基を混合して、加工溝の側壁に加工用レジストからなる炭素や酸素、フッ素、珪素からなるポリマーを形成して、アスペクト比の大きい溝を形成する。
溝上に、薄膜ダイヤフラムを作製しさらに各種機能性薄膜を形成することで、圧力センサや高感度赤外線センサが作製できる。
半導体分野では、溝内部を誘電体領域として利用することで高耐圧構造のMOSFETが実現できる。たとえば、シリコン半導体基板に深さがたとえば20μm程度の溝を形成し、その溝を酸化物で埋め込むことにより、シリコン半導体基板内に深さおよび幅がともにたとえば20μm程度の幅広の誘電体領域を形成する方法が公知である。
一般的な誘電体領域の形成方法として中空構造を利用する方法がある。
そのための方法として、シリコン基板に複数の溝を形成し、アニールしてシリコン原子を流動し中空構造を形成する方法が知られている(特許文献1参照。)。しかしながらこの方法では、シリコンの流動性を利用するため形成された中空構造の形状の再現性に難点があった。
半導体分野では、溝内部を誘電体領域として利用することで高耐圧構造のMOSFETが実現できる。たとえば、シリコン半導体基板に深さがたとえば20μm程度の溝を形成し、その溝を酸化物で埋め込むことにより、シリコン半導体基板内に深さおよび幅がともにたとえば20μm程度の幅広の誘電体領域を形成する方法が公知である。
一般的な誘電体領域の形成方法として中空構造を利用する方法がある。
そのための方法として、シリコン基板に複数の溝を形成し、アニールしてシリコン原子を流動し中空構造を形成する方法が知られている(特許文献1参照。)。しかしながらこの方法では、シリコンの流動性を利用するため形成された中空構造の形状の再現性に難点があった。
また、シリコン基板に湿式エッチングを用いて空間を形成し蓋をする方法(特許文献2参照。)や半導体基板上に形成された絶縁膜に空間を形成し、該空間より広い面積のフィルム上に薄膜を形成し、該薄膜を前記空間を塞ぐように転写しフィルムを剥離する方法(特許文献3参照。)が知られている。
特開2001−144276号公報
特開2000−124564号公報
特開平10−313139号公報
上記特許文献1に記載の方法では、シリコンの流動性を利用するため形成された空隙の形状の再現性に難点があった。また、上記特許文献2,3に記載の方法では、静電接合や他の接合手段を必要としていた。
本願発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、再現性に優れかつ半導体プロセスのみを用いた方法により、半導体内に中空構造を作製する方法を提供することにある。
本願発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、再現性に優れかつ半導体プロセスのみを用いた方法により、半導体内に中空構造を作製する方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に前記半導体基板に達する複数の開口部を有する第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜をマスクとしてドライエッチングにより半導体基板に溝を形成する工程と、該溝の間に存在する非エッチング部を除去する工程と、前記半導体基板上全面に第2絶縁膜を堆積して前記第1絶縁膜の前記複数の開口部を閉塞する工程と、を含むこととする。
また、前記半導体基板がシリコン基板からなり、前記第1絶縁膜または前記第2絶縁膜は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物の何れかもしくはこれらを組み合わせた材料を含むこととする。
また、前記溝の間に存在する半導体部分を除去する工程は、ウェットエッチングによりおこなうこととする。
また、前記半導体基板がシリコン基板からなり、前記第1絶縁膜または前記第2絶縁膜は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物の何れかもしくはこれらを組み合わせた材料を含むこととする。
また、前記溝の間に存在する半導体部分を除去する工程は、ウェットエッチングによりおこなうこととする。
本発明によれば、再現性に優れかつ半導体プロセスのみを用いた中空構造を有する半導体装置を容易に製造することができる製造方法を提供することができる。
以下に、本発明の実施の形態1について図面を参照しつつ詳細に説明する。本実施の形態では、深さが20μmであり、一辺がおおよそ5μmである中空構造からなる誘電体領域をシリコン半導体基板内に形成する場合を例にして説明する。
図1は、本発明に係る半導体装置の製造方法において、溝エッチングをおこなう際の絶縁膜からなるエッチングマスクのマスクパターンを示す図である。図1(a)のエッチングマスク1は、複数の例えば正方形状の島状領域2が縦横に並ぶパターンを有する。
そして、各島状領域2は、隣り合う島状領域2に連結部3を介して連結されている。また、島状領域2は、溝形成領域の外側の枠部分に連結部4を介して連結されている。これにより開口部5が複数形成される。特に限定しないが、島状領域2の一辺の長さは例えば1.1μmであり、連結部3,4の長さおよび幅はともに例えば0.4μmである。開口部5の幅は、連結部の幅と同じ0.4μmである。このようなパターンは、図1(b)に示したように正方形のパターンで形成されたものと比べ、例えば、後述のウェットエッチングの際に溝内へエッチング溶液が確実に入り込むため望ましい。もちろん図1(b)のような構成であっても構わない。
図1は、本発明に係る半導体装置の製造方法において、溝エッチングをおこなう際の絶縁膜からなるエッチングマスクのマスクパターンを示す図である。図1(a)のエッチングマスク1は、複数の例えば正方形状の島状領域2が縦横に並ぶパターンを有する。
そして、各島状領域2は、隣り合う島状領域2に連結部3を介して連結されている。また、島状領域2は、溝形成領域の外側の枠部分に連結部4を介して連結されている。これにより開口部5が複数形成される。特に限定しないが、島状領域2の一辺の長さは例えば1.1μmであり、連結部3,4の長さおよび幅はともに例えば0.4μmである。開口部5の幅は、連結部の幅と同じ0.4μmである。このようなパターンは、図1(b)に示したように正方形のパターンで形成されたものと比べ、例えば、後述のウェットエッチングの際に溝内へエッチング溶液が確実に入り込むため望ましい。もちろん図1(b)のような構成であっても構わない。
図2〜図5は、本発明に係る半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の製造法途中における構造を示す断面図である。図2〜図5において、(a)は、図1に示すマスクパターンのA−A線に相当する断面図を示し、図2〜図4において(b)は、図1(a)に示すマスクパターンのB−B線に相当する断面図を示す。なお、A−A線は、連結部3,4を通っており、B−B線は連結部3,4を避けて島状領域2を通っている。
先ず、図2に示すように、シリコン半導体基板6上に、温度1100℃の水蒸気雰囲気中で熱酸化を行い、例えば厚さが1μmのシリコン熱酸化膜を形成する、ついで、熱酸化膜上に図示しないフォトレジストを塗布し、図示しないマスクを用いて露光および現像を行い、図1(a)に示す形状および寸法のエッチングマスク1を形成した。
ついで、図3に示すように、Cl2とO2の混合雰囲気でドライエッチングにより、深さ20μmの溝7を形成する。溝7形成後、図3に示すように、エッチングマスク1の連結部3,4の下側には、シリコン半導体が非エッチング部8として残る。
先ず、図2に示すように、シリコン半導体基板6上に、温度1100℃の水蒸気雰囲気中で熱酸化を行い、例えば厚さが1μmのシリコン熱酸化膜を形成する、ついで、熱酸化膜上に図示しないフォトレジストを塗布し、図示しないマスクを用いて露光および現像を行い、図1(a)に示す形状および寸法のエッチングマスク1を形成した。
ついで、図3に示すように、Cl2とO2の混合雰囲気でドライエッチングにより、深さ20μmの溝7を形成する。溝7形成後、図3に示すように、エッチングマスク1の連結部3,4の下側には、シリコン半導体が非エッチング部8として残る。
ついで、KOHを用いて厚さ0.6μm相当の非エッチング部8を除去した。これによって、図4に示すように、島状領域2の下側および連結部3,4の下側に残る非エッチング部8が除去され、空間9が形成される。
ついで、図5に示すように全面に厚さ0.5μmのHTO膜からなる絶縁膜10を成長させる。絶縁膜10を成長させることにより、マスクパターン1の開口部5が閉じて中空構造11が形成される。絶縁膜10の成長によりマスクパターン1の開口部5を閉じるためには、開口部5の幅は0.7μm以下とするのが良い。
ここで、シリコンからなる半導体基板について説明したが、シリコンに限らず他の材料からなる半導体基板であってももちろん構わない。
また、エッチングマスク1は、酸化膜や窒化膜などの絶縁膜からなる。シリコン基板6上に形成するエッチングマスク1は、シリコン熱酸化膜で形成する場合シリコン基板6の反りを抑制するために0.6μm〜1.0μmが望ましい。
ついで、図5に示すように全面に厚さ0.5μmのHTO膜からなる絶縁膜10を成長させる。絶縁膜10を成長させることにより、マスクパターン1の開口部5が閉じて中空構造11が形成される。絶縁膜10の成長によりマスクパターン1の開口部5を閉じるためには、開口部5の幅は0.7μm以下とするのが良い。
ここで、シリコンからなる半導体基板について説明したが、シリコンに限らず他の材料からなる半導体基板であってももちろん構わない。
また、エッチングマスク1は、酸化膜や窒化膜などの絶縁膜からなる。シリコン基板6上に形成するエッチングマスク1は、シリコン熱酸化膜で形成する場合シリコン基板6の反りを抑制するために0.6μm〜1.0μmが望ましい。
また、図1(a)の島状領域2のマスク寸法としては、ドライエッチングにより形成した溝7と相互間のシリコンエッチング除去しろを考慮して一辺の長さを0.8μm〜1.2μmとするのが良い。
絶縁膜10は、上記に示したHTO膜のように流動性が小さい膜が望ましいがその他の酸化膜や窒化膜などで形成することが可能である。
つぎに、本発明の実施の形態2について図面を参照しつつ詳細に説明する。
図6は、図1で示したエッチングマスク1の変形例である。図6は、図1のエッチングマスク1にさらに島状領域2の内部にも開口部12が形成されている。開口部12の一辺の長さは、開口部5の幅と同様の幅とする。図6に示した、エッチングマスク1においても、図5に示した中空構造11を同様に形成することができる。
絶縁膜10は、上記に示したHTO膜のように流動性が小さい膜が望ましいがその他の酸化膜や窒化膜などで形成することが可能である。
つぎに、本発明の実施の形態2について図面を参照しつつ詳細に説明する。
図6は、図1で示したエッチングマスク1の変形例である。図6は、図1のエッチングマスク1にさらに島状領域2の内部にも開口部12が形成されている。開口部12の一辺の長さは、開口部5の幅と同様の幅とする。図6に示した、エッチングマスク1においても、図5に示した中空構造11を同様に形成することができる。
つぎに、本発明の実施の形態3について図面を参照しつつ詳細に説明する。本実施の形態では、上述した製造方法を適用して製造される横型高耐圧トレンチパワーMOSFETについて説明する。
図7は、実施の形態1で説明した製造方法を適用して製造される横型高耐圧トレンチパワーMOSFET20の構造を示す要部縦断面図である。図7において、符号21はp層であり、実施の形態1で説明した半導体基板5に相当する。また符号22はpウェル層であり、符号23はnウェル層であり、符号24はn−オフセットドレイン領域である。
符号25は誘電体領域であり、実施の形態1で説明した製造方法により形成される中空構造11に相当する。符号26はp+コンタクト層であり、符号27はn+ソース層であり、符号28はn+ドレイン層である。符号29はゲート絶縁膜であり、符号30はゲート電極である。符号31はソース電極であり、符号32はドレイン電極であり、符号33は層間絶縁膜である。
図7は、実施の形態1で説明した製造方法を適用して製造される横型高耐圧トレンチパワーMOSFET20の構造を示す要部縦断面図である。図7において、符号21はp層であり、実施の形態1で説明した半導体基板5に相当する。また符号22はpウェル層であり、符号23はnウェル層であり、符号24はn−オフセットドレイン領域である。
符号25は誘電体領域であり、実施の形態1で説明した製造方法により形成される中空構造11に相当する。符号26はp+コンタクト層であり、符号27はn+ソース層であり、符号28はn+ドレイン層である。符号29はゲート絶縁膜であり、符号30はゲート電極である。符号31はソース電極であり、符号32はドレイン電極であり、符号33は層間絶縁膜である。
つぎに、図7に示す高耐圧トレンチパワーMOSFET20の製造工程を示す。
図8、図9は、図7に示す高耐圧トレンチパワーMOSFET20の製造工程中の要部断面を示す図であり、誘電体領域25を形成する箇所の断面を示すものである。
まず、p層21の表面上に図1に示すエッチングマスク1を形成し、図2から図4に示した工程と同様の工程をおこなう。
その後、図4に示す状態につづいて、図8に示すように、減圧CVDにより、シランおよびリンドープ用にホスフィンを用いて、リン濃度1×1020 cm-3 程度のドープドポリシリコン膜13を300オングストローム堆積し、その後1150℃で120分間ドライブをおこなう。すると、ドープドポリシリコン膜13中のリンが溝側面および底面に拡散し(固相拡散)、深さ3μm,ピーク濃度1×1016cm-3 のn−オフセットドレイン領域24が形成される。その後、図9に示すように基板を加熱して、ドープドポリシリコン膜13を熱酸化膜14とする。溝7のマスクパターン1の開口部5を絶縁膜10で塞ぎ誘電体領域25を形成する。
図8、図9は、図7に示す高耐圧トレンチパワーMOSFET20の製造工程中の要部断面を示す図であり、誘電体領域25を形成する箇所の断面を示すものである。
まず、p層21の表面上に図1に示すエッチングマスク1を形成し、図2から図4に示した工程と同様の工程をおこなう。
その後、図4に示す状態につづいて、図8に示すように、減圧CVDにより、シランおよびリンドープ用にホスフィンを用いて、リン濃度1×1020 cm-3 程度のドープドポリシリコン膜13を300オングストローム堆積し、その後1150℃で120分間ドライブをおこなう。すると、ドープドポリシリコン膜13中のリンが溝側面および底面に拡散し(固相拡散)、深さ3μm,ピーク濃度1×1016cm-3 のn−オフセットドレイン領域24が形成される。その後、図9に示すように基板を加熱して、ドープドポリシリコン膜13を熱酸化膜14とする。溝7のマスクパターン1の開口部5を絶縁膜10で塞ぎ誘電体領域25を形成する。
その後、pウェル層22とnウェル層23を形成する。pウェル層22の表面層にp+コンタクト層26とn+ソース領域27を形成し、nウェル層23の表面層にn+ドレイン層28を形成する。n+ソース領域27とn−オフセットドレイン領域24に挟まれたpウェル層22表面上にゲート絶縁膜29を介してゲート電極30を形成し、その上に層間絶縁膜33を形成する。p+コンタクト層26とn+ソース領域27上にソース電極31を形成し、n+ドレイン層28上にドレイン電極32を形成する。なお、前記nウェル層23はnドレイン領域28を補完する領域であり、形成しなくても構わない。
上述したドープドポリシリコン膜13を用いた固相拡散方法の他にn−オフセットドレイン領域24を形成する方法について以下に述べる。
まず、p層21の表面上に図1に示すエッチングマスク1を形成し、図2から図4に示した工程と同様の工程をおこなう。図4に示す状態につづいて、特に図示しないが、基板表面に対して斜めの方向からの側面に対してリンイオンを注入する。このときのイオン注入量はたとえば8×1012 cm-2 である。
上述したドープドポリシリコン膜13を用いた固相拡散方法の他にn−オフセットドレイン領域24を形成する方法について以下に述べる。
まず、p層21の表面上に図1に示すエッチングマスク1を形成し、図2から図4に示した工程と同様の工程をおこなう。図4に示す状態につづいて、特に図示しないが、基板表面に対して斜めの方向からの側面に対してリンイオンを注入する。このときのイオン注入量はたとえば8×1012 cm-2 である。
ついで、基板表面に対して垂直な方向、すなわち溝7の側面に対して0°の方向からリンイオンを注入する。この0°イオン注入では、溝7の底面に沿う部分にのみリンイオンが注入される。ここで、溝7の側面に沿う部分と底面に沿う部分とでリンイオンの表面濃度を同一にする場合は、底面へのイオン注入量を側面へのイオン注入量の5μm/20μm倍とする。つまり、0°イオン注入時のイオン注入量はたとえば2×1012 cm-2 である。また、先の斜めイオン注入では、溝7の底面に沿う部分にリンイオンが注入されないため、溝7の底面に沿う部分に局部的なリンイオンの高濃度領域が形成されることはない。
ついで、ドライブをおこない、拡散深さxjがたとえば6μm程度となるようにドライブさせて、n−オフセットドレイン領域24を形成する。n−オフセットドレイン領域24を形成した後、溝7のマスクパターン1の開口部5をHTO膜で塞ぎ誘電体領域25を形成する。
ついで、ドライブをおこない、拡散深さxjがたとえば6μm程度となるようにドライブさせて、n−オフセットドレイン領域24を形成する。n−オフセットドレイン領域24を形成した後、溝7のマスクパターン1の開口部5をHTO膜で塞ぎ誘電体領域25を形成する。
上述した実施の形態によれば、溝7を形成するためのマスクパターン1を工夫することにより、従来のような、溝に蓋を張り合わせて中空構造を形成する技術は不要になり、深さ数μm〜数十μm、深さ数μm〜数十μmの中空構造を半導体基板内に容易に形成することができる。
以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、種々変更可能である。
以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、種々変更可能である。
本発明は、高耐圧トレンチパワーMOSFETに限らず、例えば、断熱体としての応用では、薄膜上に焦電素子を配置することで高感度な熱センサが実現できる。また、薄膜上に歪み素子を配置することで、中空構造内外の圧力差による圧力センサが製作可能である。
発熱素子を薄膜上に設けることで、高効率なヒーターとして展開できる。μ−TAS(マイクロ化学分析システム)や化学センサ、医療センサに代表される流体素子の製造に適用することができる。この場合、酸化膜表面の処理により疎水化または親水化の制御が可能であるので、これらの流体素子において、フロー部に流れる流体の特性に応じた構造体を作製することができる。また、混合反応槽において、試薬などの特性に応じて、表面の親水性または疎水性の選択を任意に実施することができる。
発熱素子を薄膜上に設けることで、高効率なヒーターとして展開できる。μ−TAS(マイクロ化学分析システム)や化学センサ、医療センサに代表される流体素子の製造に適用することができる。この場合、酸化膜表面の処理により疎水化または親水化の制御が可能であるので、これらの流体素子において、フロー部に流れる流体の特性に応じた構造体を作製することができる。また、混合反応槽において、試薬などの特性に応じて、表面の親水性または疎水性の選択を任意に実施することができる。
さらには、中空構造を完全に閉鎖することなく、一部に開口部を設け、電極を中空構造内部や開口部に設けることでFED(電界放出素子)に応用できる。
1 エッチングマスク
2 島状領域
3,4 連結部
5,12 開口部
6 半導体基板
7 溝
8 非エッチング部(半導体部分)
9 空間
10 絶縁膜
11 中空構造
2 島状領域
3,4 連結部
5,12 開口部
6 半導体基板
7 溝
8 非エッチング部(半導体部分)
9 空間
10 絶縁膜
11 中空構造
Claims (3)
- 半導体基板上に前記半導体基板に達する複数の開口部を有する第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜をマスクとしてドライエッチングにより半導体基板に溝を形成する工程と、該溝の間に存在する非エッチング部を除去する工程と、前記半導体基板上全面に第2絶縁膜を堆積して前記第1絶縁膜の前記複数の開口部を閉塞する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板がシリコン基板からなり、前記第1絶縁膜または前記第2絶縁膜は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物の何れかもしくはこれらを組み合わせた材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溝の間に存在する半導体部分を除去する工程は、ウェットエッチングによりおこなうことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007273794A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2011012036A1 (zh) * | 2009-07-29 | 2011-02-03 | 中国科学院微电子研究所 | 由单晶硅材料构成的微米尺度网格结构及其制作方法 |
JP2014533000A (ja) * | 2011-11-09 | 2014-12-08 | クアルコム,インコーポレイテッド | 低誘電率配線層に基板貫通ビアのパターンを形成するための低誘電率誘電体保護スペーサ |
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2004
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