JP2005234338A - 位置測定用ミラー - Google Patents

Abstract

【課題】 熱膨張係数の小さい材料からなり、軽量で高い剛性を有する位置測定用ミラーを提供する。
【解決手段】 位置測定用ミラー１０は、照射光を反射するための表面粗さがＲａで１０ｎｍ以下の反射面を備えた低熱膨張セラミックスからなる板部材１１ａと、板部材１１ａの反射面に形成された反射膜と、低熱膨張セラミックスからなるハニカム構造体１２と、板部材１１ａとハニカム構造体１２とを接合する、板部材１１ａおよびハニカム構造体１２を構成する低熱膨張セラミックスよりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合部１３ａとを有する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、被処理物を保持するステージに装着され、所定の照射光を反射させてこのステージの位置を測定するための反射光を得る位置測定用ミラーに関し、例えば、露光ステージ等の精密位置合わせに用いられる位置測定用ミラーに関する。

半導体デバイスの製造工程で行われている露光処理において、シリコンウエハが保持された露光ステージ等の位置合わせには、この露光ステージに取り付けられた位置測定用ミラーにレーザ光を照射し、その反射光を得ることによって行われている。そのため、その測定精度は位置測定用ミラーの特性に負うところが大きい。このような位置測定用ミラーの材料として、従来から、金属よりも熱膨張係数が小さいアルミナや窒化珪素等が用いられている。

しかし、近年、半導体デバイスの回路構造の精細化、高集積化が飛躍的に進んでいるために、アルミナや窒化珪素では、その熱膨張係数に依存して、所要の測定精度を得ることができなくなってきている。そこで、コーディエライトを主体とする低熱膨張セラミックスを用いた位置測定用ミラーが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような低熱膨張セラミックスでは、ガラスよりも高い剛性を確保しながら、熱膨張係数を安定して１×１０^−６／℃以下とすることができるために、従来よりも優れたミラー特性を得ることができるとされている。

しかしながら、近時、シリコンウエハやマスクの大型化が進み、これに伴って露光ステージや位置測定用ミラーを大型化する必要があるために、露光装置の構成上、その重量増加が新たな問題となってきている。例えば、位置測定用ミラーは長尺状であってその長さが５００〜１２００ｍｍあるために、移動している露光ステージを停止させたときに、この位置測定用ミラーの重量に起因する慣性力によって、位置決め精度が低下する問題がある。
特開平１１−２０９１７１号公報

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、熱膨張係数の小さい材料からなり、軽量で高い剛性を有する位置測定用ミラーを提供することを目的とする。

本発明者らは、位置測定用ミラーの軽量化について鋭意検討を行った。位置測定用ミラーの軽量化の方法としては、反射面を備えた板部材をその裏側からリブと厚みの薄い外周壁とにより支えたリブ構造とする方法が考えられる。しかし、このようなリブ構造の場合、リブ間隔が大きく、反射面を備えた板部材の厚みが薄いと、反射面の平面度の経時変化が大きくなる問題がある。このため、リブ間隔が大きい場合には板部材の厚みを厚くすることが必要となり、結果的に軽量化の効果をほとんど得ることができない。これに対して、板部材の厚みを薄くするためには、リブ間隔およびリブ幅を小さくする必要があるが、従来の機械加工によるリブ形成方法では、軽量化に限界がある。

そこで本発明者らは、鋭意研究を進めた結果、低熱膨張セラミックスからなるハニカム構造体と反射面を備えた低熱膨張セラミックスからなる板部材とを、この低熱膨張セラミックスよりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスで接合することにより、軽量で剛性の高い位置測定用ミラーを生産性よく製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明によれば、被処理物を保持するステージに装着され、所定の照射光を反射させて前記ステージの位置を測定するための反射光を得る位置測定用ミラーであって、
前記照射光を反射するための表面粗さがＲａで１０ｎｍ以下の反射面を備えた低熱膨張セラミックスからなる板部材と、
前記板部材の反射面に設けられた反射膜と、
低熱膨張セラミックスからなり、その開口面で前記板部材と接合されるハニカム構造体と、
前記板部材と前記ハニカム構造体とを接合する、前記板部材および前記ハニカム構造体を構成する低熱膨張セラミックスよりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合部と、
を有することを特徴とする位置測定用ミラー、が提供される。

この位置測定用ミラーでは、使用環境下における形状精度を維持するために、板部材とハニカム構造体の２０℃〜３０℃における平均の熱膨張係数は、−１×１０^−６〜１×１０^−６／℃の範囲にあることが好ましい。板部材およびハニカム構造体を構成する低熱膨張セラミックスと接合部を形成する低熱膨張セラミックスとしてそれぞれ好適な材料としては、リチウムアルミノシリケート、リン酸ジルコニウムカリウム、コーディエライトから選ばれる１種以上の第１の材料と、炭化珪素、窒化珪素、サイアロン、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ジルコン、窒化アルミニウム、ケイ酸カルシウム、炭化ホウ素から選ばれる１種以上の第２の材料とを複合してなる複合材料が挙げられる。また、位置測定用ミラーにおける熱膨張歪みの発生を抑制するために、板部材およびハニカム構造体の２０℃〜３０℃における平均の熱膨張係数と、接合部の２０℃〜３０℃における平均の熱膨張係数との差は、±０．１×１０^−６／℃の範囲内であることが好ましい。ハニカム構造体としては、四角柱状の空隙部を有するものが好適に用いられる。

本発明によれば、低熱膨張性であり、しかも軽量で剛性の高い位置測定用ミラーを得ることができる。これにより、被処理物の位置決め精度を高めることができ、ひいては被処理物の品質を向上させることができ、また、被処理物を用いた製品の生産歩留を向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図１は本発明に係る位置測定用ミラー１０（以下「ミラー１０」と記す）の概略斜視図である。ミラー１０は、板部材１１ａと、ハニカム構造体１２と、板部材１１ａとハニカム構造体１２とを接合する接合部１３ａと、を有している。

板部材１１ａは低熱膨張セラミックスからなり、その表面（接合部１３ａがある面と反対側の面）は、所定の照射光を反射させる反射面となっている。この反射面の表面粗さは、照射光を高い反射率で反射させるために、Ｒａで１０ｎｍ以下となっている。板部材１１ａの反射面には所定の反射膜（図示せず）、例えば、金属膜と誘電体膜を交互に積層された膜が設けられている。

ハニカム構造体１２にも低熱膨張セラミックスが用いられる。ハニカム構造体１２は、周知の通り、外周壁１９の内側で隔壁１８により仕切られた多数の柱状の空隙部１７を有している。ハニカム構造体１２が板部材１１ａを支持する方向は、空隙部１７の長手方向と一致しており、ハニカム構造体１２の開口面は接合部１３ａを介して板部材１１ａと接合されている。なお、「ハニカム構造体１２の開口面」とは、空隙部１７の長手方向に垂直な面である。

ここで、ミラー１０におけるハニカム構造体１２の配置形態は、ミラー１０の共振周波数に大きな影響を与える。ミラー１０は使用時に高速で移動し、また停止位置の精度が高いことが要求されるために、ミラー１０の共振周波数は高いことが好ましい。そこで、空隙部１７の形状としては、六角柱、四角柱、三角柱等があるが、ミラー１０の共振周波数を高める観点から、空隙部１７を四角柱状とし、かつ、空隙部１７の長手方向に直交する一辺を板部材１１ａの長さ方向と一致させることが好ましい（図１参照）。

前述したように、位置測定用ミラーは、例えば５００ｍｍ〜１２００ｍｍの長尺状であり、また後述するように、ハニカム構造体１２は好ましくは押出成形法により製造され、押出成形時の押出方向はハニカム構造体１２の空隙部１７の長手方向と一致する。このため、位置測定用ミラーに用いるハニカム構造体を１個でまかなおうとすると、押出成形に用いる口金が大型化してコストが嵩み、また均一に成形することも技術的に困難となる。そこで、ミラー１０では、複数のハニカム構造体１２を板部材１１ａに取り付けている。

これら複数のハニカム構造体１２は全てが同一の外寸を有する必要はない。ミラー１０では、図１に示すように、一辺の長さが板部材１１ａの幅方向と同じハニカム構造体１２が、板部材１１ａの長手方向に所定の隙間を空けて１列に配置されているが、この場合において、ハニカム構造体１２の板部材１１ａの長手方向に平行な一辺の長さはハニカム構造体１２ごとに異なっていてもよい。但し、複数のハニカム構造体１２において、開口パターン（隔壁１８の厚さと空隙部１７の形状および大きさ）は、同であることが好ましい。なお、板部材１１ａの長手方向に複数のハニカム構造体１２を並べたように、板部材１１ａの幅方向に複数のハニカム構造体を配置してもよく、この場合におけるハニカム構造体の板部材１１ａの幅方向に平行な辺の長さは、ハニカム構造体ごとに異なっていてもよい。

板部材１１ａに複数のハニカム構造体１２を配置する場合には、隣接するハニカム構造体１２どうしは、接合部１３ａと同じ材料によって接合されていてもよいし、１０ｍｍ以下の間隔で離間されていても構わない。ハニカム構造体１２どうしの間隔が１０ｍｍ以下であれば、複数のハニカム構造体１２の接合体の共振周波数は低下しないので、このような接合体を位置測定用ミラーに用いても問題はない。

図１のミラー１０では、ハニカム構造体１２として、外周壁１９が平坦な構造のものを示したが、これに限らず、例えば、ハニカム構造体の大きさを調整するために切断等の加工を施すことにより、隔壁１８が周囲に突出したハニカム構造体であってもよい。

接合部１３ａは、後述するミラー１０の製造プロセスを容易とし、またミラー１０の熱膨張破壊を防止する等の観点から、板部材１１ａおよびハニカム構造体１２を構成する低熱膨張セラミックスよりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスで構成される。なお、図１では説明のために接合部１３ａを明確に示しているが、実際のミラー１０における接合部１３ａの厚みは数μｍ〜数十μｍ程度である。

ところで、板部材１１ａとハニカム構造体１２の接合には、ガラスを用いることも考えられる。しかし、ガラスは一般的に板部材１１ａやハニカム構造体１２に適する低熱膨張セラミックスよりも熱膨張係数が大きいために、位置測定用ミラーのように長尺形状を有する場合には、板部材１１ａおよびハニカム構造体１２と接合部１３ａとの間の熱膨張差による残留応力により、反射面の平面度の経時変化が大きくなってしまう問題がある。また、ガラスは剛性が低いために、位置測定用ミラー全体の剛性が低下し、これによって位置測定用ミラーの実使用時の高速移動によって位置測定用ミラー全体が歪むおそれがある。このため、本発明の位置測定用ミラーでは、接合部１３ａにガラスを用いないことが好ましい。

ミラー１０では、板部材１１ａとハニカム構造体１２の２０℃〜３０℃における平均の熱膨張係数は、−１×１０^−６〜１×１０^−６／℃の範囲にあることが好ましい。これにより、ミラー１０の使用環境下における形状精度を維持することができる。また、板部材１１ａおよびハニカム構造体１２の２０℃〜３０℃における平均の熱膨張係数と、接合部１３ａの２０℃〜３０℃における平均の熱膨張係数との差は、±０．１×１０^−６／℃の範囲内であることが好ましい。これにより、ミラー１０における熱膨張歪みの発生を抑制することができる。

板部材１１ａおよびハニカム構造体１２を構成する低熱膨張セラミックスと接合部１３ａを形成する低熱膨張セラミックスとしてそれぞれ好適な材料としては、リチウムアルミノシリケート、リン酸ジルコニウムカリウム、コーディエライトから選ばれる１種以上の第１の材料と、炭化珪素、窒化珪素、サイアロン、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ジルコン、窒化アルミニウム、ケイ酸カルシウム、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）から選ばれる１種以上の第２の材料とを複合してなる複合材料が挙げられる。板部材１１ａとハニカム構造体１２には同じ材料を用いることが好ましいが、熱膨張係数が前記範囲にあれば、異なる材料を用いることもできる。

このような構造を有するミラー１０は、全体が低熱膨張セラミックスから構成されているために熱膨張歪みが小さく、これにより反射面の平面度の経時変化が抑制される。また、ハニカム構造体１２を用いているために、ミラー１０全体が軽量であり、高い剛性を有する。さらに、ミラー１０は共振周波数が高く、制振性に優れるという特徴を備えている。

ミラー１０の製造方法としては、板部材１１ａとハニカム構造体１２をそれぞれ別に製造し、これらをセラミックスペーストを用いて接合する方法が好適に用いられる。例えば、板部材１１ａは、一般的なセラミックス焼結体の製造方法、例えば、粉末調製、プレス成形、焼成、切削・研削加工という工程を経ることによって得ることができる。また、ハニカム構造体１２は、粉体混練、押出成形、焼成、切削加工という工程を経ることによって得ることができる。なお、成形体を加工し、または成形体を仮焼して加工することにより、最終加工の負担を軽減することができる。板部材１１ａとハニカム構造体１２の接合は、板部材１１ａの裏面とハニカム構造体１２の開口面にそれぞれ接合材たるセラミックスペーストを塗布し、これらの塗布面を合わせて荷重を掛けた状態で昇温し、セラミックスペーストを溶融させることによって行うことができる。ハニカム構造体１２と板部材１１ａとを接合した後に、板部材１１ａの表面の鏡面研磨および反射膜形成を行う。

次に本発明の位置測定用ミラーの別の実施形態について説明する。図２はミラー２０の概略斜視図である。このミラー２０は、先に説明したミラー１０におけるハニカム構造体１２の露出開口面に接合部１３ｂを介して板部材１１ｂを取り付けた構造、つまり、ハニカム構造体１２を板部材１１ａ・１１ｂで挟んだ構造を有している。照射光を反射する反射面は、板部材１１ａ・１１ｂのいずれに設けてもよい。

ミラー２０のように、ハニカム構造体１２の両開口面に板部材１１ａ・１１ｂが取り付けられている構造の場合には、ハニカム構造体１２の空隙部１７が封止（密閉）されるため、このミラー２０を真空中で使用すると、ハニカム構造体１２の内部と使用環境との間で圧力差が発生する。これを解消する方法としては、ハニカム構造体１２の隔壁１８に孔を形成する方法や、ハニカム構造体１２の少なくとも一方の開口面の近傍において、隔壁１８に、空隙部１７と連通し、ハニカム構造体１２と板部材１１ａ・１１ｂとの接合処理時に接合部１３ａ・１３ｂによって閉塞されることのないスリットを形成する方法が挙げられる。一方、このような孔やスリットを形成しない場合には、ハニカム構造体１２の外周壁の厚さを、圧力差に十分に耐え得るように設定すればよい。この場合において、ハニカム構造体１２の外周壁を厚くせずに、ミラー２０全体を囲う様に、別途、側壁を形成してもよい。

図３（ａ）はミラー３０の概略斜視図、図３（ｂ）はミラー３０の概略断面図（図３（ａ）に示す矢視ＡＡ断面）である。ミラー３０は、ハニカム構造体１２の側面が側壁部材１５ａ・１５ｂで覆われ、ハニカム構造体１２と側壁部材１５ａ・１５ｂとが、板部材１１ａ・１１ｂに挟まれた構造を有している。なお、図３（ａ）では接合部１３ａ・１３ｂの図示を省略している。

側壁部材１５ａ・１５ｂには、ハニカム構造体１２と同じ材料が好適に用いられる。このような側壁部材１５ａ・１５ｂを配設することは、ミラー３０の外壁面積を極力小さくすることができるために、ミラー３０を真空中で使用する場合に特に有効であり、この場合には、側壁部材１５ａ・１５ｂに使用環境とミラー３０において板部材１１ａ・１１ｂおよび側壁部材１５ａ・１５ｂによって囲まれた空間との間に発生する圧力差に十分に耐えうる強度を持たせる。また、側壁部材１５ａ・１５ｂの配設により、ミラー３０を露光ステージへ取り付ける際の位置決めが容易となる。

側壁部材１５ａ・１５ｂは枠状の一体構造であってもよい。また、側壁部材１５ａ・１５ｂは、板部材１１ａ・１１ｂのいずれか一方と一体である器状であってもよい。つまり、底壁と側壁を有する器部材にハニカム構造体を収容し、この器部材の開口面に板部材を取り付けて、底壁または板部材のいずれか一方を反射面としてもよい。

実施例および比較例について説明する。
（実施例１）
β−ユークリプタイト粉末と炭化珪素粉末とを表１のＮｏ．１〜３に示す割合でポットミル混合した後に乾燥させて、原料粉末を作製した。なお、表１においては、β−ユークリプタイトを‘Ｅｕ’で示している。この原料粉末を１２０ＭＰａの圧力で冷間静水圧成形（ＣＩＰ）して、４０ｍｍ×７ｍｍ×６２０ｍｍの成形体を作製し、この成形体を５００℃で脱脂した後、窒素雰囲気において１３７０℃で焼成し、β−ユークリプタイトと炭化珪素とが複合されたセラミックス焼結体を得た。得られた焼結体に機械仕上げ加工を施して、外形状が３２ｍｍ×５ｍｍ×５００ｍｍの板部材を得た。

また、上記原料粉末にメチルセルロース系バインダを１０重量部混合し、ニーダによって混練した後、押出成形機を用いて、隔壁厚が２ｍｍ、空隙部の開口径が１０ｍｍ（空隙部の開口断面の形状が正方形で、この正方形の一辺の長さが１０ｍｍ）、外寸が１１０ｍｍ×１１０ｍｍ、厚み（押出方向の長さ）が４７ｍｍのハニカム構造の押出成形体を得た。この成形体を５００℃で脱脂した後、窒素雰囲気下、１３７０℃で焼成し、β−ユークリプタイトと炭化珪素とが複合されたセラミックスハニカム焼結体を得た。得られたハニカム焼結体を、その厚みが３５ｍｍとなるように研削加工し、さらに外寸の一辺が３２ｍｍとなるように切断して、１個のセラミックスハニカム焼結体から複数のハニカム構造体を得た。

さらに、β−ユークリプタイトと窒化珪素を表１に示す割合でポットミル混合した後に乾燥させて、接合材用の混合粉末を作製した。この混合粉末を無機分が３０ｖｏｌ％となるようにエチルセルロース含有量が１５％のα−テルピネオール溶液と混合し、三本ロールを用いてペースト状にし、セラミックスペーストを作製した。

こうして作製した板部材の片面とハニカム構造体の一方の開口面の所定位置に、前記セラミックスペーストをスクリーンマスクを用いて厚さ３０μｍで印刷した。次いで、これら板部材とハニカム構造体を５００℃に昇温してこれらに塗布されたセラミックスペーストを脱脂した後、板部材の全面にハニカム構造体が配設されるように、複数のハニカム構造体を板部材の長手方向に複数個並べ、セラミックスペーストの印刷面どうしを接着して１．５ｇ／ｍｍ^２の荷重をかけた。引き続き、この接着体を窒素雰囲気で１３００℃〜１３５０℃の温度で熱処理して、セラミックスペーストを溶融させ、板部材とハニカム構造体との間にセラミックスペーストが溶融して形成された接合部が介在した接合体を得た。次いで、この板部材の一方の主面を鏡面加工して表面粗さＲａを１０ｎｍ以下とし、この鏡面研磨面に反射膜たるＡｌ−ＳｉＯ_２積層膜を蒸着法により形成し、ミラーを得た。

上記ミラー作製とは別に、板部材用の焼結体から４ｍｍ×４ｍｍ×１２ｍｍの試験片を切り出し、レーザ干渉式熱膨張測定装置（アルバック理工社製、ＬＩＸ−１）を用いて２０〜３０℃において試験片の変位量を測定し、熱膨張係数を求めた。また、接合部の熱膨張係数を調べるために、作製したセラミックスペースト用原料粉末を用いて、板部材と同様の焼結体を作製し、同様に熱膨張係数を測定した。

板部材の鏡面研磨面の表面粗さは、触針式表面粗さ測定機ＴＡＬＹＳＵＲＦ（Ｔａｙｌｏｒ−Ｈｏｂｓｏｎ社製）により測定した。また、反射膜形成後のミラー面に対して垂直に波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ光を照射し、反射光強度を測定して入射高強度と反射光強度から反射率を求めるとともに、面精度を測定して面精度の経時変化を調べた。さらに、ミラーの重さを計測した。

（実施例２・３）
表１に示す材料を用いて、上記実施例１と同様の方法により、ミラーを作製し、さらに特性評価を行った。

（比較例１〜３）
表１に示すように、実施例１の板部材と同じ組成および作製条件により作製した中実の複合材料（比較例１）、実施例１の板部材およびハニカム構造体をガラスを用いて接合したもの（比較例２）、実施例１と同様の接合体ではあるが、反射面の表面粗さが大きいもの（比較例３）のミラーをそれぞれ製造し、その特性を評価した。

（実施例１〜３および比較例１〜３の試験結果）
実施例および比較例の熱膨張係数の測定結果を表１に、反射面表面粗さ、反射率、平面度、重さを表２に示す。これらの結果から、実施例では、同じ材料の中実材である比較例１よりも約６０％軽量化することができ、また、いずれも熱膨張係数が１×１０^−６／℃以下と小さく、反射膜の反射率が８０％以上という十分な値を示し、λ／２０という面精度が実現された。また、面精度の経時変化も実質的に生じなかった。これに対して、比較例１は中実であるために重く、ガラスを用いて板部材とハニカム構造体とを接合した比較例２は面精度が悪く、しかも面精度の経時変化が生じた。また、反射面の表面粗さが大きい比較例３では反射率が７０％と低い結果を示した。

（実施例４および比較例４〜６の試料作製）
表１に示す実施例１の組成で、隔壁厚が２．２５ｍｍ、体積割合が３３％、厚さが３０ｍｍで、空隙部の開口断面の形状が四角形（正方形（実施例４））、六角形（比較例４）、三角形（比較例５）のハニカム構造体をそれぞれ作製し、ハニカム構造体ごとに、ハニカム構造体と１００ｍｍ×１００ｍｍ×５ｍｍの板部材とをセラミックスペーストを用いて接合し、接合体を得た。また、この接合体と同形状の中実のセラミックス焼結体（比較例６）を作製した。

（実施例４および比較例４〜６の共振周波数の測定）
実施例４および比較例４〜６の共振周波数を、衝撃振動試験により測定した。この測定結果を表３に示す。ハニカム構造体の空隙部の開口形状を四角形とすることで、中実構造と同程度以上の共振周波数が得られることが確認された。

本発明の位置測定用ミラーは、例えば、露光装置における露光ステージの位置決めに好適である。

本発明に係る位置測定用ミラーの第１の実施形態を示す概略斜視図。 本発明に係る位置測定用ミラーの第２の実施形態を示す概略斜視図。 本発明に係る位置測定用ミラーの第３の実施形態を示す概略斜視図および概略断面図。

符号の説明

１０，２０，３０；位置測定用ミラー
１１ａ・１１ｂ；板部材
１２；ハニカム構造体
１３ａ，１３ｂ；接合部
１５ａ・１５ｂ；側壁部材
１７；空隙部
１８；隔壁
１９；外周壁

Claims (5)

1. 被処理物を保持するステージに装着され、所定の照射光を反射させて前記ステージの位置を測定するための反射光を得る位置測定用ミラーであって、
   前記照射光を反射するための表面粗さがＲａで１０ｎｍ以下の反射面を備えた低熱膨張セラミックスからなる板部材と、
   前記板部材の反射面に設けられた反射膜と、
   低熱膨張セラミックスからなり、その開口面で前記板部材と接合されるハニカム構造体と、
   前記板部材と前記ハニカム構造体とを接合する、前記板部材および前記ハニカム構造体を構成する低熱膨張セラミックスよりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックスからなる接合部と、
   を有することを特徴とする位置測定用ミラー。
2. 前記板部材と前記ハニカム構造体の２０℃〜３０℃における平均の熱膨張係数が、−１×１０^−６〜１×１０^−６／℃の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の位置測定用ミラー。
3. 前記板部材および前記ハニカム構造体を構成する低熱膨張セラミックスと前記接合部を形成する低熱膨張セラミックスはそれぞれ、リチウムアルミノシリケート、リン酸ジルコニウムカリウム、コーディエライトから選ばれる１種以上の第１の材料と、炭化珪素、窒化珪素、サイアロン、アルミナ、ジルコニア、ムライト、ジルコン、窒化アルミニウム、ケイ酸カルシウム、炭化ホウ素から選ばれる１種以上の第２の材料とを複合してなる複合材料であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の位置測定用ミラー。
4. 前記板部材および前記ハニカム構造体の２０℃〜３０℃における平均の熱膨張係数と、前記接合部の２０℃〜３０℃における平均の熱膨張係数との差は±０．１×１０^−６／℃の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の位置測定用ミラー。
5. 前記ハニカム構造体は四角柱状の空隙部を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の位置測定用ミラー。

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