TWI685389B - 製造ｅｕｖ模組的方法、ｅｕｖ模組以及ｅｕｖ微影系統 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種於EUV子模組(120、130)中塗佈陶瓷基板(100)之表面(101)的方法，該陶瓷基板(100)適用於EUV微影系統(500)。首先，金屬焊料(114)塗佈於陶瓷基板(100)之表面(101)整個表面區域上方。然後，進行熱處理以在陶瓷基板(100)與金屬焊料(114)之間製造材料鍵結(116)。此外，本發明亦關於一種製造EUV模組(200)的方法。為此目的，藉由上述方法分別塗佈其整個表面區域上方的至少兩個EUV子模組(120、130)藉由焊接或黏劑鍵結而接合。再者，本發明係關於一種EUV子模組(120、130)、一種EUV模組(200)以及一種EUV微影系統。

Description

製造EUV模組的方法、EUV模組以及EUV微影系統
本發明係關於一種製造用於EUV微影系統之EUV模組的方法、一種EUV模組以及一種EUV微影系統。
在該等方法之中，用於製造半導體元件的是光微影成像(photolithographic)法，其中待生成的結構圖案借助於圖罩(倍縮光罩)以縮小比例投影到塗佈有光敏層的功能層上，然後在顯影該感光層後，藉助蝕刻製程轉移到該功能層中。製造日益精細結構使得微影製程有必要使用波長越來越短的光線。因此，現有的微影方法與電磁輻射共同作用進入極紫外光(Extremely ultraviolet light，EUV)範圍內。該用語EUV輻射用於指稱波長介於30nm(奈米)與5nm之間、特別是13.5nm的電磁輻射。EUV輻射通常是由電漿源所產生或作為同步加速器輻射。由於EUV輻射可被大多數已知材料高度吸收，因此EUV微影中的投影曝光系統一般使用反射性組件。為此目的使用專門設計的反射鏡系統，其以合適方式將輻射引導到該倍縮光罩上，隨後投影到該半導體晶圓所需區域上。該已知EUV微影系統同時與擇一具有結構化吸收層設置於其上的反射性載體層形式或具有結構化反射層設置於其上的吸收性載體層形式的反射性倍縮光罩一起操作。
將該微影微米或奈米結構成像到該晶圓表面上時，通常不是所曝光的整個晶圓，而是只有狹窄區域。一般來說，該等晶圓表面是一塊一塊或透過狹縫曝光。這涉及該晶圓和該倍縮光罩兩者按步驟進行掃描及相對於彼此平行或反向平行移動。
用於EUV微影系統之投影光學單元的組件是由現代技術陶瓷所製成，例如碳化矽(Silicon carbide，SiC)或矽滲透碳化矽(Silicon-infiltrated silicon carbide，Si：SiC)，且特別是適用於接收感應器。這些材料結合許多正面技術特性：勁度佳(提供具優勢振動特性)、導熱性很好、熱膨脹性低(在負載下產生極佳幾何穩定性)、及重量輕。該等結構元件是從燒結坯體所製造，藉由後續在1600℃範圍內的高溫下鍛燒而加固。由此所產生的該等陶瓷基板相對較閉孔且具有高密度。儘管如此，這些陶瓷基板在EUV系統中不能在該未經處理狀態下使用。其中一個原因在於，即使後續經研磨或噴砂的表面有時仍只有低強度，並可能在該EUV微影系統中導致微粒污染之情況。而且，在大型陶瓷基板上經常有淺層細孔和裂縫。再者，在該等陶瓷基板之該等表面上的游離、未完全反應的矽污染物，可能被存在於該EUV微影系統中的該等氫自由基(由藉由該EUV輻射而分裂的H2分子所生成)分解，並沉積在該EUV微影系統中該等光學元件之該等表面上；如此會導致非所要之傳輸損耗。而且，該等未經處理陶瓷基板之 該等表面一般來說都非常粗糙，這使其明顯更難以真空相容方式進行清潔。關於以上所提及未經處理陶瓷基板之該等問題特性，也請參見圖1。圖1顯示在陶瓷基板100之體積中具有非關鍵細孔102且在陶瓷基板表面101上具有關鍵部分磨掉細孔104的陶瓷基板100。而且，在陶瓷基板表面101上可看到淺層裂縫106和游離矽108。特別關鍵的是在陶瓷基板表面101附近的弱鍵結區110，因為其可能變得分離且如同游離移動微粒可能妨害該EUV微影系統之功能。該等前述未經處理陶瓷基板之問題特性是由該製程所造成且不可避免。如此需要該等陶瓷基板之表面塗層，其鍵結鬆散微粒、保護從該等氫自由基出現的矽元素、封閉裂縫和細孔，並將該表面粗糙度降低至可能進行清潔程序而無任何問題的程度。如從先前技術已習知，在圖2中所顯示，為此對磨光陶瓷基板100之表面101塗佈鎳磷合金(Nickel-phosphorus alloys，NiP)之金屬塗層112。該塗佈舉例來說藉由電鍍沉積或化學處理(化學鎳)而進行。NiP層112之錨定純機械性發生，其中互鎖銜接藉由該等表面粗糙度而形成。互鎖連接藉助彼此銜接的至少兩個連接夥伴生成。因此，該等連接夥伴即使在無力傳遞或該力傳遞中斷時也不能散開。
不過，藉由互鎖銜接而提供的低層鍵結和該陶瓷基板之不完善周圍區域，限制可經由NiP層112傳遞到陶瓷基板100中的該等力，以及例如可能隨著黏劑鍵結或隨著焊接或銅焊而發生的該等可容許溫度梯度。因此，NiP之膨脹係數與Si：SiC相當不同。如此結果為電鍍或化學所塗佈之陶瓷基板不能藉助黏劑鍵結或焊接接合以形成用於夾持感應器的較大型次組合件和附件(也習知為夾持組件)，僅能不夠牢固地附接到塗佈有 NiP的陶瓷基板。為從陶瓷基板形成較大型次組合件，藉由黏劑鍵結或焊接而接合之許多組件因此必須在該未經塗佈狀態下進行，亦即無該NiP層。只有在接合後該等完全接合式陶瓷次組合件整體才塗佈有該NiP合金。不過，這引起由於該接合結果而由非均質材料組成的陶瓷次組合件不能再採用具有足夠品質之NiP合金進行塗佈的問題。舉例來說，電鍍沉積在黏劑鍵結上的NiP層不能充分附著，且該等黏劑被該塗佈損傷。
用於將陶瓷部件彼此連接的金屬焊料之前已說明許多次。針對藉由焊接個別零件而製造複雜陶瓷部件的一系列提議已變得習知。舉例來說，依據DE 19734211 A1，待連接的該等陶瓷部件首先進行金屬化，然後焊接。該用語金屬化係用於熱處理，以及從而固化、金屬焊料在該等陶瓷部件之該等表面上。不過，該金屬化在這種情況下只會在待彼此焊接的該等陶瓷部件上的該等位置處發生。不會發生藉由該金屬焊料而封閉該等陶瓷部件之該等整個表面。
在本申請案中，該用語「EUV子模組」係與該陶瓷基板同義使用，EUV模組係與包含多個陶瓷基板或多個接合式EUV子模組的次組合件同義使用。
鑑於上述該等缺點，接合陶瓷基板以在該絕對必要塗佈前形成次組合件時，該目的為提供使該等陶瓷基板之間可能足夠穩定連接的方法，同時封閉該等接合式陶瓷基板之表面。又一目的為提供具有該等前述正面特性的次組合件。
此目的藉由塗佈適用於EUV微影系統之EUV模組的陶瓷材料之EUV子模組之表面的方法而依據本發明達成。依據本發明的方法具 有至少下列步驟：首先，金屬焊料塗佈於該EUV子模組之表面整個表面區域上方。接著，進行熱處理以在該陶瓷材料與該金屬焊料之間產生材料鍵結。於其中該等連接夥伴藉由原子或分子力而保持在一起的所有連接已習知為材料鍵結連接。它們同時為不可拆解的連接，只能藉由破壞連接之該等手段而隔開。該上述方法具有許多優勢。一方面，該陶瓷EUV子模組之該等鬆散微粒鍵結，且在該陶瓷材料中的裂縫和細孔封閉。再者，該封閉保護游離矽元素避免氫自由基之作用。為確保這種保護，該金屬焊料必須塗佈於該表面整個表面區域上方。依據本發明的方法之主要優勢在於該材料鍵結。只有這種材料鍵結藉由黏劑鍵結或焊接以形成EUV模組而能使EUV子模組穩定接合到EUV子模組。再者，該封閉使該EUV子模組之表面平滑；這使其更容易清潔。
在一個具體實施例中，該金屬焊料藉由網版印刷、噴塗、浸漬、或延展而塗佈。
在一個具體實施例中，該熱處理在700℃至1500℃下在真空中進行5分鐘至60分鐘。此溫度範圍和暴露於該熱能之時間特別具優勢，因為由此在該金屬焊料層與該陶瓷基板之間產生特別穩定的材料鍵結連接。
在一個具體實施例中，反應性金屬焊料塗佈作為該金屬焊料，特別是具有鈦(Ti)、錳(Mn)、鋯(Zr)、及/或鉿(Hf)之添加物的銀銅共熔物。該熱處理在這種情況下在700℃至900℃下進行較佳為5分鐘至10分鐘。該熱處理前可能先在100℃至120℃下進行乾燥階段5分鐘至10分鐘。依該金屬化寬度而定，這種材料鍵結連接之強度最大可達50MPa(兆帕)。
在替代性具體實施例中，非反應性金屬焊料、特別是鎢焊膏塗佈作為該金屬焊料。該熱處理在1000℃至1500℃下進行較佳為30分鐘至60分鐘。該高溫為必要，因為無化學反應發生，而是該等鎢原子必須擴散進入該陶瓷基板，且該陶瓷基板之該等原子必須擴散進入該鎢焊料之微結構。該熱處理前可能先在100℃下進行乾燥階段10分鐘至15分鐘。
在一個具體實施例中，EUV子模組整個表面區域上方塗佈有該金屬焊料之表面後續至少在某些區域中採用鎳(Ni)塗佈。在該鎳與該金屬化表面之間產生穩定的金屬鍵結。這一方面也提高該表面對氫和氫自由基之抵抗。另一方面，該鎳層改善具有該焊料的該金屬化表面之潤濕性。該等鎳所塗佈之區域也允許藉助黏劑鍵結及焊接穩定的接合。
在一個具體實施例中，該後續採用鎳的塗佈藉由物理氣相沉積(physical vapour deposition，PVD)或藉由化學氣相沉積(chemical vapour deposition，CVD)以電鍍製程進行。此外，鎳也特別適合後續塗佈，因為可非常良好地以恆定層厚度塗佈。或者或此外，該EUV子模組之完全金屬化表面後續也可以銅或金塗佈在某些區域。
開頭所提及之目的也藉由從EUV子模組產生EUV模組的方法而依據本發明達成。首先，提供依據本發明所塗佈之至少兩個EUV子模組。接著，所提供的該等EUV子模組接合。將相對較小且輕量的EUV子模組接合以形成相對較大且重的EUV模組基於幾個原因具優勢。在用於該等EUV子模組的該等陶瓷基板之製造中，一定數量之不良品不可避免。若EUV模組直接製造為單塊組件，則可能省略EUV子模組之間的接合製程。不過，若該大型單塊EUV模組由於製造缺陷而必須廢棄，則成本會比 若必須丟棄只有小型缺陷的EUV子模組更高許多。
在一個具體實施例中，所提供的該等EUV子模組藉由焊接而接合，特別是採用硬焊料。硬焊料指稱基於鎳銀或銅的高銀含量之合金，其通常可以條狀、桿狀、線狀、薄膜、及有時膏狀之形式供應。硬焊料膏已含有助焊劑，因此如在其他焊料形式之情況下，與焊膏同樣無需再另外添加。與軟焊料(基於錫/鉛)對比，硬焊料特別適合承受高機械和熱負載的金屬連接。或者或此外，所提供的該等EUV子模組藉由黏劑鍵結而接合，特別是採用陶瓷黏劑。陶瓷黏劑特別具優勢，因為它們在真空中幾乎不會逸出氣體。在陶瓷黏劑(也指稱為陶瓷膠結劑)之情況下，原則上陶瓷粉末是與無機黏合劑體系(例如水玻璃或磷酸鹽化合物)混合。有些黏劑提供為膏狀，其他則在使用前從該粉末和液體成分稍微混合。陶瓷黏劑有兩種群組。第一種，藉由一般為水的溶劑之揮發而物理性鍵結者。這些黏劑具有礦質填料，例如氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、及氧化鎂(MgO)。第二種，藉由濃縮反應而精確的化學性固化者。
或者，關於該接合可使用有機黏劑，舉例來說採用甲基丙烯酸甲酯(methyl methacrylate，MMA)黏劑或環氧樹脂(epoxy resin)黏劑。
開頭所提及之目的也藉由在EUV微影系統中所提供的所塗佈之EUV子模組而依據本發明達成。該EUV子模組具有陶瓷基板，其整個表面區域上方覆蓋有金屬焊料。在該陶瓷基板與該金屬焊料之間有材料鍵結。該材料鍵結為絕對必要，以使EUV子模組稍後可能藉助黏劑鍵結或焊接而彼此穩定接合。
在一個具體實施例中，該EUV子模組具有該金屬化、亦即 在該固化狀態下之金屬焊料、介於5μm(微米)至300μm之間、較佳為介於10μm至200μm之間之厚度。此厚度足以用於藉助黏劑鍵結或焊接的接合；其不得低於5μm之下限，否則在該金屬化中有孔洞之風險。避免這些孔洞至關重要，以確保該EUV子模組之完全封閉。該金屬化所必要最小值之厚度，在此依該陶瓷基板之基本粗糙度而定。該基本粗糙度越低，則該金屬化可選擇越薄。該金屬化之顯著厚度關於該封閉之品質通常應視為正面。不過，300μm(含)以上之厚度有在該調護、亦即該熱處理過程中，使該鎢焊膏可延展的鎢焊膏之該等有機成分無法再完全燒盡的風險。如此會降低該陶瓷基板與該金屬化之間該材料鍵結之品質，並對該EUV微影系統引起污染之風險。
在一個具體實施例中，該陶瓷基板包含氧化鋁(Al2O3)、碳化矽(SiC)、及/或矽滲透碳化矽(Si：SiC)。Si：SiC由於具有具優勢的振動特性、非常良好的導熱性、低熱膨脹、及在負載下極佳的幾何穩定性，因此在微影系統中的EUV子模組中使用特別具優勢。又一優勢在於相較於金屬材料的輕量。
在一個具體實施例中，反應性金屬焊料塗佈於該EUV子模組作為金屬焊料，特別是具有選自包含鈦(Ti)、錳(Mn)、鋯(Zr)、及鉿(Hf)的群組之添加物的銀銅共熔物。
在替代性具體實施例中，塗佈非反應性金屬焊料、特別是鎢焊膏於該EUV子模組作為該金屬焊料。
在一個具體實施例中，該EUV子模組至少在某些區域中具有覆蓋該金屬化(亦即在該固化狀態下之金屬焊料)的至少一層特別是鎳、鎳 磷合金、銅、或金之又一金屬層。後續採用鎳塗佈之該等優勢如以上所提及。
開頭所陳述之目的也藉由具有如上述彼此接合之至少兩個EUV子模組的EUV模組而依據本發明達成。該等EUV子模組以介於5MPa至50MPa之間之拉伸強度彼此接合。各程度拉伸強度所取決於的因素在於接合手段之種類。這種強力鍵結是穩定EUV模組的基本先決條件。
在一個具體實施例中，至少一個夾持組件與該EUV子模組或與該EUV模組接合。該夾持組件可為感應器安裝架。
在一個具體實施例中，該夾持組件藉由焊接而接合，特別是採用硬焊料。或者或此外，該夾持組件可能藉由黏劑鍵結而接合，特別是採用陶瓷黏劑及/或有機黏劑。
而且，EUV微影系統依據本發明主張。這具有設計用於承載至少一個感應器，用作測量架構或作為測量標準的至少一個EUV模組。而且，該EUV微影系統具有用於承載至少一個光學組件、特別是反射鏡的至少一個力框架。該光學組件之確切位置可藉助該感應器判定。該力框架通常由鋼構成。除了力框架用語以外，也使用承載框架用語。該等多個EUV模組彼此隔開及解耦。該等EUV模組也從該力框架隔開及解耦。
100‧‧‧陶瓷基板
101‧‧‧陶瓷基板表面
102‧‧‧在該陶瓷基板之體積中的細孔
104‧‧‧在陶瓷基板表面上部分磨掉的細孔
106‧‧‧淺層裂縫
108‧‧‧游離矽
110‧‧‧在陶瓷基板表面上的弱鍵結區
112‧‧‧鎳磷合金
114‧‧‧金屬焊料
115‧‧‧另一金屬層
116‧‧‧在該過渡帶之區域中的材料鍵結
120‧‧‧第一EUV子模組
130‧‧‧第二EUV子模組
140‧‧‧在第一與第二EUV子模組之間的接合區
150‧‧‧在EUV模組與夾持組件之間的接合區
160‧‧‧夾持組件
170‧‧‧感應器
200‧‧‧EUV模組
204‧‧‧EUV模組和力框架之機械性解耦
300‧‧‧力框架
302‧‧‧光學組件
304‧‧‧力框架和固定周圍環境之機械性解耦
400‧‧‧固定周圍環境
500‧‧‧EUV微影系統
502‧‧‧EUV光源
504‧‧‧光束塑形與照明系統
506‧‧‧投影系統
510‧‧‧光罩
514‧‧‧晶圓
516‧‧‧EUV輻射
520‧‧‧真空殼體
610、612、614、616、618‧‧‧在光束塑形與照明系統中的反射鏡
624‧‧‧投影系統之光軸
636‧‧‧反射鏡
M1、M2、M3、M4、M5‧‧‧在投影系統中的反射鏡
各種示例性具體實施例以下基於該等圖示更詳細加以解說。相同、同一類型或以同樣方式作用的元件在該等圖示中具備相同參考標記。相對於彼此在該等圖示中所表示該等元件之該等圖示和該等相對大 小，不應視為真實比例。而是，個別元件可能為了更好的表示及為了更好的理解而放大尺寸或縮小尺寸顯示。
圖1 顯示在該塗佈前的研磨陶瓷基板。
圖2 顯示依據先前技術具有塗層的研磨陶瓷基板。
圖3 顯示來自依據本發明所塗佈之EUV子模組的切圖。
圖4 顯示來自依據本發明所塗佈之替代性EUV子模組的切圖。
圖5 以示意形式顯示從依據本發明所塗佈之兩個EUV子模組接合的依據本發明之EUV模組。
圖6 以示意形式顯示具有接合式夾持組件和感應器之依據本發明的EUV模組。
圖7 以示意形式顯示來自EUV微影系統之對本發明而言至關重要的切圖。
圖8 以示意形式顯示該EUV微影系統整體。
圖1顯示在陶瓷基板100中具有非關鍵細孔102且在陶瓷基板表面101上具有關鍵部分磨掉細孔104的已習知陶瓷基板100。而且，在陶瓷基板表面101上可看到淺層裂縫106和游離矽108。顯而易見特別關鍵的是在陶瓷基板表面101附近的弱鍵結區110，因為其可能變得分離且如同游離移動微粒可能妨害該EUV微影系統之功能。陶瓷基板100之材料是矽滲透碳化矽(Si：SiC)。圖1所示陶瓷基板100同時是依據本發明之塗佈法的 起始產物(其結果表示在圖3和圖4中)，以及依據先前技術之塗佈法的起始產物(其結果表示在圖2中)。
圖2顯示來自依據來自先前技術之方法的圖1之陶瓷基板100的塗佈之結果。鎳磷合金(NiP)112之金屬塗層已塗佈於研磨陶瓷基板100之表面101。該塗佈舉例來說藉由電鍍沉積或化學處理(化學鎳)而進行。NiP層112之錨定純機械性發生，其中互鎖銜接藉由該等表面粗糙度而形成。互鎖連接藉助彼此銜接的至少兩個連接夥伴生成。因此，該等連接夥伴即使在無力傳遞或該力傳遞中斷時也不能散開。
不過，藉由互鎖銜接而提供的低層鍵結和該陶瓷基板100之不完善周圍區域，限制可經由NiP層112傳遞到陶瓷基板100中的該等力，以及例如可能隨著黏劑鍵結或隨著焊接或銅焊而發生的該等可容許溫度梯度。因此，NiP之膨脹係數與Si：SiC相當不同。如此結果為電鍍或化學所塗佈之陶瓷基板100不能藉助焊接接合且藉助黏劑鍵結僅到有限範圍以形成用於夾持感應器的較大型次組合件和附件(也習知為夾持組件)，僅能不夠牢固地附接到塗佈有NiP的陶瓷基板100。
圖3顯示來自為了用於EUV微影系統而依據本發明所塗佈之EUV子模組120、130的切圖。首先，金屬焊料114藉由網版印刷、噴塗、浸漬、或延展而塗佈於陶瓷基板表面101整個表面區域上方。接著，進行熱處理以在陶瓷基板100與金屬焊料114之間製造材料鍵結。該材料鍵結存在於在該金屬化(亦即在該固化狀態下之金屬焊料114)與陶瓷基板100之間的過渡帶116中。該熱處理在從700℃至1500℃的溫度範圍內在真空中進行5分鐘至60分鐘。
材料之兩種群組可能依據本發明用作金屬焊料114。一方面，可能使用反應性金屬焊料，特別是具有鈦(Ti)、錳(Mn)、鋯(Zr)、及/或鉿(Hf)之添加物的銀銅共熔物。該熱處理在這種情況下在700℃至900℃下進行5分鐘至10分鐘。另一方面，非反應性金屬焊料、特別是鎢焊膏可能用作金屬焊料114。該熱處理在這種情況下在1000℃至1500℃下進行30分鐘至60分鐘。
在該固化狀態下之金屬焊料114封閉陶瓷基板100之表面101，並由此鍵結尤其陶瓷基板100之游離矽108和弱鍵結區110。在該改善後，EUV子模組120、130適合真空。
該金屬化、亦即在該固化狀態下之金屬焊料114之厚度介於5μm至300μm之間。即使5μm之厚度也足以將金屬之該等特性賦予到該陶瓷EUV子模組之表面上。
圖4顯示來自依據本發明替代性所塗佈之EUV子模組120、130的切圖。塗佈有金屬焊料114的表面101後續至少在某些區域中採用鎳(Ni)塗佈。該後續採用鎳的塗佈藉由物理氣相沉積(PVD)或藉由化學氣相沉積(CVD)以電鍍製程進行。鎳塗層115與在該固化狀態下之金屬焊料114進入穩定連接，並以正好如同在該固化狀態下之金屬焊料114的方式適合後續接合製程。
圖5以示意形式顯示從依據本發明所塗佈之兩個EUV子模組120、130接合的依據本發明之EUV模組200。為了製造EUV模組200，首先提供兩個所塗佈之EUV子模組120、130。接著，這兩個EUV子模組120、130接合。該接合可能藉由焊接而進行，特別是採用硬焊料。或者， 該接合可能藉由黏劑鍵結而進行，特別是採用陶瓷黏劑。在第一EUV子模組120與第二EUV子模組130之間的接合區140，以介於5MPa至50MPa之間之拉伸強度連接兩個EUV子模組120、130。該拉伸強度之各個數值取決於焊料之選擇和黏劑之選擇。所焊接的連接具有最大可達50MPa之拉伸強度。採用特別最適合在高純度真空中操作之陶瓷黏劑的黏劑所鍵結連接，具有介於5MPa至10MPa之間之拉伸強度。
圖6以示意形式顯示具有接合式夾持組件160之依據本發明的EUV模組200。此夾持組件160在本發明示例性具體實施例中設計為感應器安裝架。夾持組件160可能藉由焊接(特別是採用硬焊料)及/或藉由黏劑鍵結(特別是採用陶瓷黏劑)，而接合到EUV模組200之在固化狀態下的金屬焊料114。在EUV模組200與夾持組件160之間生成具有該前述拉伸強度的接合區150。設置在夾持組件160上的是感應器170。在未顯示的示例性具體實施例中，具有複數感應器170的複數夾持組件160附接到EUV模組200。
圖7以示意形式顯示來自EUV微影系統500之對本發明而言至關重要的切圖。EUV模組200由機械性解耦204與力框架300隔開。EUV模組200藉由夾持組件160承載感應器170。力框架300承載光學組件302、特別是反射鏡。而且，用於致動光學組件302的該等致動器(在該圖示中未顯示)拴緊於力框架300。在未顯示的示例性具體實施例中，複數感應器170藉由複數夾持組件160而附著到EUV模組200。因此，EUV模組200也指稱為感應器框架、測量架構或測量標準。力框架300藉由機械性解耦304與堅固周圍環境400隔開。在這種情況下決定性在於EUV模組 與力框架300之隔開。此隔開使得光學組件302之空間位置可能藉由感應器框架200之感應器170而沒有任何問題地感應到。在這種情況下，與此感應器框架200相關的反射鏡之各個位置，可能藉由致動器(在該圖示中未顯示)而藉助位置感應器170進行測量及藉助控制器(在該圖示中未顯示)設定為該所需數值。此詳細資訊在DE 102011077315 A1中揭示。
在未顯示的示例性具體實施例中，EUV微影系統500具有複數EUV模組200。各EUV模組200都可能隨後設計用於感應光學組件302之各種群組之位置。EUV微影系統500之多個EUV模組200彼此完全機械性解耦。
圖8示意性顯示EUV微影系統500整體，其包含一光束塑形與照明系統504以及一投影系統506。在真空殼體中分別提供光束塑形與照明系統504和投影系統506，各真空殼體都借助於未更具體表示的抽真空裝置進行抽真空。該等真空殼體由機械室(未更具體表示)圍繞，其中提供用於機械性移動或調整該等光學元件的該等驅動裝置。在此機械室中也可提供電力控制器及其類似物。
EUV微影系統500具有EUV光源502。發出EUV範圍內之輻射516的電漿源或同步加速器，可提供例如作為EUV光源502。在光束塑形與照明系統504中，EUV輻射516聚焦且該所需操作波長從EUV輻射516濾出。由EUV光源502所產生的EUV輻射516具有相對較低的空氣透射率，因此在光束塑形與照明系統504中和在投影系統506中的該等光束引導空間抽真空。
圖8所表示光束塑形與照明系統504具有五個反射鏡610、 612、614、616、618。在通過光束塑形與照明系統504後，EUV輻射516導向光罩(倍縮光罩)510上。光罩510同樣形成作為反射光學元件，並可設置在系統504、506外面。再者，EUV輻射516可能藉助反射鏡636導向至光罩510上。光罩510具有結構，其縮小影像藉助投影系統506在晶圓514或其類似物上描繪出。
投影系統506具有用於在晶圓514上描繪出光罩510之影像的六個反射鏡M1-M6。在這種情況下，投影系統506之個別反射鏡M1-M6可能相對於投影系統506之光軸624對稱設置。應注意EUV微影系統500之反射鏡數量不限於所表示數量。也可能提供更多或更少數量之反射鏡。再者，該等反射鏡M1-M6為了光束塑形一般在其正面為曲面。
此外，投影系統506還具有用於判定該等反射鏡M1-M6之一之位置的若干感應器170、特別是位置感應器裝置。
舉例來說，假設投影系統506具有六個反射鏡M1-M6(N1=6)，其中五個反射鏡可致動(N2=5)且各該等可致動反射鏡都可分配六個位置感應器裝置170(N4=6)，則得到30之在投影系統506中的位置感應器裝置170之數量N3(N3=N4 x N2=6 x 5=30)。
不限制一般性且為了簡化表示之原因，圖8僅顯示一個位置感應器裝置170。
位置感應器裝置170與未顯示的評估裝置耦合。該評估裝置設計為藉助位置感應器裝置170之輸出信號判定該等反射鏡M1-M6之可致動反射鏡之位置。該評估裝置就像位置感應器裝置170，可設置在投影系統506之真空殼體520中。在這種情況下，該評估裝置舉例來說整合到該 信號處理單元中。或者，該評估裝置也可能設置在投影系統506之真空殼體520外部。
依據該等前述示例性具體實施例之一的至少一個EUV模組200(在圖8中未顯示)設置在投影系統506中。
100‧‧‧陶瓷基板
114‧‧‧金屬焊料
120、130‧‧‧EUV子模組
140‧‧‧接合區
200‧‧‧EUV模組

Claims (15)

  1. 一種於EUV子模組(120、130)中塗佈陶瓷基板(100)之表面(101)之方法，其適用於極紫外光(EUV)微影系統，包含：- 將一金屬焊料(114)塗佈於該表面(101)的整個表面區域上方；- 施以熱處理使得在該陶瓷基板(100)與該金屬焊料(114)之間產生一材料鍵結(116)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，該金屬焊料(114)係藉由網版印刷、噴塗、浸漬、或延展而塗佈。
  3. 一種製造EUV模組(200)的方法，包含：- 提供至少兩個EUV子模組(120、130)，分別藉由如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法塗佈；- 將所提供的該等EUV子模組(120、130)接合。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，所提供的該等EUV子模組(120、130)係藉由焊接(特別是採用硬焊料)及/或藉由黏劑鍵結(特別是採用陶瓷黏劑)而接合。
  5. 一種適用於EUV微影系統的EUV子模組(120、130)，- 具有一陶瓷基板(100)且- 具有覆蓋該陶瓷基板(100)整個表面區域上方的一金屬焊料(114)、介於該陶瓷基板(100)與該金屬焊料(114)之間的一材料鍵結 (116)。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之EUV子模組(120、130)，其中該金屬焊料(114)具有一厚度，其介於5μm至300μm之間。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述之EUV子模組(120、130)，其中該陶瓷基板(100)之材料係選自包含氧化鋁(Al2O3)、碳化矽(SiC)、及矽滲透碳化矽(Si：SiC)的群組。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之EUV子模組(120、130)，其中將一反應性金屬焊料塗佈作為該金屬焊料(114)，特別是一銀銅共熔物其具有添加物選自包含鈦(Ti)、錳(Mn)、鋯(Zr)、及鉿(Hf)的群組。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之EUV子模組(120、130)，其中塗佈一非反應性金屬焊料、特別是一鎢焊膏以作為該金屬焊料(114)。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之EUV子模組(120、130)，其中至少在某些區域中，至少一層另一金屬層(115)覆蓋該金屬焊料(114)，該另一金屬層(115)之材料係選自包含鎳、鎳磷合金(NiP)、銅、及金的群組。
  11. 一種EUV模組(200)，包含如申請專利範圍第5項至第10項之任一項所述之至少兩個EUV子模組(120、130)彼此相接合。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之EUV模組(200)，其中該等EUV子模組(120、130)係藉由焊料、特別是藉由硬焊料及/或藉由黏劑、特別是藉由 陶瓷黏劑相接合。
  13. 如申請專利範圍第1項至第4項之任一項所述之方法，其中至少一個夾持組件(160)、特別是至少一個感應器安裝架與該EUV子模組(120、130)或與該EUV模組(200)相接合。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該夾持組件(160)藉由焊接(特別是採用硬焊料)及/或藉由黏劑鍵結(特別是採用陶瓷黏劑)而接合。
  15. 一種EUV微影系統(500)，包含至少一個如申請專利範圍第11項或第12項所述之EUV模組(200)，其作為設計用於承載至少一個感應器(170)的一測量架構或一測量標準，以及作為承載至少一個光學組件(302)的至少一個力框架(300)，該光學組件的位置可藉助該感應器(170)判定。
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