CN107531581A - 制造euv模块的方法、euv模块和euv光刻系统 - Google Patents

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Abstract

本发明关于一种涂布意图用于EUV光刻系统(500)的陶瓷材料(100)的EUV子模块(120、130)的表面(101)的方法。首先，金属焊料(114)在陶瓷基板(100)的表面(101)的整个表面区域之上施加于所述表面。然后，执行热处理以在陶瓷材料(100)与金属焊料(114)之间制造材料键结(116)。此外，本发明还关于一种制造EUV模块(200)的方法。为此目的，通过上述方法分别涂布其整个表面区域之上的至少两个EUV子模块(120、130)通过焊接或粘合键结而接合。再者，本发明关于一种EUV子模块(120、130)、一种EUV模块(200)以及一种EUV光刻系统。

Description

制造EUV模块的方法、EUV模块和EUV光刻系统
技术领域
本发明关于一种制造EUV光刻系统的EUV模块的方法、一种EUV模块和一种EUV光刻系统。
背景技术
制造半导体部件的方法之一是光刻成像(photolithographic)法，其中待生成的结构图案借助于掩模(掩模母版)以缩小比例投射到涂布有光敏层的功能层上，然后在显影该感光层后，通过蚀刻工艺转印到该功能层中。制造日益精细结构使得光刻工艺有必要使用波长越来越短的光。因此，现有的光刻方法以进入极紫外光(Extremely ultravioletlight，EUV)范围内的电磁辐射工作。该术语EUV辐射用于指称波长介于30nm与5nm之间、特别是为13.5nm的电磁辐射。EUV辐射通常是由等离子体源所产生或作为同步加速器辐射。由于EUV辐射可被大多数已知材料高度吸收，因此EUV光刻中的投射曝光系统一般使用反射式部件。为此目的使用专门设计的反射镜系统，其以合适方式将辐射引导到掩模母版上，随后投射到半导体晶片的所需区域上。该已知EUV光刻系统同时与具有结构化吸收层设置于其上的反射式载体层形式或具有结构化反射层设置于其上的吸收式载体层形式的反射式掩模母版一起操作。
将光刻微米或纳米结构成像到该晶片表面上时，通常不是曝光的整个晶片，而是仅曝光狭窄区域。一般来说，晶片表面是一块一块或通过狭缝曝光的。这涉及晶片和掩模母版两者被逐步扫描，并且相对于彼此平行或反向平行移动。
用于EUV光刻系统的投射光学单元的部件是由现代技术陶瓷所制成，例如碳化硅(Silicon carbide，SiC)或硅渗透碳化硅(Silicon-infiltrated silicon carbide，Si：SiC)，且特别是意图用于接收传感器。这些材料结合许多正面技术特性：硬度高(提供有利的振动特性)、导热性很好、低热膨胀(在负载下产生极佳几何稳定性)、及重量轻。结构元件是从烧结坯体所制造，通过后续在1600℃范围内的高温下锻烧而加固。由此所产生的陶瓷部件相对较闭孔且具有高密度。尽管如此，这些陶瓷部件在EUV系统中不能在未经处理状态下使用。其中一个原因在于，甚至后续经研磨或喷沙的表面有时仍只有低强度，并可能在该EUV光刻系统中导致颗粒污染的情况。而且，在大型陶瓷部件上经常有浅层细孔和裂缝。再者，在陶瓷部件的表面上的游离、未完全反应的硅污染物，可能被存在于该EUV光刻系统中的氢基(由通过EUV辐射而分裂的H2分子所生成)分解，并沉积在该EUV光刻系统中光学元件的表面上。如此会导致非所要的传输损耗。而且，未经处理的陶瓷部件的表面一般来说都非常粗糙，这使其明显更难以真空兼容方式进行清洁。关于以上所提及未经处理的陶瓷部件的问题特性，也请参见图1。图1显示在基板100的体积中具有非关键细孔102且在基板表面101上具有关键部分磨掉的细孔104的陶瓷基板100。而且，在基板表面101上可看到浅层裂缝106和游离硅108。特别关键的是在基板表面101附近的弱键结区110，因为其可能变得分离且如同游离移动颗粒一样，可能损害EUV光刻系统的功能。未经处理的陶瓷部件的前述问题特性是由制造工艺所造成且不可避免。如此需要陶瓷部件的表面涂层，其键结松散颗粒、保护从氢基出现的硅元素、封闭裂缝和细孔，并将表面粗糙度降低至可能进行清洁程序而无任何问题的程度。如从现有技术已知，在图2中所显示，为此对抛光的陶瓷部件100的表面101施加镍磷合金(Nickel-phosphorus alloys，NiP)的金属涂层112。该涂布举例来说通过电流沉积或化学处理(化学镍)来执行。NiP层112的锚定纯机械地发生，其中互锁衔接通过表面粗糙度而形成。互锁连接通过彼此衔接的至少两个连接伙伴形成。因此，连接伙伴即使在无力传递或力传递中断时也不能分开。
不过，通过互锁衔接而提供的低层键结和陶瓷部件的不完善周围区域，限制可经由NiP层112传递到陶瓷部件100中的力，并且可容许温度梯度例如可能在粘合键结或焊接或铜焊的情况下发生。因此，NiP的膨胀系数与Si：SiC的膨胀系数相当不同。如此结果为电流地或化学地涂布的陶瓷部件不能通过粘合键结或焊接接合以形成较大分组合件，并且用于夹持传感器的附件(也已知为夹持部件)仅能不够牢固地附接到涂布有NiP的陶瓷部件。为从陶瓷部件形成较大的分组合件，通过粘合键结(adhesive bonding)或焊接而接合的许多部件因此必须在未经涂布状态(即无NiP层)下进行。只有在接合后完全接合的陶瓷分组合件整体才涂布有NiP合金。不过，这引起由于该接合而由非均质材料构成的陶瓷分组合件不能再涂布有具有足够质量的NiP合金的问题。举例来说，电流沉积在粘合键结上的NiP层不能充分附着，且粘合剂被该涂布损伤。
用于将陶瓷部分彼此连接的金属焊料之前已说明许多次。针对通过焊接单独零件而制造复杂陶瓷部分的一系列提议已变得已知。举例来说，依据DE 19734211 A1，待连接的陶瓷部分首先进行金属化，然后焊接。术语金属化用于在陶瓷部分的表面上的热处理以及从而固化的金属焊料。不过，该金属化在这种情况下只会在待彼此焊接的陶瓷部分上的位置处发生。不会发生通过金属焊料而封闭陶瓷部分的整个表面。
发明内容
在本申请中，术语“EUV子模块”与陶瓷部件同义使用，EUV模块与包含多个陶瓷部件或多个接合的EUV子模块的分组合件同义使用。
鉴于上述缺点，接合陶瓷部件以在绝对必要涂布前形成分组合件时，目的为提供使陶瓷部件之间可能足够稳定连接的方法，同时封闭接合的陶瓷部件的表面。又一目的为提供具有前述正面特性的分组合件。
此目的通过涂布意图用于EUV光刻系统的EUV模块的陶瓷材料的EUV子模块的表面的方法而依据本发明来实现。依据本发明的方法具有至少下列步骤：首先，将金属焊料施加于EUV子模块的表面，在其整个表面区域之上。接着，执行热处理以在该陶瓷材料与该金属焊料之间产生材料键结。其中连接伙伴通过原子或分子力而保持在一起的所有连接已知为材料键结连接。它们同时为不可拆解的连接，只能通过破坏连接的手段而分开。上述方法具有许多优势。一方面，陶瓷EUV子模块的松散颗粒键结，且在陶瓷材料中的裂缝和细孔被封闭。再者，该封闭保护游离硅元素免受氢基的影响。为确保这种保护，金属焊料必须施加于该表面整个表面区域之上。依据本发明的方法的主要优势在于材料键结。只有这种材料键结允许通过粘合键结或焊接使EUV子模块稳定接合到EUV子模块，以形成EUV模块。再者，该封闭使该EUV子模块的表面平滑。这使其更容易清洁。
在一个实施例中，金属焊料通过丝网印刷、喷涂、浸渍、或延展来施加。
在一个实施例中，热处理在700℃至1500℃在真空中被执行5分钟至60分钟。此温度范围和暴露于热能的时间特别具优势，因为由此在金属焊料层与陶瓷基板之间产生特别稳定的材料键结连接。
在一个实施例中，反应性金属焊料被施加作为金属焊料，特别是具有钛(Ti)、锰(Mn)、锆(Zr)和/或铪(Hf)的添加物的银铜低共熔物。热处理在这种情况下在700℃至900℃被执行较佳为5分钟至10分钟。热处理前可能先在100℃至120℃进行干燥阶段5分钟至10分钟。依金属化宽度而定，该材料键结连接的强度最大可达50MPa。
在替代实施例中，非反应性金属焊料、特别是钨膏被施加作为金属焊料。热处理在1000℃至1500℃被执行较佳为30分钟至60分钟。高温为必要的，因为无化学反应发生，而是钨原子必须扩散进入陶瓷基板，且该基板的原子必须扩散进入钨焊料的微结构。热处理前可能先在100℃进行干燥阶段10分钟至15分钟。
在一个实施例中，EUV子模块整个表面区域上方涂布有金属焊料的表面后续至少在某些区域中涂布有镍(Ni)。在镍与金属化表面之间产生稳定的金属键结。这一方面也提高表面对氢和氢基的抵抗。另一方面，镍层改善具有焊料的金属化表面的可湿性。涂布镍的区域也允许通过粘合键结及焊接的稳定的接合。
在一个实施例中，采用镍的后续涂布通过电流工艺，通过物理气相沉积(physicalvapour deposition，PVD)或通过化学气相沉积(chemical vapour deposition，CVD)来执行。此外，镍还特别适合后续涂布，因为可非常良好地以恒定层厚度涂布。或者或此外，EUV子模块的完全金属化表面后续也可以铜或金涂布在某些区域。
开头所提及的目的还通过从EUV子模块制造EUV模块的方法而依据本发明来实现。首先，提供依据本发明涂布的至少两个EUV子模块。接着，将提供的EUV子模块接合。将相对较小且轻量的EUV子模块接合以形成相对较大且重的EUV模块由于几个原因具优势。在用于EUV子模块的陶瓷基板的制造中，一定数量的不良品不可避免。若EUV模块直接制造为单块部件，则可能省略EUV子模块之间的接合工艺。不过，若大的单块EUV模块由于制造缺陷而必须废弃，则成本会比若必须丢弃仅小缺陷的EUV子模块更高许多。
在一个实施例中，提供的EUV子模块通过焊接而接合，特别是采用硬焊料。硬焊料指称基于镍银或黄铜的高银含量的合金，其通常可以条、杆、线、膜及有时膏的形式供应。硬焊料膏已含有助焊剂，因此如在其他焊料形式的情况下，与膏同样无需再另外添加。与软焊料(基于锡/铅)对比，硬焊料特别适合承受高机械和热负载的金属连接。或者或此外，提供的EUV子模块通过粘合键结而接合，特别是采用陶瓷粘合剂。陶瓷粘合剂特别具优势，因为它们在真空中几乎不会逸出气体。在陶瓷粘合剂(也称为陶瓷接合剂)的情况下，原则上陶瓷粉末与无机黏合剂体系(例如水玻璃或磷酸盐化合物)混合。有些粘合剂提供为膏，其他则在使用前不久从粉末和液体成分稍微混合。陶瓷粘合剂有两种组。第一种，通过一般为水的溶剂的挥发而物理键结的那些。这些粘合剂具有矿质填料，例如Al2O3、ZrO2及MgO。第二种，通过浓缩反应而精确的化学固化的那些。
或者，关于接合可使用有机粘合剂，举例来说采用甲基丙烯酸甲酯(methylmethacrylate，MMA)粘合剂或环氧树脂(epoxy resin)粘合剂。
开头所提及的目的还通过在EUV光刻系统中提供的涂布的EUV子模块而依据本发明来实现。该EUV子模块具有陶瓷体，其整个表面区域上方覆盖有金属焊料。在该陶瓷体与该金属焊料之间有材料键结。该材料键结为绝对必要的，以使EUV子模块将可能通过粘合键结或焊接而彼此稳定接合。
在一个实施例中，EUV子模块具有金属化(即在固化状态下的金属焊料)的厚度介于5μm至300μm之间、优选为介于10μm至200μm之间。此厚度足以用于通过粘合键结或焊接的接合。此厚度不得低于5μm的下限，否则在金属化中有孔洞的风险。避免这些孔洞至关重要，以确保EUV子模块的完全封闭。该金属化所必要最小值的厚度，在此依陶瓷基板的基本粗糙度而定。该基本粗糙度越低，则该金属化可选择为越薄。该金属化的大厚度通常应视为对于封闭的质量而言是正面的。不过，在300μm以上的厚度的情况下，有在调节、即热处理过程中，使钨膏可延展的钨膏的有机成分无法再完全烧尽的风险。如此会降低陶瓷基板与金属化之间材料键结的质量，并对EUV光刻系统引起污染的风险。
在一个实施例中，陶瓷材料包含氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)和/或硅渗透碳化硅(Si：SiC)。Si：SiC由于具有有利的振动特性、非常良好的导热性、低热膨胀和在负载下极佳的几何稳定性，因此在光刻系统中的EUV子模块中使用特别有利。又一优势在于相较于金属材料的轻量。
在一个实施例中，反应性金属焊料施加于EUV子模块作为金属焊料，特别是具有选自包含钛(Ti)、锰(Mn)、锆(Zr)和铪(Hf)的组的添加物的银铜低共熔物。
在替代实施例中，施加非反应性金属焊料、特别是钨膏于EUV子模块作为金属焊料。
在一个实施例中，EUV子模块至少在某些区域中具有覆盖金属化(即在固化状态下的金属焊料)的至少一个另外的金属层，特别是镍、镍磷合金、铜、或金的至少一个另外的金属层。采用镍的后续涂布的优势如上文所提及。
开头所陈述的目的还通过具有如上述彼此接合的至少两个EUV子模块的EUV模块而依据本发明来实现。EUV子模块以介于5MPa至50MPa之间的拉伸强度彼此接合。各程度拉伸强度所取决于的因素在于接合手段的种类。这种强力键结是稳定的EUV模块的基本先决条件。
在一个实施例中，至少一个夹持部件与EUV子模块或与EUV模块接合。该夹持部件可为传感器安装架。
在一个实施例中，该夹持部件通过焊接而接合，特别是采用硬焊料。或者或此外，该夹持部件可通过粘合键结而接合，特别是采用陶瓷粘合剂和/或有机粘合剂。
而且，依据本发明主张EUV光刻系统。这具有设计用于承载至少一个传感器、用作测量框架或作为测量标准件(measuring standard)的至少一个EUV模块。而且，该EUV光刻系统具有用于承载至少一个光学部件、特别是反射镜的至少一个力框架。该光学部件的确切位置可通过传感器来确定。该力框架通常由钢构成。除了术语力框架以外，也使用术语承载框架。多个EUV模块彼此隔开且分离。EUV模块也与力框架隔开且分离。
附图说明
下文基于示图更详细解说各种示例性实施例。相同、同一类型或以同样方式作用的元件在示图中具备相同参考标记。相对于彼此在示图中所表示的元件的特征和相对大小，不应视为真实比例。而是，单独元件可能为了更好的表示且为了更好的理解而放大尺寸或缩小尺寸显示。图中：
图1显示在涂布前的研磨陶瓷基板；
图2显示依据现有技术具有涂层的研磨陶瓷基板；
图3显示来自依据本发明涂布的EUV子模块的切图；
图4显示来自依据本发明涂布的替代性EUV子模块的切图；
图5以示意形式显示从依据本发明涂布的两个EUV子模块接合的依据本发明的EUV模块；
图6以示意形式显示具有接合的夹持部件和传感器的依据本发明的EUV模块；
图7以示意形式显示来自EUV光刻系统的对本发明而言至关重要的切图；
图8以示意形式显示EUV光刻系统整体。
具体实施方式
图1显示在基板100中具有非关键细孔102且在基板表面101上具有关键的部分磨掉的细孔104的已知陶瓷基板100。而且，在基板表面101上可看到浅层裂缝106和游离硅108。显而易见特别关键的是在基板表面101附近的弱键结区110，因为其可能变得分离且如同游离移动颗粒一样可能损害EUV光刻系统的功能。基板100的材料是硅渗透碳化硅(Si：SiC)。图1所示基板100是依据本发明的涂布法的起始产物(其结果表示在图3和图4中)，并且是依据现有技术的涂布法的起始产物(其结果表示在图2中)。
图2显示依据来自现有技术的方法的图1的陶瓷基板100的涂布的结果。镍磷合金(NiP)112的金属涂层已施加于研磨陶瓷部件100的表面101。该涂布举例来说通过电流沉积或化学处理(化学镍)来执行。NiP层112的锚定纯机械地发生，其中互锁衔接通过表面粗糙度而形成。互锁连接通过彼此衔接的至少两个连接伙伴生成。因此，连接伙伴即使在无力传递或力传递中断时也不能分开。
不过，通过互锁衔接而提供的低层键结和陶瓷部件的不完善周围区域，限制可经由NiP层112传递到陶瓷部件100中的力，并且可容许温度梯度例如可能在粘合键结的情况下或在焊接或铜焊的情况下出现。因此，NiP的膨胀系数与Si：SiC的膨胀系数非常不同。如此结果为电流地或化学地涂布的陶瓷部件不能通过焊接接合且通过粘合键结仅到有限范围以形成较大的分组合件，并且用于夹持传感器的附件(也已知为夹持部件)仅能不够牢固地附接到涂布有NiP的陶瓷部件。
图3显示来自用于EUV光刻系统的依据本发明所涂布的EUV子模块120、130的切图。首先，金属焊料114通过丝网印刷、喷涂、浸渍、或延展而施加于基板表面101整个表面区域之上。接着，执行热处理以在陶瓷材料100与金属焊料114之间制造材料键结。该材料键结存在于在金属化(即在该固化状态下的金属焊料114)与陶瓷基板100之间的过渡带116中。该热处理在从700℃至1500℃的温度范围内在真空中被执行5分钟至60分钟。
两组材料可能依据本发明用作金属焊料114。一方面，可能使用反应性金属焊料，特别是具有钛(Ti)、锰(Mn)、锆(Zr)和/或铪(Hf)的添加物的银铜低共熔物。热处理在这种情况下在700℃至900℃被执行5分钟至10分钟。另一方面，非反应性金属焊料、特别是钨膏可能用作金属焊料114。热处理在这种情况下在1000℃至1500℃被执行30分钟至60分钟。
在固化状态下的金属焊料114封闭陶瓷基板100的表面101，并由此键结尤其基板100的游离硅108和弱键结区110。在该改善后，EUV子模块120、130适合真空。
金属化(即在固化状态下的金属焊料114)的厚度介于5μm至300μm之间。甚至5μm的厚度也足以将金属的特性赋予到陶瓷EUV子模块的表面上。
图4显示来自依据本发明的替代地涂布的EUV子模块120、130的切图。涂布有金属焊料114的表面101后续至少在某些区域中采用镍(Ni)涂布。采用镍的后续涂布通过电流工艺、通过物理气相沉积(PVD)或通过化学气相沉积(CVD)来执行。镍涂层115与在固化状态下的金属焊料114进入稳定连接，并以正好如同在固化状态下的金属焊料114的方式适合后续接合工艺。
图5以示意形式显示从依据本发明涂布的两个EUV子模块120、130接合的依据本发明的EUV模块200。为了制造EUV模块200，首先提供两个涂布的EUV子模块120、130。接着，这两个EUV子模块120、130接合。该接合可通过焊接来执行，特别是采用硬焊料。或者，该接合可能通过粘合键结来执行，特别是采用陶瓷粘合剂。在第一EUV子模块120与第二EUV子模块130之间的接合区140，以介于5MPa至50MPa之间的拉伸强度连接两个EUV子模块120、130。该拉伸强度的各个数值取决于焊料的选择和粘合剂的选择。焊接的连接具有最大可达50MPa的拉伸强度。采用特别良好地适合在高纯度真空中操作的陶瓷黏剂的粘合剂的粘合键结连接具有介于5MPa至10MPa之间的拉伸强度。
图6以示意形式显示具有接合的夹持部件160的依据本发明的EUV模块200。此夹持部件160在本发明示例性实施例中设计为传感器安装架。夹持部件160可通过焊接(特别是采用硬焊料)和/或通过粘合键结(特别是采用陶瓷粘合剂)而接合到EUV模块200的在固化状态下的金属焊料114。在EUV模块200与夹持部件160之间生成具有前述拉伸强度的接合区150。设置在夹持部件160上的是传感器170。在未显示的示例性实施例中，具有多个传感器170的多个夹持部件160附接到EUV模块200。
图7以示意形式显示来自EUV光刻系统500的对本发明而言至关重要的切图。EUV模块200通过机械分离装置204与力框架300隔开。EUV模块200通过夹持部件160承载传感器170。力框架300承载光学部件302、特别是反射镜。而且，用于致动光学部件302的致动器(在图中未显示)固定于力框架300。在未显示的示例性实施例中，多个传感器170通过多个夹持部件160而附接到EUV模块200。因此，EUV模块200也称为传感器框架、测量框架或测量标准件。力框架300还可承载多个光学部件302。力框架300通过机械分离装置304与固体周围物400隔开。在这种情况下决定性在于EUV模块(测量框架)与力框架300的隔开。此隔开使得光学部件302的空间位置可能通过传感器框架200的传感器170而没有任何问题地被感应到。在这种情况下，与此传感器框架200相关的反射镜的各个位置，可通过致动器(在图中未显示)而通过位置传感器170进行测量且通过控制器(在图中未显示)设定为所需数值。此详细信息在DE 102011077315 A1中公开。
在未显示的示例性实施例中，EUV光刻系统500具有多个EUV模块200。各EUV模块200都可随后设计用于感应光学部件302的各种组的位置。EUV光刻系统500的多个EUV模块200彼此完全机械地分离。
图8示意性显示EUV光刻系统500整体，其包含光束成形与照明系统504以及投射系统506。在真空壳体中分别提供光束成形与照明系统504和投射系统506，各真空壳体都借助于未更具体表示的抽真空装置进行抽真空。真空壳体由机械室(未更具体表示)围绕，其中提供用于机械移动或调整光学元件的驱动装置。在此机械室中还可提供电力控制器及其类似物。
EUV光刻系统500具有EUV光源502。发出EUV范围内的辐射516的等离子体源或同步加速器，可提供例如作为EUV光源502。在光束成形与照明系统504中，EUV辐射516聚焦且所需操作波长从EUV辐射516中滤出。由EUV光源502所产生的EUV辐射516具有相对较低的空气透射率，因此在光束成形与照明系统504中和在投射系统506中的光束引导空间被抽真空。
图8所表示光束成形与照明系统504具有五个反射镜610、612、614、616、618。在通过光束成形与照明系统504后，EUV辐射516被引导至光掩模(掩模母版)510上。光掩模510同样形成作为反射式光学元件，并可设置在系统504、506外面。再者，EUV辐射516可通过反射镜636引导至光掩模510上。光掩模510具有结构，其缩小像通过投射系统506在晶片514或其类似物上描绘出。
投射系统506具有用于在晶片514上描绘出光掩模510的像的六个反射镜M1-M6。在这种情况下，投射系统506的单独反射镜M1-M6可相对于投射系统506的光轴624对称设置。应注意，EUV光刻系统500的反射镜的数量不限于所表示数量。也可能提供更多或更少数量的反射镜。再者，反射镜M1-M6为了光束成形一般在其前侧为弯曲的。
投射系统506还具有用于确定反射镜M1-M6之一的位置的多个传感器170、特别是位置传感器装置。
举例来说，假设投射系统104具有六个反射镜M1-M6(N1＝6)，其中五个反射镜可致动(N2＝5)且各可致动反射镜都可分配六个位置传感器装置170(N4＝6)，则得到在投射系统506中的位置传感器装置170的数量N3为30(N3＝N4x N2＝6x 5＝30)。
不限制一般性且为了简化表示的原因，图8仅显示一个位置传感器装置170。
位置传感器装置170与未显示的评估装置联接。该评估装置设计为通过位置传感器装置170的输出信号确定反射镜M1-M6的可致动反射镜的位置。该评估装置就像位置传感器装置170，可设置在投射系统506的真空壳体520中。在这种情况下，该评估装置举例来说整合到信号处理单元中。或者，该评估装置也可能设置在投射系统506的真空壳体520外部。
依据前述示例性实施例之一的至少一个EUV模块200(在图8中未显示)设置在投射系统506中。
附图标记列表
100 基板
101 基板表面
102 在基板的体积中的细孔
104 在基板表面101上部分磨掉的细孔
106 浅层裂缝
108 游离硅
110 在基板表面101上的弱键结区
112 镍磷合金
114 金属焊料
115 另外的金属层
116 在过渡带的区域中的材料键结
120 第一EUV子模块
130 第二EUV子模块
140 在第一EUV子模块120与第二EUV子模块130之间的接合区
150 在EUV模块200与夹持部件160之间的接合区
160 夹持部件
170 传感器、尤其是位置传感器装置
200 EUV模块、测量框架、测量支架、传感器框架
204 EUV模块200和力框架300的机械分离装置
300 力框架、承载框架
302 光学部件，例如反射镜
304 力框架300和固定的周围物400的机械分离装置
400 固定的周围物
500 EUV光刻系统
502 EUV光源
504 光束成形与照明系统
506 投射系统
510 光掩模、掩模母版
514 晶片
516 EUV辐射
520 真空壳体
610、612、614、616、618 在光束成形与照明系统504中的反射镜
624 投射系统506的光轴
636 反射镜(在掠入射的情况下)
M1、M2、M3、M4、M5 在投射系统506中的反射镜

Claims (15)

1.一种涂布陶瓷材料(100)的EUV子模块(120、130)的表面(101)的方法，该EUV子模块意图用于EUV光刻系统，包含：
-将金属焊料(114)施加于该表面(101)的整个表面区域上方；
-热处理以在该陶瓷材料(100)与该金属焊料(114)之间产生材料键结(116)。
2.如权利要求1所述的方法，该金属焊料(114)通过丝网印刷、喷涂、浸渍、或延展来施加。
3.一种制造EUV模块(200)的方法，包含：
-提供分别通过如权利要求1或2所述的方法涂布的至少两个EUV子模块(120、130)；
-将提供的EUV子模块(120、130)接合。
4.如权利要求3所述的方法，提供的EUV子模块(120、130)通过焊接，特别是采用硬焊料，和/或通过粘合键结，特别是采用陶瓷粘合剂来接合。
5.一种意图用于EUV光刻系统的EUV子模块(120、130)，
-具有陶瓷体(100)，以及
-具有覆盖该陶瓷体(100)整个表面区域上方的金属焊料(114)、存在于该陶瓷体(100)与该金属焊料(114)之间的材料键结(116)。
6.如权利要求5所述的EUV子模块(120、130)，其中该金属焊料(114)具有一厚度，其介于5μm至300μm之间、优选介于20μm至200μm之间。
7.如权利要求5或6所述的EUV子模块(120、130)，其中该陶瓷体(100)的材料选自包含氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)和硅渗透碳化硅(Si：SiC)的组。
8.如权利要求5至7中任一项所述的EUV子模块(120、130)，其中将反应性金属焊料施加作为该金属焊料(114)，特别是具有选自包含钛(Ti)、锰(Mn)、锆(Zr)和铪(Hf)的组的添加物的银铜低共熔物。
9.如权利要求5至7中任一项所述的EUV子模块(120、130)，其中将非反应性金属焊料、特别是钨膏施加作为该金属焊料(114)。
10.如权利要求5至9中任一项所述的EUV子模块(120、130)，具有至少一个另外的金属层(115)，该至少一个另外的金属层至少在某些区域中覆盖该金属焊料(114)，该另外的金属层(115)的材料选自包含镍、镍磷合金(NiP)、铜和金的组。
11.一种EUV模块(200)，包含彼此接合的如权利要求5至10中任一项所述的至少两个EUV子模块(120、130)。
12.如权利要求11所述的EUV模块(200)，其中该EUV子模块(120、130)通过焊料、特别是通过硬焊料和/或通过粘合剂、特别是通过陶瓷粘合剂接合。
13.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中至少一个夹持部件(160)、特别是至少一个传感器安装架与该EUV子模块(120、130)或与该EUV模块(200)接合。
14.如权利要求13所述的方法，其中该夹持部件(160)通过焊接，特别是采用硬焊料，和/或通过粘合键结，特别是采用陶瓷粘合剂来接合。
15.一种EUV光刻系统(500)，包含：如权利要求11或12所述的至少一个EUV模块(200)，其作为设计用于承载至少一个传感器(170)的测量框架或测量标准件；以及承载至少一个光学部件(302)的至少一个力框架(300)，该光学部件的位置能够通过该传感器(170)来确定。
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