TW201719273A - 用於製造膜總成之方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於製造用於EUV微影之一膜總成的方法，該方法包含：提供一堆疊，該堆疊包含在一支撐基板與一附接基板之間的一膜層，其中該支撐基板包含一內部區及一第一邊界區；處理該堆疊，包括選擇性地移除該支撐基板之該內部區，以形成一膜總成，該膜總成包含：一膜，其由至少該膜層形成；及一支撐件，其固持該膜，該支撐件至少部分地自該支撐基板之該第一邊界區形成。該附接基板可結合至該堆疊之其餘部分。

Description

用於製造膜總成之方法
本發明係關於一種用於製造膜總成之方法，且係關於一種膜總成。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之部分、一個或數個晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經連續圖案化之鄰近目標部分的網路。 微影被廣泛地認為係在IC及其他裝置及/或結構之製造中之關鍵步驟中的一者。然而，隨著使用微影所製造之特徵的尺寸變得愈來愈小，微影正變成用於使得能夠製造小型IC或其他裝置及/或結構之更關鍵因素。 圖案印刷極限之理論估計可藉由瑞立(Rayleigh)準則給出，如方程式(1)所展示：其中λ為所使用之輻射的波長，NA為用於印刷圖案之投影系統的數值孔徑，k1為製程相依調整因數(亦被稱為瑞立常數)，且CD為經印刷特徵之特徵大小(或臨界尺寸)。自方程式(1)可見，可以三種方式獲得特徵之最小可印刷大小的減小：藉由縮短曝光波長λ、藉由增加數值孔徑NA，或藉由減小k1之值。 為了縮短曝光波長且因此減小最小可印刷大小，已提議使用極紫外線(EUV)輻射源。EUV輻射為具有在10 nm至20 nm之範圍內(例如，在13 nm至14 nm之範圍內)之波長的電磁輻射。已進一步提議可使用具有小於10 nm (例如，在5 nm至10 nm之範圍內，諸如，6.7 nm或6.8 nm)之波長的EUV輻射。此輻射被稱為極紫外線輻射或軟x射線輻射。可能的源包括(例如)雷射產生電漿源、放電電漿源，或基於由電子儲存環提供之同步加速器輻射的源。 微影設備包括圖案化裝置(例如，光罩或比例光罩)。輻射被提供通過圖案化裝置或自圖案化裝置反射以在基板上形成影像。可提供膜總成以保護圖案化裝置免受空浮粒子及其他形式之污染。用於保護圖案化裝置之膜總成可被稱為護膜。圖案化裝置之表面上的污染可造成基板上之製造缺陷。膜總成可包含邊界及跨越邊界拉伸之膜。(例如)由於膜較薄，所以難以在膜總成在製程中不變形之情況下製造膜總成。 亦難以在膜總成在製程中不受損之情況下製造膜總成。舉例而言，膜可能在製造膜總成之製程期間不合需要地氧化。 需要減少諸如護膜之膜總成在其製造期間變形或受損之可能性。亦需要減少製造膜總成所花費之時間。
根據本發明之一態樣，提供一種用於製造用於EUV微影之一膜總成的方法，該方法包含：提供一堆疊，該堆疊包含在一支撐基板與一附接基板之間的一膜層，其中該支撐基板包含一內部區及一第一邊界區；處理該堆疊，包括選擇性地移除該支撐基板之該內部區，以形成一膜總成，該膜總成包含：一膜，其由至少該膜層形成；及一支撐件，其固持該膜，該支撐件至少部分地自該支撐基板之該第一邊界區形成。 根據本發明之一態樣，提供一種用於EUV微影之膜總成，該膜總成包含：一膜；及一支撐件，其固持該膜，該支撐件自一支撐基板之一第一邊界區及一附接基板之一第二邊界區形成，其中該膜係在該支撐基板之該第一邊界區與該附接基板之該第二邊界區之間；其中藉由選擇性地移除該支撐基板之一內部區及該附接基板之一覆蓋區，使得該支撐基板之該第一邊界區及該附接基板之該第二邊界區保留，而形成該支撐件。 根據本發明之一態樣，提供一種用於製造用於一微影設備之一膜總成的方法，該方法包含：向一支撐基板提供一膜層，該支撐基板具有至少600 µm、較佳至少700 µm之一平均厚度；將具有小於500 µm之一平均厚度的一附接基板晶圓結合至提供有該膜層之該支撐基板以形成一堆疊，其中該膜層囊封於該支撐基板與該附接基板之間；及隨後將結合至該附接基板之該支撐基板薄化，使該支撐基板之一平均厚度小於500 µm。較佳地，支撐基板之厚度與附接基板之厚度實質上相同，以便形成實質上對稱的堆疊。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例之包括源收集器模組SO的微影設備100。設備100包含： -  照明系統(或照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)； -  支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩或比例光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置之第一定位器PM； -  基板台(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，經抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及 -  投影系統(例如，反射投影系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。 照明系統IL可包括用於引導、塑形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA之定向、微影設備之設計及其他條件(諸如，該圖案化裝置是否被固持於真空環境中)的方式來固持該圖案化裝置。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為(例如)框架或台，其可視需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化裝置MA (例如)相對於投影系統PS處於所要位置。 術語「圖案化裝置」應被廣泛地解譯為指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於目標部分C中所產生之裝置(諸如，積體電路)中的特定功能層。 圖案化裝置MA可為透射的或反射的。圖案化裝置之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化液晶顯示器(LCD)面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。 類似於照明系統IL，投影系統PS可包括適於所使用之曝光輻射或適於諸如真空之使用之其他因素的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。可需要將真空用於EUV輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射。因此，可藉助於真空壁及真空泵而將真空環境提供至整個光束路徑。 如此處所描繪，微影設備100屬於反射類型(例如，使用反射光罩)。 微影設備100可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT (及/或兩個或多於兩個支撐結構MT)之類型。在此「多載物台」微影設備中，可並行地使用額外基板台WT (及/或額外支撐結構MT)，或可在一或多個基板台WT (及/或一或多個支撐結構MT)上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT (及/或一或多個其他支撐結構MT)用於曝光。 參看圖1，照明系統IL自源收集器模組SO接收極紫外線輻射光束。用以產生EUV光之方法包括但未必限於將具有在EUV範圍內之一或多種發射譜線的至少一個元素(例如，氙、鋰或錫)的材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(通常被稱為雷射產生電漿「LPP」)中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有所需譜線發射元素之材料小滴、流或叢集)而產生所需電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖1中未展示)之EUV輻射系統的部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所得電漿發射輸出輻射，例如，EUV輻射，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器來收集。舉例而言，當使用CO2 雷射來提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組SO可為分離實體。 在此等情況下，不認為雷射形成微影設備100之部分，且輻射光束B係藉助於包含(例如)合適引導鏡面及/或擴束器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組SO。在其他情況下，例如當源為放電產生電漿EUV產生器(通常被稱為DPP源)時，該源可為源收集器模組SO之整體部分。 照明系統IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。一般而言，可調整照明系統IL之光瞳平面中的強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置。照明系統IL可用於調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上，且藉由圖案化裝置MA來圖案化。在自圖案化裝置(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測系統PS1可用於相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化裝置(例如，光罩) MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，光罩) MA及基板W。 控制器500控制微影設備100之總操作，且特別執行下文進一步所描述之操作程序。控制器500可被體現為經合適程式化之通用電腦，其包含中央處理單元、揮發性儲存構件及非揮發性儲存構件、一或多個輸入及輸出裝置(諸如，鍵盤及螢幕)、一或多個網路連接件，及至微影設備100之各種部分的一或多個介面。將瞭解，控制電腦與微影設備100之間的一對一關係係不必要的。在本發明之一實施例中，一個電腦可控制多個微影設備100。在本發明之一實施例中，多個網路化電腦可用於控制一個微影設備100。控制器500亦可經組態以控制微影單元或叢集中之一或多個關聯製程裝置及基板處置裝置，微影設備100形成微影單元或叢集之一部分。控制器500亦可經組態為從屬於微影單元或叢集之監督控制系統及/或工廠(fab)之總控制系統。 圖2更詳細地展示包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS之微影設備100。EUV輻射發射電漿210可由電漿源形成。可由氣體或蒸氣(例如，Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣)產生EUV輻射，其中產生輻射發射電漿210以發射在電磁波譜之EUV範圍內的輻射。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。 由輻射發射電漿210發射之輻射自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。 收集器腔室212可包括輻射收集器CO。橫穿輻射收集器CO之輻射可聚焦於虛擬源點IF處。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組SO經配置以使得虛擬源點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。 隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24，琢面化場鏡面裝置22及琢面化光瞳鏡面裝置24經配置以提供在圖案化裝置MA處之未經圖案化光束21的所要角分佈，以及在圖案化裝置MA處之輻射強度的所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處之未經圖案化光束21的反射後，形成經圖案化光束26，且由投影系統PS經由反射元件28、30將經圖案化光束26成像至由基板台WT固持之基板W上。 比所展示元件更多之元件通常可存在於照明系統IL及投影系統PS中。此外，可存在比諸圖所展示之鏡面更多的鏡面，例如，在投影系統PS中可存在比圖2所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。 或者，源收集器模組SO可為LPP輻射系統之部分。 如圖1中所描繪，在一實施例中，微影設備100包含照明系統IL及投影系統PS。照明系統IL經組態以發射輻射光束B。投影系統PS係藉由介入空間而與基板台WT分離。投影系統PS經組態以將賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W上。該圖案係用於輻射光束B之EUV輻射。 可至少部分地抽空介入於投影系統PS與基板台WT之間的空間。可在投影系統PS之位置處由固體表面定界介入空間，所使用輻射係自該固體表面引導朝向基板台WT。 在一實施例中，微影設備100包含動態氣鎖。動態氣鎖包含膜總成80。在一實施例中，動態氣鎖包含由位於介入空間中之膜總成80覆蓋的中空部分。中空部分位於輻射之路徑周圍。在一實施例中，微影設備100包含鼓風機，鼓風機經組態以藉由氣流沖洗中空部分之內部。輻射行進通過膜總成，之後照射於基板W上。 在一實施例中，微影設備100包含膜總成80。如上文所解釋，在一實施例中，膜總成80係用於動態氣鎖。在此情況下，膜總成80充當用於對DUV輻射進行濾光之濾光器。另外或替代地，在一實施例中，膜總成80為用於EUV微影之圖案化裝置MA的護膜。本發明之膜總成80可用於動態氣鎖或用於護膜或用於另一目的，諸如光譜純度濾光器(spectral purity filter)。在一實施例中，膜總成80包含膜，該膜亦可稱作膜堆疊。膜總成80之膜包含膜層45且視情況包含罩蓋膜(稍後描述)。當膜總成80之膜包含膜層45及至少一個罩蓋膜(層)時，該膜可稱作膜堆疊。膜層45亦可為由兩種或多於兩種不同材料之複數個交替層形成的多層膜層45，在此情況下，罩蓋膜將具有與多層膜層45中之交替層不同的材料。在一實施例中，膜總成80之膜經組態以透射至少80%之入射EUV輻射。 在一實施例中，護膜經組態以密封圖案化裝置MA以保護圖案化裝置MA免受空浮粒子及其他形式之污染。圖案化裝置MA之表面上的污染可造成基板W上之製造缺陷。舉例而言，在一實施例中，護膜經組態以減小粒子可能遷移至微影設備100中之圖案化裝置MA之步進場中的可能性。 若圖案化裝置MA未受保護，則污染可能需要清潔或捨棄圖案化裝置MA。清潔圖案化裝置MA會中斷寶貴的製造時間，且捨棄圖案化裝置MA成本很高。替換圖案化裝置MA亦會中斷寶貴的製造時間。 圖3及圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造膜總成80之方法的階段。在一實施例中，用於製造膜總成80之方法包含向堆疊40提供支撐基板41。 在一實施例中，支撐基板41為自矽形成之晶圓。舉例而言，支撐基板41具有諸如正方形、圓形或矩形之形狀。支撐基板41之形狀不受特別限制。支撐基板41之大小不受特別限制。舉例而言，在一實施例中，支撐基板41具有在約100 mm至約500 mm之範圍內(例如，約200 mm)的直徑。支撐基板41之厚度不受特別限制。舉例而言，在一實施例中，支撐基板41具有至少300 μm、視情況至少400 μm之厚度。在一實施例中，支撐基板41具有至多1000 μm、視情況至多800 μm之厚度。在一實施例中，支撐基板41具有至多600 μm、視情況至多400 μm之厚度。在一實施例中，支撐基板41具有約400 μm之厚度。藉由提供較薄支撐基板41，減少支撐基板41之待選擇性地移除之量。因此，藉由以較薄支撐基板41開始，預期本發明之一實施例減小在選擇性地移除支撐基板41之部分之步驟期間膜受損或受污染的可能性。另外，藉由以支撐基板41開始，預期本發明之一實施例使得製造程序更高效。 矽可在金剛石立方晶體結構中結晶。在一實施例中，支撐基板41包含矽之立方晶體。在一實施例中，支撐基板41具有＜100＞結晶方向。 如圖4中所描繪，在一實施例中，支撐基板41包含犧牲層。犧牲層可為(例如)氧化層42。氧化層42為支撐基板41之部分。支撐基板41之其餘部分形成支撐基板41之非氧化層。當移除(例如，蝕刻掉)支撐基板41之非氧化層的至少一部分時，氧化層42形成蝕刻障壁。如圖16中所描繪，例如，支撐基板41自底側被蝕刻。氧化層42對濕式蝕刻劑具抗性。在一實施例中，氧化層42可由並非氧化物層之替代犧牲層替換。 在一實施例中，氧化層42具有大於100 nm、視情況大於200 nm且視情況大於300 nm之厚度。舉例而言，在一實施例中，氧化層42具有約350 nm或約400 nm之厚度。預期本發明之一實施例在蝕刻支撐基板41之至少部分之步驟中達成經改良穩固性。 在一實施例中，氧化層42在支撐基板41之外部表面上形成為薄氧化物層。在一實施例中，氧化層42係藉由熱氧化製程而形成(例如)為熱濕式氧化物。在一實施例中，氧化層42及用於蝕刻支撐基板41之至少部分的蝕刻劑經組態以使得相對於下伏層(例如，支撐基板41)存在對犧牲層(例如，氧化層42)之足夠好/高的選擇性。舉例而言，在一實施例中，蝕刻劑中之氧化層42之蝕刻速率小於約5 nm/分鐘，例如，約3 nm/分鐘。在一實施例中，氧化層42包含非晶二氧化矽。 氧化層42為視情況選用的。在一實施例中，不提供氧化層42。若不提供氧化層42，則可提供替代蝕刻終止，或可如此控制蝕刻支撐基板41之步驟以便減少膜總成80之膜之部分被不合需要地蝕刻掉的可能性。 如圖5中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含下部罩蓋膜44。下部罩蓋膜44安置於支撐基板41與膜層45之間。如圖3中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含視情況選用的下部犧牲層43。下部犧牲層43安置於支撐基板41與膜層45之間。 當堆疊40包含下部犧牲層43時，下部罩蓋膜44安置於下部犧牲層43與膜層45之間。在一實施例中，下部罩蓋膜44形成藉由根據本發明之一實施例之方法產生的膜總成80之膜之部分。 下部犧牲層43之厚度不受特別限制。在一實施例中，下部犧牲層43之厚度為至少約5 nm，且視情況至少約10 nm。在一實施例中，下部犧牲層43之厚度為至多約100 nm，且視情況至多約50 nm。在一實施例中，下部犧牲層43之厚度為至多約1000 nm且至少約5 nm，但較佳至多100 nm且至少20 nm。 在一實施例中，下部犧牲層43係自諸如非晶矽之材料形成。然而，未必為此情況。 將下部犧牲層43沈積至堆疊40上之方法不受特別限制。在一實施例中，藉由化學氣相沈積(例如，低壓化學氣相沈積(LPCVD)或電漿增強型化學氣相沈積(PECVD))將下部犧牲層43施加至堆疊40。LPCVD產生相對高品質之層，而PECVD可理想地在低溫下實現。舉例而言，在一實施例中，藉由LPCVD在300℃至700℃之範圍內的溫度下將下部犧牲層43施加至堆疊40。然而，未必為此情況。舉例而言，在一替代實施例中，例如藉由PECVD、濺鍍法或藉由薄膜沈積法將下部犧牲層43施加至堆疊40。 在一實施例中，下部罩蓋膜44及上部罩蓋膜46中之每一者具有小於10 nm、較佳小於4 nm之厚度。在一實施例中，下部罩蓋膜44、膜層45及上部罩蓋膜46之組合厚度為大致50 nm。在一實施例中，用於上部罩蓋膜46之材料與用於下部罩蓋膜44之材料相同。 舉例而言，在一實施例中，膜層45係自多晶矽或奈米晶矽形成。多晶矽或奈米晶矽具有脆性性質。因此，包含膜(其包含自多晶矽或奈米晶矽形成之膜層45)之膜總成80可在膜總成80斷裂時碎裂成許多粒子。預期本發明之一實施例達成膜總成80之機械性質的改良。 多晶矽及奈米晶矽各自具有對EUV輻射之高透射率。多晶矽及奈米晶矽各自具有良好機械強度。 然而，自多晶矽或奈米晶矽形成膜總成80之膜並非必需的。舉例而言，在一替代實施例中，膜總成80之膜係自多晶格膜或氮化矽形成。膜總成80之膜通常特徵為自至少層45且視情況自一或多個罩蓋層(在膜之頂部及/或底部上)形成，其中取決於膜總成之應用領域，該等層之個別厚度以及膜(堆疊)之總厚度經配置以使得對至少80%之所要輻射為透明的。所要輻射可為EUV輻射，然而取決於特定應用，所要輻射亦可為(D)UV輻射、VIS輻射及/或IR輻射。在後一情況下，膜對所要波長之所要透明度可取決於特定應用而偏離80%。例如在IR輻射之情況下，需要吸收更多，而在D(UV)之情況下，需要具有極低反射。 在另一替代實施例中，膜總成80之膜自單晶矽形成。在此實施例中，單晶矽膜可藉由絕緣體上矽(SOI)技術形成。用於此產品之起始材料為所謂SOI晶圓基板。SOI晶圓基板為包含矽載體基板之基板，該矽載體基板在內埋式隔離SiO2 層之頂部上具有薄單晶矽層。在一實施例中，單晶矽層之厚度可在約5 nm至約5 µm之間的範圍內。在一實施例中，在於製造方法中使用SOI晶圓基板之前，矽膜層存在於SOI晶圓基板上。 在一實施例中，用於下部罩蓋膜44之材料為非晶氮化矽。然而，其他材料可為合適的。在一實施例中，下部罩蓋膜44足夠厚以允許下部罩蓋膜44執行其功能。在一實施例中，下部罩蓋膜44之厚度為至少約1 nm，且視情況至少約2 nm。在一實施例中，下部罩蓋膜44足夠薄以使得膜總成80之包括下部罩蓋膜44的膜具有特別對於透射EUV輻射而言足夠良好的光學性質。在一實施例中，下部罩蓋膜44之厚度為至多約10 nm，且視情況至多約5 nm。在一實施例中，下部罩蓋膜44之厚度為約2.5 nm。 將下部罩蓋膜44施加至堆疊40之方法不受特別限制。在一實施例中，藉由化學氣相沈積(例如，LPCVD)在約850℃之溫度下將堆疊施加至下部罩蓋膜44。然而，在一替代實施例中，例如藉由PECVD、濺鍍法或藉由薄膜沈積法將下部罩蓋膜44施加至堆疊40。 在一實施例中，在已藉由選擇性地移除支撐基板41之至少部分而使膜層45曝光(亦即，作為製造膜總成80之最終或接近最終步驟)之後，將下部罩蓋膜44及/或上部罩蓋膜46施加至膜層45。 如圖6中所描繪，堆疊40包含膜層45。膜總成80包含自膜層45且視情況自罩蓋膜形成之膜(在膜堆疊中)。在一實施例中，膜層45包含呈其同素異形體形式中之一者的矽，諸如非晶矽、單晶矽、多晶矽或奈米晶矽。奈米晶矽意謂含有某一非晶矽含量之多晶矽矩陣。在一實施例中，多晶矽或奈米晶矽係由膜層45中之結晶非晶矽形成。舉例而言，如圖6中所描繪，在一實施例中，將膜層45作為非晶矽層添加至堆疊40。當超出某一溫度時，非晶矽層結晶成多晶矽層或奈米晶矽層。舉例而言，作為非晶矽層之膜層45變換成作為多晶矽層或奈米晶矽層之膜層45。 在一實施例中，非晶矽層在其生長期間經原位摻雜。在一實施例中，非晶矽層在其生長之後經摻雜。藉由添加p型或n型摻雜劑，矽導電性增加，此對歸因於EUV源之功率的熱力學性能具有積極影響。 在一實施例中，將膜層45施加至堆疊40之頂部表面及底部表面兩者。可在稍後製程步驟中自堆疊40之底側移除膜層45。然而，未必為此情況。在一替代實施例中，將膜層45僅施加至堆疊40之頂側。堆疊40之頂側處的膜層45變成藉由製造方法產生之膜總成80之膜中的膜層45。 在一實施例中，藉由化學氣相沈積法將膜層45施加至堆疊40。舉例而言，在一實施例中，藉由LPCVD在約560℃之溫度下施加膜層45。然而，可使用諸如PECVD、濺鍍法及薄膜沈積法之其他方法。 在一實施例中，膜層45足夠薄以使得其對EUV輻射之透射率足夠高，例如大於50%。在一實施例中，膜層45之厚度為至多約200 nm，且視情況至多約150 nm。150 nm之Si膜將透射約77%之入射EUV輻射。在一實施例中，膜層45之厚度為至多約100 nm。100 nm之Si膜將透射約84%之入射EUV輻射。60 nm之Si膜將透射約90%之入射EUV輻射。 在一實施例中，膜層45足夠厚以使得其在膜總成80固定至微影設備100之圖案化裝置MA時且在微影設備100之使用期間機械穩定。在一實施例中，膜層45之厚度為至少約10 nm，視情況至少約20 nm，且視情況至少約35 nm。在一實施例中，膜層45之厚度為約55 nm。 如圖8中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含附接基板51。膜層45係在支撐基板41與附接基板51之間。附接基板51為自撐式的，亦即，其可支撐其自身重量。附接基板51可經選擇以即使在不由任何其他主體支撐時亦留存其形狀。附接基板51不同於(例如)施加至堆疊40且採用堆疊之形狀(亦即，與堆疊共形)的材料之罩蓋層，若該層不被施加至堆疊40，則其將不支撐其自身重量。 附接基板51之材料不受特別限制。在一實施例中，附接基板51係自可(但不特別限於)使用用於蝕刻支撐基板41之同一蝕刻劑來蝕刻的材料形成。在一實施例中，附接基板41包含矽。附接基板51具有對應於支撐基板41之形狀的形狀。在一實施例中，附接基板51具有與支撐基板41之直徑類似或相同的直徑。 附接基板51之厚度不受特別限制。舉例而言，在一實施例中，附接基板51具有至少300 µm、視情況至少400 µm之厚度。在一實施例中，附接基板51具有至多1000 µm、視情況至多800 µm之厚度。在一實施例中，附接基板51具有至多600 µm、視情況至多400 µm之厚度。在一實施例中，附接基板51具有約400 µm之厚度。在一實施例中，附接基板51具有類似於支撐基板41之厚度的厚度。 附接基板51連接至支撐基板41及膜層55，使得支撐基板41與膜層55不相對於彼此移動。在一實施例中，附接基板51直接地附接至至少部分地形成膜總成80之膜的堆疊層。舉例而言，在一實施例中，附接基板51直接地附接至膜層45或上部罩蓋膜46。然而，在一替代實施例中，堆疊40包含黏著層47 (展示於圖8中)。黏著層47係在膜層45與附接基板51之間。附接基板51附接至黏著層47。 在一實施例中，該方法包含直接或間接地將附接基板51結合至膜層45以便提供包含在支撐基板41與附接基板51之間的膜層45之堆疊40。在一實施例中，直接地將附接基板51結合至膜層45。在一替代實施例中，間接地將附接基板51結合至膜層45。舉例而言，可經由諸如上部罩蓋膜46、黏著層47或另一層之中間層間接地將附接基板51結合至膜層45。在一實施例中，藉由使用晶圓結合技術將支撐基板41結合至附接基板51或中間罩蓋膜。將附接基板51附接/結合至堆疊40之其餘部分的方法不受特別限制。舉例而言，可使用自半導體行業已知之任何晶圓結合法來附接附接基板51以形成堆疊40。 在一實施例中，對支撐基板41及/或附接基板51拋光。堆疊40具有頂側及底側。頂側被描繪於圖中之堆疊40的頂部處。底側被描繪於圖中之堆疊40的底部處。在一實施例中，在頂側及底側兩者處對支撐基板41拋光。然而，未必為此情況。在一實施例中，在頂側及底側中之僅一者上對支撐基板41拋光。在一實施例中，藉由研磨及或拋光或其他薄化方法使支撐基板41薄化。 如圖9中所描繪，在一實施例中，用於製造膜總成80之方法包含自堆疊40之底側移除膜層45。在一實施例中，自堆疊40之底側移除膜層45的步驟進一步包含自堆疊40之底側移除下部犧牲層43、下部罩蓋膜44、上部罩蓋膜46及/或黏著層47。當然，若根本不提供此等層中之一或多者或此等層中之一或多者未被提供至堆疊40之底側，則自堆疊40之底側移除層的步驟並非必需的。 在一實施例中，藉由蝕刻製程(例如，乾式蝕刻製程)執行自堆疊40之底側移除膜層45的步驟。在一實施例中，乾式蝕刻製程包含將膜層45曝光於離子轟擊，離子轟擊使膜層45之部分自經曝光表面位移。在一實施例中，離子係來自電漿，諸如，碳氟化合物，例如四氟化碳(CF4 )。如圖9中所描繪，當已在堆疊40之底面處達至支撐基板41之氧化層42時，乾式蝕刻製程終止。若在堆疊40之底側處不存在氧化層42，則在已在堆疊40之底側處達至支撐基板41時，乾式蝕刻製程終止。 如圖10中所描繪，在一實施例中，用於製造膜總成80之方法包含自堆疊40之底側移除氧化層42。在一實施例中，使用濕式蝕刻製程來移除氧化層42。舉例而言，在一實施例中，蝕刻劑可為濕式蝕刻劑，諸如緩衝氧化物蝕刻。當在堆疊40之底面處使支撐基板41之非氧化層曝露時終止蝕刻製程。 如圖15中所描繪，在一實施例中，支撐基板41包含內部區71及第一邊界區72。邊界區72係環繞內部區71。內部區71及邊界區72係在支撐基板41之平面中。在一實施例中，邊界區72在支撐基板41之平面中圍繞內部區71。 如圖16中所描繪，在一實施例中，用於製造膜總成80之方法包含處理堆疊40之步驟，包括選擇性地移除支撐基板41之內部區71，以形成膜總成80。舉例而言，選擇性移除可包含蝕刻支撐基板41。支撐基板41之部分形成膜總成80之支撐件81 (展示於圖19中)。支撐件81固持膜總成80之膜。支撐件81至少部分地由支撐基板41形成。支撐件81可被稱作膜總成載體。支撐件81至少部分地自支撐基板41之邊界區72形成。 如圖11中所描繪，在一實施例中，選擇性地移除支撐基板41之內部區71的步驟包含至少在堆疊40之底部表面處形成蝕刻光罩層56。在一實施例中，將蝕刻光罩層56施加至堆疊40之頂部及底部兩者。在一實施例中，蝕刻光罩層56對應於支撐基板41之邊界區72。在一實施例中，選擇性地移除支撐基板41之內部區71的步驟包含各向異性地蝕刻支撐基板41之內部區71。 蝕刻光罩層56被用作用於自堆疊40之底側蝕刻支撐基板41之製程的蝕刻障壁。在一實施例中，藉由最初用蝕刻光罩層56覆蓋堆疊40之頂部表面及底部表面兩者來提供蝕刻光罩層56。 在一實施例中，蝕刻光罩層56包含非晶氮化矽(例如，a-Si3 N4 或SiN)。蝕刻光罩層56對用於選擇性地移除支撐基板41之內部區71的構件(例如，若經由濕式蝕刻完成，則對蝕刻溶液)具抗性。 在一實施例中，該方法包含選擇性地移除蝕刻光罩層56。如圖12中所描繪，在一實施例中，選擇性地移除蝕刻光罩層56之步驟包含將光阻層57施加至堆疊40之頂側及底側。在一實施例中，光阻層57具有約3 µm之厚度。在一實施例中，藉由噴塗法施加光阻層57。光阻層57經組態以保護堆疊40免受用於選擇性地移除蝕刻光罩層56之蝕刻製程。 如圖13中所描繪，在一實施例中，選擇性地移除蝕刻光罩層56之步驟包含曝光光阻層57之所選擇區(例如，對應於支撐基板41之內部區71)。此曝光製程經組態以界定膜總成區域。在一實施例中，可界定多個膜總成區域以用於單一支撐基板。單一支撐基板41可用於形成多個膜總成80。 如圖13中所描繪，在一實施例中，提供曝光光罩60以便將經輻射之光圖案化至光阻層57上。曝光光罩60包含光罩開口61。光罩開口61界定將對應於支撐基板41之內部區71的區或區域。支撐基板41之內部區71對應於膜總成80中具有膜而無支撐件81的UV輻射可透射通過之區。 如圖13中所描繪，提供輻射源62。輻射源62通過曝光光罩60之光罩開口61輻照光阻層57。如圖13中所展示形成光阻層57之經曝光區55。 如圖13中所描繪，在一實施例中，該方法包含移除光阻層57之經曝光區55。在一實施例中，使經曝光區55溶解。應注意，在選擇性地移除蝕刻光罩層56之製程中，可使用正型光罩或負型光罩。 如圖13中所描繪，在一實施例中，該方法包含在對應於移除(例如，溶解)經曝光區55處之區中蝕刻蝕刻光罩層56。當移除經曝光區時，在其地點產生蝕刻開口。在對應於蝕刻開口之區中移除蝕刻光罩層56。蝕刻開口延伸至自堆疊40移除蝕刻光罩層56之區中。在一實施例中，該方法包含對蝕刻光罩層56進行乾式蝕刻。 如上文所描述，在一實施例中，使用微影製程及乾式蝕刻製程來使堆疊40結構化。或者，在一實施例中，使用替代結構化方法來使堆疊40之表面結構化。圖14描繪在經曝光區域之顯影及蝕刻之後的堆疊40。 如圖15中所描繪，在一實施例中，用於製造膜總成80之方法包含移除光阻層57。在已完成選擇性地移除蝕刻光罩層56之步驟之後，不再需要光阻層57。可移除光阻層57，使得其不干擾後續製程步驟。 圖16至圖18示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造用於EUV微影之膜總成80之方法的階段。在一實施例中，使用諸如KOH之濕式蝕刻劑來選擇性地移除支撐基板41之內部區71。因此，在一實施例中，蝕刻光罩層56對濕式蝕刻劑具化學抗性。可使用其他濕式蝕刻劑，諸如TMAH (四甲基銨氫氧化物)及EDP (乙二胺及鄰苯二酚之水溶液)。 圖16展示在選擇性地移除支撐基板41之內部區71之步驟之後的堆疊40。氧化層42保護膜免受濕式蝕刻步驟。 選擇性地移除支撐基板41之內部區71的步驟可導致膜總成80在其製造期間受損。在製造方法之此階段，堆疊40特別薄。當選擇性地移除支撐基板41之內部區71時，堆疊40包含極薄部分(其中已移除內部區71)與薄部分(對應於其中尚未移除支撐基板41之邊界區72的支撐件81)之混合物。此可導致堆疊40上之機械應力。堆疊40有可能斷裂，或以其他方式不合需要地受損。 藉由規定堆疊40包含附接基板51，當使用濕式蝕刻劑來選擇性地移除支撐基板41之內部區71時，不必向堆疊40提供其他機械保護。藉由提供附接基板51，在選擇性地移除支撐基板41之內部區71的步驟期間，附接基板51機械保護堆疊40。 作為一比較實例，在蝕刻支撐基板41之步驟期間可使用機械保護材料向堆疊40提供機械保護(針對整個堆疊表面或局部地)。若此類機械保護材料作為層添加至堆疊40，則在後期必須自堆疊40移除機械保護材料層。可使用諸如氧化物質之移除物質來移除機械保護材料。然而，若使用移除物質來移除機械保護材料，則膜總成80之膜可受損而較不均勻。舉例而言，上部罩蓋膜46或膜層45之氧化可將氧原子添加至膜，使得膜在一些位置變得較厚。此氧化將增加EUV輻射之吸收率。 藉由提供附接基板51，預期膜總成80之膜更均勻且具有更可控形狀。此係因為不需要使用移除物質來移除機械保護材料之步驟。預期此改良膜總成80之成像性質(例如減少EUV輻射之吸收程度)，且使得膜總成更均勻。 在一實施例中，用於蝕刻支撐基板41之內部區71的蝕刻劑為KOH。在KOH蝕刻製程期間提供機械保護層之缺點在於，其難以移除。在使用諸如氧化物質之移除物質移除機械保護層之情況下，膜總成80之功能性降級。在一實施例中，在處理中不需要機械保護層。預期本發明之一實施例達成規避氧化物質對膜總成80之影響。此係因為不再需要機械保護層。與使用已知製程來製造之膜總成相比，此產生品質更佳、更可再生且更均勻的膜總成80。 如圖17中所描繪，藉由任何適合方法移除鄰近於膜而存在之任何層，諸如，氧化層42。因此，膜被釋放。 如圖17中所描繪，在一實施例中，堆疊40包含下部犧牲層43及/或黏著層47。在存在於膜之底部之任何層(諸如，支撐基板41之氧化層42)的選擇性移除期間，下部犧牲層43及/或黏著層47保護膜層45及任何罩蓋膜。 圖18示意性地描繪在(例如)藉由蝕刻移除氧化層42、下部犧牲層43、氧化層52及黏著層47之步驟之後的堆疊40。 在一實施例中，用於製造膜總成80之方法包含選擇性地移除支撐基板41之內部區71。因此，膜總成80包含自膜層45形成之膜及固持該膜之支撐件81。支撐件81係自支撐基板41之邊界區72形成。 支撐件81改良膜總成80之膜的機械穩定性。此使得較易於在膜總成80不受損之情況下封裝及輸送膜總成80。此亦使得較易於在膜總成80不受損之情況下藉由框架將膜總成80附接至圖案化裝置MA。 在一實施例中，膜總成80之支撐件81經組態以連接至框架，框架將膜總成80連接至圖案化裝置MA。框架無需直接地附接至膜總成80之膜。框架可附接至膜總成80之支撐件81。此減小膜總成80之膜在將膜總成80裝設至圖案化裝置MA之製程期間受損的可能性。 如圖15中所描繪，在一實施例中，附接基板51包含覆蓋區91及第二邊界區92。在一實施例中，處理堆疊40之步驟包括移除至少附接基板51之覆蓋區91。 如自圖15至圖16之轉變中所描繪，在一實施例中，處理堆疊40之步驟包括選擇性地移除附接基板51之覆蓋區91，使得附接基板51之第二邊界區92保留在適當位置。如圖15中所描繪，在一實施例中，當在平面圖中檢視時，附接基板51之覆蓋區91實質上對應於支撐基板區41之內部區71。平面圖意謂在垂直於支撐基板41之平面的方向上檢視堆疊40。 然而，附接基板51之覆蓋區91不必在形狀上對應於支撐基板41之內部區71。覆蓋區91之形狀/圖案不受特別限制。如圖18及圖19中所展示，在選擇性地移除覆蓋區91之步驟之後保留的第二邊界區92形成支撐件81之部分。形成膜總成80之支撐件81之部分的第二邊界區92改良支撐件81之機械穩定性。 在一實施例中，同時執行支撐基板41之內部區71的選擇性移除及至少附接基板51之覆蓋區91的移除。可在同一處理步驟中(例如)使用同一蝕刻劑來移除內部區71及覆蓋區91。因此，不必在選擇性地移除支撐基板41之內部區71的步驟期間提供移除將機械穩定性提供至堆疊40的附接基板51之額外製程步驟。預期本發明之一實施例達成製造膜總成80所花費之時間的減少。 在一實施例中，使用蝕刻劑來執行支撐基板之內部區71的選擇性移除。在一實施例中，使用同一蝕刻劑來執行至少附接基板51之覆蓋區91的移除。因此，不必提供不同蝕刻劑以移除支撐基板41之內部區71及附接基板51。因此，預期本發明之一實施例達成製造膜總成80之成本的減少。 在一實施例中，支撐基板41具有一化學組成物，且附接基板51具有同一化學組成物。因此，可使用同一蝕刻劑來移除支撐基板41及附接基板51之部分。 在一實施例中，附接基板51之平均厚度在支撐基板41之平均厚度的20%以內(視情況在10%以內)。在一實施例中，附接基板51與支撐基板41之平均厚度實質上相同。然而，厚度不必相同。若厚度相同，則完全蝕刻穿附接基板51將花費之時間與支撐基板41大致相同。然而，此並非必要的，因為可提供諸如氧化層42、52之層以在附接基板51或支撐基板41之全部厚度已被蝕刻之後終止蝕刻製程。 藉由規定選擇性地移除附接基板51之覆蓋區91 (保留第二邊界區92)，附接基板51之厚度促成膜總成80中之支撐件81的總厚度。此展示於圖19中。因此，在不減少支撐件81或膜總成80之機械穩定性的情況下，支撐基板41及附接基板51之厚度可減小。 在製造程序期間在膜堆疊(其變成膜總成80之膜)中產生預張力(pre-tension)，使得膜總成80之膜在使用期間將平直且平坦。若不施加預張力，則膜可不合需要地鬆弛或起皺(起皺亦導致非均勻膜厚度)。疏鬆或非均勻厚度膜可具有較不良成像性質。然而，若預張力過高，則膜可為脆性的且更易於斷裂。因此，需要將在堆疊40之製造程序中的預張力控制在目標範圍內。 在一實施例中，第二邊界區92有助於維持施加至膜總成80之膜的預張力。 在一實施例中，支撐基板41之平均厚度與附接基板51之平均厚度的總和為至少700 µm。藉由規定平均厚度之總和為至少700 µm，支撐件81具有良好穩定性，從而提供維持任何預張力之相對穩固的膜總成80。 使用薄基板(400 µm)可致使基板歸因於所引入之應力而彎折/彎曲，從而導致晶圓結合製程中之可能問題。為了規避此類彎折，在一實施例中，將支撐基板41選擇為具有標準晶圓厚度(諸如，720 µm)之晶圓。層之堆疊沈積於支撐基板41上。使用較薄(諸如，400 µm厚)附接基板51執行晶圓結合。在晶圓結合步驟之後，亦可使用標準晶圓薄化製程(諸如，研磨、蝕刻或其他標準晶圓薄化方法)將支撐基板41薄化至400 µm。經結合基板41及51之進一步處理步驟可與本文中所進一步描述之內容相同。 在一實施例中，提供一種用於製造用於微影設備之膜總成的方法，該方法包含：向支撐基板41提供膜層，支撐基板41具有至少600 µm、較佳至少700 µm之平均厚度；將具有小於500 µm之平均厚度的附接基板51晶圓結合至提供有膜層之支撐基板41以形成堆疊，其中膜層囊封於支撐基板41與附接基板51之間；及隨後將結合至附接基板51之支撐基板41薄化，使支撐基板41之平均厚度小於500 µm。 較佳地，支撐基板41之厚度與附接基板51之厚度實質上相同，以便形成實質上對稱的堆疊，此係由於以此類方式，其將在後續處理步驟中提供更短且更高效的基板蝕刻製程。本文中之「實質上相同」意謂支撐基板41之厚度與附接基板51之厚度可略有不同，例如，支撐基板41之平均厚度可比附接基板51之平均厚度大多達20%，較佳多達10%，且更佳多達5%。相反地，支撐基板41之平均厚度亦可比附接基板51之平均厚度小。 在一實施例中，支撐基板41之平均厚度為至多500 µm，視情況400 µm。在一實施例中，附接基板51之平均厚度為至多500 µm，視情況400 µm。藉由提供各自具有至多500 µm (例如，400 µm)之厚度的兩個基板，蝕刻穿基板之時間減少。因此，選擇性地移除支撐基板41之內部區71 (及附接基板51之覆蓋區91)之製程所需的時間週期減小。預期本發明之一實施例達成製造膜總成80所花費之時間的減少。 然而，附接基板51之第二邊界區92不必形成膜總成80中之支撐件81之部分。在一實施例中，移除附接基板51之第二邊界區92連同覆蓋區91。 如上文所提及，在一實施例中，堆疊包含在支撐基板41與膜層45之間的下部罩蓋膜44。下部罩蓋膜44形成膜總成80之膜之部分。另外，在一實施例中，堆疊40包含在膜層45與附接基板51之間的上部罩蓋膜46，其中上部罩蓋膜46形成膜總成80之膜之部分。然而，未必為此情況。 在一實施例中，堆疊40不包含下部罩蓋膜44或上部罩蓋膜46。作為替代方案，在製程流程結束時，可將下部罩蓋膜44及/或上部罩蓋膜46施加至膜層45。此允許膜之罩蓋之組合及在最後製程步驟中之一者處添加發射層之功能性。 詳言之，在一實施例中，該方法包含將下部(亦即，底部)罩蓋膜44施加至在支撐基板41之內部區71的選擇性移除之後被曝露的膜層45之表面，使得下部罩蓋膜44形成膜總成80之膜之部分。類似地，在一實施例中，該方法包含將上部(亦即，頂部)罩蓋膜46施加至在至少附接基板51之覆蓋區91的移除之後被曝露的膜層45之表面，使得上部罩蓋膜46形成膜總成80之膜之部分。在一實施例中，膜(或膜堆疊)包含三個層，即膜層45、下部罩蓋膜44及上部罩蓋膜46。然而，膜不必包含三個層。舉例而言，在一實施例中，膜僅包含一個層，即膜層45。在一實施例中，膜包含兩個、四個或五個層(亦即，為膜堆疊)。 圖20至圖29描繪製造膜總成80之替代方法的製程步驟。圖20接續圖11中所展示之步驟。如圖20中所描繪，在一實施例中，自堆疊40之頂側移除蝕刻光罩層56。因此，在選擇性地移除支撐基板41之內部區71的步驟期間，蝕刻光罩層56不保護附接基板51。 如圖21中所描繪，在一實施例中，該方法包含將光阻層57施加至堆疊40之頂側而非堆疊40之底側。堆疊40之頂側對應於附接基板51所定位之處。堆疊40之底側對應於支撐基板41所定位之處。 如圖22中所描繪，隨後將光阻層57施加至堆疊40之底側。因此，在一實施例中，作為雙階段製程執行施加光阻層57之步驟。在一個階段中，將光阻層施加至堆疊40之不由蝕刻光罩層56覆蓋的部分。在後續階段中，將光阻層57施加至蝕刻光罩層56之表面。 圖23中所展示之步驟對應於圖13中所展示之步驟。在曝光步驟期間，可使用箔光罩來界定將變成膜總成80之膜的區域。將不進一步詳細描述此步驟，因為其類似於關於圖13所描述之步驟。 圖24及圖25對應於圖14中所展示之階段。詳言之，如圖24中所展示顯影經曝光區域，且隨後如圖25中所展示蝕刻蝕刻光罩層56。此處將不進一步詳細描述此等製程，因為其類似於結合以上圖13及圖14所描述之製程。 如圖26中所描繪，隨後移除光阻層57，如上文結合圖15所描述。將光阻層57僅施加至堆疊40之頂側，使得僅有必要自堆疊40之頂側移除光阻層57。 圖27展示在選擇性地移除支撐基板41之內部區71之製程之後的堆疊40。如圖27中所展示，在蝕刻步驟期間已移除附接基板51之非氧化層之整體。詳言之，已移除附接基板51之覆蓋區91及第二邊界區92兩者。因此，附接基板51不形成膜總成之支撐件81之部分。在一實施例中，支撐基板41之平均厚度為至少700 µm，使得附接基板51不必形成支撐件81之部分。單獨的支撐基板41可將足夠的機械強度提供至膜總成80之支撐件81。 如圖28中所描繪，在一實施例中，該方法包含將光阻58施加至堆疊40。施加光阻58以將剛度添加至堆疊40。此在選擇性地移除氧化層42、52的步驟期間係有幫助的。施加光阻58之步驟同樣適用於本發明之任何實施例。 如圖29中所描繪，在一實施例中，該方法包含自堆疊40移除光阻58，以便產生膜總成80。 圖19示意性地描繪經完成膜總成80。膜總成80包含膜層45，膜層45形成膜之至少部分。膜總成包含對膜提供機械支撐之支撐件81。在一實施例中，膜總成80進一步包含邊緣部分82。在一實施例中，該方法包含使膜層45在支撐件81與邊緣部分82之間斷裂，以便將支撐件81以及膜與邊緣部分82分離。 在一實施例中，膜總成80被應用為護膜或動態氣鎖之部分。或者，膜總成80可應用於諸如識別之其他濾光區域中，或應用於光束分光器。藉此產生圖34中所展示之膜總成80。 圖30至圖45示意性地描繪根據一替代實施例之製造膜總成之方法的階段。在此類型之實施例中，在支撐基板41之內部區71的選擇性移除之前，支撐基板41進一步包含環繞第一邊界區72之第一橋接區73及環繞第一橋接區73之第一邊緣區74 (參見(例如)圖33)。堆疊40之處理包括選擇性地移除第一橋接區73之第一部分73A以形成第一橋接器。堆疊40之處理進一步包含藉由切割第一橋接器或使第一橋接器斷裂而將第一邊緣區74與膜總成80分離。在一實施例中，在移除附接基板51之覆蓋區91之前，附接基板51包含覆蓋區91、環繞覆蓋區91之第二邊界區92、環繞第二邊界區92之第二橋接區93及環繞第二橋接區93之第二邊緣區94 (參見(例如)圖33)。堆疊之處理包括選擇性地移除第二橋接區93之第一部分93A以形成第二橋接器。堆疊之處理進一步包含藉由切割第二橋接器或使第二橋接器斷裂而將第二邊緣區94與膜總成80分離。在一實施例中，與第二橋接器之切割或斷裂同時地執行第一橋接器之切割或斷裂。 在一實施例中，如圖30中所展示，自支撐基板41開始，形成堆疊40。與圖7中所展示且上文所描述之堆疊40形成對比，支撐基板41不展示為具有氧化層42，但可視需要提供此層。舉例而言，下文所論述之下部蝕刻障壁144可包含此氧化層。堆疊40包含下部罩蓋膜44、膜層45及上部罩蓋膜46。下部罩蓋膜44、膜層45及上部罩蓋膜46可以上文參看圖1至圖29之實施例中之任一者所描述的方式中之任一者加以組態。堆疊40包含下部蝕刻障壁144及上部蝕刻障壁146。在一實施例中，下部蝕刻障壁144可包含上文參看圖1至圖29之實施例所描述之氧化層42及犧牲層43中的任一者或兩者或由氧化層42及犧牲層43中的任一者或兩者組成。下部蝕刻障壁144可包含其他層。 在一實施例中，上部蝕刻障壁146提供於膜層45之上。視情況，上部蝕刻障壁146係在膜層45之上且與膜層45接觸，或在提供上部罩蓋膜46之情況下在上部罩蓋膜46之上且與上部罩蓋膜46接觸。在一實施例中，下部蝕刻障壁144提供於膜層45之下。視情況，下部蝕刻障壁144係在膜層45之下且與膜層45接觸，或在提供下部罩蓋膜44之情況下在下部罩蓋膜44之下且與下部罩蓋膜44接觸。在提供上部蝕刻障壁146及下部蝕刻障壁144兩者之情況下，在膜總成80之處理期間至少移除一同將膜層45之一部分夾在中間的上部蝕刻障壁146之一部分及下部蝕刻障壁144之一部分，以釋放膜層45且形成膜。在僅提供上部蝕刻障壁146及下部蝕刻障壁144中之一者的情況下，所提供之上部蝕刻障壁146或下部蝕刻障壁144之至少一部分將在處理期間被移除以釋放膜層45且形成膜。 在一實施例中，上部蝕刻障壁146及下部蝕刻障壁144各自經組態以將實質上相同的張力或壓縮力施加至膜層45。 在一實施例中，上部蝕刻障壁146之厚度的至少50% (視情況至少80%，視情況至少90%，視情況至少95%，視情況至少98%，視情況至少99%)具有分別與下部蝕刻障壁144之厚度的至少50% (視情況至少80%，視情況至少90%，視情況至少95%，視情況至少98%，視情況至少99%)相同的化學組成物。在一實施例中，上部蝕刻障壁146之厚度與下部蝕刻障壁144之厚度相差小於50% (視情況小於20%，視情況小於10%，視情況小於5%，視情況小於2%，視情況小於1%)。膜層45因此由上部蝕刻障壁146及下部蝕刻障壁144對稱地支撐。 對稱地支撐至少一個膜層45確保將相同或相似的張力或壓縮力施加至膜層45之每一側。膜層45歸因於不平衡力之扭曲減少。另外，在80%或更多之下部蝕刻障壁144及上部蝕刻障壁146包含正矽酸四乙酯(TEOS)的情況下，如以下特定實例之上下文中所描述，與替代材料(諸如，熱氧化物)相比，所施加之力將包含低得多的壓縮力，或可甚至包含張力。較低壓縮力或張力減少膜層45中之皺紋或蓬鬆紋理，皺紋或蓬鬆紋理可以其他方式在釋放膜層45之後出現。良率可因此增大。 在一實施例中，上部蝕刻障壁146包含不同組成物之複數個層。在一實施例中，複數個層中之最厚層包含使用LPCVD或PECVD來形成之正矽酸四乙酯(TEOS)。在一實施例中，下部蝕刻障壁144包含不同組成物之複數個層。在一實施例中，複數個層中之最厚層包含使用LPCVD或PECVD來形成之正矽酸四乙酯(TEOS)。 在一實施例中，下部蝕刻障壁144按順序包含第一下部蝕刻障壁層、第二下部蝕刻障壁層及第三下部蝕刻障壁層。第一下部蝕刻障壁層最靠近支撐基板41。在一實施例中，第一下部蝕刻障壁層比第二下部蝕刻障壁層及第三下部蝕刻障壁層薄，且經組態以充當對抗移除製程(例如，KOH或TMAH (四甲基銨氫氧化物)蝕刻)之蝕刻終止層以用於移除支撐基板41之區。在一實施例中，第一下部蝕刻障壁層包含氮化矽。可(例如)使用LPCVD在750℃至900℃之範圍內的溫度下(例如，在850℃下)形成氮化矽層。或者，可使用PECVD來形成氮化矽層。在一實施例中，氮化矽層具有大致2 nm至10 nm之厚度。在一實施例中，第二下部蝕刻障壁層包含正矽酸四乙酯(TEOS)層。可(例如)使用LPCVD在725℃下或使用PECVD來形成TEOS層。在一實施例中，TEOS層具有大致500 nm之厚度。在一實施例中，第三下部蝕刻障壁層為犧牲層。在一實施例中，選擇第三下部蝕刻障壁層之組成物，使得選擇性蝕刻可移除該下部蝕刻障壁層而不移除膜層45之下部罩蓋膜44。在一實施例中，第三下部蝕刻障壁層包含非晶矽層。在一實施例中，使用LPCVD在約500℃至620℃之範圍內的溫度下(例如，在約560℃下)形成非晶矽層。或者，使用PECVD來形成非晶矽層。在一實施例中，第三下部蝕刻障壁層為大致30 nm厚。 在一實施例中，上部蝕刻障壁146包含第一上部蝕刻障壁層及第二上部蝕刻障壁層。第一上部蝕刻障壁層最靠近膜層45。在一實施例中，第一上部蝕刻障壁層為犧牲層。在一實施例中，選擇第一上部蝕刻障壁層之組成物，使得選擇性蝕刻可移除第一上部蝕刻障壁層而不移除上部罩蓋層46。在一實施例中，第一上部蝕刻障壁層包含非晶矽層。在一實施例中，使用LPCVD在約500℃至620℃之範圍內的溫度下(例如，在560℃下)形成非晶矽層。或者，使用PECVD來形成非晶矽層。在一實施例中，第一上部蝕刻障壁層為大致30 nm厚。在一實施例中，定位於第一上部蝕刻障壁層之頂部上的第二上部蝕刻障壁層包含TEOS。可(例如)使用LPCVD在725℃下或使用PECVD來形成TEOS。在一實施例中，第二上部蝕刻障壁層具有大致500 nm之厚度。視情況，可提供第三上部蝕刻障壁層，其具有與下部蝕刻障壁144之第一下部蝕刻障壁層相同的組成物，使得上部蝕刻障壁146與下部蝕刻障壁144完全對稱。 在後續步驟中，如上文所展示將附接基板51添加至堆疊40。附接基板51可以上文參看圖1至圖29所描述的方式中之任一者加以組態。附接基板51可晶圓結合至圖30之堆疊40以形成圖31之堆疊40。可提供黏著層(未圖示)。(例如)可使用自半導體行業已知之任何晶圓結合方法來附接附接基板51以形成堆疊40。 在一實施例中，在附接基板51周圍提供附接基板犧牲層151。附接基板犧牲層151可為以與圖8中所展示之氧化層52相同或類似之方式組態的氧化層，或附接基板犧牲層151可具有不同組成物。 (例如)藉由對底側拋光而處理圖31之堆疊40，以移除上部蝕刻障壁146、上部罩蓋膜46、膜層45、下部罩蓋膜44及下部蝕刻障壁144。隨後藉由蝕刻光罩層56塗佈堆疊40以提供圖32中所展示之堆疊40。 選擇性地移除蝕刻光罩層56以提供圖33中所展示之堆疊40。可使用上文參看圖13及圖14所描述之處理來執行選擇性移除。蝕刻光罩層56中之開口曝露支撐基板41及附接基板51之待選擇性地移除之區。如點鏈線所指示，支撐基板41包含內部區71、環繞內部區71 (例如，圍繞內部區71)之第一邊界區72、環繞第一邊界區72 (例如，圍繞第一邊界區72)之第一橋接區73，及環繞第一橋接區73 (例如，圍繞第一橋接區73)之第一邊緣區74。附接基板51包含覆蓋區91、環繞覆蓋區91 (例如，圍繞覆蓋區91)之第二邊界區92、環繞第二邊界區92 (例如，圍繞第二邊界區92)之第二橋接區93，及環繞第二橋接區93 (例如，圍繞第二橋接區93)之第二邊緣區94。在蝕刻光罩層56之選擇性移除之後，第一橋接區73、內部區71、第二橋接區93及覆蓋區91不受蝕刻光罩層56保護。 處理圖33之堆疊40以選擇性地移除支撐基板41及附接基板51之不受蝕刻光罩層56保護的部分。可(例如)如上文參看圖16所描述使用諸如KOH之濕式蝕刻劑來執行處理。選擇性地移除支撐基板41中之內部區71及第一橋接區73之第一部分73A。選擇性地移除附接基板51中之覆蓋區91及第二橋接區93之第一部分93A。第一橋接區73之第二部分73B留下且形成第一橋接器。第二橋接區93之第二部分93B留下且形成第二橋接器。第一橋接器將第一邊緣區74連接至第一邊緣區74內之支撐基板41之剩餘部分。第二橋接器將第二邊緣區94連接至第二邊緣區94內之附接基板51之剩餘部分。 使用任何適合製程來移除下部蝕刻障壁144在膜層45下方之一部分以提供圖35之膜總成80。 移除蝕刻光罩層56之剩餘部分、附接基板犧牲層151及上部蝕刻障壁146在膜層45之上的一部分以釋放膜且提供圖36之膜總成80。 隨後處理膜總成80以形成圖37中所展示之膜總成。處理包含將第一邊緣區74及第二邊緣區94以及形成於其上之層與膜總成80分離。此處理可被稱作分割。處理係藉由切割第一橋接器及第二橋接器中之任一者或兩者或使第一橋接器及第二橋接器中之任一者或兩者斷裂而達成。 在一實施例中，藉由將機械應力施加至膜總成80而使第一橋接器及第二橋接器斷裂。在一替代實施例中，藉由使用雷射割穿橋接器來使橋接器斷裂。可使用碎屑移除工具(有時被稱作薄片移除工具)來移除在第一橋接器及第二橋接器中之任一者或兩者之斷裂期間產生的任何碎屑或薄片。碎屑移除工具可(例如)在斷裂期間施加吸力。 本發明人已發現，使用以下各者中之任一者或兩者來形成膜總成80減少膜總成80之邊緣處的脆弱性且減少或避免碎屑或薄片之產生：1)第一橋接器，在第一橋接器中支撐基板41不被完全蝕刻穿(例如，使得橋接區73之第二部分73B保留)；及2)第二橋接器，在第二橋接器中附接基板51不被完全蝕刻穿(例如，使得第二橋接區93之第二部分93B保留)。據信，脆弱性之減少係關於減少支撐基板41、附接基板5或此兩者之材料的薄化，其中支撐基板41、附接基板51或此兩者之側表面接合最靠近膜層45之表面。蝕刻趨向於相對於垂直方向以傾斜角(例如，約54度)進展。當允許蝕刻完全進展通過基板時，在側表面接合平坦表面之處，傾斜角提供薄的楔形形狀。在基板不被完全蝕刻穿之情況下，減少或避免此薄化。舉例而言，在第一橋接器或第二橋接器之斷裂涉及沿幾乎垂直的線分裂之情況下，側表面以大致90度接合最靠近膜層45之表面，且不發生薄化(除了與第一橋接區73之第一部分73A的移除及第二橋接區93之第一部分93A的移除相關聯之薄化以外)。 圖38至圖45示意性地描繪根據一實施例之製造膜總成之方法的階段。此實施例為上文參看圖30至圖37所論述之實施例的變型。除了以下以外，對應於圖38至圖45之處理步驟與對應於圖30至圖37之處理步驟相同。首先，與圖30之堆疊40相比，圖38之堆疊40另外包含環繞支撐基板41之支撐基板犧牲層141。其次，省去藉由蝕刻光罩層56塗佈之步驟。因此，圖40之堆疊40不同於圖32之堆疊40，此係因為蝕刻光罩層56被省去。隨後，替代選擇性地移除蝕刻光罩層56 (如上文參看圖33所描述)，在本實施例中，選擇性地移除附接基板犧牲層151及支撐基板犧牲層141以提供圖41中所展示之堆疊。附接基板犧牲層151及支撐基板犧牲層141中之開口曝露支撐基板41及附接基板51之待選擇性地移除之區。後續處理接著如上文參看圖34至圖37所描述接續，除了歸因於在膜層45之上及之下的層之對稱性，並不需要自圖34轉變成圖36之兩個分開步驟，僅需要在圖42與圖43之間轉變的單一步驟之外。此步驟包含移除附接基板犧牲層151及上部蝕刻障壁146在膜層45之上的一部分及移除支撐基板犧牲層141及下部蝕刻障壁144在膜層45之下的一部分。自圖43之配置，可如上文參看圖37所描述處理膜總成80以提供圖45之膜總成80。替代製程流程為在移除附接基板犧牲層151及上部蝕刻障壁146在膜層45之上的部分及支撐基板犧牲層141及下部蝕刻障壁144在膜層45之下的部分之前分割圖42之膜總成80，以提供圖44之膜總成80。在已完成所有處理之後，在分割期間產生之碎屑較不可能存在於膜上，此係因為在分割期間膜層45覆蓋有其他層。隨後處理膜總成80以移除附接基板犧牲層151及上部蝕刻障壁146在膜層45之上的部分及支撐基板犧牲層141及下部蝕刻障壁144在膜層45之下的部分，以提供圖45之膜總成80。相對於圖30至圖37之實施例，圖38至圖45之實施例改良環繞膜層45之層的對稱性。附接基板犧牲層151及上部蝕刻障壁146存在於膜層45之一側上。支撐基板犧牲層141及下部蝕刻障壁144存在於膜層45之另一側上。附接基板犧牲層151可具有與支撐基板犧牲層141相同的組成物及/或厚度。另外或替代地，上部蝕刻障壁146可具有與下部蝕刻障壁144相同的組成物及/或厚度。如上文所描述，對稱地支撐膜層45理想地確保將相同或相似的張力或壓縮力施加至膜層45之每一側。 在上文所描述之所有實施例中，在膜總成80之分割之前執行支撐基板41及附接基板51之選擇性移除。此並非必需的。下文參看圖46至圖52論述較早執行分割之實施例。較早分割降低在已完成所有處理之後藉由分割產生之碎屑存在於膜層45上的風險。 在一實施例中，支撐基板41包含環繞第一邊界區73之第一邊緣區74。堆疊40之處理包括在選擇性地移除支撐基板41之內部區71之前將第一邊緣區74及形成於第一邊緣區74上之層與膜總成80分離。在一實施例中，附接基板51包含覆蓋區91、環繞覆蓋區91之第二邊界區92及環繞第二邊界區92之第二邊緣區94。堆疊40之處理包括在移除附接基板51之覆蓋區91之前將第二邊緣區94及形成於第二邊緣區94上之層與膜總成80分離。 在一實施例中，與第二邊緣區94及形成於第二邊緣區94上之層的分離同時地執行第一邊緣區74及形成於第一邊緣區74上之層的分離。 在一實施例中，自圖33之堆疊40開始，分割堆疊40以提供圖46中所展示之堆疊40。選擇性地移除內部區71及覆蓋區91以提供圖47中所展示之膜總成80。例如可使用類似於用於自圖33中所展示之膜總成80提供圖34中所展示之膜總成80之處理的處理。 類似於上文參看圖35至圖36所描述之處理而進一步處理膜總成80，以提供圖48及圖49之膜總成80。移除下部蝕刻障壁144、上部蝕刻障壁146及附接基板犧牲層151，藉此釋放膜層45。 在一替代實施例中，自圖41之堆疊40開始，分割堆疊40以提供圖50中所展示之堆疊40。隨後選擇性地移除內部區71及覆蓋區91以提供圖51中所展示之膜總成80。在後續步驟中，移除支撐基板犧牲層141、下部蝕刻障壁144、上部蝕刻障壁146及附接基板犧牲層151以提供圖52中所展示之膜總成80。此實施例獲益於上文參看圖38至圖45所論述之環繞膜層45之層的經改良對稱性。 儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等等。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(track) (通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、計量工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可多於一次地處理基板，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層之基板。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述不同之其他方式來實踐本發明。舉例而言，各種光阻層可由執行同一功能之非光阻層替換。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍及條項之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。 1.  一種用於製造用於EUV微影之一膜總成之方法，該方法包含： 提供一堆疊，該堆疊包含在一支撐基板與一附接基板之間的一膜層，其中該支撐基板包含一內部區及一第一邊界區； 處理該堆疊，包括選擇性地移除該支撐基板之該內部區，以形成一膜總成，該膜總成包含： 一膜，其由至少該膜層形成；及 一支撐件，其固持該膜，該支撐件至少部分地自該支撐基板之該第一邊界區形成。 2.  如條項1之方法，其包含： 直接或間接地將該附接基板結合至該膜層，以便提供包含在該支撐基板與該附接基板之間的該膜層之該堆疊。 3.  如條項2之方法，其中經由一晶圓結合技術完成該附接基板至該膜層之該結合。 4.  如前述條項中任一項之方法，其中： 該附接基板包含一覆蓋區及一第二邊界區；且 處理該堆疊包括移除至少該附接基板之該覆蓋區。 5.  如條項4之方法，其中同時執行該支撐基板之該內部區的該選擇性移除及至少該附接基板之該覆蓋區的該移除。 6.  如條項4及5中任一項之方法，其中： 使用一蝕刻劑來執行該支撐基板之該內部區的該選擇性移除；且 使用該蝕刻劑來執行至少該附接基板之該覆蓋區的該移除。 7.  如條項4至6中任一項之方法，其中選擇性地移除該附接基板之該覆蓋區，使得該膜總成之該支撐件部分地自該附接基板之該第二邊界區形成。 8.  如條項4至6中任一項之方法，其中移除該附接基板之該第二邊界區連同該覆蓋區。 9.  如前述條項中任一項之方法，其中該支撐基板具有一化學組成物，且該附接基板具有該化學組成物。 10. 如前述條項中任一項之方法，其中該附接基板之一平均厚度在該支撐基板之一平均厚度的20%以內。 11. 如前述條項中任一項之方法，其中該附接基板直接地附接至至少部分地形成該膜總成之該膜的一堆疊層。 12. 如條項11之方法，其中該附接基板直接地附接至該膜層。 13. 如條項1至10中任一項之方法，其中：  該堆疊包含在該膜層與該附接基板之間的一黏著層；且 該附接基板附接至該黏著層。 14. 如前述條項中任一項之方法，其中該支撐基板之一平均厚度與該附接基板之一平均厚度的一總和為至少700 µm。 15. 如前述條項中任一項之方法，其中該附接基板之一平均厚度為至多500 µm。 16. 如前述條項中任一項之方法，其中該支撐基板之一平均厚度為至多500 µm。 17. 如條項1至15中任一項之方法，其中該支撐基板之一平均厚度為至少700 µm。 18. 如前述條項中任一項之方法，其中該支撐基板及該附接基板中之至少一者包含面向該堆疊中之該膜層的一氧化層。 19. 如前述條項中任一項之方法，其中：    該堆疊包含在該支撐基板與該膜層之間的一下部罩蓋膜；及 該下部罩蓋膜形成該膜總成之該膜之部分。 20. 如前述條項中任一項之方法，其中： 該堆疊包含在該膜層與該附接基板之間的一上部罩蓋膜；且 該上部罩蓋膜形成該膜總成之該膜之部分。 21. 如條項1至18中任一項之方法，其包含： 將一下部罩蓋膜施加至在該支撐基板之該內部區的選擇性移除之後被曝露的該膜層之一表面，使得該下部罩蓋膜形成該膜總成之該膜之部分。 22. 如條項1至18及21中任一項之方法，其包含： 將一上部罩蓋膜施加至在至少該附接基板之該覆蓋區的移除之後被曝露的該膜層之一表面，使得該上部罩蓋膜形成該膜總成之該膜之部分。 23. 如前述條項中任一項之方法，其中： 該支撐基板進一步包含環繞該第一邊界區之一第一邊緣區；且 處理該堆疊包括在選擇性地移除該支撐基板之該內部區之前將該第一邊緣區及形成於該第一邊緣區上之層與該膜總成分離。 24. 如條項23之方法，其中： 該附接基板包含一覆蓋區、一第二邊界區及環繞該第二邊界區之一第二邊緣區；且 處理該堆疊包括在移除該附接基板之該覆蓋區之前將該第二邊緣區及形成於該第二邊緣區上之層與該膜總成分離。 25. 如條項24之方法，其中與該第一邊緣區及形成於該第一邊緣區上之層的該分離同時地執行該第二邊緣區及形成於該第二邊緣區上之層的該分離。 26. 如前述條項中任一項之方法，其中： 在該支撐基板之該內部區的該選擇性移除之前，該支撐基板進一步包含環繞該第一邊界區之一第一橋接區及環繞該第一橋接區之一第一邊緣區；且 處理該堆疊包括選擇性地移除該第一橋接區之一第一部分以形成一第一橋接器，及藉由切割該第一橋接器或使該第一橋接器斷裂而將該第一邊緣區與該膜總成分離。 27. 如條項26之方法，其中： 在該附接基板之一覆蓋區的一移除之前，該附接基板包含該覆蓋區、環繞該覆蓋區之一第二邊界區、環繞該第二邊界區之一第二橋接區及環繞該第二橋接區之一第二邊緣區； 處理該堆疊包括選擇性地移除該第二橋接區之一第一部分以形成一第二橋接器，及藉由切割該第二橋接器或使該第二橋接器斷裂而將該第二邊緣區與該膜總成分離。 28. 如條項27之方法，其中與該第二橋接器之該切割或斷裂同時地執行該第一橋接器之該切割或斷裂。 29. 一種用於EUV微影之膜總成，該膜總成包含： 一膜；及 一支撐件，其固持該膜，該支撐件自一支撐基板之一第一邊界區及一附接基板之一第二邊界區形成，其中該膜係在該支撐基板之該第一邊界區與該附接基板之該第二邊界區之間； 其中藉由選擇性地移除該支撐基板之一內部區及該附接基板之一覆蓋區，使得該支撐基板之該第一邊界區及該附接基板之該第二邊界區保留，而形成該支撐件。 30. 如條項29之膜總成，其中該支撐基板之該第一邊界區具有一化學組成物，且該附接基板之該第二邊界區具有該化學組成物。 31. 如條項29及30中任一項之膜總成，其中該附接基板之該第二邊界區的一平均厚度在該支撐基板之該第一邊界區之一平均厚度的20%以內。 32. 如條項29至31中任一項之膜總成，其中該附接基板之該第二邊界區直接地附接至該膜總成之該膜。 33. 如條項29至31中任一項之膜總成，其中該附接基板之該第二邊界區附接至在該膜與該附接基板之該第二邊界區之間的一黏著層。 34. 如條項29至33中任一項之膜總成，其中該支撐基板之該第一邊界區之一平均厚度與該附接基板之該第二邊界區之一平均厚度的一總和為至少700 µm。 35. 如條項29至34中任一項之膜總成，其中該支撐基板之該第一邊界區的一平均厚度為至多500 µm。 36. 如條項29至35中任一項之膜總成，其中該附接基板之該第二邊界區的一平均厚度為至多500 µm。 37. 如條項29至36中任一項之膜總成，其中該附接基板直接或間接地結合至該膜層，以便提供包含在該支撐基板與該附接基板之間的該膜層之一堆疊。 38. 如條項29至37中任一項之膜總成，其中該附接基板至該膜層之該結合為一晶圓結合。 39. 一種包含如條項29至38中任一項之膜總成的用於EUV微影之圖案化裝置總成。 40. 一種包含如條項29至38中任一項之膜總成的用於EUV微影之動態氣鎖總成。 41. 一種用於製造用於一微影設備之一膜總成的方法，該方法包含： 向一支撐基板提供一膜層； 將一附接基板結合至提供有該膜層之該支撐基板以形成一堆疊，其中該膜層囊封於該支撐基板與該附接基板之間； 處理該堆疊，包括選擇性地移除該附接基板及/或該支撐基板之至少一區，以形成一膜總成，該膜總成包含： 一膜，其由至少該膜層形成；及 一支撐件，其固持該膜，該支撐件至少部分地自該支撐基板之一第一邊界區形成。 42. 如條項41之方法，其中經由一晶圓結合技術提供該附接基板至該堆疊之該結合。 43. 一種用於製造用於一微影設備之一膜總成的方法，該方法包含： 向一支撐基板提供一膜層，該支撐基板具有至少600 µm之一平均厚度； 將具有小於500 µm之一平均厚度的一附接基板晶圓結合至提供有該膜層之該支撐基板以形成一堆疊，其中該膜層囊封於該支撐基板與該附接基板之間； 隨後將結合至該附接基板之該支撐基板薄化，使該支撐基板之一平均厚度小於500 µm。 44. 如條項43之方法，其中該支撐基板之該厚度與該附接基板之該厚度實質上相同。
21‧‧‧未經圖案化光束
22‧‧‧琢面化場鏡面裝置
24‧‧‧琢面化光瞳鏡面裝置
26‧‧‧經圖案化光束
28‧‧‧反射元件
30‧‧‧反射元件
40‧‧‧堆疊
41‧‧‧支撐基板
42‧‧‧氧化層
43‧‧‧下部犧牲層
44‧‧‧下部罩蓋膜
45‧‧‧膜層
46‧‧‧上部罩蓋膜
47‧‧‧黏著層
51‧‧‧附接基板
52‧‧‧氧化層
55‧‧‧膜層/經曝光區
56‧‧‧蝕刻光罩層
57‧‧‧光阻層
58‧‧‧光阻
60‧‧‧曝光光罩
61‧‧‧光罩開口
62‧‧‧輻射源
71‧‧‧內部區
72‧‧‧第一邊界區
73‧‧‧第一橋接區
73A‧‧‧第一橋接區之第一部分
73B‧‧‧第一橋接區之第二部分
74‧‧‧第一邊緣區
80‧‧‧膜總成
81‧‧‧支撐件
82‧‧‧邊緣部分
91‧‧‧覆蓋區
92‧‧‧第二邊界區
93‧‧‧第二橋接區
93A‧‧‧第二橋接區之第一部分
93B‧‧‧第二橋接區之第二部分
94‧‧‧第二邊緣區94
100‧‧‧微影設備
141‧‧‧支撐基板犧牲層
144‧‧‧下部蝕刻障壁
146‧‧‧上部蝕刻障壁
151‧‧‧附接基板犧牲層
210‧‧‧輻射發射電漿
211‧‧‧源腔室
212‧‧‧收集器腔室
220‧‧‧圍封結構
221‧‧‧開口
500‧‧‧控制器
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
CO‧‧‧輻射收集器
IF‧‧‧虛擬源點
IL‧‧‧照明系統
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化裝置
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PS2‧‧‧位置感測器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧源收集器模組
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
現將參考隨附示意圖僅藉助於實例描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分，且在該等圖式中： 圖1描繪根據本發明之一實施例之微影設備； 圖2為微影設備之更詳細視圖； 圖3至圖19示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之方法的階段； 圖20至圖29示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之替代方法的階段； 圖30至圖37示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之替代方法的階段； 圖38至圖45示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之替代方法的階段； 圖46至圖49示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之替代方法的階段；且 圖50至圖52示意性地描繪根據本發明之一實施例之用於製造護膜之替代方法的階段； 根據以下結合圖式所闡述之詳細描述，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，相同參考字符始終識別對應元件。在該等圖式中，相同參考數字通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。
40‧‧‧堆疊
41‧‧‧支撐基板
42‧‧‧氧化層
43‧‧‧下部犧牲層
44‧‧‧下部罩蓋膜
45‧‧‧膜層
46‧‧‧上部罩蓋膜
47‧‧‧黏著層
51‧‧‧附接基板
52‧‧‧氧化層

Claims (15)

  1. 一種用於製造用於EUV微影之一膜總成之方法，該方法包含： 提供一堆疊，該堆疊包含在一支撐基板與一附接基板之間的一膜層，其中該支撐基板包含一內部區及一第一邊界區； 處理該堆疊，包括選擇性地移除該支撐基板之該內部區，以形成一膜總成，該膜總成包含： 一膜，其由至少該膜層形成；及 一支撐件，其固持該膜，該支撐件至少部分地自該支撐基板之該第一邊界區形成。
  2. 如請求項1之方法，其包含： 直接或間接地將該附接基板結合至該膜層，以便提供包含在該支撐基板與該附接基板之間的該膜層之該堆疊。
  3. 如請求項2之方法，其中經由一晶圓結合技術完成該附接基板至該膜層之該結合。
  4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中： 該附接基板包含一覆蓋區及一第二邊界區；且 處理該堆疊包括移除至少該附接基板之該覆蓋區。
  5. 如請求項4之方法，其中同時執行該支撐基板之該內部區的該選擇性移除及至少該附接基板之該覆蓋區的該移除。
  6. 一種用於EUV微影之膜總成，該膜總成包含： 一膜；及 一支撐件，其固持該膜，該支撐件自一支撐基板之一第一邊界區及一附接基板之一第二邊界區形成，其中該膜係在該支撐基板之該第一邊界區與該附接基板之該第二邊界區之間； 其中藉由選擇性地移除該支撐基板之一內部區及該附接基板之一覆蓋區，使得該支撐基板之該第一邊界區及該附接基板之該第二邊界區保留，而形成該支撐件。
  7. 如請求項6之膜總成，其中該支撐基板之該第一邊界區具有一化學組成物，且該附接基板之該第二邊界區具有該化學組成物。
  8. 如請求項6或7中任一項之膜總成，其中該附接基板直接或間接地結合至該膜層，以便提供包含在該支撐基板與該附接基板之間的該膜層之一堆疊。
  9. 如請求項6或7中任一項之膜總成，其中該附接基板至該膜層之該結合為一晶圓結合。
  10. 一種包含如請求項6至9中任一項之膜總成的用於EUV微影之圖案化裝置總成。
  11. 一種包含如請求項6至9中任一項之膜總成的用於EUV微影之動態氣鎖總成。
  12. 一種用於製造用於一微影設備之一膜總成的方法，該方法包含： 向一支撐基板提供一膜層； 將一附接基板結合至提供有該膜層之該支撐基板以形成一堆疊，其中該膜層囊封於該支撐基板與該附接基板之間； 處理該堆疊，包括選擇性地移除該附接基板及/或該支撐基板之至少一區，以形成一膜總成，該膜總成包含： 一膜，其由至少該膜層形成；及 一支撐件，其固持該膜，該支撐件至少部分地自該支撐基板之一第一邊界區形成。
  13. 如請求項12之方法，其中經由一晶圓結合技術提供該附接基板至該堆疊之該結合。
  14. 一種用於製造用於一微影設備之一膜總成的方法，該方法包含： 向一支撐基板提供一膜層，該支撐基板具有至少600 µm之一平均厚度； 將具有小於500 µm之一平均厚度的一附接基板晶圓結合至提供有該膜層之該支撐基板以形成一堆疊，其中該膜層囊封於該支撐基板與該附接基板之間； 隨後將結合至該附接基板之該支撐基板薄化，使該支撐基板之一平均厚度小於500 µm。
  15. 如請求項14之方法，其中該支撐基板之該厚度與該附接基板之該厚度實質上相同。
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