JP2005227935A - 乱数発生回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】 熱雑音を用いた乱数発生回路において、電源電圧を大きくすることなく熱雑音のレベルを上げて熱雑音の取り出しを容易とする。
【解決手段】 入力側電流路のトランジスタQ1及び出力側電流路のトランジスタQ2の互いのベースを接続してカレントミラー回路を構成し、Q2のコレクタからカレントミラー回路に配した抵抗の雑音電圧を出力する。Q1のコレクタと電源との間に接続される抵抗R1に加え、Q1のエミッタとグランドとの間に抵抗R2を接続する。これらで発生する熱雑音はQ2で増幅され出力される。さらに、Q2のエミッタとグランドとの間にも抵抗R3を配する。この抵抗R3で発生する熱雑音も出力端に重畳される。
【選択図】 図1

Description

本発明は、抵抗の熱雑音を利用する乱数発生回路に関する。
従来より、各種の分野で乱数発生器が利用されている。従来の乱数発生器には、所定演算に基づいて繰り返し周期が非常に長い数列を発生させ、これを擬似的に乱数として利用するものがある。この方式は発生パターンを予想し得るという欠点があり、これを解決する方式として、下記特許文献1に記載されるように、各種のノイズに基づいて乱数を発生する回路の提案がある。その1つとして、電気回路の抵抗の熱雑音を用いるものがあり、図4は、その従来の乱数発生回路の構成図である。この回路はNPNトランジスタQ1,Q2を含むカレントミラー回路の構造を有している。トランジスタQ1のコレクタと電源VBとの間には抵抗Rsが接続され、エミッタはグランドに接続され、このトランジスタQ1を含み電源VBとグランドとの間を結ぶ経路がカレントミラー回路の入力側電流路を構成する。トランジスタQ1のベースはコレクタと短絡されると共に、トランジスタQ2のベースに接続される。一方、トランジスタQ2のコレクタと電源VBとの間には抵抗RLが接続され、エミッタはグランドに接続され、このトランジスタQ2を含み電源VBとグランドとの間を結ぶ経路がカレントミラー回路の出力側電流路を構成する。
抵抗Rsによる熱雑音の電圧は、トランジスタQ1のショット雑音に比較し十分大きく、この抵抗Rsの熱雑音がトランジスタQ2によって増幅される。これにトランジスタQ2及び抵抗RLの雑音が重畳されて、トランジスタQ2のコレクタに設けられた出力端から出力される。この出力をオペアンプで増幅し、コンパレータで二値化して、フリップフロップにて所定クロックでサンプリングすることにより、乱数データが得られる。
ちなみに、抵抗の熱雑音は小さく、その熱雑音が重畳された信号を直接、コンパレータなどで二値化しようとしても、DCオフセットの影響でうまく二値化できない。そこで、上述の回路では、トランジスタQ2で増幅を行っている。
特開平11−85472号公報
抵抗値が大きいほど熱雑音は大きくなり、その取り出しが容易となる。その一方で、カレントミラー回路の入力側電流路及び出力側電流路に或る程度の電流を流すためには、抵抗値を大きくすると共に、電源VBの電圧も大きくしなければならないという問題があった。
本発明はこの問題点を解決するためになされたものであり、熱雑音を用いた乱数発生回路において、電源電圧を大きくすることなく熱雑音のレベルを上げて熱雑音の取り出しを容易とする。
本発明に係る乱数発生回路は、入力側電流路上に配置された入力側トランジスタと出力側電流路上に配置された出力側トランジスタとが互いの制御端子を接続されたカレントミラー回路と、前記入力側電流路に配置された入力側抵抗と、前記出力側トランジスタの第1電流端子側の前記出力側電流路に配置された出力側抵抗と、を有し、抵抗の熱雑音を含む出力を前記出力側トランジスタの第2電流端子に得て、この出力に基づいて乱数を発生する。
他の本発明に係る乱数発生回路においては、前記入力側抵抗が、前記入力側トランジスタの第1電流端子側の前記入力側電流路と第2電流端子側の前記入力側電流路とにそれぞれ配置される。
さらに他の本発明に係る乱数発生回路においては、前記出力側抵抗が、前記出力側トランジスタの前記制御端子と前記第1電流端子との間を構成するダイオードの抵抗に略等しい。
別の本発明に係る乱数発生回路は、入力側電流路上に配置された入力側トランジスタと出力側電流路上に配置された出力側トランジスタとが互いの制御端子を前記入力側トランジスタの第2電流端子に接続されたカレントミラー回路と、前記入力側トランジスタの第1電流端子と第1電源との間の前記入力側電流路に配置された入力側第1抵抗と、前記入力側トランジスタの第2電流端子と第2電源との間の前記入力側電流路に配置された入力側第2抵抗と、前記出力側トランジスタの第1電流端子と前記第1電源との間の前記出力側電流路に配置された出力側第1抵抗と、前記出力側トランジスタの第2電流端子と前記第2電源との間の前記出力側電流路に配置された出力側第2抵抗と、を有し、抵抗の熱雑音を含む出力を前記出力側トランジスタの第2電流端子に得て、この出力に基づいて乱数を発生する。
さらに別の本発明の乱数発生回路は、前記入力側第1抵抗が、前記入力側トランジスタの制御端子と第1電流端子との間を構成するダイオードの抵抗に略等しく、前記出力側第1抵抗が、前記出力側トランジスタの制御端子と第1電流端子との間を構成するダイオードの抵抗に略等しい。
また別の本発明の乱数発生回路は、前記出力側トランジスタの第2電流端子の出力を増幅するオペアンプと、前記オペアンプの出力について二値化するコンパレータと、をさらに有する。
出力側トランジスタの第1電流端子に接続される出力側抵抗を設けたことにより、出力端に得られる熱雑音のレベルが増加する。また、入力側電流路において、入力側トランジスタの第1電流端子と第2電流端子とのそれぞれに入力側抵抗を配置することにより、熱雑音のレベルが増加する。さらに、出力側抵抗を、出力側トランジスタの制御端子と第1電流端子との間を構成するダイオードの抵抗に略等しくすることで、熱雑音が好適に増大する。
以下、本発明の実施の形態(以下実施形態という)について、図面に基づいて説明する。図1は、本発明の実施形態に係る乱数発生回路の主要部の構成図である。それぞれNPNトランジスタQ1,Q2を含み電源VBとグランドとの間を結ぶ2つの電流路はカレントミラー回路を構成する。トランジスタQ1のコレクタと電源VBとの間には抵抗R1が接続され、エミッタとグランドとの間には抵抗R2が接続される。トランジスタQ1は、ベースとコレクタとが短絡され、ダイオードとして機能する。その結果、電源VBからの電流が、抵抗R1、トランジスタQ1及び抵抗R2(これらがカレントミラー回路の入力側電流路を構成する)を介してグランドに向かって流れる。トランジスタQ1のベースはトランジスタQ2のベース(制御端子)に接続され、抵抗R1、トランジスタQ1及び抵抗R2で発生する雑音信号が、トランジスタQ2の制御信号として印加される。
一方、トランジスタQ2の2つの電流端子であるコレクタ及びエミッタには、それぞれ抵抗R4、R3が接続される。抵抗R4はトランジスタQ2のコレクタと電源VBとの間に配され、一方、抵抗R3はトランジスタQ2のエミッタとグランドとの間に配される。これら抵抗R4、トランジスタQ2及び抵抗R3がカレントミラー回路の出力側電流路を構成し、トランジスタQ2と抵抗R4との接続点が出力端として、後段に接続される。
実際の乱数発生回路は、図2に示されるように、カレントミラー回路の出力端には、オペアンプOP1が接続され、ここで所定の増幅がなされる。
このオペアンプOP1の出力は、直流カットコンデンサCを介し、コンパレータCMPに入力され、ここで基準電圧(この場合はグランド電圧)と比較され、二値化出力が得られる。なお、コンパレータCMPの出力は、プルアップ抵抗によってプルアップされている。
コンパレータCMPの出力は、フリップフロップFFのデータ入力端に入力されており、このフリップフロップFFのクロック入力端に所望のクロックCLKが入力されている。そこで、フリップフロップFFには、クロックCLKの立ち上がりのタイミングでそのデータ入力端の信号がサンプリングされ、これがフリップフロップFFの出力に得られることになる。そして、カレントミラー回路での主として熱雑音に起因する雑音をフリップフロップFFにおいてサンプリングすることになり、周期性のない乱数であって、クロックCLKをデータクロックとしたものがフリップフロップFFの出力に得られる。
図3は、図1に示す構成の等価回路である。図においてre1,re2はそれぞれトランジスタQ1,Q2のベース−エミッタ間のダイオードの抵抗、すなわちエミッタ抵抗を表し、またVn1〜Vn4はそれぞれ抵抗R1〜R4での熱雑音に起因する信号電圧を表している。
抵抗R1〜R4による熱雑音の電圧Vn1〜Vn4は、次式で与えられる。
Vn1=4kT・Δf・R1
Vn2=4kT・Δf・R2
Vn3=4kT・Δf・R3
Vn4=4kT・Δf・R4
ここで、kはボルツマン定数、Tは温度、Δfは雑音帯域幅である。
Vn1,Vn2はR1,R2及びre1により分圧されてトランジスタQ2のベースに入力される。Vn1に起因する分圧Vn1B,Vn2に起因する分圧Vn2Bはそれぞれ次式で表される。
Vn1B=Vn1(re1+R2)/(R1+R2+re1)
Vn2B=Vn2・R1/(R1+R2+re1)
トランジスタQ2のベース入力に対する出力端(Q2のコレクタ)までのゲインGVは、
GV=R4/(re2+R3)
である。従って、Vn1,Vn2に起因して出力端に現れる雑音電圧成分Vno1,Vno2は、
Vno1=GV・Vn1B
Vno2=GV・Vn2B
である。
Vn3はトランジスタQ2のベース接地回路の入力となる。そのゲインはR4/(re2+R3)であるので、Vn3に起因して出力端に現れる雑音電圧成分Vno3は、
Vno3=Vn3・R4/(re2+R3)
である。Vn4はそのまま出力端に出力されるので、
Vno4=Vn4
である。
出力端での雑音電圧Vnoutは、これら各成分Vno1〜Vno4を合成したものとなる。合成は次式により行われる。
Vnout=Vno1+Vno2+Vno3+Vno4
={Vn1(re1+R2)+Vn2・R1}R4
/{(re2+R3)(R1+R2+re1)}
+Vn3・R4/(re2+R3)+Vn4 …(1)
ここで、カレントミラー回路の入力側電流路を流れる電流ICQ1、出力側電流路を流れる電流ICQ2の比(電流反転比)m(≡ICQ2/ICQ1)=R2/R3を用いると、(1)式は、次式となる。
Vnout=Vn1・m・R4/(R1+R2+re1)
+Vn2・R1・R4/{(re2+R3)(R1+R2+re1)}
+Vn3・R4/(re2+R3)+Vn4 …(2)
ここで、図4に示した従来の回路では、R2,R3に相当する抵抗が存在しないことから、(2)式においてR2=R3=Vn2=Vn3=0と置いたVnout’が出力端に得られる。このVnout’は次式で表される。この式において、R1はRs,R4はRL,V1はRsに起因する熱雑音電圧、V4はRLに起因する熱雑音電圧を意味する。
Vnout’=Vn1・m・R4/(R1+re1)+Vn4 …(3)
(2)式と(3)式とを対比すると、本発明の回路では、(2)式右辺第1項で表されるVn1成分による出力は、R2を付加したことにより低下するが、第2項、第3項の成分が増加する。ここでR1≫R2、R1≫re1であることを用いて(2)式、(3)式を近似により簡略化すると、以下のようになる。
Vnout ≒Vn1・m・R4/R1+(Vn2+Vn3)R4/(re2+R3)
+Vn4
Vnout’≒Vn1・m・R4/R1+Vn4
よって、本回路のカレントミラー回路の出力端での雑音出力は、およそ(Vn2+Vn3)R4/(re2+R3)分、従来の回路より増大し得る。
さらに、(2)式をR2に関して解くと、R2≒re1としたときにVnoutが最大となる。ここで、トランジスタQ1,Q2はカレントミラー回路を構成するので、R2=re1の場合には、R3=re2となる。よって、トランジスタQ2のエミッタに接続した抵抗がトランジスタQ2のエミッタ抵抗にほぼ等しいときに、最大のVnoutを得ることができる。
実施形態の乱数発生回路の主要部の回路構成を示す図である。 実施形態の乱数発生回路の全体構成を示す図である。 等価回路の構成を示す図である。 従来の乱数発生回路の構成を示す図である。
符号の説明
R1,R2,R3,R4 抵抗、Q1,Q2 トランジスタ。

Claims (6)

  1. 入力側電流路上に配置された入力側トランジスタと出力側電流路上に配置された出力側トランジスタとが互いの制御端子を接続されたカレントミラー回路と、
    前記入力側電流路に配置された入力側抵抗と、
    前記出力側トランジスタの第1電流端子側の前記出力側電流路に配置された出力側抵抗と、
    を有し、抵抗の熱雑音を含む出力を前記出力側トランジスタの第2電流端子に得て、この出力に基づいて乱数を発生する乱数発生回路。
  2. 請求項1に記載の乱数発生回路において、
    前記入力側抵抗は、前記入力側トランジスタの第1電流端子側の前記入力側電流路と第2電流端子側の前記入力側電流路とにそれぞれ配置されること、
    を特徴とする乱数発生回路。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の乱数発生回路において、
    前記出力側抵抗は、前記出力側トランジスタの制御端子と第1電流端子との間を構成するダイオードの抵抗に略等しいこと、
    を特徴とする乱数発生回路。
  4. 入力側電流路上に配置された入力側トランジスタと出力側電流路上に配置された出力側トランジスタとが互いの制御端子を前記入力側トランジスタの第2電流端子に接続されたカレントミラー回路と、
    前記入力側トランジスタの第1電流端子と第1電源との間の前記入力側電流路に配置された入力側第1抵抗と、
    前記入力側トランジスタの第2電流端子と第2電源との間の前記入力側電流路に配置された入力側第2抵抗と、
    前記出力側トランジスタの第1電流端子と前記第1電源との間の前記出力側電流路に配置された出力側第1抵抗と、
    前記出力側トランジスタの第2電流端子と前記第2電源との間の前記出力側電流路に配置された出力側第2抵抗と、
    を有し、抵抗の熱雑音を含む出力を前記出力側トランジスタの第2電流端子に得て、この出力に基づいて乱数を発生する乱数発生回路。
  5. 請求項4に記載の乱数発生回路において、
    前記入力側第1抵抗は、前記入力側トランジスタの制御端子と第1電流端子との間を構成するダイオードの抵抗に略等しく、
    前記出力側第1抵抗は、前記出力側トランジスタの制御端子と第1電流端子との間を構成するダイオードの抵抗に略等しいこと、
    を特徴とする乱数発生回路。
  6. 請求項1から請求項5に記載の乱数発生回路において、
    前記出力側トランジスタの第2電流端子の出力を増幅するオペアンプと、
    前記オペアンプの出力について二値化するコンパレータと、
    をさらに有することを特徴とする乱数発生回路。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100829793B1 (ko) 2006-08-14 2008-05-16 삼성전자주식회사 랜덤 신호 발생기 및 이를 포함하는 난수 발생기
KR100871810B1 (ko) 2007-03-23 2008-12-03 삼성전자주식회사 랜덤 신호 발생기, 이를 포함하는 난수 발생기 및 난수발생 방법

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