JP2005227169A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

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Abstract

【課題】気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体の柱状結晶の間隙に容易に充填材を充填して輝尽性蛍光体層の性能を向上させる。
【解決手段】気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルである。柱状結晶の表面を表面張力が25mN/m以下の表面処理剤で処理することにより、柱状結晶の間隙に表面処理剤を浸透させて柱状結晶全体を均一に表面処理することができ、輝尽性蛍光体層に励起光の反射・散乱防止、撥水、撥油、防湿、防汚などの機能を付与することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに関する。
従来、銀塩を使用しないで放射線画像を得る方法として、基板上に輝尽性蛍光体層を設けた放射線画像変換パネルが開発されている。
放射線画像変換パネルは、輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てることで、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積させることができる。その後、輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波(励起光)で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光として放出させる。この光の強弱による信号を、例えば、光電変換して電気信号を得て、この信号をハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、CRTなどの表示装置上に可視像として再生することができる。
放射線画像変換パネルを使用した放射線画像変換方式の優劣は、該パネルの輝尽性発光の輝度およびパネルの発光均一性に大きく左右され、特に、これらの特性は用いる輝尽性蛍光体の特性により大きく支配されていることが知られている。
特許文献1には、下記一般式で示された輝尽性蛍光体を用いることで、高輝度の放射線画像変換パネルが得られることが示されている。
1X・aM2X’2・bM3X’’3:eA ・・・(1)
[ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X、X’及びX’’はF、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0.0001<e≦1.0の範囲の数値を示す。]
また、気相堆積法により輝尽性蛍光体の柱状結晶を支持体に形成することも試みられている(特許文献1参照)。
このような形状の放射線画像変換パネルでは、輝尽性蛍光体層の表面から柱状結晶内に入射した励起光が、柱状結晶の側面で全反射して拡散せずに輝尽性蛍光体層の表面まで伝播するため、画像の鮮鋭性を向上させることができる。
一方で、柱状結晶の間隙に入射した励起光は、柱状結晶の側面で散乱して拡散し、鮮鋭性を悪化させていた。これを防ぐため、柱状結晶の間隙に高光吸収率の物質、高光反射率の物質等の充填材を充填することも試みられている(特許文献1参照)。
特開2003−248097号公報
柱状結晶の間隙に充填材を充填するには、充填材を適当な溶媒に溶解させて輝尽性蛍光体層に塗布する等の方法がある。しかし、柱状結晶の間隙は狭いため、これらの充填材を柱状結晶の間隙の隅々まで行き渡らせることは困難であった。
本発明の課題は、容易に輝尽性蛍光体の柱状結晶の間隙に充填材を充填して輝尽性蛍光体層の性能を向上させることである。
以上の課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記柱状結晶の表面は表面張力が25mN/m以下の表面処理剤で処理されていることを特徴とする。
請求項1に記載の発明によれば、柱状結晶の表面を表面張力が25mN/m以下の表面処理剤で処理することにより、柱状結晶の間隙に表面処理剤を浸透させて柱状結晶全体を均一に表面処理することができる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記表面処理剤は屈折率が1.45以下であることを特徴とする。
請求項2に記載の発明によれば、柱状結晶の表面を処理する表面処理剤の屈折率が1.45以下であるので、輝尽性蛍光体の柱状結晶内から発光した輝尽発光が柱状結晶の側面で全反射して輝尽性蛍光体層の表面のみから放出されるため、鮮鋭性を向上させることができる。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記表面処理剤はフッ素系ポリマーを含有することを特徴とする。
請求項3に記載の発明によれば、表面処理剤がフッ素系ポリマーを含有するため、輝尽性蛍光体層に撥水、撥油、防湿、防汚などの機能を付与することができる。
請求項4に記載の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記表面処理剤の溶媒はフッ素系溶媒であることを特徴とする。
請求項4に記載の発明によれば、表面処理剤の溶媒がフッ素系溶媒であるため、薄くて均一な表面処理をすることができる。
請求項5に記載の発明は、請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル前記表面処理剤は輝尽性蛍光体の励起光を吸収する色材を含有することを特徴とする。
請求項5に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体の励起光を吸収する色材を柱状結晶の間隙に充填することができ、柱状結晶の間隙に入射した励起光を吸収して散乱を防ぎ、画像の鮮鋭性を向上させることができる。
請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層の少なくとも一層は下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする。
1X・aM2X’2・bM3X’’3:eA ・・・(1)
[ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、
X、X’及びX’’はF、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0.0001<e≦1.0の範囲の数値を示す。]
請求項6に記載の発明によれば、一般式(1)で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
請求項7に記載の発明は、請求項1〜6のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽性蛍光体層の少なくとも一層は下記一般式(2)で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする。
CsBr:eEu ・・・(2)
[ここで、eは0.0001<e≦1.0の範囲の数値を示す。]
請求項7に記載の発明によれば、一般式(2)で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、さらに輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
請求項1に記載の発明によれば、柱状結晶の表面を表面張力が25mN/m以下の表面処理剤で処理することにより、柱状結晶の間隙に表面処理剤を浸透させて柱状結晶全体を均一に表面処理することができる。
請求項2に記載の発明によれば、柱状結晶の表面を処理する表面処理剤の屈折率が1.45以下であるので、輝尽性蛍光体の柱状結晶内から発光した輝尽発光が柱状結晶の側面で全反射して輝尽性蛍光体層の表面のみから放出されるため、鮮鋭性を向上させることができる。
請求項3に記載の発明によれば、表面処理剤がフッ素系ポリマーを含有するため、輝尽性蛍光体層に撥水、撥油、防湿、防汚などの機能を付与することができる。
請求項4に記載の発明によれば、表面処理剤の溶媒がフッ素系溶媒であるため、薄くて均一な表面処理をすることができる。
請求項5に記載の発明によれば、輝尽性蛍光体の励起光を吸収する色材を柱状結晶の間隙に充填することができ、柱状結晶の間隙に入射した励起光を吸収して散乱を防ぎ、画像の鮮鋭性を向上させることができる。
請求項6に記載の発明によれば、一般式(1)で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
請求項7に記載の発明によれば、一般式(2)で示される輝尽性蛍光体で輝尽性蛍光体層を形成することで、さらに輝度の高い放射線画像変換パネルとすることができる。
以下、本発明について詳細に説明する。本発明の放射線画像変換パネルは、図1に示すように、基板11と、基板11の一方の面に気相堆積法により形成された柱状結晶13からなる輝尽性蛍光体層12とからなる。また、輝尽性蛍光体層12は必要に応じて防湿性保護フィルム17で被覆されている。
基板11としては、水分の透過性が低いものが好ましく、各種のガラス、高分子材料、金属などが用いられる。特にセルロースアセテートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルムや石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラス、あるいはアルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート及び該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。これら基板11の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。
また、これら基板11の層厚は用いる基板11の厚さによって異なるが、一般的には80μm〜5000μmであり、取り扱い上の点から、さらに好ましくは80μm〜3000μmである。さらに、基板11の輝尽性蛍光体層12を設ける面に、輝尽性蛍光体との接着性を向上させる下引層を設けてもよい。
輝尽性蛍光体層12は50μm以上、好ましくは300〜500μmの層厚に形成される。輝尽性蛍光体層12に用いる輝尽性蛍光体としては、一般式(1)で表されるものを使用することができる。
1X・aM2X’2・bM3X’’3:eA ・・・(1)
ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にK、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Be、Mg、Ca、Sr、及びBaから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。
3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。
X、X’及びX’’はF、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にXはBr及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。
AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、特にEu、Cs、Sm、Tl及びNaからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であることが好ましい。
a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0<e≦1.0の範囲の数値を示し、特にbは0≦b≦10-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
この中でも特に、下記一般式(2)で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。
CsBr:eEu ・・・(2)
ここで、eは0.0001<e≦1.0の範囲の数値を示す。
上記の輝尽性蛍光体は、例えば下記(a)〜(d)の蛍光体原料を用いて以下に述べる製造方法により製造される。
(a)LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbICsF、CsCl、CSBr及びCsIからなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。
(b)BeF2、BeCl2、BeBr2、BeI2、MgF2、MgCl2、MgBr2、MgI2、CaF2、CaCl2、CaBr2、CaI2、SrF2、SrCl2、SrBr2、SrI2、BaF2、BaCl2、BaBr2、BaI2、ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2、CdF2、CdCl2、CdBr2、CdI2、CuF2、CuCl2、CuBr2、CuI2、NiF2、NiCl2、NiBr2及びNiI2からなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。
(c)ScF3、ScCl3、ScBr3、ScI3、YF3、YCl3、YBr3、YI3、LaF3、LaCl3、LaBr3、LaI3、CeF3、CeCl3、CeBr3、CeI3、PrF3、PrCl3、PrBr3、PrI3、NdF3、NdCl3、NdBr3、NdI3、PmF3、PmCl3、PmBr3、PmI3、SmF3、SmCl3、SmBr3、SmI3、EuF3、EuCl3、EuBr3、EuI3、GdF3、GdCl3、GdBr3、GdI3、TbF3、TbCl3、TbBr3、TbI3、DyF3、DyCl3、DyBr3、DyI3、HoF3、HoCl3、HoBr3、HoI3、ErF3、ErCl3、ErBr3、ErI3、TmF3、TmCl3、TmBr3、TmI3、YbF3、YbCl3、YbBr3、YbI3、LuF3、LuCl3、LuBr3、LuI3、AlF3、AlCl3、AlBr3、AlI3、GaF3、GaCl3、GaBr3、GaI3、InF3、InCl3、InBr3、及びInI3からなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の化合物。
(d)Eu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも1種もしくは2種以上の金属。
上記(a)〜(d)の蛍光体原料を一般式(1)のa、b、eの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
次に、得られた混合液のpH値Cを0<C<7に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。焼成温度は500〜1000℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、0.5〜6時間が好ましい。
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、希ガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい。
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
輝尽性蛍光体層12は、上記の輝尽性蛍光体を用いて基板11の一方の面へ気相堆積法により形成される。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法、その他を用いることができる。
蒸着法では、まず、基板11を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とする。次いで、輝尽性蛍光体を蒸発源として蒸着装置内の蒸発装置に設置し、抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて、基板11表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。
この結果、結着材を含有しない輝尽性蛍光体層12が形成される。上記の蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層12を形成することも可能である。
また、上記の蒸着工程では複数の抵抗加熱機あるいはエレクトロンビームを用いて複数の輝尽性蛍光体原料を蒸発源として共蒸着し、基板11上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層12を形成することも可能である。
上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層12の作成において、輝尽性蛍光体層12が形成される基板11の温度は、50℃〜400℃に設定することが好ましく、蛍光体の特性上は100℃〜250℃が好ましく、基板11に樹脂を用いる場合には樹脂の耐熱性を考慮して50℃〜150℃、さらに好ましくは50℃〜100℃がよい。
図2は、基板11上に輝尽性蛍光体層12が蒸着により形成される様子を示す図である。基板ホルダ15に固定された基板11の表面の法線方向(R)に対する輝尽性蛍光体の蒸気流16の入射角度をθ2(図では60°)とし、形成される柱状結晶13の基板11面の法線方向(R)に対する角度をθ1(図では30°)とすると、経験的にはθ1はθ2の約半分となり、この角度で柱状結晶13が形成される。
輝尽性蛍光体の柱状結晶13の成長角は10〜70°がよく、好ましくは20°〜55°である。成長角を10〜70°にするには、入射角を20〜80°にすればよく20〜55°にするには入射角を40〜70°にすればよい。成長角が大きいと基板11に対して柱状結晶13が倒れすぎ、膜が脆くなる。
輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料の蒸気流を基板11面に対しある入射角をつけて供給するには、基板11を蒸発源に対し互いに傾斜させる配置を取る方法がある。あるいは、基板11と蒸発源とを互いに平行に設置し、蒸発面からスリット等により斜め成分のみ基板11上に蒸着させるように規制する等の方法をとることができる。
これらの場合において、基板11と蒸発源との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね10cm〜60cmに設置するのが好ましい。
柱状結晶13からなる輝尽性蛍光体層12において変調伝達関数(MTF)をよくするためには、柱状結晶13の大きさは1μm〜50μm程度がよく、更に好ましくは、1μm〜30μmである。即ち、柱状結晶13が1μmより細い場合は、柱状結晶13により輝尽励起光が散乱される為にMTFが低下するし、柱状結晶13が50μm以上の場合も輝尽励起光の指向性が低下し、MTFは低下する。
なお、柱状結晶13の大きさは、柱状結晶13を基板11と平行な面から観察したときの各柱状結晶13の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも100個以上の柱状結晶13を視野中に含む顕微鏡写真から計算する。
また、各柱状結晶13間の間隙14の大きさは30μm以下がよく、更に好ましくは5μm以下がよい。間隙14の大きさが30μmを越える場合は輝尽性蛍光体層12中の蛍光体の充填率が低くなり、感度が低下してしまう。
柱状結晶13の太さは基板11の温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶13を作製することが可能である。
スパッタリング法では、蒸着法と同様、基板11をスパッタリング装置内に設置した後、装置内を一旦排気して1.333×10-4Pa程度の真空度とし、次いでスパッタリング用のガスとしてAr、Ne等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して1.333×10-1Pa程度のガス圧とする。次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、基板11上に輝尽性蛍光体層12を所望の厚さに成長させる。
スパッタリング工程では蒸着法と同様に各種応用処理を用いることができる。CVD法やイオンプレーティング法、その他においても同様である。
なお、気相堆積法における輝尽性蛍光体層12の成長速度は、0.05μm/min〜300μm/minであることが好ましい。成長速度が0.05μm/min未満の場合には放射線画像変換パネルの生産性が悪く好ましくない。また成長速度が300μm/minを超える場合には成長速度のコントロールが難しく好ましくない。
輝尽性蛍光体層12を設けたら、基板材料を輝尽性蛍光体層12とともに所定の大きさに断裁する。断裁は一般のどのような方法でも可能であるが、作業性、精度の面から化粧断裁機、打ち抜き機などを使用することが好ましい。なお基板材料が充分小さい場合には、断裁を行わずに基板材料を基板11として使用してもよい。
輝尽性蛍光体層12の膜厚は、目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性蛍光体の種類などによって異なるが、10〜1000μmの範囲から選ばれるのが好ましく、10〜500μmの範囲から選ばれることがより好ましい。
以上のようにして輝尽性蛍光体層を形成したら、表面処理を行う。表面処理には、表面張力が25mN/m以下の表面処理剤を用いることができる。表面張力の小さい表面処理剤は輝尽性蛍光体層12の柱状結晶13の間隙14に浸透し、柱状結晶13の側面を表面処理することができる。
またこの表面処理剤は屈折率が輝尽性蛍光体よりも小さいことが好ましく、1.45以下であることが好ましい。屈折率の低い表面処理剤で柱状結晶13の側面を処理することで、輝尽発光を柱状結晶13の側面で全反射させて輝尽性蛍光体層12の表面から放出させることができるため、鮮鋭性を向上させることができる。
上記の表面処理剤は、フッ素系ポリマーを含有していることが好ましい。フッ素系ポリマーとしては、末端二重結合を2つ有するパーフルオロエーテルを単独で、または、ラジカル共重合可能な他のモノマーとともにラジカル重合させて得られる重合体が挙げられる。このような重合体は、例えば、特開昭63−238111号公報および特開昭63−238115号公報に開示されている。これらの公報によると、末端二重結合を2つ有するパーフルオロエーテル、例えば、CF2 =CF(CF2 n −O−(CF2 m CF=CF2 (式中、nは0〜5であり、mは0〜5であり、m+nは1〜6である)を単独でラジカル重合させ、または、末端二重結合を2つ有するパーフルオロエーテルと、ラジカル共重合可能な他のモノマーとともにラジカル重合させることにより、環化重合させて含フッ素重合体が得られる。例えば、CF2 =CF−O−CF2 CF=CF2 をラジカル重合することにより、主鎖中に下記一般式(3)の環構造を有する含フッ素重合体が得られる。
Figure 2005227169
上記の末端二重結合を2つ有するパーフルオロエーテルとラジカル共重合可能な他のモノマーとしては、テトラフルオロエチレンのようなフルオロオレフィン、パーフルオロビニルエーテルのよなフルオロビニルエーテル、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、クロロトリエチレンなどが例示される。
さらに、フッ素系ポリマーとしては、例えば、特公昭63−18964号公報に開示されているものが挙げられる。詳細には、下記一般式(4)で表されるパーフルオロ−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソール(PDD)のモノマー単位とテトラフルオロエチレンのモノマー単位とからなる非晶性共重合体、または、上記のモノマー単位にさらに他のエチレン系不飽和モノマーのモノマー単位を有する非晶性三元重合体を挙げることができる。
Figure 2005227169
上記共重合体において、PDDのモノマー単位は好ましくは少なくとも11.2モル%である。これより低い含有分であると、結晶性となり、光散乱を起こすために光学機器の反射防止剤としては好ましくない。上記三元重合体においては、同様の理由から、PDDのモノマー単位は好ましくは少なくとも12モル%である。三元重合体のためのエチレン系不飽和モノマーとしては、例えば、エチレン、1−ブテンのようなオレフィン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデンのようなビニル化合物、パーフルオロプロペンのようなパーフルオロ化合物を用いることができる。
市販の含フッ素重合体としては、旭ガラス株式会社製のサイトップ CTX−805およびCTX109A(商品名)がある。
あるいは、フッ素系ポリマーとしては、フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーおよび不飽和シランモノマーを含むモノマーを共重合させた共重合体を含有していてもよい。フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーは、フッ素によって少なくとも部分的に置換された脂肪族基、特にフッ素によって少なくとも部分的に置換されたアルキル基を含有し、かつ、重合可能なエチレン系不飽和の炭素−炭素二重結合を有する化合物である。より詳細には、フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーとしては、下記一般式(5)で表される化合物が挙げられる。
Figure 2005227169
ここで、Rfは直鎖、枝分かれまたは環式の炭素数2〜12の少なくとも部分的にフッ素化された脂肪族基、例えば、少なくとも部分的にフッ素化されたアルキル基であり、好ましくは完全にフッ素化されたアルキル基であり、R1 はHまたはCH3 であり、Qは低級アルキレン基、例えば、−CH2 −、−CH2 CH2−、または、−SO2 NR2 −低級アルキレン基、−SO2 NR2 −CH2 −、−SO2 NR2 −CH2 CH2 −であり、R2 は水素または低級アルキル基、例えば、−CH3 または−C2 5 である。
fは炭素数が大きく、また、フッ素置換基の数が多いほど、撥水、撥油、防汚性が高くなる。しかしながら、炭素数が大きすぎると、共重合体が生体組織中に蓄積する傾向が高くなり、人体に影響を及ぼす危険がある。従って、Rfは好ましくはC3 〜C7 のフルオロ脂肪族基であり、特に好ましくはC3 〜C6 のフルオロ脂肪族基である。また、Rfの末端基は、完全にフッ素化された−CF3基であるときに、高い撥水、撥油および防汚性を示すので好ましい。
Qは共重合体の撥水性等が阻害されないように低級アルキル基であり、好ましくは、−CH2 −または−CH2 CH2 −である。より具体的には、F(CF2 6 CH2 OC(=O)C(CH3 )=CH2 、C7 15 SO2 N(C2 5 )C2 4 OC(=O)C(CH3 )=CH2 、c−C6 11CH2 OC(=O)C(CH3)=CH2 、C6 132 4 OC(=O)CH=CH2 、(CF3 2 CF(CF2 2 2 4 OC(=O)CH=CH2 、H(CF2 4 CH2 OC(=O)CH=CH2 、F(CF2 4 2 4 OC(=O)CH=CH2 、F(CF2 3 CH2 OC(=O)CH=CH2 が挙げられる。
これらのモノマーは、米国特許第2,803,615号および同第2,841,573号明細書に記載されるような従来の方法により製造することができる。
フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーは、通常、フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーおよび不飽和シランモノマーの合計重量を基準として、50重量%以上の量で含まれ、好ましくは70重量%以上の量で含まれる。これにより、コーティングに十分な撥水、撥油、防汚性を付与することができるからである。
共重合体のための不飽和シランモノマーは、コーティングに、基材に対する密着性を付与するように作用する。不飽和シランモノマーは、基材との密着性を上げる珪素原子を含有するシラン系化合物であり、かつ、重合可能なエチレン系不飽和の炭素−炭素二重結合で表される化合物である。より詳細には、不飽和シランモノマーとしては、下記一般式(6)で示される化合物が挙げられる。
Figure 2005227169
ここで、R1 はHまたはCH3 であり、R3 は水素または低級アルキル基、例えば、メチルまたはエチル基であり、Xはアルコキシ、ハロゲンまたはRCOO−であり、Rは水素または低級アルキル基、例えば、メチルまたはエチル基であり、Yは単結合であるかまたは−CH2 −であり、そしてnは0、1または2の整数である。
Xがアルコキシ基である具体的な化合物としては、ビニルトリアルコキシシラン、例えば、(CH3 O)3 SiCH=CH2 、(C2 5 O)3 SiCH=CH2 、アリルトリアルコキシシラン、例えば、(CH3 O)3 SiCH2 CH=CH2 等が挙げられる。また、Xがハロゲンである具体的な例としては、CH2 =CHSiCl3 が挙げられる。さらに、XがRCOO−である具体的な化合物としては、(CH3 COO)3SiCH=CH2 が挙げられる。
不飽和シランモノマーは、通常、フルオロ脂肪族基含有不飽和エステルモノマーおよび不飽和シランモノマーの合計重量を基準として、1〜50重量%の量で含まれる。1.0重量%未満の量では、基材に対するコーティングの密着性の向上が顕著に現れず、また、50重量%を越えると、撥水、撥油性が低下することがあるからである。コーティングの基材への密着性および撥水性等の性能のバランスから、不飽和シランモノマーの量は、好ましくは1〜30重量%、より好ましくは1〜10重量%、さらにより好ましくは1.5〜4重量%である。
上記のようなフッ素系ポリマー及びフッ素系溶媒を含有する市販の表面処理剤としては、例えば、旭硝子社製のサイトップ(登録商標)、住友スリーエム株式会社のフロリナート(登録商標)FC−87、FC−72、FC−84、FC−77、FC−3255、FC−3283、FC−40、FC−43、FC−70、FC−5312、同社のノベック(登録商標)EGC−1700等がある。
また、表面処理剤には、励起光を吸収する色材を含有させてもよい。励起光を吸収する色材を含有させた表面張力の小さい表面処理剤で輝尽性蛍光体層12を処理することで、柱状結晶13の間隙14の隅々にまで色材を浸透させることができる。したがって、間隙14に入射した励起光の散乱を防ぎ、鮮鋭性をさらに向上させることができる。
いかなる色材を用いるかは輝尽性蛍光体の種類によって決まる。放射線画像変換パネルには通常、波長400〜900nmの励起光により波長300〜500nmの輝尽発光を示す蛍光体が用いられる。このため、色材としては、青色〜緑色の有機系もしくは無機系の色材が用いられる。
青色〜緑色の有機系色材としては、Neozapon Blau 807(BASF社製)、ザボンファーストブルー3G(ヘキスト社製)、エストロールブリルブルーN−3RL(住友化学(株)製)、スミアクリルブルーN−3RL(住友化学(株)製)、D&CブルーNo.1(ナショナル・アニリン社製)、スピリットブルー(保土谷化学(株)社製)、オイルブルーNo.603(オリエント(株)製)、キトンブルーA(チバ・ガイギー社製)、アイゼンカチロンブルーGLH(保土ヶ谷化学(株)製)、レイクブルーAFH(協和産業製)、プリモシアニン6GX(稲畑産業(株)製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化学(株)製)、シアニンブルーBNRS(東洋インキ(株)製)、ライオノルブルーSL(東洋インキ(株)製)等が挙げられる。また青色〜緑色の無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−CoO−NiO系顔料等が挙げられるが、これに限られたものではない。
またこの他にも高光吸収の物質、高光反射の物質等の充填材を含有させてもよい。高光吸収の物質、高光反射の物質等の充填材を柱状結晶13の間隙14に充填することにより、輝尽性蛍光体層12に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
上記のような表面処理剤に適した溶剤としては、ヒドロフルオロカーボン(HFC)や、ヒドロフルオロエーテル(HFE)などのフッ素系溶媒がある。HFCおよびHFEは他の有機溶剤と比較すると低表面張力であるため、輝尽性蛍光体の柱状結晶の間隙14まで均一に塗布することができる。HFCおよびHFEは、常温常圧で液体であり、非引火性であることが好ましい。
HFCは3〜8個の炭素数の炭素主鎖を有し、4〜9個の炭素数の炭素主鎖からなるものが好ましい。炭素主鎖は直鎖であっても、枝分かれであっても、環式であってもいし、またこれらの混合物であってもよい。また炭素主鎖の水素原子のフッ素置換率は約5〜95モル%であることが好ましい。
HFCとしては、例えば、CF3CFHCFHCF2CF3、C511H、C613H、CF3CF2CH2CH2F、CHF2CF2CF2CHF2、1,2−ジヒドロペルフルオロシクロペンタンおよび1,1,2−トリヒドロペルフルオロシクロペンタン等を用いることができる。
HFEは、炭素、フッ素、水素、1つ以上のエーテル酸素原子からなり、さらに炭素主鎖中に組み込まれた1つ以上のさらなるヘテロ原子、例えば、硫黄または三価窒素原子を含んでいてもよい。HFEは直鎖であっても、枝分かれであっても、環式であっても、または、それらの組み合わせ、例えば、アルキル脂環式であってもよい。なお、HFEは不飽和結合を含まないことが好ましい。
HFEとしては、例えば下記一般式(7)によって示される化合物を用いることができる。
(R4−O)a−R5 ・・・(7)
ここで、aは1〜3の数であり、そしてR4 およびR5 は互いに同一であるかまたは異なり、そしてアルキル、アリールおよびアルキルアルキル基からなる群より選ばれる。R4 およびR5 のうちの少なくとも1つは少なくとも1個のフッ素原子を含み、そしてR4 およびR5 のうちの少なくとも1つは少なくとも1個の水素原子を含み、R4 およびR5 のいずれかまたは両方は1個以上の鎖中ヘテロ原子を含んでよく、好ましくは、HFE中のフッ素原子の総数は、少なくとも、水素原子の総数以上である。R4 およびR5 は直鎖であっても、枝分かれであってもまたは環式であってもよく、そして1個以上の不飽和の炭素−炭素結合を含んでよいが、好ましくはR4 およびR5 は両方とも飽和である。
このような性質を有する市販のHFEとしては、例えば住友スリーエム株式会社のノベック(登録商標)HFE−7100、HFE7200、HFE71IPA、HFE−71DE、HFE−71DAなどがある。
以上のようにして表面処理を行った後、必要に応じて輝尽性蛍光体層12を被覆し封止する防湿性保護フィルム17を設ける。防湿性保護フィルム17としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などの樹脂フィルムを用いることができる。樹脂フィルムは加工が容易で厚みを100μm以下と薄くしても製造工程中の強度には問題がなく、薄層であるため初期画質の点で好ましい。
また、これらの防湿性保護フィルムは、透湿度及び酸素透過性が低い無機物質の層を積層して有していてもよい。このような無機物質としては、SiOx(SiO、SiO2)、Al23、ZnO2、SnO2,SiC、SiN等があるが、このうち特にAl23やSiOxは光透過率が高くかつ透湿度及び酸素透過性が高い、すなわちクラックやマイクロポアが少なく緻密な膜を形成することができるので特に好ましい。SiOx、Al23は単独で積層しても良いが、両方を共に積層すると透湿度及び酸素透過性をより高くすることができるので、SiOx、Al23の両方を積層してもよい。
無機物質の防湿性保護フィルムへの積層は、PVD法、スパッタリング法、CVD法、PE−CVD(Plasma enhanced CVD)等の方法が使用できる。積層は、蛍光体層を樹脂フィルムで被覆したのちに行ってもよいし、蛍光体層を被覆する前に行ってもよい。積層厚は0.01μmから1μm程度であることが好ましい。
また、アルミフィルム等の金属フィルムをラミネートしてなる積層フィルムを使用してもよい。あるいは、あらかじめ蒸着層が形成された市販の防湿性樹脂フィルムを用いてもよい。このような防湿性樹脂フィルムとしては、例えば、凸版印刷(株)GL−AEなどがある。上記のフィルムを複数枚積層して防湿性保護フィルムとしてもよい。
防湿性保護フィルムによる輝尽性蛍光体層12の封止方法としては、周知のどのような方法でもかまわない。例えば最外層を熱融着性の樹脂フィルムとした防湿性保護フィルムを、蛍光体プレート10の上下に配置し、防湿性防湿性樹脂フィルムの蛍光体プレート側面よりも外側部分をインパルスヒーターにより加熱して圧着することで、輝尽性蛍光体層12を封止することができる。
以下、本発明を実施例により説明する。なお、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
以下に記載の方法に従って、各種放射線画像変換パネルを作製した。
<基板の作製> 500μm厚の透明結晶化ガラスの一方の面に光反射層を設け、基板とした。光反射層は、酸化チタン(フルウチ化学社製)と酸化ジルコニウム(フルウチ化学社製)とを、蒸着装置を用いて基板上に蒸着することで、膜形成した。光反射層は波長400nmの光の反射率が85%、波長660nmの光の反射率が20%となるように膜厚を調整した。
<蛍光体プレートの作製> 上記基板にCsBr:Euからなる輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層を形成した。まず蒸着装置内の真空チャンバー内に固定して240℃に加温した。次いで真空チャンバー内に窒素ガスを導入し、真空度を0.1Paとした。基板の光反射層を設けた面を蒸着源に向けた。蒸着源と基板との距離は60cmとした。また蒸着源と基板との間にはアルミニウム製のスリットを配置し、基板面の法線方向に対して30°の角度で輝尽性蛍光体の蒸気が入射するようにした。基板を面方向に搬送しながら蒸着を行い、300μm厚の柱状構造を有する輝尽性蛍光体層を基板に形成し、蛍光体プレートを得た。
<表面処理>
蛍光体プレートを表面処理剤液に2分間浸漬し、1cm/secの速度で引き上げた後に、40℃の環境下で1時間乾燥して表面処理を実施した。フッ素化表面処理剤液として、サイトップ(表面張力19mN/m、屈折率1.34、旭硝子社製)を用いた。
表面処理剤として、EGC−1700(表面張力11mN/m、屈折率1.27、住友スリーエム社製)を用いた点以外は実施例1と同様である。
表面処理剤として、EGC−1700を用いるとともに、色材(Neozapon Blau 807、BASF社製)を表面処理剤に対し、0.03wt%となるように調整した。その他の点については実施例1と同様である。
<比較例>
表面処理を行わなかった。
<防湿性保護フィルムの作製> 蛍光体プレートの輝尽性蛍光体層側に設ける防湿性保護フィルムは、各種マット加工の施された膜厚12μmのポリエチレンテレフタレート(PET12)と、アルミナを蒸着した膜厚12μmのPET(VMPET12、東洋メタライジング社製)とを、ドライラミネーションで貼り合わせて形成した。ドライラミネーションには、2液反応型のウレタン系接着材を使用した。
また、蛍光体プレートの基板側に設ける防湿性保護フィルムは、9μm厚のアルミ箔と、100μm厚のPETとをドライラミネーションで貼り合わせ、アルミ箔側に熱融着性ラッカーを塗布して形成した。
<蛍光体パネルの封止> 蛍光体パネルの両面に上記防湿性保護フィルムを配置した。これを真空チャンバー内に設置し、圧力を200Paまで減圧後、ヘリウムガスを流入しチャンバー内をガス置換した。その後、チャンバー内の気圧を7000Paに再調節し、この減圧下でインパルスシーラーを用いて蛍光体パネルの周縁部で防湿性保護フィルム同士を融着し、蛍光体パネルを封止し、放射線画像変換パネルを得た。インパルスシーラーのヒーターは8mm幅のものを使用した。
<鮮鋭性の評価>
放射線画像変換パネルに鉛製のMTFチャートを通して管電圧80kVpのX線を照射した後、パネルHe−Neレーザー光(633nm)で操作して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器(分光感度S−5の光電子像倍管)で受光して電気信号に変換し、これをアナログ/デジタル変換してハードディスクに記録し、記録をコンピューターで分析してハードディスクに記録されているX線像の変調伝達関数(MTF)を調べた。下記の表1には空間周波数1サイクル/mmにおけるMTF値(%)が示されている。この場合MTF値が高いほど鮮鋭性がよい。
<コントラスト評価> 放射線画像変換パネルに40mm厚の鉛ディスクを写し込み、管電圧80kVpのX線を均一に照射した。その後、放射線画像変換パネルを輝尽性蛍光体層側から半導体レーザー(660nm)で走査して輝尽性蛍光体層を励起し、輝尽発光を受光器(分光感度S−5の光電子増倍管)で受光して画像を読み取った。得られた画像をレーザー書き込み式のフィルムプリンターで出力した。出力した画像を目視で観察し、鉛ディスク部(白)とその周辺部(黒)とのコントラストを下記の基準に則り5段階で評価した。なお、評価3以下は、実用上診断に適さないものと判断した。
5: 鉛ディスク周縁部、並びに白黒の明度差が明瞭に確認される。
4: 鉛ディスク周縁部がわずかにぼやけるものの、白黒の明度差はほぼ明瞭に確認される。
3: 鉛ディスク周縁部がぼやけて見え、白黒の明度差がやや明瞭でない。
2: 鉛ディスク周縁部、並びに白黒の明度差が不明瞭であり、鉛ディスクサイズを再現していない。
1: 鉛ディスク形状、並びに白黒の明度差が不明瞭であり、中心部の白色度も低い。
表1に評価を示す。
Figure 2005227169
実施例1の放射線画像変換パネルでは、鮮鋭性が0.77であり、白黒の明度差がほぼ明瞭に確認された。
実施例2の放射線画像変換パネルでは、鮮鋭性が0.81であり、白黒の明度差がほぼ明瞭に確認された。
実施例3の放射線画像変換パネルでは、鮮鋭性が0.86であり、白黒の明度差が明瞭に確認された。
比較例の放射線画像変換パネルでは、鮮鋭性が0.71であり、白黒の明度差がやや明瞭でなかった。
以上の結果に示すように、本発明によれば、柱状結晶の表面を表面張力が25mN/m以下の表面処理剤で処理することにより、柱状結晶の間隙に表面処理剤を浸透させて柱状結晶全体を均一に表面処理することができた。
また、屈折率が1.45以下の表面処理剤で処理することにより、放射線画像変換パネルの鮮鋭性を向上させることができた。さらに、励起光を吸収する色材を表面処理剤に加えることで、放射線画像変換パネルの鮮鋭性をより向上させることができた。
本発明の放射線画像変換パネルの形態を示す断面図である。 本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の形成方法を示す断面図である。
符号の説明
10 蛍光体パネル
11 基板
12 輝尽性蛍光体層
13 柱状結晶
15 基板ホルダ
16 蒸気流
17 防湿性保護フィルム

Claims (7)

  1. 気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記柱状結晶の表面は表面張力が25mN/m以下の表面処理剤で処理されていることを特徴とする放射線画像変換パネル。
  2. 前記表面処理剤は屈折率が1.45以下であることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像変換パネル。
  3. 前記表面処理剤はフッ素系ポリマーを含有することを特徴とする請求項1または2に記載の放射線画像変換パネル。
  4. 前記表面処理剤の溶媒はフッ素系溶媒であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
  5. 前記表面処理剤は輝尽性蛍光体の励起光を吸収する色材を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
  6. 前記輝尽性蛍光体層の少なくとも一層は下記一般式(1)で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
    1X・aM2X’2・bM3X’’3:eA ・・・(1)
    [ここで、M1はLi、Na、K、Rb及びCsからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、M2はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Cu及びNiからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、M3はSc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga及びInからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X、X’、及びX’’はF、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、AはEu、Tb、In、Ga、Cs、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、Er、Gd、Lu、Sm、Y、Tl、Na、Ag、Cu及びMgからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、a、b、eはそれぞれ0≦a<0.5、0≦b<0.5、0.0001<e≦1.0の範囲の数値を示す。]
  7. 前記輝尽性蛍光体層の少なくとも一層は下記一般式(2)で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネル。
    CsBr:eEu ・・・(2)
    [ここで、eは0.0001<e≦1.0の範囲の数値を示す。]
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007040042A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 放射線用シンチレータプレート及び放射線画像検出器
JP2007273498A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyocera Corp 波長変換器および発光装置
JP2015010837A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 放射線計測装置
JP2022522210A (ja) * 2019-03-05 2022-04-14 キヤノン株式会社 ガス透過性スーパーストレート及びその使用方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060049370A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-09 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Method for producing radiation image conversion panel
EP2067841A1 (en) 2007-12-06 2009-06-10 Agfa HealthCare NV X-Ray imaging photostimulable phosphor screen or panel.
CN103695002B (zh) * 2013-12-26 2016-03-30 有研稀土新材料股份有限公司 无机闪烁材料
US20200271796A1 (en) * 2015-12-23 2020-08-27 Agfa Healthcare Nv Radiation dosimeter

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1160303A3 (en) * 2000-06-01 2003-09-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Preparation of stimulable phosphor sheet
US6815092B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-09 Agfa-Gevaert Radiation image storage panel
US6967339B2 (en) * 2002-03-26 2005-11-22 Agfa-Gevaert Needle-shaped cylindrical storage phosphor crystals
US7026631B2 (en) * 2002-05-31 2006-04-11 Konica Corporation Radiation image conversion panel and preparation method thereof
US20040241395A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 3M Innovative Properties Company Method of modifying a surface of a substrate and articles therefrom

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007040042A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. 放射線用シンチレータプレート及び放射線画像検出器
JPWO2007040042A1 (ja) * 2005-09-30 2009-04-16 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線用シンチレータプレート及び放射線画像検出器
JP4710907B2 (ja) * 2005-09-30 2011-06-29 コニカミノルタエムジー株式会社 放射線用シンチレータプレート及び放射線画像検出器
JP2007273498A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyocera Corp 波長変換器および発光装置
JP2015010837A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 放射線計測装置
JP2022522210A (ja) * 2019-03-05 2022-04-14 キヤノン株式会社 ガス透過性スーパーストレート及びその使用方法
JP7265830B2 (ja) 2019-03-05 2023-04-27 キヤノン株式会社 ガス透過性スーパーストレート及びその使用方法

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