JP2005218948A - 処理装置および処理方法 - Google Patents

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【課題】 ダイヘッド等の荷重による走行用レールの撓みを考慮したステージを設け、基板とのギャップを均一に保ち、安定した処理が可能な処理装置と処理方法を提供する。
【解決手段】 基板を載置するステージを、高さを調整できる3本の足を持つ複数の分割ステージで構成し、基板への処理を行う処理部は、ステージの両側にあるレールに沿って移動させる。このような処理装置において、処理部による基板への処理に先立ち、基板と処理部のギャップを、各分割ステージの各足の位置で測定し、その測定値を元に、ギャップが一定になるように、各足の高さを調整する。3本の足の高さを調整することにより、各分割ステージの高さと角度が調整され、基板と処理部のギャップが一定になる。
【選択図】 図1


Description

本発明は、枚葉状の基板に対して塗布処理等の処理を施す処理装置に関するものである。
液晶表示装置等のカラーフィルタの製造工程において、矩形のガラス基板の表面にブラックマトリクスやR、G、B(Red、Green、Blue)の着色パターンなどを形成する際に、基板上に所定の塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理が行われる。
上述の塗布処理は、通常、基板を載置するステージと、塗布液を吐出するダイヘッドとを有する塗布装置を用いて行われる。ダイヘッドは、ガラス基板の一辺程度の長さの略直方体形状で、下面にスリット状の吐出口を備えている。このダイヘッドを、所定の塗布液を吐出口から吐出させながら、ガラス基板の一端部から他端部までステージに沿って移動させることによって塗布処理が行なわれる。
このような塗布装置において、ダイヘッドを移動させる機構として、ステージの下方に、ステージを挟むように2本の走行用レールを敷設し、ダイヘッドをそれら2本の走行用レール上を移動する移動部材に固定し、基板上を移動させることにより塗布する塗布装置が提案されている(特許文献1参照)。
特開2001−310152号公報
しかしながら、基板の大型化に伴い、ダイヘッドおよびそれを支持する移動部材の大きさ、重量が増すとともに、走行用レールの長さも長くなるため、ダイヘッド等の荷重によるダイヘッド走行時の走行用レールの変形が大きくなり、無視できないという問題がある。すなわち、走行用レールの一端から他端までダイヘッドが移動する際に、ダイヘッド等の荷重による走行用レールの撓みが走行用レールの中央部ほど大きくなるため、ダイヘッドとステージ上の基板との距離が、走行用レールの両端では長く、中央部では短くなる。これにより、塗布ギャップが均一に保てず、基板上に均一に塗布膜を形成できないという問題が生じるのである。
本発明は、このような問題を鑑みてなされたもので、その目的は、ダイヘッド等の荷重による走行用レールの撓みやステージの平面度を考慮したステージを設け、基板とのギャップを均一に保ち、安定した処理が可能な処理装置と処理方法を提供することである。
前述する課題を解決するための第一の発明は、基板を載置するステージと、基板に処理を施す処理部と、処理部が基板上を移動するためのレールとを有し、ステージは、高さおよび角度が調整可能な複数の分割ステージから成ることを特徴とする処理装置である。
分割ステージは、高さを調整可能な複数の支持部を持ち、各支持部の高さを変えることにより、分割ステージの高さおよび角度を調整する。各分割ステージは3本の支持部を有し、各支持部が差動ネジ等のネジで構成され、高さを調整できることが好ましい。
上記発明によれば、各分割ステージの高さと角度を調整することにより、レールの撓み等による基板−処理部間の距離変化を吸収し、基板に対して安定した処理が可能になる。
第2の発明は、第1の発明による処理装置を用いた基板の処理方法であって、実際の処理に先立ち、複数の分割ステージから成るステージを仮設置し、前記レールに沿って処理部を移動させることにより、ステージ上に載置した基板と処理部との距離を測定する距離測定工程と、距離測定工程による測定結果を元に、複数の分割ステージの高さおよび角度を、基板と処理部間の距離が一定になるように調整する調整工程と、調整工程により調整を施した複数の分割ステージから成るステージ上に載置した基板に、処理部が処理を施す処理工程とを具備することを特徴とする処理方法である。
処理部によって枚状基板を実際に処理する前の段階で、距離測定工程と調整工程により、各分割ステージの高さと角度を調整し、ステージ上に載置した基板と処理部との距離が一定になるステージを構築し、このステージを使用して、処理部が基板を処理することにより、基板に対して安定した処理が可能である。
本発明の処理装置および処理方法は、レールの撓みに合わせて分割ステージの高さおよび角度を前もって調整することにより、基板と処理部の距離を一定に保つことが可能なステージを構築でき、基板に対して安定した処理が可能である。
以下、図面に基づいて本発明の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形態にかかる塗布装置1の構成を示す斜視図、図2は、塗布装置1の構成を示す側面図、図3は、分割ステージ19を斜め下方から見た斜視図、図4は、分割ステージ19を斜め上方から見た斜視図、図5は、分割ステージ19の調整の流れを示すフローチャート、図6は、塗布装置1の調整方法を示す図である。
図1、図2に示すように、塗布装置1は、基台3、ステージ・ベース5、分割ステージ19a、19b、…、ダイヘッド7、スライドレール9aおよび9b等から成る。分割ステージ19a、19b、…上に載置された基板21に、ダイヘッド7から塗布液を吐出することにより、塗布処理が行われる。
ステージ・ベース5は、基台3の上に据え付けてあり、鉄、石、あるいはセラミック製の構造体である。基台3のX方向の両側には、スライドレール9aおよび9bが、それぞれ、スライドレール支持台11aおよび11c、11bおよび11dに支持されて備えられており、ダイヘッド7の移動に用いられる。
ダイヘッド7は、X方向を長手方向とする略直方体形状を成し、ダイヘッド支持部15に取り付けられ、ダイヘッド支持部15の長手方向の両端は、支持部16aおよび16bにより支持されている。支持部16aおよび16bの下部には、スライド部13aおよび13bがそれぞれ取り付けられており、スライドレール9aおよび9b上をスライドする。ダイヘッド7、支持部16a、16b、および、スライド部13a、13bが、分割ステージ19a、19b、…上に載置された基板21に塗布処理を施す処理部である。スライドレール9aおよび9bはエアスライダー機構を備え、スライド部13aおよび13bは、図示していない例えばリニアモータ等の駆動部により駆動されて、スライドレール9aおよび9b上をスライドする。
略直方体形状のダイヘッド7は、分割ステージ19a、19b、…の表面に対向する下面に塗布液を吐出するためのスリットが設けられている。ダイヘッド7をスライドレール9aおよび9bに沿ってY方向に移動させることにより、分割ステージ19a、19b、…上に載置したガラス基板上に塗布液を吐出し、塗布処理を行う。
分割ステージ19a、19b、…は、X方向を長手方向とする直方体形状で、グラナイトあるいはセラミック等を素材とする。ステージ・ベース5上に、例えば6〜7個の分割ステージ19a、19b、…を並べて配置する。分割ステージ19a、19b、…の数は、ステージ・ベース5、あるいは、載置する基板の大きさに応じて決定される。必要な精度で加工できる大きさを上限とし、必要なギャップ精度が得られるように分割数を決定する。
それぞれの分割ステージ19a、19b、…は、図3に示すように、3本の高さ調整ねじ23を足として備え、分割ステージ19a、19b、…をステージ・ベース5上に支持する。図3は、分割ステージ19を斜め下方から見た斜視図である。3本の高さ調整ねじ23は、それぞれ高さ調整が可能で、これにより、分割ステージ19a、19b、…の高さと、ステージ・ベース5面と分割ステージ19a、19b、…の成す角度が調整できる。高さ調整ねじ23は、例えば、差動ねじ等で構成される。分割ステージ19は、3本の高さ調整ねじ23による3点支持で安定して支持される。
さらに、ダイヘッド7には、例えばレーザー・センサ等により構成されるギャップ・センサ17が取り付けてあり、分割ステージ19a、19b、…上に載置した基板21とダイヘッド7の先端との距離を測定する。ギャップ・センサ17は、分割ステージ19の3本の足23のX方向の位置に合わせて3個取り付けてあり、ギャップ・センサ17が各足23の真上に来たときに距離を測定する。
次に、各分割ステージ19の構造をさらに詳しく説明する。図4は、図3に図示した分割ステージ19を斜め上方から見た斜視図である。
図4に示すように、分割ステージ19には、その表面に複数の基板支持ピン25が設置されている。各基板支持ピン25は、例えば円錐状で、その先端には半径1mm以下の金属球がかしめてある。基板21は、複数の基板支持ピン25の先端との複数の点接触により支持される。
また、各分割ステージ19には基板吸引穴27が設けられ、各基板吸引穴27は分割ステージ19内部にある基板吸引管28とつながっており、基板吸引管28は、さらにポンプ29と接続されている。基板21を分割ステージ19上に載置した後、塗布処理時に、ポンプ29で基板21を吸引することにより、基板支持ピン25上に固定する。このポンプ29は、例えばブロア等で構成され、例えば数10mmAqで吸引する。尚、図1、図2、図3においては、基板支持ピン25、基板吸引穴27、基板吸引管28の図示を省略している。
本実施形態の塗布装置1で基板21の塗布処理を行う場合には、塗布処理を開始する前に、まず、塗布装置1の設営を行う。すなわち、分割ステージ19a、19b、…の高さ・角度を調整する作業を行う。次に、分割ステージ19の調整方法について説明する。
図5、図6(a)に示すように、まず、ステージ・ベース5上に分割ステージ19a、19b、…を仮設置する(ステップ401)。図6では、例として、7つの分割ステージ19a、19b、・・・、19gを設置する場合について図示してある。分割ステージ19a、19b、・・・、19gは、図3に示したように、それぞれ3本の高さ調整ねじ23を持つが、図6では、そのうちの2本の高さ調整ねじ23を図示している。例えば、分割ステージ19aの3本の高さ調整ねじ23a1、23a2、23a3のうちの2本の高さ調整ねじ23a1、23a2のみが図示されている。
次に、分割ステージ19a、19b、・・・、19g上に、塗布処理を施す基板21を載置する(ステップ402)。そして、ダイヘッド7を基板21の一端から他端まで、塗布処理を行わずにY方向に走査する(ステップ403)。このとき、各分割ステージ19a、19b、・・・、19gの各高さ調整ねじ23上にギャップ・センサ17が到達するごとに、ダイヘッド7の先端と基板21間のギャップGを測定する。例えば、分割ステージ19aでは、3つの高さ調整ねじ23a1、23a2、23a3の位置でギャップを測定する。この測定を分割ステージ19b、19c、・・・、19gについても繰り返し行う。
分割ステージ19a、19b、・・・、19gのすべての高さ調整ねじ23の位置におけるギャップG(23a1)、G(23a2)、G(23a3)、G(23b1)、G(23b2)、G(23b3)、・・・、G(23g2)、G(23g3)の測定が完了したら、次に、ギャップの測定値Gが一定であるか否かを判定する(ステップ404)。通常、分割ステージ19a、19b、・・・、19gの調整前には、図6(a)に示すように、スライドレール9aがダイヘッド7等の荷重により撓むので、ギャップの測定値Gは、図6(b)に示すように、スライドレール9aの両端では大きく、中央部では小さくなる。
ギャップの測定値Gが各高さ調整ねじ23の位置で一定でない場合には(ステップ404のno)、ギャップの測定値Gを元に、各高さ調整ねじ23の高さを調整する(ステップ405)。例えば、ギャップの測定値Gの最小値をGminとすると、各調整ねじ23の高さを、その調整ねじ位置のギャップGと最小値Gminの差分だけ高くする。これにより、ダイヘッド7の先端と基板21間のギャップはGminで一定になる。
調整ねじ23の高さの調整方法は、上記のように最小ギャップGminを元にした調整に限らない。塗布処理時に最適なギャップが得られるように、各調整ねじ23の高さを調整すればよい。各調整ねじ23は、差動ねじを使用することにより数μmの精度で調整できる。
各分割ステージ19a、19b、・・・、19gについて3本の高さ調整ねじ23を調整することにより、各分割ステージ19a、19b、・・・、19gの高さと、ステージ・ベース5と成す角度が決まり、ステージ・ベース5上に安定して載置できる。
すべての高さ調整ねじ23a1、23a2、23a3、・・・、23g1、23g2、23g3の調整が完了したら、再度、分割ステージ19a、19b、・・・、19g上に基板21を載置し(ステップ402)、ダイヘッド7の先端と基板21間のギャップGを測定し(ステップ403)、ギャップ測定値Gが一定か否か判定する(ステップ404)。ギャップ測定値Gが一定でない場合(ステップ404のno)には、高さ調整ねじ23の調整(ステップ405)、基板21の載置(ステップ402)、ギャップGの測定(ステップ403)を、ギャップGが一定と判定されるまで繰り返す。ギャップGが一定ならば(ステップ404のyes)、分割ステージの調整作業を終了する。
以上の流れにより分割ステージ19の設営作業が完了し、塗布処理が可能になる。通常、塗布処理時にもギャップ・センサ17によるギャップGの測定が行われるので、塗布処理時にもギャップGが一定であるか否かを判定し、一定でない場合には警告信号を出し、塗布処理を中断し、分割ステージ19の高さ調整ねじ23の再調整を行うことが可能である。
以上のように、ステージを複数の分割ステージで構成し、各分割ステージの高さと角度を前もって調整することにより、ダイヘッド等の荷重によるスライドレールの撓み等、再現性のあるギャップ誤差を補正し、ダイヘッドと基板間の距離を一定に保つことが可能である。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図7は、第2の実施の形態にかかる塗布装置1の構成を示す斜視図である。図7に示すように、本実施の形態の塗布装置1は、ダイヘッド37を移動させるスライドレール39aおよび39bがステージ・ベース35よりも高い位置にある点が第1の実施の形態とは異なる。
すなわち、図7に示すように、塗布装置1は、基台33、ステージ・ベース35、分割ステージ39、39b、…、ダイヘッド37、スライドレール39aおよび39b等からなり、スライドレール39aおよび39bは、基台33の下部に設けられたスライドレール支持台41の四隅に直立するスライドレール支持部45a、45b、45c、45dにより支持されている。すなわち、スライドレール39aは、スライドレール支持部45aおよび45cにより支持され、スライドレール39bは、スライドレール支持部45bおよび45dにより支持されている。
ダイヘッド37は、X方向を長手方向とする略直方体形状を成し、その両端にスライド部43aおよび43bが取り付けられており、このスライド部43aおよび43bがスライドレール39aおよび39b上をスライドすることにより、ダイヘッド37が移動する。スライドレール39aおよび39bはエアスライダー機構を備え、スライド部43aおよび43bは、図示していない例えばリニアモータ等の駆動部により駆動されて、スライドレール39aおよび39b上をスライドする。ダイヘッド37の構造は、第1の実施の形態の塗布装置1のダイヘッド7と同様であり、分割ステージ49a、49b、…上に載置したガラス基板上に塗布液を吐出し、塗布処理を行う。
このように、スライドレール39aおよび39bがガラス基板を載置するステージよりも高い位置にある場合、スライドレール支持部45a、45b、45c、45dおよびスライドレール39aおよび39bの構造上、ダイヘッド37の荷重によりスライドレール39aおよび39bが撓む可能性が大きく、分割ステージ49a、49b、…の使用が効果的である。
分割ステージ49a、49b、…の構造、材質は、図3、図4に示した第1の実施の形態における塗布装置1の分割ステージ19a、19b、…と同様であり、また、その数は、ステージ・ベース5、あるいは、載置する基板の大きさに応じて、必要な精度で加工できる大きさを上限とし、必要なギャップ精度が得られるように分割数を決定する。
本実施形態の塗布装置1で基板に塗布処理を施す場合には、塗布処理を開始する前に、まず、塗布装置1の設営を行う。すなわち、分割ステージ49a、49b、…の高さ・角度を調整する作業を行う。この作業の手順は、図5に示した手順と同様の手順で行う。
以上のように、スライドレールがステージよりも高い位置にある処理装置においても、ステージを複数の分割ステージで構成することが有効である。各分割ステージの高さと角度を前もって調整することにより、ダイヘッド等の荷重によるスライドレールの撓み等、再現性のあるギャップ誤差を補正し、ダイヘッドと基板間の距離を一定に保つことが可能である。
尚、本発明は、前述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の改変が可能であり、それらも、本発明の技術範囲に含まれる。例えば、高さ調整ねじ23の代わりに石材等を材料とする足を設け、ギャップ測定値Gに応じてその足を削ることにより、各足の高さを調整してもよい。さらに、本発明は、塗布装置に限らず、露光装置等の他の処理装置にも適用することが可能である。
本発明によれば、大型基板用の処理装置であっても、基板上を走査する処理部の荷重による影響なく、高品質で安定した塗布が可能である。この処理装置は、大型の液晶用カラーフィルタや有機EL(エレクトロ・ルミネサンス)等の製造ラインに用いることが可能である。
本発明の実施の形態にかかる塗布装置1の構成を示す斜視図 塗布装置1の構成を示す平面図 分割ステージ19を斜め下方から見た斜視図 分割ステージ19を斜め上方から見た斜視図 分割ステージ19の調整の流れを示すフローチャート 塗布装置1の調整方法を示す図 本発明の第2の実施の形態にかかる塗布装置1の構成を示す斜視図
符号の説明
1………塗布装置
5………ステージ・ベース
7………ダイヘッド
9………スライドレール
17………ギャップ・センサ
19………分割ステージ
23………高さ調整ねじ

Claims (5)

  1. 基板を載置するステージと、
    前記基板に処理を施す処理部と、
    前記処理部が前記基板上を移動するためのレールと、
    を具備し、
    前記ステージは、複数の分割ステージから成り、各分割ステージの高さおよび角度が調整可能であることを特徴とする処理装置。
  2. 前記分割ステージは、高さを調整可能な複数の支持部を持ち、各支持部の高さを変えることにより、分割ステージの高さおよび角度を調整することを特徴とする請求項1記載の処理装置。
  3. 前記分割ステージは、3本の支持部を持つことを特徴とする請求項1記載の処理装置。
  4. 前記支持部は、差動ネジ等のネジで構成されることを特徴とする請求項1記載の処理装置。
  5. 請求項1の処理装置を用いて基板を処理する処理方法であって、
    前記複数の分割ステージから成るステージを仮設置し、前記レールに沿って前記処理部を移動させることにより、ステージ上に載置した基板と処理部との距離を測定する距離測定工程と、
    前記距離測定工程による測定結果を元に、前記複数の分割ステージの高さおよび角度を、基板と処理部間の距離が一定になるように調整する調整工程と、
    前記調整工程により調整を施した複数の分割ステージから成るステージ上に載置した基板に、前記処理部が処理を施す処理工程と、
    を具備することを特徴とする処理方法。
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