JP2005216967A - 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半絶縁性GaAs基板2上にバッファ層3およびチャネル層6を備える電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、バッファ層3に、p型導電性を示すキャリア濃度(Np、単位はcm−3)とそのキャリア濃度を有する結晶の厚さ(単位はnm=10−7cm)との積(Nd積)が6.0×1010〜4.0×1011cm−2の範囲の第2のバッファ層3bをリーク電流低減層として形成した。
【選択図】 図1
Description
図3は、その測定結果を示す。
図4は、Nd積を変えて15V印加した時のソース−ドレイン間のリーク電流値を比較したグラフである。ここで、Nd積=0の時の値は、本発明の実施例におけるリーク電流低減層を成長していないとき(従来例)の値である。
2 半絶縁性GaAs基板
3 バッファ層
3a 第1のバッファ層
3b 第2のバッファ層
3c 第3のバッファ層
3d 第4のバッファ層
4 第1のキャリア供給層
5 第1のスペーサ層
6 チャネル層
7 第2のスペーサ層
8 第2のキャリア供給層
9 ショットキー層
10 コンタクト層
20 MOVPE装置
21 反応炉
22 サセプタ
23 ヒータ
24 制御軸
25 石英ノズル
26 排気部
27 基板
30 バッファ層
30a 第1のバッファ層
30b 第2のバッファ層
30c 第3のバッファ層
31 TMGガス発生装置
32 TMAガス発生装置
33 AsH3ガス発生装置
34 TMIガス発生装置
35 ジシランガス発生装置
Claims (7)
- 半絶縁性GaAs基板上に前記半絶縁性GaAs基板上の残留不純物によるデバイス特性劣化を抑えるバッファ層と、自由電子が流れるチャネル層を有する電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、
前記バッファ層は、キャリア濃度と層厚さとの積がソース−ドレイン電極間のリーク電流を低減する所定の値の結晶層を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。 - 前記結晶層の前記所定の値は、6.0×1010〜4.0×1011cm−2であることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記結晶層は、他の層を介して前記バッファ層中に形成されることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記結晶層は、前記半絶縁性GaAs基板に接して形成されることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記結晶層は、AlxGa1−xAs(0.35<x<1.0)であることを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記結晶層は、Al元素,Ga元素およびIn元素のうちのいずれか2つの元素と、As元素またはP元素のうちいずれか1つの元素の計3つの元素を含むことを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
- 前記結晶層は、Al元素,Ga元素およびIn元素と、As元素またはP元素のうちいずれか1つの元素の計4元素を含むことを特徴とする請求項1記載の電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハ。
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