JP2005213228A - 新規なジアルデヒド化合物及びアリールアミン重合体 - Google Patents
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- VVMZLANHYSJITB-UHFFFAOYSA-N Cc(cc1)ccc1N(C(CC1)CCC1Br)c(cc1)ccc1Br Chemical compound Cc(cc1)ccc1N(C(CC1)CCC1Br)c(cc1)ccc1Br VVMZLANHYSJITB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】 本発明のジアルデヒド化合物は、下記一般式(I)で表される。
【化1】
[(I)式中、R1、R2、R3、R4はそれぞれ独立にハロゲン原子、直鎖もしくは分岐鎖の、アルキル基、アルコキシ基またはアルキルチオ基から選択される基を表し、x、y、z、wはそれぞれ独立に0から4の整数を表し、R1、R2、R3、R4が各々複数存在する場合には、各々同一でも別異でもよく、
Bは、単環式、非縮合多環式又は多環式の芳香族炭化水素基を表す。]
【選択図】 なし
Description
〔1〕 下記一般式(I)で表されるジアルデヒド化合物
Bは、単環式、非縮合多環式又は多環式の芳香族炭化水素基を表す。]
〔2〕 一般式(II)で表されるジハロゲン化合物と、一般式(III)または(IV)で表される芳香族ホウ素化合物とを反応させることにより得られる前記〔1〕に記載のジアルデヒド化合物。
Gは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、Bは、単環式、非縮合多環式又は多環式の芳香族炭化水素基を表す。]
〔3〕 一般式(I)のジアルデヒド化合物が下記一般式(V)で表されることを特徴とする前記〔1〕に記載のジアルデヒド化合物
〔4〕 一般式(II)で表されるジハロゲン化合物が、下記一般式(VI)で表され、一般式(III)または(IV)で表される芳香族ホウ素化合物がそれぞれ下記一般式(VII)または(VIII)で表され、前記ジハロゲン化合物(VI)と芳香族ホウ素化合物(VII)または(VIII)とを反応させることにより得られる前記〔3〕に記載のジアルデヒド化合物。
Gは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。]
〔5〕 下記一般式(IX)で表される繰り返し単位を有する重合体。
Bは、単環式、非縮合多環式又は多環式の芳香族炭化水素基を表し、Aは、単環式、非縮合多環式又は多環式の芳香族炭化水素基の二価基を表す。]
〔6〕 下記一般式(X)と、一般式(I)で表されるジアルデヒド化合物とを反応させることにより得られる前記〔5〕に記載の一般式(IX)で表される重合体。
LはPO(OR’)2(式中R’は低級アルキル基を表す)またはP+R’’3Y−(式中R’’はフェニル基あるいはアルキル基を、Yはハロゲン原子を表す)を表す。]
〔7〕 一般式(IX)で表される繰り返し単位を有する重合体が、下記一般式(XI)で表されることを特徴とする前記〔5〕に記載の繰り返し単位を有する重合体。
Aは、単環式、非縮合多環式又は多環式の芳香族炭化水素基の二価基を表す。]
〔8〕 前記一般式(X)と、前記一般式(V)で表されるジアルデヒド化合物とを反応させることにより得られる前記〔7〕に記載の一般式(XI)で表される重合体。
LはPO(OR’)2(式中R’は低級アルキル基を表す)またはP+R’’3Y−(式中R’’はフェニル基あるいはアルキル基を、Yはハロゲン原子を表す)を表す。]
前記一般式(I)におけるBとしては、置換若しくは無置換の単環基、多環基(縮合多環基、非縮合多環基)芳香族炭化水素基の何れでもよく、一例として以下のものを挙げることができる。例えばフェニル基、ナフチル基、ピレニル基、フルオレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などが挙げられる。
(4)アルキルチオ基又はアリールチオ基。(アルキルチオ基又はアリールチオ基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。)
(5)アルキル置換アミノ基。(具体的には、ジエチルアミノ基、N-メチル−N−フェニルアミノ基、N,N-ジフェニルアミノ基、N,N-ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。)
(6)アシル基(アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。)
本発明の一般式(I)に示されるジアルデヒド化合物は、(1)下記一般式(II)で表されるジハロゲン化合物と、一般式(III)で表される芳香族ホウ素化合物とを反応させることにより得ることができる。
Gは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。
(4)アルキルチオ基又はアリールチオ基。(アルキルチオ基又はアリールチオ基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、p-メチルフェニルチオ基等が挙げられる。)
(5)アルキル置換アミノ基。(具体的には、ジエチルアミノ基、N-メチル−N−フェニルアミノ基、N,N-ジフェニルアミノ基、N,N-ジ(p−トリル)アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。)
(6)アシル基(アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。)
また、一般式(IX)におけるBは、前記一般式(I)で表されるジアルデヒド化合物の場合と同様に構成される。
本発明の一般式(IX)で表される重合体は、次のように、上記重合反応1又は2により重合することが好ましい。
ジアルデヒド化合物の合成
実施例2
重合体1の合成
重合体2の合成
重合体3の合成
Claims (8)
- 一般式(II)で表されるジハロゲン化合物と、一般式(III)または(IV)で表される芳香族ホウ素化合物とを反応させることにより得られる請求項1に記載のジアルデヒド化合物。
Gは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、Bは、単環式、非縮合多環式又は多環式の芳香族炭化水素基を表す。]
- 一般式(II)で表されるジハロゲン化合物が、下記一般式(VI)で表され、一般式(III)または(IV)で表される芳香族ホウ素化合物がそれぞれ下記一般式(VII)または(VIII)で表され、前記ジハロゲン化合物(VI)と芳香族ホウ素化合物(VII)または(VIII)とを反応させることにより得られる請求項3に記載のジアルデヒド化合物。
Gは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。]
- 下記一般式(X)と、下記一般式(V)で表されるジアルデヒド化合物とを反応させることにより得られる請求項7に記載の一般式(XI)で表される重合体。
LはPO(OR’)2(式中R’は低級アルキル基を表す)またはP+R’’3Y−(式中R’’はフェニル基あるいはアルキル基を、Yはハロゲン原子を表す)を表す。]
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US11/566,728 US7550554B2 (en) | 2003-02-13 | 2006-12-05 | Aryl amine polymer, thin film transistor using the new aryl amine polymer, and method of manufacturing the thin film transistor |
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WO2006088211A1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Ricoh Company, Ltd. | Organic thin film transistor |
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2004
- 2004-01-30 JP JP2004024867A patent/JP2005213228A/ja active Pending
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WO2006088211A1 (en) * | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Ricoh Company, Ltd. | Organic thin film transistor |
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