JP2005209773A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 リッジ形状にドライエッチングする際に、エッチングする深さの制御を容易にし、半導体層の厚さを精度よく調整すること。
【解決手段】 リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記コンタクト層をリッジ形状にドライエッチングするに際し、前記コンタクト層と前記エッチングストップ層とのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】 リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記コンタクト層をリッジ形状にドライエッチングするに際し、前記コンタクト層と前記エッチングストップ層とのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、リッジ導波路型窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
リッジ導波路型窒化物半導体発光素子の典型的な構造を図3に示す。この例では、サファイア基板301に、AlGaNバッファ層302、n型GaN層303、n型AlGaNクラッド層304、InGaN活性層305、p型AlGaNクラッド層およびp+型GaNコンタクト層を積層した後、エッチングによりリッジ状のp型AlGaNクラッド層306およびp+型GaNコンタクト層310を形成し、最後に電極311を形成する。
リッジ導波路型化合物半導体発光素子では、活性層からリッジ部分の底面までの距離を正確に制御することが重要である。この距離によりリッジ導波路内外の実効屈折率差が変化するため、この距離がばらつくと、水平横方向の光の分布が変化し、遠視野像および閾値電流などの特性がばらつくことになる。
GaAs系化合物半導体発光素子を製造する場合には、GaAs系化合物半導体層に対して選択性の優れたエッチング液を使用するウェットエッチングが行なわれ、エッチングストップ層により、素子特性のバラツキの原因となる膜厚を精度よく制御することが可能である。一方、GaN系化合物半導体発光素子を製造する場合には、適当なエッチング液がないため、ドライエッチングが行なわれる。しかし、ドライエッチングではGaN系化合物半導体層に対する十分な選択性がないため、リッジ導波路型化合物半導体発光素子を再現性よく製造することが困難である。たとえば、図3の例であれば、ドライエッチングによりリッジ状のp型AlGaNクラッド層306およびp+型GaNコンタクト層310を形成する際、p型AlGaNクラッド層306の厚さを精度よく制御することは非常に困難である。
下記特許文献1には、活性層上の第2クラッド層の上にドライエッチストップ層としてAlInGaNを積層し、その膜厚を非常に薄くして、ECR−RIBE法(電子サイクロトロン共鳴を利用した反応性イオンビームエッチング法)でエッチングするリッジ導波路型半導体発光素子の製造方法が紹介されている。また、下記特許文献2には、Inを含むIII族窒化物材料で活性層よりも禁制帯幅の大きい材料からなるエッチングストップ層を活性層の近傍に積層し、エッチングストップ層の表面までInを含まないIII族窒化物材料からなる層をエッチングし、リッジ構造を形成する窒化物半導体発光素子が紹介されている。
しかし、エッチングストップ層の厚さのバラツキおよびエッチング時のウェハの温度変動により、エッチングストップ層でエッチングが止まらない場合が多く、歩留りが低下する原因になっている。
また、リッジ導波路型窒化物半導体発光素子において、コンタクト層と、活性層との間にドライエッチングの速度が変化する層を挿入し、エッチング時にウェハの表面に光を照射し、反射光の膜厚干渉信号により前記エッチング速度が変化する層(エッチングストップ層)を検出し、エッチングする深さを制御する発光素子の製造方法もある。しかし、GaN基板の素子ウエハの場合、基板とエピ層界面とでの屈折率変化が少なく、反射光の干渉信号が弱くなり、エッチングストップ層を観察出来ない場合が多く、歩留りが低下する原因になっている。
特開平9−298343号公報
特開平10−326940号公報
本発明の目的は、基板とエピ層の屈折率差が少ない素子ウエハでもリッジ形状にドライエッチングする際に、エッチングする深さの制御を容易にし、半導体層の厚さを精度よく調整することにより、閾値電流などの特性が安定で、生産効率が高く、再現性のよいリッジ導波路型窒化物半導体発光素子を提供することにある。
本発明は、リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記コンタクト層をリッジ形状にドライエッチングするに際し、前記コンタクト層と前記エッチングストップ層とのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
好ましくは、前記リッジ導波路型窒化物半導体発光素子がGaN基板上に作製され、検出するプラズマ発光がGaであり、検出するプラズマ発光が波長400nm以上420nm以下のGaのプラズマ発光である。
好ましくは、前記エッチングに使用するガスが、塩素系ガスであり、具体的には、前記エッチングに使用するガスが、SiCl4,Cl2およびBCl3よりなる群から選択される。
本発明はまた、リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子において、前記エッチングストップ層がIII−V族化合物半導体からなり、III族元素はAl、InまたはGaのいずれかであり、V族元素はN、AsまたはPのいずれかであることを特徴とする発光素子を提供する。
好ましくは、前記エッチングストップ層のエネルギギャップが活性層のエネルギギャップより大きく、前記エッチングストップ層の厚さが50Å以上である。
本発明によれば、プラズマ発光の検出によりエッチングする深さを容易に制御できるので、閾値電流及び光学特性などの特性が安定で、生産効率が高く、再現性の良いリッジ導波路型化合物半導体発光素子を提供することができる。
本発明は、リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記コンタクト層をリッジ形状にドライエッチングするに際し、前記コンタクト層と前記エッチングストップ層とのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする。ここで、エッチングストップ層とは、ドライエッチング中にその層を検出することによりエッチングを停止し、所望のエッチング深さを得るための半導体層を意味する。
本発明において製造したリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造を図1に示す。この発光素子は、基板101に、バッファ層102、n型コンタクト層103、n型クラッド層104、n型ガイド層105、多重量子井戸活性層106、p型蒸発防止層107、p型エッチングストップ層108、p型ガイド層109、p型クラッド層110、p型コンタクト層111をこの順に積層した構造を有する。
上記のような構成の窒化物半導体において、本発明は、上記半導体をリッジ形状にエッチングする際に、プラズマ発光を観察し、エッチングストップ層を検出するため基板上に作製された窒化物半導体ウエハでも歩留り良くリッジ導波路構造を形成することが可能となる。
本発明により、上記従来の技術において説明したような窒化物半導体のドライエッチング法における問題、すなわち、反射光の干渉を用いてエッチング量を観察する方法が使用されていることに起因する、リッジ形成のようにエッチング時間が短い場合のエッチング初期の干渉信号不安定領域(表面の酸化物をエッチングで除去する時間)や、設定されたエッチング量からの誤差などの問題を解消することができる。また、基板上に作製された窒化物半導体のように基板とエピ層で屈折率差の少ない素子ウエハでは反射光が弱く、干渉信号が微弱になるためエッチングストップ層が観察できないなどの問題も解消することができる。
本発明において、窒化物半導体は組成変化が少ないためGa以外のIII属元素のプラズマ発光を観察しても強度が微弱であるから観察するプラズマ発光はGa元素であることが望ましい。特に波長400nm以上420nm以下のGaのプラズマ発光が強いためにこの波長域での観察が好ましい。
また、上記Gaのプラズマ発光を観察する場合、エッチングには塩素系ガスを使用することが望ましい。特にSiCl4ガスは波長280nm以上290nm以下に、Cl2ガスは256nm以上309nm以下に、BCl3ガスは570nmにプラズマ発光を有するために、前記Gaのプラズマ発光と競合しないのでエッチングガスとして好ましい。
本発明のエッチングストップ層は、III−V族化合物半導体からなることが好ましく、具体的には、III族元素はAl、InまたはGaのいずれかであり、V族元素はN、AsまたはPのいずれかであることが好ましい。たとえば、エッチングストップ層に到達する前の層が、AlGaNからなる場合は、エッチングストップ層は、InGaNからなるものが好ましい。
エッチングストップ層のエネルギギャップは、活性層からの発光の吸収を低減し、化合物半導体発光素子における内部ロスを減らし、閾値電流の上昇を抑制することができる点で、活性層のエネルギギャップより大きいことが好ましい。また、光の吸収が無いことが望ましい。
本発明において、エッチングストップ層は、水平横方向の光の分布、遠視野像の制御および閾値電流の低減、無効電流の制御などの理由から、コンタクト層と活性層との間に挿入されていることが好ましい。
また、エッチングストップ層の厚さは、プラズマの組成変化が観察可能な50Å以上で、また多層構造により組成変化からなる場合が好ましい。
本発明において、ドライエッチングは通常の方法で行なうことができる。たとえば、反応性イオンエッチング法(RIE)、電子サイクロトロン共鳴を利用した反応性イオンビームエッチング法(ECR-RIBE)または誘導結合プラズマ方式によるエッチング法(ICP)などがある。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1)
本実施例において製造したリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造を図1に示す。この発光素子は、GaNからなる基板101に、GaNからなるバッファ層102(厚さ0.02μm)、n型GaNからなるコンタクト層103(厚さ3μm)、n型Al0.1Ga0.9Nからなるクラッド層104(厚さ0.8μm)、n型GaNからなるガイド層105(厚さ0.15μm)、InGaNからなる多重量子井戸活性層106(厚さ0.05μm)、p型Al0.3Ga0.7Nからなる蒸発防止層107(厚さ0.03μm)、p型Al0.4Ga0.6Nからなるエッチングストップ層108(厚さ0.05μm)、p型GaNからなるガイド層109(厚さ0.15μm)、p型Al0.1Ga0.9Nからなるクラッド層110(厚さ0.5μm)、p型GaNからなるコンタクト層111(厚さ0.2μm)をこの順に積層した構造を有する。
本実施例において製造したリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造を図1に示す。この発光素子は、GaNからなる基板101に、GaNからなるバッファ層102(厚さ0.02μm)、n型GaNからなるコンタクト層103(厚さ3μm)、n型Al0.1Ga0.9Nからなるクラッド層104(厚さ0.8μm)、n型GaNからなるガイド層105(厚さ0.15μm)、InGaNからなる多重量子井戸活性層106(厚さ0.05μm)、p型Al0.3Ga0.7Nからなる蒸発防止層107(厚さ0.03μm)、p型Al0.4Ga0.6Nからなるエッチングストップ層108(厚さ0.05μm)、p型GaNからなるガイド層109(厚さ0.15μm)、p型Al0.1Ga0.9Nからなるクラッド層110(厚さ0.5μm)、p型GaNからなるコンタクト層111(厚さ0.2μm)をこの順に積層した構造を有する。
InGaNからなる活性層106は、In0.15Ga0.85Nからなるバリア層:3層とIn0.05Ga0.95Nからなるウエル層:2層を交互に積層した構造を有し、InGaNからなる活性層105の全体としてのエネルギギャップは3.0であった。本実施例におけるエッチングストップ層108のエネルギギャップは3.6であったことから、エッチングストップ層108の方が活性層106のエネルギギャップより大きい。
各半導体層は、有機金属化合物気相成長法(MOCVD法)により積層し、V族元素の原料としてはアンモニア(NH3)を用い、III族元素の原料としてはトリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)およびトリメチルインジウム(TMIn)を用い、p型不純物としてはビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)、n型不純物としてはモノシラン(SiH4)を用い、また、キャリアガスとしてはH2およびN2ガス及び混合ガスを使用して製造した。
半導体層の積層後、ウエハ表面にフォトリソグラフィの手法を利用して幅2μmのレジストマスクを形成し、レジストマスクで被覆された以外のp型GaNからなるコンタクト層110、p型Al0.1Ga0.9Nからなるクラッド層109、p型GaNからなるガイド層108(厚さ0.15μm)及びp型Al0.4Ga0.6Nからなるエッチングストップ層107をドライエッチングしてリッジを形成した。
図1はドライエッチングした後の構造である。ドライエッチングに際しては、Gaのプラズマ光(波長417nm)の発光強度を観察する。p型GaNからなるガイド層108とエッチングストップ層107の界面でGa組成の低減(100→60%に低減)によりプラズマの発光強度の減少を検出してエッチングを停止する。ドライエッチングには反応性イオンエッチング方式:RIE装置を使用し、エッチングガスはSiCl4を使用した。図4は、RIE装置を示す概略図である。導入されたエッチングガス10はプレート11に印加された高周波電界によりプラズマ放電を発生し、反応性ガスプラズマ12に励起される。この反応性ガスプラズマ12を用いてプレートに配置されたウエハ13のドライエッチングを行う。ドライエッチングに際して、プラズマ発光を、ビューポート14を通してCCDカメラ15で観察する。図5は、GaNをエッチングする際に観察されるプラズマ発光のスペクトルを示す図であり、波長294,403,417nmの信号はGaからの発光、波長326〜337nmの信号は窒素からの発光に対応している。本実施の形態においては、プラズマ発光のうち、波長400〜420nmの範囲の発光強度をモニタしており、これは、上記Ga原子からの発光強度の強い領域を含んでいる。図6は、上記ウエハをエッチングしていったときに検出されたプラズマ発光強度の変化を、グラフを用いて表す図である。当該グラフの図において、601に示す点で、信号強度が減少する状況が観察されており、この位置が、エッチングがエッチング終点検出層に達した状況を示している。つまり、p型GaNガイド層109とエッチング終点検出層108の界面でGa組成の低減(100→60%に低減)によりプラズマの発光強度の減少が観察される。そこで、エッチング工程において、信号強度の減少601を検出してエッチングを停止することにより、所要の位置で、エッチングを終わらせることが出来る。ドライエッチング後、絶縁膜112、電極113を形成した。
光の反射光の干渉を用いた従来の方法では、GaN基板上の素子ウエハでは干渉信号が微弱になるためエッチングストップ層でエッチングを停止できず、ウエハ間での発光素子の閾値電流バラツキは±50%にも達していた。これに対して、本実施例で製造した発光素子は、閾値電流Ithの平均が40mAであり、ウエハ間で発光素子の閾値電流バラツキを±10%以内に押さえることができた。また、水平方向の遠視野像のバラツキも従来法の±20%を±10%以内に押さえることができ、生産性の向上が可能となった。
本発明者らが、エッチング終端検出層の組成を種々変更して検討した結果、この層のGa組成(III族元素におけるGa組成の割合)がエッチング終端検出層直上のエッチングされる層から、Gaの組成比が10%程度変化していれば、上述のような信号強度の変化が検出でき、確実な変化の検出のためには、20%程度以上変化していることが好ましいことが明らかとなった。例えば、エッチング終端検出層としてGaXAlYIn1−X−YN(0≦X≦1、0≦Y≦1)を、エッチング終端検出層の上に隣接する層GaUAlVIn1−U−VN(0≦U≦1、0≦V≦1)としたとき、|X−U|≧0.2とすることが好ましいことが明らかとなった。
(実施例2)
本実施例において製造したリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造を図2に示す。この発光素子は、サファイアからなる基板121に、AlNからなるバッファ層122(厚さ0.02μm)、n型GaNからなるコンタクト層123(厚さ4μm)、n型Al0.15Ga0.85Nからなるクラッド層124(厚さ0.8μm)、n型GaNからなるガイド層125(厚さ0.15μm)、InGaN/GaNからなる活性層126(厚さ0.065μm)、GaNからなるガイド層127(厚さ0.15μm)、p型Al0.3Ga0.7Nからなる蒸発防止層128(厚さ0.03μm)、p型GaN0.98As0.02からなるエッチングストップ層129(厚さ0.05μm)、p型Al0.15Ga0.85Nからなるクラッド層130(厚さ0.5μm)、p型GaNからなるコンタクト層131(厚さ0.2μm)をこの順に積層した構造を有する。
本実施例において製造したリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の構造を図2に示す。この発光素子は、サファイアからなる基板121に、AlNからなるバッファ層122(厚さ0.02μm)、n型GaNからなるコンタクト層123(厚さ4μm)、n型Al0.15Ga0.85Nからなるクラッド層124(厚さ0.8μm)、n型GaNからなるガイド層125(厚さ0.15μm)、InGaN/GaNからなる活性層126(厚さ0.065μm)、GaNからなるガイド層127(厚さ0.15μm)、p型Al0.3Ga0.7Nからなる蒸発防止層128(厚さ0.03μm)、p型GaN0.98As0.02からなるエッチングストップ層129(厚さ0.05μm)、p型Al0.15Ga0.85Nからなるクラッド層130(厚さ0.5μm)、p型GaNからなるコンタクト層131(厚さ0.2μm)をこの順に積層した構造を有する。
InGaN/GaNからなる活性層126は、GaNからなるバリア層を6層とIn0.05Ga0.95Nからなるウエル層を5層と、を交互に積層した構造を有し、InGaN/GaNからなる活性層126の全体としてのエネルギギャップは3.0であった。本実施例におけるp型GaNからなるエッチングストップ層129のエネルギギャップは3.4であり、エッチングストップ層129の方が活性層126のエネルギギャップより大きい。
各半導体層は、有機金属化合物気相成長法(MOCVD法)により積層し、V族元素の原料としてはアンモニア(NH3)、アルシン(AsH3)を用い、III族元素の原料としてはトリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)およびトリメチルインジウム(TMIn)を用い、p型不純物としてはビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)、n型不純物としてはモノシラン(SiH4)を用い、また、キャリアガスとしてはH2およびN2ガス及び混合ガスを使用して製造した。
半導体層の積層後、ウエハ表面にフォトリソグラフィの手法を利用して幅2μmのレジストマスクを形成し、レジストマスクで被覆された以外のp型GaNからなるコンタクト層129、p型Al0.1Ga0.9Nからなるクラッド層128、p型GaNからなるエッチングストップ層127をドライエッチングしてリッジを形成した。図2にドライエッチングした後の構造を示す。ドライエッチングに際しては、Gaのプラズマ光(波長403nm)の発光強度を観察した。p型GaN0.98As0.02からなるエッチングストップ層127とp型Al0.3Ga0.7Nからなる蒸発防止層126(厚さ0.03μm)の界面でGa組成の低減(98→70%に低減)によりプラズマの発光強度の減少を検出してエッチングを停止した。ドライエッチングには誘導結合プラズマ方式:ICP装置を使用し、エッチングガスはCl2を使用した。ドライエッチング後、絶縁膜132、電極133を形成した。
光の反射光の干渉を用いた従来の方法では、GaN基板上の素子ウエハでは干渉信号が微弱になるためエッチングストップ層でエッチングを停止できず、ウエハ間での発光素子の閾値電流バラツキは±50%にも達していた。これに対して、本実施例で製造した発光素子は、閾値電流Ithの平均が45mAであり、ウエハ間で発光素子の閾値電流バラツキを±7%以内に押さえることができた。水平方向の遠視野像のバラツキも従来法の±20%を±10%以内に押さえることができ、生産性の向上が可能となった。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
10 エッチングガス、11 プレート、12 プラズマ、13 ウエハ、14 ビューポート、15 CCDカメラ、101 基板、102 バッファ層、103 n型コンタクト層、104 n型クラッド層、105 n型ガイド層、106 多重量子井戸活性層、107 p型蒸発防止層、108 p型エッチングストップ層、109 p型ガイド層、110 p型クラッド層、111 p型コンタクト層、121 サファイアからなる基板、122 AlNからなるバッファ層、123 n型GaNからなるコンタクト層、124 n型Al0.15Ga0.85Nからなるクラッド層、125 n型GaNからなるガイド層、126 InGaN/GaNからなる活性層、127 GaNからなるガイド層、128 p型Al0.3Ga0.7Nからなる蒸発防止層、129 p型GaN0.98As0.02からなるエッチングストップ層、130 p型Al0.15Ga0.85Nからなるクラッド層、131 p型GaNからなるコンタクト層、301 サファイア基板、302 AlGaNバッファ層、303 n型GaN層、304 n型AlGaNクラッド層、305 InGaN活性層、306 p型AlGaNクラッド層、310 p+型GaNコンタクト層、311 電極、601 信号強度が減少する点。
Claims (9)
- リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子の製造方法において、リッジ形状にドライエッチングするに際し、前記エッチングストップ層でのプラズマ発光強度の変化を検出し、該変化に応じてエッチングする深さを制御することを特徴とする発光素子の製造方法。
- 前記リッジ導波路型窒化物半導体発光素子がGaN基板上に作製されている、請求項1に記載の発光素子の製造方法。
- 検出するプラズマ発光がGaである請求項1に記載の発光素子の製造方法。
- 検出するプラズマ発光が波長400nm以上420nm以下のGaのプラズマ発光である請求項3に記載の発光素子の製造方法。
- 前記エッチングに使用するガスが、塩素系ガスである請求項3および4記載の発光素子の製造方法。
- 前記エッチングに使用するガスが、SiCl4,Cl2およびBCl3よりなる群から選択される請求項5記載の発光素子の製造方法。
- リッジ形状にドライエッチングするコンタクト層と活性層との間にエッチングストップ層を有するリッジ導波路型窒化物半導体発光素子において、前記エッチングストップ層がIII−V族化合物半導体からなり、III族元素はAl、InまたはGaのいずれかであり、V族元素はN、AsまたはPのいずれかであることを特徴とする発光素子。
- 前記エッチングストップ層のエネルギギャップが活性層のエネルギギャップより大きい請求項7に記載の発光素子。
- 前記エッチングストップ層の厚さが50Å以上である請求項7に記載の発光素子。
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Cited By (4)
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JP2007048813A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2007207798A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008244324A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 窒化物化合物半導体層のエッチング方法及びその方法を用いて製造された半導体デバイス |
JP2014075604A (ja) * | 2006-08-23 | 2014-04-24 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザアレイ、それを備えた光走査装置および画像形成装置 |
-
2004
- 2004-01-21 JP JP2004012854A patent/JP2005209773A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007048813A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2007207798A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014075604A (ja) * | 2006-08-23 | 2014-04-24 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザアレイ、それを備えた光走査装置および画像形成装置 |
JP2008244324A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 窒化物化合物半導体層のエッチング方法及びその方法を用いて製造された半導体デバイス |
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