JP2005203083A - データ記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
単純な構成で製造コストの安い不揮発性記憶装置を提供すること。
【解決手段】
本発明はデータ記憶装置(100,100')に関する。データ記憶装置(100,100')は、電極(110)および該電極(110)上に配置された電解質層(108)を有する記憶媒体(102,102')を含む。データ記憶装置(100,100')は電解質層(108)に接触するように構成された少なくとも1つのプローブ(104)をさらに含む。さらに、記憶媒体(102,102')は、少なくとも1つのプローブ(104)および電解質層(108)を介して電圧を印加し、少なくとも1つのプローブ(104)と電極(110)との間に回路を形成するように構成された電圧源装置(118)を含む。少なくとも1つのプローブ(104)を介して印加される電圧のレベルに応じて、記憶媒体(102,102')の1以上のメモリセルに対し、書き込み処理、読み出し処理、および消去処理のうちの少なくとも1つを実施することができる。
【選択図】図3
単純な構成で製造コストの安い不揮発性記憶装置を提供すること。
【解決手段】
本発明はデータ記憶装置(100,100')に関する。データ記憶装置(100,100')は、電極(110)および該電極(110)上に配置された電解質層(108)を有する記憶媒体(102,102')を含む。データ記憶装置(100,100')は電解質層(108)に接触するように構成された少なくとも1つのプローブ(104)をさらに含む。さらに、記憶媒体(102,102')は、少なくとも1つのプローブ(104)および電解質層(108)を介して電圧を印加し、少なくとも1つのプローブ(104)と電極(110)との間に回路を形成するように構成された電圧源装置(118)を含む。少なくとも1つのプローブ(104)を介して印加される電圧のレベルに応じて、記憶媒体(102,102')の1以上のメモリセルに対し、書き込み処理、読み出し処理、および消去処理のうちの少なくとも1つを実施することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は記憶装置に関し、詳しくはプローブによる印加電圧に応じてセルに対する書き込み処理、読みだし処理、または消去処理を実施する記憶装置に関する。
記憶装置は一般に、コンピュータや携帯情報端末(PDA)などの様々な電子装置に使用されている。それらの記憶装置は様々なグループに分類される。揮発性メモリデバイスは、それらのグループのうちの1つである。揮発性記憶装置は、電力供給が断たれると、そこに記憶されたデータや情報を失う。揮発性記憶装置の例としては、ランダムアクセスメモリ(「RAM」)、ダイナミックRAM、およびスタティックRAMなどがある。それらのタイプの記憶装置はそれぞれ、記憶装置に電力が供給されている間しか情報を保持しない。
他のグループを構成するものとしては、不揮発性記憶装置がある。不揮発性記憶装置は、電力が遮断されても、データや情報を記憶装置に保持する。不揮発性記憶装置の例としては、CD−ROMや磁気記憶装置などがある。不揮発性記憶装置が揮発性記憶装置よりも有利な点の一つは、電力供給が無くても、そこに記憶されたデータや情報を保持する能力である。しかしながら、従来の不揮発性記憶装置にはいくつかの欠点がある。例えば、前述の装置は一般に、比較的大きく、衝撃や振動に弱く、比較的高価な仕組みを必要とし、比較的大量の電力を消費する。従来の記憶装置は、それらの欠点により、携帯電話、パームトップコンピュータ、携帯情報端末(「PDA」)などの低消費電力の携帯用途には、あまり適していない。
他のタイプの不揮発性記憶装置としては、FLASHと呼ばれる半導体技術を利用したものがある。FLASHを利用した記憶装置は、一般に比較的小型であるが、記憶装置に含まれるメモリセルの形成に半導体リソグラフィ処理を使用するので、容量に幾らか制限がある。さらに他のタイプの不揮発性記憶装置としては、ナノプローブを利用したものがある。この種の記憶装置は、製造が幾分難しく、データ転送速度や信号対雑音(S/N比)比に限界がある。
当該技術分野で知られているさらに他のタイプの不揮発性記憶装置としては、プログラマブルメタライゼーションセル(「PMC」)がある。PMCは一般に、不揮発性メモリセルにカルコゲナイドガラスを使用する。この種のメモリセルで使用されるカルコゲナイドガラスは一般に、セレン(Se)、硫黄(S)、テルル(Te)、またはそれらの組み合わせなどである。図5に示すPMC10は、高速イオン伝導体12の底部に設けられた支持基板11を含む。高速イオン伝導体12の表面には、一対の対向する電極13および14が配置される。PMC10の導電率は、高抵抗状態と高導電状態の間で変化する。PMCが通常の高抵抗状態であるときに書き込み処理を行うためには、一方の電極13または14に電圧を加えながら、他方の電極13または14を電圧ゼロすなわちアースに維持する。電圧を加えた電極13または14は陽極として機能し、電圧をゼロすなわちアースに維持した電極13または14は陰極として機能する。高速イオン伝導体12は、特定の電圧を加えると化学的変化または構造的変化あるいはそれら両方を生じる性質を持つ。具体的には、ある適当なしきい電圧を加えると、高速イオン導体材料12内の金属イオンによって陰極側から金属の付着が始まり、陽極に向かって高速イオン導体12の端から端まで成長すなわち進行する。しきい電圧を印加し続けると、このプロセスは、電極13と電極14との間に金属性の樹枝状突起またはフィラメント15のような1以上の導電経路が形成されるまで進行し、上側電極と下側電極とが相互接続され、それらの間の導電率が実質的に増大する。
PMCがデータの記憶に使用されることは分かったと思うが、従来のPMC10には、いくつかの欠点および不都合がある。例えば、電極13および14が高速イオン導体12と一体に形成されるので、PMCメモリセル10のアレイ全体に相互接続線を設けて、各メモリセルをアドレス指定できるようにしなければならない。この方法は、妥当な記憶密度を実現するためにリソグラフィ処理を使用するため、製造コストが増大する可能性がある。あるいは、PMC10は、AXON Technologies社の出版物に記載されているような交差点構成で配置される場合もある。その場合、クロストークを防ぐために、各メモリセルに抵抗器やダイオードを、好ましくはトランジスタを組み込むことが多い。そのような部品の組み込みは一般に、PMCメモリの製造に伴なうコストおよび難易度を増大させる。
単純な構成で製造コストの安い不揮発性記憶装置を提供すること。
一実施形態において、本発明はデータ記憶装置に関する。データ記憶装置は、電極および該電極上に配置された電解質層を有する記憶媒体を含む。データ記憶装置は、電解質層に接触するように構成された少なくとも1つのプローブをさらに含む。さらに、記憶媒体は、少なくとも1つのプローブおよび電極を介して電圧を印加することにより、少なくとも1つのプローブと電極との間に回路を形成するように構成された電圧源装置を含む。少なくとも1つのプローブを介して印加される電圧のレベルに応じて、記憶媒体の1以上のメモリセルに対し、書き込み処理、読み出し処理、および消去処理のうちの少なくとも1つを実施することができる。
当業者であれば、本発明の特徴は、図面を参照した以下の説明から分かるであろう。
簡略化および例示のために、本発明は実施例を参照して説明される。以下の説明では、本発明を完全に理解してもらうために、多数の具体的な詳細を説明する。しかしながら、本発明がそれらの具体的な詳細に限定されることなく実施できるものであることは、当業者にとって明らかであろう。また、本発明が不必要に不明瞭にならないように、周知の方法および構造については詳しく説明しないものとする。
本発明は、コンピュータ、携帯電話、ラップトップ、PDAなどの様々な電子装置に使用される高密度の記憶装置を提供する。この記憶装置は、記憶媒体に対して情報ビットの書き込みおよび読み出しを行なうための導電性プローブを含む。導電性プローブは、記憶媒体から情報を消去するのにも使用される。書き込み処理、読み出し処理、および消去処理は、導電性プローブを通じて印加される電圧のレベルおよびバイアスによって実施される。
高密度記憶装置の一実施例において、記憶媒体は電解質層および電極を含む。導電性プローブは、電極を利用して回路を形成することにより、電解質層の様々な領域に電気を流すことができる。この点に関し、書き込み処理および消去処理の際には、電解質層の様々な領域の導電率を変更することができる。また、読み出し処理の際には、電解質層の様々な領域を導電性プローブによってアドレッシングすることができる。
他の実施例において、高密度記憶装置は、電解質層の上に配置された導電体層を含む。導電体層は不連続な導電性要素を含み、電極はそれらの不連続な導電性要素に対して共通の実質的に連続した層を含む。各導電性要素は、メモリセルの位置を表す。電極を支持するために、基板をさらに配置してもよい。
導電性プローブおよび記憶媒体は、互いに対して移動させることができる。例えば、記憶媒体が定位置に実質的に固定されている場合、導電性プローブは記憶媒体に対して移動させることができる。他の例として、導電性プローブが定位置に実質的に固定されている場合、記憶媒体は導電性プローブに対して移動させることができる。さらに他の例として、導電性プローブおよび記憶媒体は、両方とも互いに対して移動できるようにしてもよい。この点に関し、導電性プローブは、記憶媒体と導電性プローブとの間の相対移動により、記憶媒体上の様々な位置にある導電性要素をアドレッシングすることができる。
高密度記憶装置の一例は、導電性プローブアレイを含む。記憶媒体の各領域に個別に相互接続を設けた場合、導電性プローブアレイの各プローブが、記憶媒体の1つの領域のアドレッシングに使用される。その結果、複数の回路が実質的に同時に形成される。
本発明の様々な実施形態を実施すると、例えば10Gb/cm2を越えるような、比較的高密度のパターンで形成されたメモリセルにデータを記憶することができる。また、メモリセルは、データを実質的に不揮発的に記憶することができる。さらに、特定の既知の記憶装置に比べて、メモリセルを比較的単純かつ安価に構成し、使用することができる。なぜなら、例えばリソグラフィのための要件が実質的に緩和されるからである。
まず、図1を参照する。図1は、本発明の一実施形態による記憶装置100を示す略斜視図である。図1に示すように、記憶装置100は、記憶媒体102および導電性プローブ104を含む。導電性プローブ104は、記憶媒体102の様々な部分をアドレッシングするように構成される。導電性プローブ104によってアドレッシングされる記憶媒体102上の位置は、メモリセル106とみなされる。後で詳しく説明するように、メモリセル106は一般に、情報の書き込み、読み出しまたは消去を行なうための記憶媒体102上の位置を構成する。メモリセル106は、記憶媒体102の比較的小さな部分を構成する。この点に関し、記憶媒体102は、例えば比較的高密度のアレイ状に配置された比較的多数のメモリセル106を含む。また、メモリセル106は記憶媒体102に沿って実質的に任意の場所に形成することができ、それによって、比較的多数のメモリセル106を使用することができる。
図1に示すように、導電性プローブ104は記憶媒体102から分離されている。導電性プローブ104を記憶媒体102から分離した構成にすることにより、導電性プローブ104と記憶媒体102を、互いに比較的簡単に切り離すことができる。例えば、導電性プローブ104と記憶媒体102は、電源を切断することによって互いに分離することができる。したがって、記憶媒体102は、導電性プローブ104を取り外したり交換したりすることなく、取り外したり交換したりすることができる。
記憶媒体102は電解質層108を含む。電解質層108は、電解質層108を通じて電気を流すことができるような任意の適当な厚さ、例えば約10〜1000nmの厚さを有する。一実施形態において、電解質層108は、例えば、カルコゲナイドガラス、金属含有ガラス、金属含有非晶質半導体、カルコゲナイド金属材料などからなる実質的に固形の構造を含む。電解質層108は、広義には、硫黄、セレン、およびテルルのうちの1以上を含む任意の化合物を含み、三元化合物であっても、四元化合物であっても、あるいはさらに高次の化合物であってもよい。具体的には、電解質層108は、ヒ素、ゲルマニウム、セレン、テルル、酸素、硫黄、およびアンチモンの中から選択された1以上の物質を含み、金属は、例えば銀、金、銅、イリジウム、白金、パラジウム、およびそれらの組み合わせ等のような様々な金属の中から選択された物質を含む。カルコゲニド金属材料は、カルコゲニドおよび金属を含む原材料から光溶解や堆積によって作成することもできるし、あるいは当技術分野で既知の任意の他の適当な方法で作成してもよい。例えば、十分な量の銀を電解質層108に堆積させ、電解質層108全体に平衡相を形成する場合がある。
電解質層108は電極110上に配置される。図1に示すように、電極110は、x方向とy方向の両方について電解質層108と同じ寸法を有する。この点に関し、電極110は、様々な位置に形成されたメモリセル106に対して共通の電極として機能する。電極110は、電解質層108に金属イオンを輸送するための電界を生成することができるものであれば、いかなる導電性物質を含んでもよい。例えば、電極110は銀、金、銅、パラジウム、白金、それらの組み合わせなどを含む場合がある。
電極110は、電極110を支持するように構成された基板112上に配置される。基板112は、例えばシリコン、酸化物付きシリコン、ガラス、プラスチック、銅などの任意の適当な材料を含む。
図1に示すように、記憶装置100は複数の導電性プローブ104を含む。図1には3つの導電性プローブ104しか描いていないが、任意数の導電性プローブ104を記憶装置100に含めても、本発明の範囲から外れることはない。本発明の様々な実施形態で使用される導電性プローブ104の数は、例えば記憶装置100に必要とされるアドレッシング速度やデータ転送速度に基づいて選択される。したがって、必要とされるアドレッシング速度やデータ転送速度が高速になるほど、記憶装置100は多数の導電性プローブ104を含むように設計される。
導電性プローブ104および記憶媒体102は、一方が他方に対して移動するように構成してもよいし、両方が互いに対して移動するように構成してもよい。したがって、例えば、導電性プローブ104は、電解質層110上の様々な領域をアドレッシングするように配置される。導電性プローブ104が記憶媒体102に対して移動するように構成された場合、導電性プローブ104は、例えば導電性プローブ104を移動させるように構成されたアクチュエータ(図示せず)によって操作され、様々な位置まで移動される。また、アクチュエータは、導電性プローブ104の配置に応じて、導電性プローブをx方向とy方向のいずれか一方向に動かすように構成してもよいし、両方向に動かすように構成してもよい。したがって、例えば、導電性プローブ104のアレイが記憶媒体102上の様々な位置をy方向に沿ってアドレッシングするように配置された場合、記憶媒体の広い面積を導電性プローブ104によって全体的にアドレッシングできるようにするために、アクチュエータは導電性プローブ104をx方向に操作するように構成される場合がある。他の例として、導電性プローブ104はx方向とy方向の両方に操作される場合もある。また、アクチュエータは、導電性プローブ104を記憶媒体102に対して垂直方向に操作して、導電性プローブ104を電解質層108から切り離すようにさらに構成される場合もある。
さらに他の例として、記憶媒体102を導電性プローブ104に対して移動させるように構成してもよい。1以上のアクチュエータ(図示せず)を使用することにより、記憶媒体102を導電性プローブ104に対して動かすことが可能になる。アクチュエータは、記憶装置100に使用される導電性プローブ104の構成および数に応じて、記憶媒体102をx方向とy方向のいずれか一方向に動かすように構成してもよいし、両方向に動かすように構成してもよい。上記の開示と同様に、記憶媒体102を導電性プローブ104に対して様々な位置に移動させることにより、記憶媒体102上の様々な位置を導電性プローブ104によって全般的にアドレッシングすることが可能になる。
本発明の一実施形態によれば、記憶媒体102は、同一譲受人による米国特許第6,181,050号および第6,411,589号に記載されているような可動支持体の上に配置される。この点に関し、それらの特許に記載されている可動支持体を用いると、記憶媒体102を導電性プローブ104に対して移動させることができる。
次に図2に移る。図2は、図1に示した記憶装置100の略立面図である。図2は、導電性プローブ104の詳細を示している。図2に示すように、導電性プローブ104は斜め構成を含む。しかしながら、導電性プローブ104は、本発明の範囲から外れることなく、電解質層108上の様々な位置をアドレッシングするための任意の適当な構成を含むことができる。例えば、導電性プローブ104は、比較的垂直な部分または比較的直線的な構成を含む場合がある。さらに、導電性プローブ104は、電流を伝導する任意の適当な物質を含む場合がある。導電性プローブ104は、例えば、銀、銅、白金、パラジウム、金、イリジウム、それらの組み合わせ、シリコンやポリシリコンなどを高濃度にドープした半導体、または、適当な導体からなる金属被覆で被覆された絶縁性物質や半導体物質などを含む場合がある。
導電性プローブ104は接点部分114を含む。導電性プローブ104は、接点部分114に沿ってチップ116を有する。チップ116は、電解質層108の比較的小さい部分、例えば比較的高密度に配置されたメモリセル106をアドレッシングするように構成される。チップ116は通常、逆円錐形に形成され、導電性プローブ104と一緒に微細加工される。したがって、チップ116は、導電性プローブ104と一体に形成される。ただし、代替として、チップ116を導電性プローブ104の接点部分114に個別に取り付けた場合であっても、本発明の範囲を外れることはない。チップは、電荷を伝導する任意の適当な物質を含む場合がある。チップは、例えば、銀、銅、白金、パラジウム、金、イリジウム、それらの組み合わせ、シリコンやポリシリコンなどを高濃度にドープした半導体、または、適当な導体からなる金属被覆で被覆された絶縁性物質や半導体物質などを含む場合がある。
上で説明したように、導電性プローブ104は、書き込み処理、読み出し処理、および消去処理を実施するように構成される。書き込み処理を実施するためには、導電性プローブ104を電解質層108上の所望の位置に、例えばメモリセル106の位置に位置決めする。電解質層108上の所望位置への導電性プローブ104の位置決めは、上で説明したものと同様にして実施される。導電性プローブ104を電解質層108上の所望の位置に位置決めし、その位置に接触させた後、電圧源装置118により、導電性プローブ104および電解質層108を介して電極110に電圧を加えて、回路を形成する。電圧源装置118は、導電性プローブ104を介して様々なレベルの電圧を印加することが可能な任意の適当な既知の装置を含む。
導電性プローブ104を介して印加する電圧は、電極110(この場合は陽極)内の金属を金属イオンにするのに十分な大きさにする。金属イオンは電解質層108中に溶解される。電解質層108中に溶解された金属イオンは、電解質層内での還元および析出により、樹枝状突起120のような導電経路を形成または構成する。導電性プローブ104と電極110との間に樹枝状突起120を成長させることにより、導電性プローブ104と電極110との間にあるメモリセル106の電解質層108の抵抗値が低下する。
導電性プローブ104を次の所望のメモリセル106の位置に移動させ、上記のプロセスを繰り返すことにより、他の所望のメモリセル106についても書き込みを行なうことができる。このプロセスを何回も繰り返すことにより、任意数のメモリセル106にデータを書き込むことができる。
読み出し処理を実施するためには、導電性プローブ104を所望のメモリセル106上に位置決めする。この場合も、所望のメモリセル106上への導電性プローブ104の位置決めは、前述と同様のやり方で実施することができる。導電性プローブ104を記憶媒体102上の所望の位置に、例えば所望のメモリセル106上に位置決めし、その位置に接触させた後、導電性プローブ104と電極110との間に電圧を加える。印加する電圧のレベルは、メモリセル106の位置において電解質層108に樹枝状突起120が形成されないレベルを選択する。したがって、例えば、導電性プローブ104を介して印加される電圧は、書き込み処理や消去処理の際に印加される電圧よりも低くなる。
メモリセル106の位置における電解質層108および電極112の抵抗値レベルは、樹枝状突起120のような導電性経路が存在するか否かによって異なる。例えば、導電性プローブ104と電極110との間に樹枝状突起120が存在する場合、それらの間の抵抗値は小さくなる。一方、メモリセル106に樹枝状突起120が形成されていない場合、導電性プローブ104と電極110との間の抵抗値は大きくなる。
メモリセル106の位置における電解質層108の抵抗値は、例えば抵抗測定装置122によって検出することができる。抵抗測定装置122は、電解質層108内の抵抗を測定すること可能な任意の適当な従来の抵抗測定装置から構成される。抵抗値レベルは1または0として判定され、記憶装置100は、2値記憶装置として構成される。したがって、例えば、各メモリセル106は2値記憶装置における1つのビットを構成する。
メモリセル106では、例えば、高い方の抵抗値を0とみなし、低い方の抵抗値を1とみなしているが、他の表現を使用しても本発明の範囲から外れることはない。このように、導電性プローブ104は、選択されたメモリセル106が1としてみなされるか0としてみなされるかの判定を実施する。さらに、導電性プローブ104と記憶媒体102を相対移動させることにより、メモリセル106の様々な位置の抵抗値を検出し、1の位置であるか0の位置であるかを判定することができる。
消去処理を実施するためには、導電性プローブ104を所望のメモリセル106上に位置決めする。所望のメモリセル106上への導電性プローブ104の位置決めは、前述と同様のやり方で実施することができる。導電性プローブ104を所望のメモリセル106上に位置決めし、そのメモリセル106に接触させた後、導電性プローブ104と電極110との間に電圧を加えて、回路を形成する。導電性プローブ104を介して印加する電圧は、前述の書き込み処理の際に印加される電圧に対して逆バイアスになるようにする。この逆バイアス電圧は通常、樹枝状突起120内の金属イオンを電極110の方に拡散させ、再び金属に戻す働きをする。言い換えれば、この逆バイアス電圧は通常、電解質層108内の樹枝状突起120の形状を変化させる働きをする。すなわち、樹枝状突起120の導電率を低下させる働きをする。このような処理により、メモリセル106の位置における電解質層108の抵抗値が高抵抗状態に戻される。
メモリセル106のうちの様々な「書き込み済み」領域に対し、このような消去処理を何回も繰り返すことにより、それらの領域を高抵抗状態に戻すことができる。この点に関し、複数の所望のメモリセル106上で導電性プローブ104を操作して、消去処理を選択的に実施することもできる。また、導電性プローブ104と記憶媒体102との間の相対移動は、上で説明したいずれの態様で実施してもよい。
記憶装置100は、図1および図2には特に描かれていない構成要素をさらに含む場合がある。例えば、記憶装置100は、どのメモリセル106に対し、読み出し処理、書き込み処理、および消去処理のうちのどの処理を何時実施すべきかを判定するように設計されたコントローラをさらに含む場合がある。また、記憶装置100は、導電性プローブ104と記憶媒体102との間の相対移動を制御するコントローラや、導電性プローブ104によって印加される電圧を制御するコントローラをさらに含む場合がある。さらに、記憶装置100は、導電性プローブ104と記憶媒体102との間の相対移動手段、例えばMEMS装置を含む場合がある。
次に図3を参照する。図3は、本発明の他の実施形態による記憶装置100’を示す略斜視図である。記憶装置100’は、記憶装置100に含まれる要素をすべて含む。従って以下では、記憶装置100’に含まれる要素のうち、記憶装置100に含まれる要素とは異なる要素だけを説明する。また、図3には特に描いていないが、記憶装置100’は、図1の記憶装置100に関して上で述べたような追加の要素をさらに含んでもよい。
この実施形態によれば、記憶装置100’の記憶媒体102’は、複数の導電性要素126からなる導電体層124を含む。導電性要素126は通常、メモリセル106’の物理的位置を構成する。例えば、各導電性要素126はメモリセル106’の位置を構成する。導電性要素126は、導電体層124上に実質的に不連続なアレイとして配置される。言い換えれば、導電性要素126は互いに間隔を空けて配置される。導電性要素126は、例えば所望の導電性材料を堆積させ、従来のフォトリソグラフィ処理およびエッチング処理によって形成される。追加または代替として、導電性要素126は、従来のナノ自己組織化技術(nano selfassembly technique)によって形成してもよい。
導電性要素126は互いに十分な距離だけ離して配置され、例えば導電性プローブ104によって電圧が印加されたときでも、導電性要素126間が導通しないように配置される。導電性要素126の間隔は、複数の要因に基づいて選択される。そうした要因には、例えば、導電性要素を構成する物質や、導電性要素126を作成して位置決めするのに使用されるプロセスの物理的制約などがある。
説明を簡単にするために、図3には、比較的少数の導電性要素126しか描いていない。しかしながら、記憶媒体102’は任意数の導電性要素126を含むことができ、その場合も本発明の範囲から外れることはないものと解釈しなければならない。各導電性要素126が記憶媒体102’中の1ビットすなわち1つのメモリセル106’を表しているので、記憶媒体102に含まれる導電性要素126の数は、必要とされる記憶容量に応じて選択される。
導電性要素126は、任意の適当な導電性材料を含む。例えば、導電性要素126は、白金、白金合金(例えば、白金‐イリジウム合金)、金、イリジウム、銀、パラジウム、銅などの他、耐熱合金(モリブデン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム)のような絶縁酸化物を含有することも絶縁酸化物を形成することもない物質を含む場合がある。また、導電性要素126は、比較的薄い薄膜状材料から構成され、例えば厚さ約5〜500nmの薄膜状材料から構成される。
導電性要素126は電解質層108上に支持され、電解質層108は電極110の上に配置される。図3に示すように、電極110は、x方向とy方向の両方について、導電体層124の導電性要素126のアレイと実質的に同じ寸法を有する。この点に関し、電極110は、導電性要素126に対して共通の電極として機能する。図3は、電極110が基板112上に配置されることも示している。
図3に示すように、記憶装置100’は、複数の導電性プローブ104を含む。図3には3つの導電性プローブ104しか描いていないが、記憶装置100’は任意数の導電性プローブ104を含むことができ、その場合でも本発明の範囲を外れることはない。例えば、記憶装置100’は、1つの導電性プローブ104を有する場合もあれば、x方向またはy方向における導電性要素126の数と同じ数の導電性プローブ104を有する場合もあれば、導電性要素126と同じ数の導電性プローブ104を有する場合もあれば、それらの間の任意数の導電性プローブ104を有する場合もある。本発明の様々な実施形態で使用される導電性プローブ104の数は、例えば記憶装置100’に必要とされるアドレッシング速度やデータ転送速度に基づいて選択される。したがって、例えば、必要とされるアドレッシング速度やデータ転送速度が高速になるほど、記憶装置100’は多数の導電性プローブ104を含むことになる。
導電性プローブ104および記憶媒体102’は、上で説明したいずれかの態様で互いに移動させることができ、導電性プローブ10は、複数の導電性要素126の中から様々なものをアドレッシングすることができる。
図4は、図3に示した記憶装置100’の略立面図である。図4は、導電性プローブ104および導電性要素126の詳細を示している。図4に示す記憶装置100’は、図2に示した記憶装置100に含まれる要素をすべて含む。したがって以下では、図4に示す要素のうち、図2に示した要素とは異なる要素だけを説明する。
導電性プローブ104の接点部分114は、導電性要素126のサイズと実質的に同じサイズか、それよりも小さいサイズにする。この点に関し、導電性プローブ104は、導電性要素126を個別にアドレッシングするように構成することができる。また、導電性プローブ104は、導電性要素126を個別にアドレッシングするように構成されたチップ116を接点部分114に沿って有する場合がある。導電性プローブ104は、例えば接点部分114が導電性要素126よりも大きいときにチップ116を有する。
上で説明したように、導電性プローブ104は、書き込み処理、読み出し処理、および消去処理を実施するように構成される。書き込み処理を実施するためには、導電性プローブ104を所望の導電性要素126の上に位置決めする。所望の導電性要素126上への導電性プローブ104の位置決めは、上で説明したものと同様にして実施される。導電性プローブ104を所望の導電性要素126の上に位置決めし、その導電性要素126に接触させた後、電圧源装置118により、導電性プローブ104、導電性要素126および電解質層108を介して電極110に電圧を加えて、回路を形成する。電圧源装置118は、導電性プローブ104を介して様々なレベルの電圧を印加することが可能な任意の適当な既知の装置を含む。
導電性プローブ104を介して印加する電圧は、電極110(この場合は陽極)内の金属を金属イオンにするのに十分な大きさにする。金属イオンは電解質層108中に溶解される。電解質層108中に溶解される金属イオンの量は一般に、反対側の電極に対応する。この場合、反対側の電極は、導電性プローブ104が接触する導電性要素126である。電解質層108中に溶解された金属イオンは、導電性要素126(この場合は陰極)側の陽イオンの固溶体からの析出により、金属性樹枝状突起120のような導電性経路を形成する。導電性要素126と電極110との間に樹枝状突起120を成長させることより、選択された導電性要素126と電極110との間の電解質層108の抵抗値が低下する。
導電性プローブ104を次の所望の導電性要素126に移動させ、上記のプロセスを繰り返すことにより、他の所望の導電性要素126にも書き込みを行なうことができる。このプロセスを何回も繰り返すことにより、導電性要素126によって規定される様々な位置のメモリセル106’にデータを書き込むことができる。
読み出し処理を実施するためには、導電性プローブ104を所望の導電性要素126の上に位置決めする。この場合も、所望の導電性要素126上への導電性プローブ104の位置決めは、前述と同様のやり方で実施することができる。導電性プローブ104を所望の導電性要素126の上に位置決めし、その導電性要素126に接触させた後、導電性プローブ104から所望の導電性要素126を介して電極112に電圧を加える。印加する電圧のレベルは、メモリセル106’の位置において電解質層108に樹枝状突起120が形成されないレベルを選択する。したがって、例えば、導電性プローブ104を介して印加される電圧は、書き込み処理や消去処理の際に印加される電圧よりも低くなる。
電解質層108を介した電極110と導電性要素126との間の抵抗値レベルは、樹枝状突起120のような導電性経路が存在するか否かによって異なる。例えば、電解質層108内に樹枝状突起120が存在する場合、導電性要素126と電極110の間の抵抗値は小さくなる。一方、導電性要素126と電極110との間に樹枝状突起120が形成されていない場合、導電性要素126と電極110との間の抵抗値は大きくなる。
導電性要素126と電極110との間の電解質層108の抵抗値は、例えば、抵抗測定装置122によって検出することができる。抵抗測定装置122は、導電性要素126と電極110との間の抵抗値を測定することが可能な任意の適当な従来の抵抗測定装置から構成される。抵抗値レベルは1または0として判定され、記憶装置100’は、2値記憶装置として構成される。したがって、例えば、各導電性要素126は、2値記憶装置における1つのビットすなわちメモリセル106’を構成する。
記憶装置102’では、高い方の抵抗値を0とみなし、低い方の抵抗値を1とみなしているが、他の表現を使用しても本発明の範囲から外れることはない。このように、導電性プローブ104は、選択された導電性要素126が1としてみなされるか0としてみなされるかの判定を実施する。さらに、導電性プローブ104と記憶媒体102’を相対移動させることにより、導電性要素126の様々な位置の抵抗値を検出し、1の位置であるか0の位置であるかを判定することができる。
消去処理を実施するためには、導電性プローブ104を所望の導電性要素126上に位置決めする。所望の導電性要素126上への導電性プローブ104の位置決めは、前述と同様のやり方で実施することができる。導電性プローブ104を所望の導電性要素126上に位置決めし、その導電性要素126に接触させた後、導電性プローブ104と電極110との間に電圧を加えて、回路を形成する。導電性プローブ104を介して印加する電圧は、前述の書き込み処理の際に印加される電圧に対して逆バイアスになるようにする。この逆バイアス電圧は通常、樹枝状突起120内の金属イオンを電極110の方に拡散させ、再び金属に戻す働きをする。言い換えれば、この逆バイアス電圧は通常、電解質層108の樹枝状突起120の形状を変化させる働きをする。すなわち、樹枝状突起120の導電率を低下させる働きをする。このような処理により、選択された導電性要素126と電極110との間の抵抗値が高抵抗状態に戻される。
導電性要素126のうちの様々な「書き込み済み」導電性要素126に対し、このような消去処理を何回も繰り返すことにより、それらの領域を高抵抗状態に戻すことができる。この点に関し、複数の所望の導電性要素126上で導電性プローブ104を操作して、消去処理を選択的に実施することもできる。また、導電性プローブ104と記憶装置102’との間の相対移動は、上で説明したいずれの態様で実施してもよい。
記憶装置100’は、図3および図4には特に描かれていない構成要素をさらに含む場合がある。例えば、記憶装置100’は、どの導電性要素126に対し、読み出し処理、書き込み処理、および消去処理のうちのどの処理を何時実施すべきかを判定するように設計されたコントローラをさらに含む場合がある。また、記憶装置100’は、導電性プローブ104と記憶装置102’との間の相対移動を制御するコントローラや、導電性プローブ104によって印加される電圧を制御するコントローラをさらに含む場合がある。さらに、記憶装置100’は、導電性プローブ104と記憶媒体102’の間の相対移動手段、例えばMEMS装置を含む場合がある。
本発明の一部の実施形態では、例えば10Gb/cm2を超える比較的高密度の実質的に不揮発性の記憶装置にデータを記憶する。さらに、本記憶装置は、一部の従来の記憶装置に比べて、単純かつ安価に構成および使用することができる。
本明細書は、発明の好ましい実施形態、およびその変形形態の幾つかについて図示説明している。本明細書で使用した用語、説明および図は例示目的のものであり、そこに限定の意図はない。本発明の思想および範囲の中で様々な変形が可能であることは、当業者にとって明らかであろう。本発明は、特許請求の範囲およびその均等によって規定される。特に断りがない限り、特許請求の範囲において全ての用語はその最も広い適当な意味で解釈しなければならない。
102、102’ 記憶媒体
104 プローブ
108 電解質層
110 電極
118 電圧源装置
124 導電体層
104 プローブ
108 電解質層
110 電極
118 電圧源装置
124 導電体層
Claims (10)
- 電極(110)および該電極(110)上に配置された電解質層(108)を含む記憶媒体(102、102’)と、
前記電解質層(108)に接触するように構成された少なくとも1つのプローブ(104)であって、前記電解質層(108)が前記プローブ(104)と前記電極(108)との間に配置される、少なくとも1つのプローブ(104)と、
前記少なくとも1つのプローブ(104)および前記電極(110)を介して電圧を印加することにより、前記少なくとも1つのプローブ(104)と前記電極(110)との間に回路を形成するように構成された電圧源装置(118)とからなり、
前記少なくとも1つのプローブによって印加される電圧のレベルに応じて、前記記憶媒体(102、102’)の1以上のメモリセルに対し、書き込み処理、読み出し処理、および消去処理のうちの少なくとも1つを実施することができる、データ記憶装置(100、100’)。 - 前記記憶媒体(102、102’)および前記少なくとも1つのプローブ(104)のうちの一方または両方が、互い対して移動可能である、請求項1に記載のデータ記憶装置。
- 前記記憶媒体(102、102’)は、前記電解質層(108)上に配置された導電体層(124)をさらに含み、前記少なくとも1つのプローブ(104)が、前記導電体層(124)に接触するように構成される、請求項1または請求項2に記載のデータ記憶装置。
- 前記導電体層(124)は、白金、パラジウム、金、イリジウム、銀、銅、および、絶縁性酸化物を含有することも形成することもない他の物質のうちの少なくとも1つからなる金属を含む、請求項3に記載のデータ記憶装置。
- 前記導電体層(124)は、互いに分離され間隔を空けて配置された複数の個別の導電性要素(126)を含み、前記複数の個別の導電性要素(126)は、メモリセルに関連する、請求項4に記載のデータ記憶装置。
- 電極(110)および該電極(110)上に配置された電解質層(108)を有する記憶媒体(102、102’)にデータを記憶する方法であって、
前記記憶媒体(102、102’)から離れた位置にある少なくとも1つのプローブ(104)を前記電解質層(108)に接触させるステップと、
前記少なくとも1つのプローブ(104)を介して1以上のメモリセル位置に電圧を印加し、前記少なくとも1つのプローブ(104)と前記電極(110)との間に1以上の回路を形成して、該電圧の印加により、前記記憶媒体(102、102’)の前記1以上のメモリセルに対し、書き込み処理、読み出し処理、および消去処理のうちの少なくとも1つを実施するステップと、
からなる方法。 - 前記少なくとも1つのプローブ(104)および前記記憶媒体(102、102’)のうちの一方または両方を互いに対して移動させ、前記少なくとも1つのプローブ(104)を前記1以上のメモリセルのうちの様々なメモリセル上に位置決めするステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 個別の導電性要素(126)からなる導電体層(124)が、前記電解質層(108)上に配置される、請求項6または請求項7に記載の方法。
- 電極(110)および該電極(110)上に配置された電解質層(108)を有する記憶媒体(102、102’)にデータを記憶するための方法を実施する1以上のコンピュータプログラムが組み込まれたコンピュータ読取可能記憶媒体であって、前記1以上のコンピュータプログラムが、
前記記憶媒体(102、102’)から離れた位置にある少なくとも1つのプローブ(104)を前記電解質層(108)に接触させる命令と、
前記少なくとも1つのプローブ(104)を介して1以上のメモリセル位置に電圧を印加し、前記少なくとも1つのプローブ(104)と前記電極(110)との間に1以上の回路を形成して、該電圧の印加により、前記1以上のメモリセルに対して、書き込み処理、読み出し処理、および消去処理のうちの少なくとも1つを実施する命令と、
を含む命令群からなる、コンピュータ読取可能媒体。 - 前記1以上のコンピュータプログラムは、少なくとも1つのプローブを前記電解質層(108)に配置された不連続な導電体層(124)に接触させるための命令群をさらに含む、請求項9に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
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