JP2005197774A5 - - Google Patents

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  1. ゲインを増幅状態から減衰状態の範囲で任意の値に切り替えることが可能なRF増幅器と、該RF増幅器にゲイン制御電圧を印加する制御回路20とを含み、前記制御回路20は、送信部が発振している時間およびその前後の時間を含む期間のみRF増幅器のゲインを減衰状態にし、それ以外の期間では増幅状態にするように、前記RF増幅器に印加するゲイン制御電圧を制御することを特徴とするマイクロ波周波数変換器。
  2. 前記制御回路20は、前記ゲイン制御電圧を連続的に変化させることで、RF増幅器のゲインを、増幅状態の所定のゲイン値から減衰状態の所定のゲイン値、または減衰状態の所定のゲイン値から増幅状態の所定のゲイン値に、連続的に切り替えることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波周波数変換器。
  3. 前記制御回路20は、前記ゲイン制御電圧を瞬時に変化させることで、RF増幅器のゲインを、増幅状態の所定のゲイン値から減衰状態の所定のゲイン値、または減衰状態の所定のゲイン値から増幅状態の所定のゲイン値に、瞬時に切り替えることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波周波数変換器。
  4. 前記RF増幅器は、ゲートに負電圧、ドレインに正電圧を印加して動作するFET素子またはHEMT素子を用い、前記制御回路20は、前記素子のゲートおよびドレインに印加されるゲート電圧とドレイン電圧を同時にON/OFFし、ONにしたときにはRF増幅器のゲインを減衰状態にし、OFFにしたときにはRF増幅器のゲインを増幅状態にするように切り替えることを特徴とする請求項3記載のマイクロ波周波数変換器。
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