JP2005197750A - 2トランジスタpmosメモリセル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 PMOSフローティングゲート(FG)トランジスタ(40a)とPMOS選択ゲート(SG)トランジスタ(40b)とを有する2トランジスタPMOSメモリセル(40)において、FGトランジスタのドレインとSGトランジスタのソースはN−ウェル(42)内に形成された共通のP+拡散領域(48)により形成される。このP+拡散領域の下に同じ横方向の大きさを有するN領域(85)が設けられる。
【選択図】 図1
Description
40a フローティングゲート(FG)トランジスタ
40b 選択ゲート(SG)トランジスタ
42 n−ウェル領域
44 p基板
46 第1のp+拡散領域(ソース)
48 第2のp+拡散領域(ドレイン/ソース)
50 第3のp+拡散領域(ドレイン)
52 チャネル領域
53 チャネル領域
54 フローティングゲート
56 酸化物層
58 制御ゲート
62 選択ゲート
70 メモリセルアレイ
85 n領域
BL0〜BL3 ビット線
WL0〜WL1 ワード線
CS0 制御ソース線
CG0〜CG1 制御ゲート線
10 単層ポリ・2T・PMOSメモリセル
12 n−ウェル領域
14 p−基板
16 フローティングゲートトランジスタ
18 選択ゲートトランジスタ
20 フローティングゲートソース
22 ドレイン/ソース
24 選択ゲートドレイン
26 フローティングゲート
28 選択ゲート
30、32 チャネル
34 トンネル酸化物
Claims (14)
- 2トランジスタPMOSメモリセルであって、
N−ウェル内において分離されたP+拡散領域として形成されたドレイン及びソースを有するPMOS選択ゲートトランジスタと、
前記N−ウェル内において分離されたP+拡散領域として形成されたドレイン及びソースを有するPMOSフローティングゲートトランジスタとを有し、前記フローティングゲートトランジスタのドレインを形成する前記P+拡散領域は前記選択ゲートトランジスタのソースを形成する前記P+拡散領域と同じであり、
当該メモリセルは更に、前記フローティングゲートトランジスタのドレインを形成する前記P+拡散領域の下に設けられたN領域を有することを特徴とする2トランジスタPMOSメモリセル。 - 前記N領域の横方向の大きさが前記PMOSフローティングゲートトランジスタのドレインを形成する前記P+拡散領域の横方向の大きさと概ね同じであることを特徴とする請求項1に記載の2トランジスタPMOSメモリセル。
- 前記PMOS選択ゲートトランジスタの前記ドレインがメモリアレイのビット線に接続され、前記PMOS選択ゲートトランジスタの選択ゲートが前記メモリアレイのワード線に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の2トランジスタPMOSメモリセル。
- 前記PMOSフローティングゲートトランジスタのフローティングゲートが第1の多結晶シリコン層に形成され、前記PMOSフローティングゲートトランジスタの制御ゲートが第2の多結晶シリコン層に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の2トランジスタPMOSメモリセル。
- 前記メモリセルが、前記PMOSフローティングゲートトランジスタのフローティングゲートを含む単一の多結晶シリコン層を有し、前記PMOSフローティングゲートトランジスタの制御ゲートが前記N−ウェル内にP+拡散領域として形成されていることを特徴とする請求項2に記載の2トランジスタPMOSメモリセル。
- 前記フローティングゲートトランジスタがバンド間遷移トンネル効果を用いてプログラム可能なように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の2トランジスタPMOSメモリセル。
- 前記フローティングゲートトランジスタがファウラー・ノルトハイムトンネル効果を用いてプログラム可能なように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の2トランジスタPMOSメモリセル。
- 前記フローティングゲートトランジスタのドレインを形成する前記P+拡散領域が約0.1乃至0.25μmの厚さを有することを特徴とする請求項2に記載の2トランジスタPMOSメモリセル。
- 前記フローティングゲートトランジスタのドレインを形成する前記P+拡散領域の下に設けられた前記N領域の厚さが約0.1乃至0.25μmであることを特徴とする請求項2に記載の2トランジスタPMOSメモリセル。
- 2トランジスタPMOSメモリセルの製造方法であって、
P−基板内にN−ウェルを形成する過程と、
前記N−ウェルの表面にトンネル酸化物及び選択ゲートチャネル酸化物を形成する過程と、
前記トン得る酸化物上にフローティングゲートを、前記選択ゲートチャネル酸化物上に選択ゲートを形成する過程と、
前記フローティングゲート及び前記選択ゲートを通して前記N−ウェル中にP型不純物を注入し、第1、第2及び第3のP+拡散領域を形成し、前記第2のP+拡散領域が前記フローティングゲートの第1の端部と前記選択ゲートの第1の端部の間に位置し、前記第1のP+拡散領域が前記フローティングゲートの反対の端部に位置し、前記第3のP+拡散領域が前記選択ゲートの反対の端部に位置するようにする過程と、
前記第1及び第3のP+拡散領域をマスクする過程と、
前記マスクされたN−ウェル領域中にn型不純物を注入し、前記第2のP+拡散領域の下に位置するN領域を形成する過程とを有することを特徴とする2トランジスタPMOSメモリセルの製造方法。 - 当該方法は単層ポリシリコンプロセスであり、フローティングゲート及び選択ゲートを形成する前記過程はこれらのゲートを単一の多結晶シリコン層中に形成する過程を含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 当該方法は2層ポリシリコンプロセスであり、フローティングゲート及び選択ゲートを形成する前記過程はこれらのゲートを第1の多結晶シリコン層中に形成する過程を含み、当該方法は更に、
制御ゲートを第2のポリシリコン層中に形成する過程を有することを特徴とする請求項10に記載の方法。 - 前記2トランジスタPMOSメモリセルをプログラミングするためのビット線及びワード線を形成する過程を更に有することを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 複数の前記2トランジスタPMOSメモリセルからなるアレイを製造する過程を更に有することを特徴とする請求項10に記載の方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008126177A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-10-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009295754A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
CN104716203A (zh) * | 2015-03-23 | 2015-06-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种浮栅闪存器件及其编译方法 |
US9735288B2 (en) | 2015-12-18 | 2017-08-15 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | One time programmable non-volatile memory device |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7515478B2 (en) * | 2007-08-20 | 2009-04-07 | Nantronics Semiconductor, Inc. | CMOS logic compatible non-volatile memory cell structure, operation, and array configuration |
US8320191B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device |
KR101194917B1 (ko) * | 2010-12-17 | 2012-10-25 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US8570809B2 (en) * | 2011-12-02 | 2013-10-29 | Cypress Semiconductor Corp. | Flash memory devices and systems |
CN104465523B (zh) * | 2013-09-24 | 2017-08-25 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 闪存存储器的制造方法 |
CN103514954B (zh) * | 2013-10-11 | 2016-08-17 | 芯成半导体(上海)有限公司 | 闪存的擦除方法、读取方法及编程方法 |
US8953380B1 (en) * | 2013-12-02 | 2015-02-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines |
CN107836042A (zh) * | 2015-04-05 | 2018-03-23 | Neo半导体公司 | 2t sonos闪速存储器 |
CN106158755B (zh) * | 2015-04-08 | 2019-03-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
US9842845B1 (en) * | 2016-10-28 | 2017-12-12 | Globalfoundries Inc. | Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure |
US11515434B2 (en) | 2019-09-17 | 2022-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Decoupling capacitor and method of making the same |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63300567A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nec Corp | 浮遊ゲ−ト型絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタ |
JPH07297304A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-11-10 | Motorola Inc | 分離トランジスタを有するeepromセルとその製造・動作方法 |
JPH0831957A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JPH1070203A (ja) * | 1995-11-21 | 1998-03-10 | Programmable Microelectron Corp | Pmos単一ポリ非揮発性メモリ構成体 |
JP2001506063A (ja) * | 1997-10-09 | 2001-05-08 | プログラマブル・マイクロエレクトロニクス・コーポレイション | 不揮発性pmos2トランジスタメモリセル及びアレイ |
JP2001509935A (ja) * | 1996-09-27 | 2001-07-24 | ザイリンクス インク | 2トランジスタフラッシュepromセル |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5345104A (en) * | 1992-05-15 | 1994-09-06 | Micron Technology, Inc. | Flash memory cell having antimony drain for reduced drain voltage during programming |
US5687118A (en) * | 1995-11-14 | 1997-11-11 | Programmable Microelectronics Corporation | PMOS memory cell with hot electron injection programming and tunnelling erasing |
US5761121A (en) * | 1996-10-31 | 1998-06-02 | Programmable Microelectronics Corporation | PMOS single-poly non-volatile memory structure |
KR100290884B1 (ko) * | 1998-05-04 | 2001-07-12 | 김영환 | 반도체소자및그제조방법 |
JP2000114361A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
US6713812B1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-03-30 | Motorola, Inc. | Non-volatile memory device having an anti-punch through (APT) region |
US6887758B2 (en) * | 2002-10-09 | 2005-05-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory device and method for forming |
-
2004
- 2004-01-07 US US10/753,673 patent/US20050145924A1/en not_active Abandoned
-
2005
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- 2005-01-07 TW TW094100526A patent/TW200535931A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63300567A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-07 | Nec Corp | 浮遊ゲ−ト型絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタ |
JPH07297304A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-11-10 | Motorola Inc | 分離トランジスタを有するeepromセルとその製造・動作方法 |
JPH0831957A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JPH1070203A (ja) * | 1995-11-21 | 1998-03-10 | Programmable Microelectron Corp | Pmos単一ポリ非揮発性メモリ構成体 |
JP2001509935A (ja) * | 1996-09-27 | 2001-07-24 | ザイリンクス インク | 2トランジスタフラッシュepromセル |
JP2001506063A (ja) * | 1997-10-09 | 2001-05-08 | プログラマブル・マイクロエレクトロニクス・コーポレイション | 不揮発性pmos2トランジスタメモリセル及びアレイ |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008126177A1 (ja) * | 2007-03-14 | 2008-10-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009295754A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
CN104716203A (zh) * | 2015-03-23 | 2015-06-17 | 上海华力微电子有限公司 | 一种浮栅闪存器件及其编译方法 |
US9735288B2 (en) | 2015-12-18 | 2017-08-15 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | One time programmable non-volatile memory device |
KR101771819B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2017-09-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Otp 비휘발성 메모리 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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