JP2005197674A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第一導電型の不純物領域と複数の第二導電型の不純物領域とを含んで構成される光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
   前記複数の第二導電型の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下部に配され、且つ、少なくとも第１の不純物領域と、該第１の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第２の不純物領域と、該第２の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第３の不純物領域と、を含み、
   前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、
   Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１
   の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。
2. 前記光電変換素子は、更に、前記第一導電型の不純物領域の基板表面側に接して形成された第二導電型の第４の不純物領域を有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２との関係が、３×Ｃ２≦Ｃ１であることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
4. 前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２との関係が、５×Ｃ２≦Ｃ１であることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
5. 前記第１、第２、第３の不純物領域の間の少なくとも一つに第一導電型の不純物領域が配され、
   該第一導電型の不純物領域は、ビルトインポテンシャルにより空乏化していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
6. 前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１が１×１０ ¹⁶ ｃｍ ^-3 ＜Ｃ１＜１×１０ ¹⁸ ｃｍ ^-3 であり、
   前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２が１×１０ ¹⁵ ｃｍ ^-3 ＜Ｃ２＜５×１０ ¹⁶ ｃｍ ^-3 であり、
   前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３が２×１０ ¹⁵ ｃｍ ^-3 ＜Ｃ３＜２×１０ ¹⁷ ｃｍ ^-3 であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
7. 第一導電型の不純物領域と、
   前記第一導電型の不純物領域の下に配された、複数の第二導電型の不純物領域と、を備えた光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
   前記複数の第二導電型の不純物領域のそれぞれは、前記第一導電型の下部から前記光電変換素子に隣接した素子分離部の下部まで連続して配されていることを特徴とする光電変換装置。
8. 前記光電変換素子は、更に、前記第一導電型の不純物領域の基板表面側に接して形成された第二導電型の不純物領域を有することを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
9. 第一導電型の不純物領域と、第二導電型の不純物領域と、を含んで構成される光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
   前記第二導電型の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下部に配され、且つ、前記第一導電型の不純物領域の下部から前記半導体基板の深部に向かって順に位置する第１の不純物濃度ピークと、第２の不純物濃度ピークと、第３の不純物濃度ピークとを少なくとも有し、
   前記第１の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、
   Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１
   の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
    該光電変換装置へ光を結像する光学系と、
    該光電変換装置からの信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。