JP2005182992A

JP2005182992A - 磁気記録媒体

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Publication number: JP2005182992A
Application number: JP2004366949A
Authority: JP
Inventors: Byung-Kyu Lee; 丙圭李; 熏翔 ▼呉▲; Hoon-Sang Oh
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-12-19
Filing date: 2004-12-20
Publication date: 2005-07-07
Also published as: CN1316456C; KR100612837B1; CN1645484A; US20050164035A1; KR20050062026A; SG112983A1

Abstract

【課題】熱的安定性およびＳ／Ｎ特性が優秀な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録層１３と前記磁気記録層を支持する基板１０とを備える磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、微細孔隙によって結晶を磁気的または物理的に分離できる多孔性結晶分離膜よりなり、前記孔隙の内部には、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂ、Ｎｄ、ＳｍおよびＰｒのうち少なくとも一つ以上の遷移金属元素を含有する合金または単元素成分が含浸されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【選択図】図３

Description

本発明は、高密度の情報記録が可能な磁気記録媒体に係り、高い熱的安定性および優秀な信号対ノイズ比率（ＳＮＲ：Signal-to-Noise Ratio）特性を有する磁気記録媒体に関する。

磁気記録媒体は、水平磁気記録（ＬＭＲ：Longitudinal Magnetic Recording）方式と垂直磁気記録（ＰＭＲ：Perpendicular Magnetic Recording）方式とに分けられる。水平記録方式は、磁気記録媒体面に平行に記録ビットを形成することによって磁気記録を実行する方式であり、垂直磁気記録方式は、垂直磁気異方性を有する磁気記録媒体の膜面に垂直に記録ビットを形成して磁気記録を実行する方法である。垂直磁気記録方式は、既存の水平磁気記録方式に比べて、高い静磁気エネルギーおよび低い反磁界エネルギーを有しており、そのため、記録密度の高密度化に有利であることが知られている。

前記水平磁気記録方式および垂直磁気記録方式のどちらの記録方式においても、磁気記録媒体の高密度化を実現するためには、磁気記録媒体の磁気記録層を構成する磁性体の保磁力を増大させて熱的安定性を確保することが必要である。このような磁性体の保磁力を決定する要因のうちの一つとして磁気異方性エネルギーが挙げられるが、これは、磁性結晶粒中の磁気モーメントがある特定の結晶方向に向き易いことを表すエネルギーであり、この値が大きいほど、その方向に向き易いことを表している。例えば、Ｃｏ結晶粒の場合、六方稠密結晶格子（hexagonal dense crystal lattice）のｃ軸方向が磁気モーメントの向き易い方向であり（磁化容易軸）、その磁気異方性エネルギーＫｕは、約４.６×１０⁶ｅｒｇ／ｃｍ³である。結晶粒の体積をＶであらわすとすれば、結晶粒中の磁気モーメントが磁化容易軸方向に向くようにするエネルギーは、ＫｕＶとして与えられる。一方、磁化モーメントは、熱振動のために揺れており、このときの熱振動エネルギーは、ボルツマン定数Ｋ_Bと絶対温度Ｔの積であるＫ_BＴで表せる。ここで、Ｋ_BＴとＫｕＶとを比較すれば、Ｋ_BＴ≪ＫｕＶの場合には、磁気異方性エネルギーが十分に大きいため、磁気モーメントは、ほぼ結晶粒のｃ軸方向に向かうが、Ｋ_BＴ≫ＫｕＶの場合には、磁気異方性エネルギーに比較して熱振動エネルギーが大きいため、磁気モーメントは熱振動を続ける。これを超常磁性現象という。一般に、（ＫｕＶ）／（Ｋ_BＴ）の値が５０ないし１００であれば、媒体の熱安定性を確保でき、それ以下では、記録された情報磁区が破壊される恐れがある。

一方、磁気記録において、高密度記録を実現するためには、ノイズを低減する必要があるが、磁気記録媒体を構成する磁性結晶粒の粒径を微細にし、分布を均一にすることによってノイズを減少させることができる。一般に、２００Ｇｂ／ｉｎ²以上の高密度記録のためには、１０ｎｍ以下の微小結晶粒サイズが要求される。しかし、このように結晶粒の粒径を縮小させると、結晶粒の体積も減少するため、全体的にＫｕＶ値が小さくなって熱的安定性を確保し難くなる。また、結晶粒サイズの偏差（寸法誤差）の値が大きくなるため、ＳＮＲを低下させるという問題がある。

現在、磁気記録媒体の記録層物質として、一般に、ＣｏＣｒ合金系の強磁性材料が使用されている。図１に、従来の磁気記録層として使用されるＣｏＣｒ合金系材料を蒸着した面のＳＥＭ（Scanning Eletron Microscope）写真を示す。図１のＳＥＭ写真上にあらわれている黒い部分は、実際記録される磁性体結晶粒であり、その結晶粒と結晶粒との間に存在する白い部分は、Ｃｒの含量がＣｏよりも多いＣｒ−Ｒｉｃｈ相であり、組成偏析相として、結晶粒と結晶粒とを磁気的に分離している。

図１に示されているように、従来の方式によって磁気記録層を形成すると、結晶粒のサイズおよび分布が不均一で、その界面も不均一となるため、媒体ノイズの原因となる。また、前記ＣｏＣｒ合金系材料を使用する場合には、ノイズを減少させるために結晶粒のサイズを微細化して５ｎｍ以下にすると、室温であっても磁化が不安定になって情報が失われる恐れがある。

したがって、結晶粒のサイズを微細化してノイズを減少させるためには、熱的安定性を確保することが最も大きい問題であるが、これは磁気異方性エネルギーが十分に高い磁性材料を導入することによって解決することができる。高磁気異方性エネルギーを有する磁性材料として、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｄ、ＣｏＰｔ、ＮｄＦｅＢ、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜、Ｆｅ／Ｐｔ多層膜、Ｆｅ／Ｐｄ多層膜のような合金が知られているが、これらの材料は、物理的な蒸着方法のみによっては物理的／磁気的に完全に分離された結晶構造を形成することができないという問題がある。すなわち、媒体ノイズの主な原因は、ビット境界部である遷移領域部分に発生したジグザグ状の磁壁から由来するが、このようなジグザグ状磁壁は、磁性結晶粒間の磁気交換結合（磁気的な相互作用）が大きいほど大きく振れる。したがって、媒体ノイズを低減するために、結晶粒間に作用する磁気的な相互作用を切断して、磁性結晶粒を磁気的にそれぞれ孤立させる必要がある。前述したように、従来のＣｏＣｒ合金では、組成偏析相としてＣｒの含量の多いＣｒ−Ｒｉｃｈ相が存在するため、結晶粒と結晶粒とを磁気的に分離させるが、前記ＦｅＰｔなどの高磁気異方性エネルギーを有する材料には、このような組成偏析相が存在していないため、結晶粒間の相互作用を遮断できず、高磁気異方性エネルギーを有するＣｏＣｒ系合金の一部には、完全な偏析がなされずに結晶粒間の相互作用を完全に遮断できないものがある。その結果、媒体ノイズの増加を防ぐことができないという問題がある。

本発明が解決しようとする技術的課題は、前記従来技術の問題を克服するために、記録層の結晶粒の分布およびその界面が均一であるとともに、結晶粒のサイズが微細かつ均一であっても熱的安定性に優れた磁気記録媒体であって、結晶粒を磁気的に分離させることで、高い熱的安定性および高密度記録特性ならびに優秀なＳＮＲ特性を有する磁気記録媒体を提供することである。

本発明は前記課題を解決するために、磁気記録層と前記磁気記録層を支持する基板とを備える磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、微細孔隙によって結晶を磁気的または物理的に分離できる多孔性結晶分離膜（porous crystal isolating membrane）よりなることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。

本発明による磁気記録媒体は、記録物質の結晶粒が微細かつ非常に均一であるため、ビットの境界面を非常に均一に調節できて、ノイズを減少させ、結晶粒のサイズを５ｎｍ以下に調節することも可能であるため、これを通じて４００Ｇｂ／ｉｎ²以上の高密度記録が可能である。また、熱的安定性を確保するために記録物質として磁気異方性エネルギーが十分に大きい物質を使用する場合にも、前記記録物質の結晶粒間を物理的、磁気的に遮断できるため、ノイズを減少させることができる。

以下、本発明を、その実施の形態を例示しつつ、さらに詳細に説明する。

本発明による磁気記録媒体の磁気記録層は、微細かつ均一な結晶粒を形成させることができるように、あらかじめ微細孔隙を形成しておいたテンプレート状の結晶分離膜よりなっており、前記孔隙内に記録物質を充填させることによって結晶粒と結晶粒との間の物理的、磁気的な相互作用を遮断し、ビット境界部の界面をあらかじめ均一に形成しておくことにより、ノイズを減少させる。

一方、前記孔隙のサイズの標準偏差（寸法誤差）は、磁気記録物質の結晶粒サイズの３０％以下であることが望ましいが、これは、結晶粒のサイズを均一にすることによって、ノイズを減少させるためである。

また、前述したように、ＦｅＰｔなどの高磁気異方性エネルギーを有する材料を使用する場合には、組成偏析相が存在していないため、結晶粒間の相互作用を遮断できないという問題がある。この問題を解決するために、前記多孔性結晶分離膜を使用して結晶粒と結晶粒との間の物理的、磁気的な相互作用を遮断する。

本発明に使用される記録物質は、通常使用される記録物質なら、特に制限なく採用することができる。例えば、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂ、Ｎｄ、ＳｍおよびＰｒのうち少なくとも一つの遷移金属元素を含有する合金または単元素成分を含むものや、ＣｏおよびＦｅのうち少なくとも一つの遷移金属元素と、ＰｔおよびＰｄのうち少なくとも一つの貴金属元素とを含有する合金を使用することが望ましい。

前記多孔性結晶分離膜の微細孔隙は、直径が２ないし１００ｎｍであることが望ましい。すなわち、前記した構成の結晶分離膜に形成する微細孔隙は、２ｎｍ未満だと、熱的安定性を確保することが困難であり、１００ｎｍを超えると、高密度記録を達成することが難しいため、望ましくない。一方、磁気異方性エネルギーが非常に大きい合金を記録物質として使用するときには、前記微細孔隙の直径は３ないし５ｎｍであることがさらに望ましいが、この範囲で熱的安定性と４００Ｇｂ／ｉｎ²以上の超高密度記録特性とが得られるためである。

また、前記微細孔隙のアスペクト比は、０.０１ないし１０００であることが望ましい。本明細書でアスペクト比とは、孔隙の直径対深さの比率を意味し、たとえば、アスペクト比が１０ということは直径が２ｎｍであり、深さが２０ｎｍであるということを意味する。すなわち、前記アスペクト比が０.０１未満だと、孔隙の深さがあまりにも浅すぎるため、記録物質を十分に担持（含浸）することが難しく、１０００を超えてしまうと、記録物質を均一に含浸することが困難になるため、望ましくない。

図２は、本発明の一実施形態としての磁気記録媒体に使用される結晶分離膜のＳＥＭ写真である。前記多孔性結晶分離膜の材料は、その微細孔隙間が磁気的に遮断されている物質であれば、特に制限されず、例えば、酸化アルミニウムよりなるものとすることができる。酸化アルミニウム材を利用して多孔性結晶分離膜を製造する際には、一般に公知の方法である陽極酸化法を利用することができる。これは、Ａｌをアノードとして通電することによって、アノードから酸素を発生させ、これにより、Ａｌの表面を酸化させて、多孔質のＡｌ₂Ｏ₃層を形成させる方法である。

前記記録物質の磁気異方性エネルギーＫｕは、５×１０⁵ｅｒｇ／ｃｍ³以上であれば、十分であるが、結晶粒のサイズが小さくなるほど、熱的安定性を確保するために、磁気異方性エネルギーが高い記録物質を使用することが望ましいので、結晶粒のサイズが５ｎｍ以下にする場合には、Ｋｕを２.０×１０⁷ｅｒｇ／ｃｍ³以上とすることが望ましい。このように、磁気異方性エネルギーが非常に大きい合金の例としては、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｄ、ＣｏＰｔまたはＮｄＦｅＢなどが挙げられる。

本発明の実施形態としての磁気記録媒体は、前記磁気記録層と基板との間に下地層をさらに含むものとすることができる。この下地層は、磁気記録層の結晶配向性を高める役割を果たすものであり、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｎｄ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｒ、Ｃまたはこれらの合金によりなるものとすることができる。また、前記下地層は、多孔性結晶分離膜として形成し、その微細孔隙中に前記元素またはその合金を含浸させて形成することが望ましい。

図３は、本発明の一実施形態としての磁気記録媒体の構造を概略的に示す部分透視図である。前記磁気記録媒体は、ガラスまたはアルミニウム系合金基板１０上に、磁気記録層１３の結晶配向性を向上させるための下地層１２と、下地層１２と記録層１３との結晶構造の差を減少させて記録層１３の結晶性を向上させるための中間層１１と、結晶分離膜よりなる垂直磁気記録層１３とが、順次に積層されている。前記媒体構造内の垂直磁気記録層１３は、下地層１２によって磁化容易軸が膜面に垂直な方向に配向され、垂直磁気異方性エネルギーを有するものとなる。その結果、シングルポール（単極）ヘッドの垂直磁界成分によって垂直方向に情報記録が可能となる。

基板１０としては、一般に、ガラス基板、ＮｉＰ非晶質膜が塗布されたＡｌ−Ｍｇ系基板、熱酸化させたＳｉ基板が使用されるが、下地層１２は、このような基板上にＴｉなどをスパッタリング法や他の物理的な蒸着方法で蒸着する。下地層１２の厚さは１ないし２００ｎｍ範囲であり、その上に垂直磁気記録層１３を成膜する。前記垂直磁気記録層１３を成膜するには、まずアルミニウムをスパッタリング方法によって成膜した後、陽極酸化法を利用して微細孔隙を形成し、次いで、記録物質を前記微細孔隙内に充填（含浸）させれば良い。その含浸方法としては、メッキ法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル法などを使用することができる。微細孔隙が深い場合には、メッキ法を使用することが望ましいが、微細孔隙が深くないときには、製造工程を簡単にできるスパッタリング法によることが望ましい。

本発明による磁気記録媒体は、垂直磁気記録媒体はもとより、水平磁気記録媒体であってもよい。図４は、本発明の一実施形態としての垂直磁気記録媒体の概略的な断面図である。図4に示すように、前記媒体には、ガラスまたはアルミニウム系合金基板２０上に、記録および再生膜の垂直配向性を高める下地層２２と、結晶分離膜よりなる垂直磁気記録層２３と、前記垂直磁気記録層２３を酸化および外部的な衝撃から保護する保護層２４と、情報記録／再生のためのヘッドスライダーの衝突を抑制し、円滑な滑りを誘導する潤滑層２５とが順次に積層されている。

本発明の他の実施形態として、磁気記録媒体が、前記垂直磁気記録層と基板との間に軟磁性層をさらに含むものとしてもよい。前記軟磁性層は、垂直磁気記録媒体で磁場のリターン磁路として作用して垂直磁気フィールドの磁路を形成する役割を果たす。前記軟磁性層に使用できる物質としては、例えば、ＦｅＳｉＡｌ、ＮｉＦｅ合金またはＣｏＺｒ合金が挙げられる。また、前記軟磁性層を多孔性結晶分離膜で構成し、その微細孔隙に、交換磁気異方性効果（exchange magnetic anisotropic effect）を有する物質または反強磁性結合構造（antiferromagnetic bonding structure）を有する物質を含浸させて形成するのが望ましい。図５に、軟磁性層２６と中間層２１とを含む垂直磁気記録媒体の概略的な断面図を示す。

図６は、本発明のさらに他の実施形態としての水平磁気記録媒体の概略的な断面図である。図６に示すように、この磁気記録媒体は、中間層３１、下地層３２および結晶配向層３８を含む。記録層は、上部記録層３３と下部磁性層３７とに分けられており、その中間にＲｕ層がある。このＲｕ層は、下部磁性層３７を薄くすることによって、反磁場の影響を減少させるために積層させたものである。本実施形態による磁気記録媒体は、前記上部記録層３３と前記下部磁性層３７とをいずれも結晶分離膜により形成することができるが、そのうちどちらか一層のみを結晶分離膜により形成してもよい。

一方、本発明のさらに他の実施形態として、磁気記録媒体を、基板を除外した残りの層、例えば、軟磁性層、中間層および下地層を、すべて一体型の結晶分離膜に形成した後、それぞれの層を構成する物質を順次に担持（含浸）させて製造するものとすることもできる。このように基板を除外した記録媒体の全部の層に結晶分離膜を採用した実施形態を図７に示す。本実施形態の磁気記録媒体は、基板４０上に結晶分離膜４８を一体として形成し、順次に軟磁性層４６の物質、中間層４１の物質および記録層４３の物質を担持（含浸）させて製造したものである。

以下、本発明の望ましい実施例で本発明をさらに詳細に説明するが、本発明がこれによって制限されるものではない。

［実施例１］
０.６３５ｍｍの厚さのガラス基板上にＴｉ下地層を５０ｎｍの厚さに積層し、その上にＡｌを１０ｎｍの厚さにスパッタリングした後、陽極酸化法を利用して直径５ｎｍ（標準偏差２０％）の微細孔隙を形成してアスペクト比を２にした。次いで、スパッタリング法を利用して記録物質であるＦｅＰｔを前記孔隙内に担持させた後、その上に保護層として炭素系膜を１０ｎｍ、そして、潤滑層としてＺ−ＤＯＬ（０.０４％）潤滑剤（Ａｕｓｉｍｏｎｔ社製）を２ｎｍの厚さに積層して磁気記録媒体を製造した。

［実施例２］
Ａｌを５ｎｍの厚さに成膜してアスペクト比を１にしたことを除いては、前記実施例１と同じ方法で磁気記録媒体を製造した。

［実施例３］
下地層の代りに５ｎｍのＰｔ中間層を積層し、前記中間層と基板との間に１５０ｎｍのＮｉＦｅ軟磁性層をさらに積層させたことを除いては、前記実施例１と同じ方法で磁気記録媒体を製造した。

［実施例４］
０.６３５ｍｍの厚さのガラス基板上にＴｉ下地層を５０ｎｍの厚さに積層した後、その上に中間層としてＰｔ層を２０ｎｍの厚さに蒸着し、次いで、Ａｌを２０ｎｍの厚さにスパッタリングし、陽極酸化法を利用して直径２ｎｍの微細孔隙を形成してアスペクト比を１０にした。次いで、電気メッキ法を利用して記録物質であるＦｅＰｔを前記孔隙内に担持させた後、その上に保護層として炭素系膜を１０ｎｍ、そして潤滑層としてＺ−ＤＯＬ（０.０４％）潤滑剤（Ａｕｓｉｍｏｎｔ社製）を２ｎｍの厚さに積層して磁気記録媒体を製造した。

［実施例５］
０.６３５ｍｍの厚さのガラス基板上にＴａ結晶配向層５ｎｍを積層した後、Ｔｉ下地層を５０ｎｍの厚さに積層した。次いで、Ｐｔ中間層５ｎｍを積層し、下部磁性層として２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ層と５ｎｍのルテニウム層とを順次に積層した。次いで、Ａｌを２０ｎｍの厚さにスパッタリングした後、陽極酸化法を利用して直径５ｎｍの微細孔隙を形成してアスペクト比を４にした。次いで、電気メッキ法を利用して記録物質であるＣｏＣｒＰｔを前記孔隙内に担持させた後、その上に保護層として炭素系膜を１０ｎｍ、そして、潤滑層としてＺ−ＤＯＬ（０.０４％）潤滑剤（Ａｕｓｉｍｏｎｔ社製）を２ｎｍの厚さに積層して磁気記録媒体を製造した。

［実施例６］
微細孔隙の直径を２０ｎｍとしてアスペクト比を１にし、記録物質としてＣｏＣｒ系合金を使用したことを除いては、前記実施例４と同じ方法で磁気記録媒体を製造した。

［実施例７］
０.６３５ｍｍの厚さのガラス基板上にＡｌを１８０ｎｍの厚さにスパッタリングした後、陽極酸化法を利用して直径５ｎｍの微細孔隙を形成してアスペクト比を３０にした。次いで、電気メッキ法を利用してＮｉＦｅ軟磁性層物質を１５０ｎｍの厚さに前記孔隙に担持させた後、中間層として２０ｎｍのＲｕ層、記録物質であるＣｏＰｔ１０ｎｍを順次に担持させて積層した。最後に、前記表面の平坦化作業をした後に、保護層として炭素系膜を１０ｎｍ、そして、潤滑層としてＺ−ＤＯＬ（０.０４％）潤滑剤（Ａｕｓｉｍｏｎｔ社製）を２ｎｍの厚さに積層して磁気記録媒体を製造した。

本発明はノイズを低減することによって高密度の記録が可能な磁気記録媒体を提供できるので、ビデオテープ、オーディオデープ、メモリテープ、磁気シート、および磁気ディスクのような多様な分野の磁気記録媒体として有用に利用することができる。

従来の磁気記録層として使用されるＣｏＣｒ合金系の蒸着面のＳＥＭ写真である。本発明による磁気記録媒体に使用される結晶分離膜のＳＥＭ写真である。本発明による磁気記録媒体の構造を概略的に示す部分透視図である。本発明の一実施形態（実施例１）による磁気記録媒体の概略的な断面図である。本発明の他の実施形態（実施例３）による磁気記録媒体の概略的な断面図である。本発明のさらに他の実施形態（実施例５）による磁気記録媒体の概略的な断面図である。本発明のさらに他の実施形態（実施例７）による磁気記録媒体の概略的な断面図である。

符号の説明

１０基板
１１中間層
１２下地層
１３磁気記録層

Claims

磁気記録層と前記磁気記録層を支持する基板とを備える磁気記録媒体において、
前記磁気記録層は、微細孔隙によって結晶を磁気的または物理的に分離できる多孔性結晶分離膜よりなることを特徴とする磁気記録媒体。
前記微細孔隙のサイズの標準偏差は、磁気記録物質の結晶粒サイズの３０％以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記微細孔隙の内部には、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂ、Ｎｄ、ＳｍおよびＰｒのうち少なくとも一つの遷移金属元素を含有する合金または単元素成分が含浸されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記微細孔隙の内部には、ＣｏおよびＦｅのうち少なくとも一つの遷移金属元素と、ＰｔおよびＰｄのうち少なくとも一つの貴金属元素を含有する合金が含浸されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記微細孔隙は、直径が２ないし１００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記微細孔隙は、直径が３ないし５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記微細孔隙のアスペクト比は、０.０１ないし１０００であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記多孔性結晶分離膜は、酸化アルミニウムよりなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記微細孔隙の内部には、その磁気異方性エネルギーが、５.０×１０⁵ｅｒｇ／ｃｍ³以上の物質が含浸されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記微細孔隙の内部には、その磁気異方性エネルギーが、２.０×１０⁷ｅｒｇ／ｃｍ³以上の物質が含浸されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記微細孔隙の内部には、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｄ、ＣｏＰｔまたはＮｄＦｅＢが含浸されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記磁気記録層と基板との間に下地層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記磁気記録層は、垂直磁気記録層であることを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体。
前記磁気記録層は、水平磁気記録層であることを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体。
前記磁気記録層と基板との間に軟磁性層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
前記下地層または軟磁性層が微細孔隙によって結晶を磁気的または物理的に分離できる多孔性結晶分離膜よりなることを特徴とする請求項１２ないし１５のうち何れか１項に記載の磁気記録媒体。
前記下地層を構成する多孔性結晶分離膜の微細孔隙には、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｎｄ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、ＰｒおよびＣのうち少なくとも一つの遷移金属元素を含有する合金または単元素成分が含浸されていることを特徴とする請求項１６に記載の磁気記録媒体。
前記軟磁性層を構成する多孔性結晶分離膜の微細孔隙には、ＦｅＳｉＡｌ、ＮｉＦｅ合金またはＣｏＺｒ合金が含浸されていることを特徴とする請求項１６に記載の磁気記録媒体。
前記軟磁性層を構成する多孔性結晶分離膜の微細孔隙には、交換磁気異方性効果または反強磁性結合構造を有する物質が含浸されていることを特徴とする請求項１６に記載の磁気記録媒体。