JP2005158975A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ガラス転移温度が半田付け温度以上の接着層を用いることで、信頼性の高く且つ長寿命の電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 フェライト基板７上に積層体４を形成し、フェライト基板６をこの積層体に接着層５−１，５−２を介して圧着することで、チップ体２を形成する。そして、外部端子３−１〜３−４をチップ体２に取り付けることで、電子部品であるチョークコイル１を製造する。この際、接着層５−１，５−２の材料に、ガラス転移温度が半田付け温度以上の材料を用いる。好ましくは、ガラス転移温度が２７０℃以上で且つ上記熱膨張率及び弾性率を有する材料を用いる。
【選択図】図１

Description

この発明は、一対の基板間に積層体を装着した電子部品及びその製造方法に関するものである。

従来、この種の電子部品に関しては、例えば、特許文献１ないし特許文献３に開示されている技術がある。
特許文献１に開示の複合電子部品は、異なる材料で構成された二以上の焼結積層体をポリイミド樹脂を介して真空熱圧着することより形成された積層体両端部に、乾式メッキを施して、外部端子を設けた構造となっている。
また、特許文献２に開示の電子部品である多層プリントコイルは、基板の両面にプリントコイルを絶縁性接着シートを介して一体化することで複合シートを形成し、この複合シートをジグザグ状に折り畳み、これらの複合シートを多層化した状態で加熱、加圧することで接着させた構造となっている。
そして、特許文献３に開示の電子部品は、コア基板に薄膜導体をパターニングして、このコア基板と、樹脂等でなる複合材料を薄い板状に形成して半硬化したプリプレグとを交互に積層し、その後、熱プレスによってプリプレグとコア基板とを一体化した構造となっている。

特開平０７−１０６２００号公報 特開２０００−２５２１４６号公報 特開２００２−３２４７２９号公報

しかし、上記した従来の電子部品は、接着層として熱可塑性又は熱硬化性のポリイミド樹脂や接着シートなどを用い、この接着層を介して積層体と基板や積層体同士などを熱圧着することにより、これらを接着した構造となっているので、この接着層のガラス転移温度が電子部品の半田付け温度以下である場合には、リフロー半田時に、電子部品の外部端子が切断されて、外部端子と内部回路との導通が断たれる事態が生じるおそれがある。以下、その理由を述べる。

図９は、ガラス転移温度が半田付け温度以下である接着層を用いた電子部品の断線現象を説明するための断面図である。
電子部品を製造する際に、図９（ａ）に示すように、回路１００ａが積層された基板１００上に接着層１０２を介して基板１０１を載せ、真空熱圧着を行うと、圧着時に下側の基板１００と上側の基板１０１との間に温度差が生じる。このため、冷却時に、基板１００，１０１との間に収縮差が生じ、基板１００，１０１が反った状態になる。この結果、基板の反りによる基板１００，１０１間のズレが接着層１０２に内部歪みとして残留したまま、接着層１０２が硬化することとなる。
かかる状態で、図９（ａ）のウエハの破線部分をダイシング工程でチップ化し、図９（ｂ）に示すように、外部端子１１０，１１１を、回路１００ａの端子に接続させた状態で、チップの両側に形成すると、接着層１０２に内部歪みを残留させた電子部品が製品化される。
したがって、接着層１０２のガラス転移温度が半田付け温度以下の場合には、電子部品のリフロー半田時に、内部歪みが解放されて、接着層１０２が軟化して変形する。この結果、図９（ｃ）に示すように、外部端子１１０，１１１が接着層１０２の変形によって切断され、基板１００，１０１と回路１００ａとの導通が断たれる事態が発生すると考えられる。
また、リフロー半田時に導通が断たれる事態が発生しない場合のおいても、外部端子１１０，１１１に亀裂が生じ、実装後短時間で破損するおそれがある。

この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、ガラス転移温度が半田付け温度以上の接着層を用いることで、高信頼性且つ長寿命の電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１の発明は、第１の基板と、絶縁層と導体層とがこの第１の基板上に積層され且つ導体層で構成された内部回路の端子が側面に露出する積層体と、接着層を介してこの積層体上に貼り合わされた第２の基板とを具備するチップ体に、外部端子が内部回路の端子と接触するように取り付けられてなる電子部品であって、接着層を、ガラス転移温度が部品実装時の半田付け温度以上である材料で形成した構成とする。
かかる構成により、電子部品は、半田付けにより、実装されるが、このとき、接着層が半田付け温度に加熱される。この際、接着層は、ガラス転移温度が部品実装時の半田付け温度以上である材料で形成されているので、接着層が変形することはない。

請求項２の発明は、請求項１に記載の電子部品において、接着層のガラス転移温度は、２７０°Ｃ以上である構成とした。

また、請求項３の発明に係る電子部品の製造方法は、絶縁層と導体層とを第１の基板上に積層して内部回路を有した積層体を形成する積層工程と、ガラス転移温度が部品実装時の半田付け温度以上の接着層を介して、積層体上に第２の基板を接着させる接着工程と、加熱しながら、第２の基板を第１の基板側に所定圧力で押圧する圧着工程と、圧着工程を経て得たウエハを、内部回路の端子が積層体の側面から露出するチップ体にダイシングするダイシング工程と、チップ体の内部回路の端子と接触するように外部端子をチップ体側面に形成する外部端子形成工程とを具備する構成とした。
かかる構成により、積層工程において、内部回路を有した積層体が形成され、接着工程によって、第２の基板がこの積層体上に接着層を介して接着される。このとき、接着層として、ガラス転移温度が部品実装時の半田付け温度以上のものを用いられる。さらに、圧着工程により、第２の基板が第１の基板側に所定圧力で押圧される。このとき、加熱しながら、第２の基板を第１の基板側に所定圧力で押圧するので、第２基板と積層体との間に高い接着力が確保される。そして、ダイシング工程において、ウエハが、チップ体にダイシングされ、外部端子形成工程によって、外部端子がチップ体側面に形成されて、電子部品が製造される。

請求項４の発明は、請求項３に記載の電子部品の製造方法において、接着工程は、ガラス転移温度が２７０゜Ｃ以上の接着層を介して、積層体上に第２の基板を接着させる構成とした。

請求項５の発明は、請求項３または請求項４に記載の電子部品の製造方法において、圧着工程を、第１及び第２の基板を上下から挟んで押圧する一対のブロックを有し且つ一対のブロックが第１及び第２の基板の素材と同一の素材で形成された真空ホットプレス機により実行する構成とした。

以上詳しく説明したように、請求項１及び請求項２の発明に係る電子部品によれば、半田実装時の加熱により、内部歪みが解放して接着層が変形するという事態は生じない。したがって、内部回路の端子と接触している外部端子が切断されて、導通が断たれることはない。また、接着層の変形による外部端子の亀裂も発生することはない。この結果、信頼性が高くしかも長寿命の電子部品を提供することができるという優れた効果がある。
また、請求項３ないし請求項５の発明に係る電子部品の製造方法によれば、ガラス転移温度が部品実装時の半田付け温度以上の接着層を用いて、第２の基板を積層体上に接着するので、半田実装時の加熱による接着層の変形がほとんど生じない信頼性の高い長寿命な電子部品を製造することができるという効果がある。
特に、請求項５の発明によれば、ブロックと基板との温度差が少なくなり、その分、基板の反りを減少させることができる効果がある。

以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。

図１は、この発明の一実施例に係る電子部品の分解斜視図であり、図２は、電子部品の外観図であり、図３は、図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。
これらの図に示すように、この実施例の電子部品は、薄膜型コモンモードチョークコイル（以下、単に「チョークコイル」と記す）であり、このチョークコイル１は、チップ体２と外部端子３−１，〜，３−４を具備している。

チップ体２は、図１および図３に示すように、第２の基板としてのフェライト基板６を、接着層５−１，５−２を介して積層体４上に貼り合わせた構成となっている。なお、この実施例では、第２の基板として磁性体であるフェライト基板６を用いているが、基板の材料は磁性体に限定されるものではなく、用途に応じて、誘電体や絶縁体で第２の基板を形成しても良い。

積層体４は、第１の基板としてのフェライト基板７の上に、一次側コイル部８と二次側コイル部９とを積み重ねることにより形成されている。
具体的には、一次側コイル部８は、フェライト基板７の上に、絶縁層８１，導体層としての配線パターン８２，絶縁層８３，導体としての配線パターン８４，絶縁層８５を順に積み重ね、絶縁層８３に設けられたスルーホール８３ａを通じて、配線パターン８２，８４を電気的に接続した構造となっている。すなわち、一次側コイル部８内に、配線パターン８２，８４でなる内部回路としての並列スパイラルコイルが形成され、その端子８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂが積層体４の側面で露出されている。
一方、二次側コイル部９も一次側コイル部８とほぼ同様であり、一次側コイル部８の上に、絶縁層９１，導体層としての配線パターン９２，絶縁層９３，導体としての配線パターン９４，絶縁層９５を順に積み重ね、絶縁層９３に設けられたスルーホール９３ａを通じて、配線パターン９２，９４を電気的に接続した構造となっている。すなわち、二次側コイル部９内に、配線パターン９２，９４でなる内部回路としての並列スパイラルコイルが形成され、その端子９２ａ，９２ｂ，９４ａ，９４ｂが積層体４の側面で露出されている。
この実施例では、配線パターン８２，８４，９２，９４を形成する材料として、Ａｇを用いている。しかし、配線パターン８２，８４，９２，９４として、導電性に優れたＣｕ，Ｐｄ，Ａｌ等の金属や、これらの合金を用いることができることは勿論である。
また、この実施例では、絶縁層８１，８３，８５，９１，９３，９５として、ポリイミド樹脂を用いているが、絶縁層８３，９３はスルーホール８３ａ，９３ａを形成するため、感光性のポリイミド樹脂を用いる必要がある。また、絶縁層８１，８３，８５，９１，９３，９５として、ポリイミド樹脂以外に、エポキシ樹脂，ベンゾシクロプテン樹脂等の種々の樹脂材料、あるいはＳｉＯ2等のガラス、ガラスセラミクス、誘電体等を用いることができることは勿論である。

フェライト基板６は、スパイラルコイルのインピーダンス特性の向上と電磁シールドと配線パターン８２，８４，９２，９４の保護とを目的として用いられる基板であり、接着層５−１，５−２を介して積層体４上に圧着されている。

接着層５−１，５−２は、熱硬化性のポリイミド樹脂を材料とする層であり、そのガラス転移温度がチョークコイル１の実装時の半田付け温度以上のものが適用される。この実施例では、ガラス転移温度が２７０℃以上のものを適用する。さらに、これら接着層５−１，５−２は、共に低熱膨張率で且つ低弾性率を有した上記ポリイミド樹脂が適用されている。具体的には、熱膨張係数が７１ｐｐｍ（１５０℃〜２５０℃）、弾性係数が２．８ＧＰａのポリイミド樹脂である。
なお、ガラス転移温度が２７０℃以上で且つ上記熱膨張率及び弾性率を有するものであれば、熱硬化性ポリイミド樹脂だけでなく、熱可塑性のポリイミド樹脂、熱可塑性ポリアミドイミド樹脂、エポシキ樹脂などの熱可塑性又は熱硬化性の樹脂を、接着層５−１，５−２として用いることができる。

チップ体２は、図２に示すように、上記のような構造を有した矩形体であり、その両側に、外部端子３−１，〜，３−４が取り付けられている。
具体的には、図１及び図３に示すように、一次側コイル部８の端子８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂがチップ体２の両側面の左下部分に露出し、二次側コイル部９の端子９２ａ，９２ｂ，９４ａ，９４ｂが両側面の右上部分に露出している。したがって、外部端子３−１が端子８２ａ，８４ａに、外部端子３−２が端子８２ｂ，８４ｂに接触するように取り付けられ、外部端子３−３が端子９２ａ，９４ａに、外部端子３−４が端子９２ｂ，９４ｂに接触するように取り付けられている。これにより、一次側コイル部８のスパイラルコイルと外部端子３−１，３−２とが電気的に接続され、二次側コイル部９のスパイラルコイルと外部端子３−３，３−４とが電気的に接続されている。
この実施例では、外部端子３−１，〜，３−４は、薄膜Ａｇの上にＮｉの膜を形成した構成をとっている。勿論、外部端子３−１，〜，３−４として、Ａｂ−Ｐｄ，Ｃｕ，ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕ等の薄膜上にＮｉ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜を形成したものを用いても良い。

次に、チョークコイル１の製造方法の一例について説明する。
図４は、チョークコイル１の製造方法を示す工程図であり、図５は、積層工程と接着工程とを示す断面図であり、図６は、圧着工程を示す断面図であり、図７はダイシング工程と外部端子形成工程を示す概略図である。
図４に示すように、この製造方法は、積層工程Ｓ１と接着工程Ｓ２と圧着工程Ｓ３とダイシング工程Ｓ４と外部端子形成工程Ｓ５とを備えてなる。

まず、積層工程Ｓ１を実行する。
積層工程Ｓ１は、図５に示すように、フェライト基板７に、上記スパイラルコイルが得られるようにフォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層と配線パターンを交互に複数回積層して積層体４を形成する工程である。
この工程を実行する際、絶縁層と配線パターンの形成に支障がないよう、表面粗さＲａが０．５μｍ以下に研磨されたフェライト基板７を用いることが望ましい。
積層工程Ｓ１においては、フェライト基板７にポリイミド樹脂を用いて絶縁層８１を形成する。そして、絶縁層８１の上に、スパッタリングや蒸着等の薄膜形成法、あるいはスクリーン印刷などの厚膜形成法といった成膜技術によりＡｇ膜層を形成し、しかる後、レジスト塗布，露光及び現像やエッチング等の一連のフォトリソグラフィ技術を用いて、端子８２ａ，８２ｂを有した配線パターン８２を形成する。続いて、配線パターン８２上に、感光性ポリイミド樹脂を塗布し、露光及び現像を行うことで、スルーホール８３ａを有した絶縁層８３を形成する。そして、この絶縁層８３上に、配線パターン８２及び絶縁層８１と同様に、端子８４ａ，８４ｂを有した配線パターン８４と絶縁層８５とを順に積層することで、一次側コイル部８（図１参照）を形成する。
しかる後、一次側コイル部８の上に、一次側コイル部８と同様に、絶縁層９１，９３，９５と配線パターン９２，９４とを交互に積層することで、二次側コイル部９（図１参照）を形成する。
これにより、積層工程Ｓ１が終了し、積層体４が形成される。

次に、接着工程Ｓ２を実行する。
接着工程Ｓ２は、接着層５−１，５−２を介して、積層体４上にフェライト基板６を接着させる工程である。
具体的には、ガラス転移温度が２７０℃以上、熱膨張係数が７１ｐｐｍ（１５０℃〜２５０℃）で弾性係数が２．８ＧＰａの熱硬化性のポリイミド樹脂を、積層体４の絶縁層９５の上面とフェライト基板６の下面とにそれぞれ塗布して、接着層５−１，５−２を形成し、これらを貼り合わせた後、３００℃で１時間乾燥（仮硬化）させる。このように接着層５−１，５−２を一旦乾燥させることで、不用なガス成分を抜くことができ、接着層５−１，５−２内の空孔の発生を防止することができる。

しかる後、圧着工程Ｓ３を実行する。
圧着工程Ｓ３は、加熱しながら、フェライト基板６をフェライト基板７側に所定圧力で押圧する工程である。
具体的には、図６に示すように、フェライト基板６が貼り付けられた積層体４を、真空ホットプレス機１０にセットし、３００℃〜４５０℃で１時間加熱しながら、フェライト基板６を２０００ｋｇｆ／１６平方インチ〜５０００ｋｇｆ／１６平方インチの高圧で押圧することで、フェライト基板６を積層体４上に熱圧着する。
このとき、真空ホットプレス機１０のブロック１１，１２として、フェライト基板６，７と同材料のものを用いることが好ましい。従来のように、真空ホットプレス機のブロックとして、カーボン製のものを使用すると、カーボン製のブロックの熱伝導率が高いことから、ブロックの温度とブロックに接触している基板の温度との差が大きくなり、基板の反りが大きくなるからである。これに対して、フェライト基板６，７と同じ素材のブロック１１，１２を用いることで、フェライト基板６，７とブロック１１，１２との温度差が少なくなり、その分、フェライト基板６，７の反りを少なくすることができる。
ところで、上記したように、フェライト基板６と積層体４との圧着時には、３５０℃〜３９０℃の高温を加えている。したがって、この高温によって、接着層５−１，５−２からガスが流出して接着層５−１，５−２内に空孔を作るおそれがある。この空孔は、密着力を低下させる。また、空孔内に湿気がたまった場合には、内部の配線パターンを短絡させるおそれがある。したがって、接着層５−１，５−２の耐熱温度は４００℃以上のものを用いることが望ましい。
以上のようにして、フェライト基板６と積層体４とを熱圧着した後、冷却して、真空ホットプレス機１０の圧力を解除することで、圧着工程Ｓ３が終了する。このように、圧着工程Ｓ３が実行されることで、フェライト基板６と積層体４とが強固に接着されるので、後工程のダイシング工程Ｓ４や外部端子形成工程Ｓ５においてフェライト基板６が積層体４から剥がれることはない。

そして、ダイシング工程Ｓ４を実行する。
ダイシング工程Ｓ４は、圧着工程Ｓ３を経て得たウエハを、チップ体２にダイシングする工程である。
具体的には、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、チップ体２をダイシングソウ２００でウエハ２′から切り出して分割する。
しかる後、図示しないバレルによって面取りを施すことにより、チップ体２形成の作業は完了し、内部のスパイラルコイルの端子８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂが側面から露出したチップ体２が得られる。

最後に、外部端子形成工程Ｓ５を実行する。
外部端子形成工程Ｓ５は、スパイラルコイルの端子８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂと接触するように外部端子３−１，〜，３−４をチップ体２の側面に形成する工程である。
具体的には、Ａｇ含む導電性ペーストの塗布や、Ａｇのスパッタリングや蒸着等によって、端子８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂと対応する部分にＡｇ膜を成膜する。そして、このＡｇ膜上に、湿式電解メッキ等によって、Ｎｉ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜を形成する。
これにより、図７（ｃ）に示すように、チップ体２に外部端子３−１，〜，３−４を備えたチョークコイル１が製造される。

以上のようにして製造されたチョークコイル１は、小型・低背の電子部品であり、その実装は、リフロー半田により行われるのが一般的である。
リフロー半田は、チョークコイル１の外部端子３−１，〜，３−４を半田が盛られたランドなどに載置し、２６０℃前後の高温の雰囲気で加熱することにより、外部端子３−１，〜，３−４をランドに半田付けするものである。このとき、上記圧着工程Ｓ３において、フェライト基板６，７が反っていた場合には、接着層５−１，５−２にフェライト基板６，７の反りに因る内部歪みが残留している。したがって、リフロー半田時の加熱によって、内部歪みが解放され、接着層５−１，５−２が軟化して変形し、外部端子３−１，〜，３−４とスパイラルコイルの端子８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂとの接続が断たれるおそれがある。
しかし、この実施例のチョークコイル１では、接着層５−１，５−２として、ガラス転移温度が２７０℃以上の熱硬化性ポリイミド樹脂を用いているので、ガラス転移温度がリフロー半田の加熱温度よりも高い。しかも、熱膨張係数が７１ｐｐｍ（１５０℃〜２５０℃）で弾性係数が２．８ＧＰａという低熱膨張率且つ低弾性率のポリイミド樹脂を用いている。したがって、リフロー半田時の加熱によって、接着層５−１，５−２が変形することはなく、この結果、部端子３−１，〜，３−４とスパイラルコイルの端子８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂとの接続が確保される。また、接着層５−１，５−２の変形による外部端子３−１，〜，３−４の亀裂も発生することはない。

発明者等は、かかる点を実証すべく次のような接着層軟化の比較実験を行った。
図８は、接着層軟化の比較実験の結果を示す顕微鏡写真の複写図である。なお、引き出し線の写真中の部分は白色で描いてある。

この実験では、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、フェライト基板７０上の積層体に接着層を介してフェライト基板６０を熱圧着して、外部端子３０，３０を取り付けたものを試料として用いたが、この際、接着層に内部歪みが生じるように、予めフェライト基板６０，７０に反りを与えておいた。
そして、接着層の材料を異ならしめた２つの試料１，２をリフロー半田することで接着層の変形を観察した。

試料１では、接着層５０の材料に、ガラス転移温度が１９０℃、熱膨張係数が５０ｐｐｍ（＜１９０℃）、弾性率が２．７ＧＰａである、熱可塑性の樹脂を用いた。
一方、試料２では、接着層５１の材料に、ガラス転移温度が２７０℃、熱膨張係数が７１ｐｐｍ（１５０℃〜２５０℃）、弾性率が２．８ＧＰａである、熱硬化性の樹脂を用いた。

上記実験の結果、試料１では、図８（ａ）の矢印Ｂで示すように、接着層５０が変形して、フェライト基板６０がフェライト基板７０に対して横方向にずれ、内部回路の端子８０が接続されている外部端子３０，３０が完全に切断された。
これに対して、試料２では、図８（ｂ）の矢印Ｃで示すように、接着層５１は変形せず、フェライト基板６０がフェライト基板７０に対してズレていない。このため、内部回路の端子８０が接続された外部端子３０，３０は、切断されることなく、当初の状態を維持している。
この実験の結果から、接着層のガラス転移温度が電子部品の半田付け温度以上であるならば、接着層が変形せず、外部端子の切断が生じないことは、明らかである。

この発明の一実施例に係る電子部品を示す分解斜視図である。 電子部品の外観図である。 図２の矢視Ａ−Ａ断面図である。 チョークコイルの製造方法を示す工程図である。 積層工程と接着工程とを示す断面図である。 圧着工程を示す断面図である。 ダイシング工程と外部端子形成工程を示す概略図である。 接着層軟化の比較実験の結果を示す顕微鏡写真の複写図である。 ガラス転移温度が半田付け温度以下である接着層を用いた電子部品の断線現象を説明するための断面図である。

符号の説明

１…チョークコイル、 ２…チップ体、 ３−１，〜３−４…外部端子、 ４…積層体、 ５−１，５−２…接着層、 ６，７…フェライト基板、 ８１，８３，８５，９１，９３，９５…絶縁層、 ８２，８４，９２，９４…配線パターン、 ８…一次側コイル、 ９…二次側コイル部、 ８２ａ，８２ｂ，８４ａ，８４ｂ，９２ａ，９２ｂ，９４ａ，９４ｂ…端子、 １０…真空ホットプレス機、 １１，１２…ブロック、 Ｓ１…積層工程、 Ｓ２…接着工程、 Ｓ３…圧着工程、 Ｓ４…ダイシング工程、 Ｓ５…外部端子形成工程。

Claims (5)

1. 第１の基板と、絶縁層と導体層とがこの第１の基板上に積層され且つ上記導体層で構成された内部回路の端子が側面に露出する積層体と、接着層を介してこの積層体上に貼り合わされた第２の基板とを具備するチップ体に、外部端子が上記内部回路の端子と接触するように取り付けられてなる電子部品であって、
   上記接着層を、ガラス転移温度が部品実装時の半田付け温度以上である材料で形成した、
   ことを特徴とする電子部品。
2. 請求項１に記載の電子部品において、
   上記接着層のガラス転移温度は、２７０°Ｃ以上である、
   ことを特徴とする電子部品。
3. 絶縁層と導体層とを第１の基板上に積層して内部回路を有した積層体を形成する積層工程と、
   ガラス転移温度が部品実装時の半田付け温度以上の接着層を介して、上記積層体上に第２の基板を接着させる接着工程と、
   加熱しながら、上記第２の基板を第１の基板側に所定圧力で押圧する圧着工程と、
   上記圧着工程を経て得たウエハを、上記内部回路の端子が積層体の側面から露出するチップ体にダイシングするダイシング工程と、
   上記チップ体の内部回路の端子と接触するように外部端子をチップ体側面に形成する外部端子形成工程と
   を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
4. 請求項３に記載の電子部品の製造方法において、
   上記接着工程は、ガラス転移温度が２７０゜Ｃ以上の接着層を介して、上記積層体上に第２の基板を接着させる、
   ことを特徴とする電子部品の製造方法。
5. 請求項３または請求項４に記載の電子部品の製造方法において、
   上記圧着工程を、上記第１及び第２の基板を上下から挟んで押圧する一対のブロックを有し且つ当該一対のブロックが当該第１及び第２の基板の素材と同一の素材で形成された真空ホットプレス機により実行する、
   ことを特徴とする電子部品の製造方法。

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