JPH1131632A

JPH1131632A - 固体複合部品の製造方法

Info

Publication number: JPH1131632A
Application number: JP9186344A
Authority: JP
Inventors: Masayuki Mizuno; 雅之水野; Masaaki Hayama; 雅昭葉山; Akira Hashimoto; 晃橋本; Kazuhiro Miura; 和裕三浦; Terumitsu Yamada; 輝光山田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-07-11
Filing date: 1997-07-11
Publication date: 1999-02-02

Abstract

(57)【要約】【課題】小型化を図るために高密度の基板に特性がよ
く、寸法精度がよく、かつ信頼性が高い、固体複合部品
の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第１のセラミック基板の一面上に形成し
たインダクタ導体パターン層上に磁性ペースト層を形成
してインダクタ層を有した第１の基板を形成する第１工
程と、第２のセラミック基板の一面上に誘電体層を介在
したコンデンサ導体パターン層を形成してコンデンサ層
を有した第２の基板を形成する第２工程と、前記第１の
基板および前記第２の基板を前記ガラスペースト層を介
して互いに張り合わせて張合体を形成する第３工程と、
前記張合体を焼成して焼成体を形成する第４工程と、前
記焼成体に外部電極を形成する第５工程を備え、前記第
１工程前に第１の未焼成セラミック基板および第２の未
焼成セラミック基板を焼成して第１のセラミック基板お
よび第２のセラミック基板を形成する工程を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタ、キャ
パシタが複合したチップ型の固体複合部品の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ＬＳＩ、チップ部品等は小
型、軽量化が進んでおり、この中で高周波関連の磁気デ
バイスでも小型化の要求があり、厚膜の誘電体を使用し
たコンデンサの小型化の要求が多くなり、１つのデバイ
スの中に誘電体とインダクタを一体化して小型にする方
法などが開発されてきている。

【０００３】小型化を図ったコンデンサの形成方法で
は、特公平２−５４６４７号公報において、非磁性絶縁
体層とコンデンサ用電極導体とを交互に積層し、その上
に更に同じ材質の非磁性絶縁体層とコイル用導体とを交
互に積層し、これらを一体焼成してインダクタとコンデ
ンサを複合化して小型化を図る方法が紹介されている。
また、より簡便な固体複合部品の製造方法として、特開
昭５７−１９３０１９号公報に開示されているように、
磁性体シートと、誘電体シートを焼成し、中間層で貼り
合わせ一体化するという方法が紹介されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
インダクタとコンデンサを一体焼成するには、磁性体シ
ート、誘電体シート共に、低温焼結材を使用する必要が
あり、特性の向上を図りにくい。また、磁性体シートと
誘電体シートとの熱膨張係数の違いから、焼成時におい
て収縮率が異なり、寸法精度の向上も図りにくいという
問題点を有していた。

【０００５】本発明は上記問題点を解決し、特性の向上
および寸法精度の向上を図った固体複合部品の製造方法
を提供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明は、第１のセラミック基板の一面上にインダ
クタ導体パターン層を形成するとともに、前記インダク
タ導体パターン層上に磁性ペースト層を形成してインダ
クタ層を有した第１の基板を形成する第１工程と、第２
のセラミック基板の一面上に誘電体層を介在したコンデ
ンサ導体パターン層を形成してコンデンサ層を有した第
２の基板を形成する第２工程と、前記第１の基板の一面
側または前記第２の基板の一面側の少なくとも一方にガ
ラスペースト層を形成するとともに、前記第１の基板お
よび前記第２の基板を前記ガラスペースト層を介して互
いに張り合わせて張合体を形成する第３工程と、前記張
合体を焼成して焼成体を形成する第４工程と、前記焼成
体に外部電極を形成する第５工程を備え、前記第１工程
前に第１の未焼成セラミック基板および第２の未焼成セ
ラミック基板を焼成して第１のセラミック基板および第
２のセラミック基板を形成する工程を設けたものであ
る。

【０００７】上記製造方法により、インダクタ層および
コンデンサ層はセラミック基板上に形成するので、特性
向上を図ることができる。さらに、第１のセラミック基
板および第２のセラミック基板は、未焼成のセラミック
基板である第１の未焼成セラミック基板および第２の未
焼成セラミック基板を焼成して形成しているので、張合
体を焼成して焼成体を形成する際に、第１のセラミック
基板および第２のセラミック基板が全体的に熱収縮する
ことがない。これにより、第１、第２のセラミック基板
上に形成したインダクタ層およびコンデンサ層が第１、
第２のセラミック基板の収縮に合わせて収縮してしまう
ことがなく、寸法精度を向上させることができるととも
に、後工程等において寸法を調整する必要もなく、製造
工程を簡略化することもできる。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
第１のセラミック基板の一面上にインダクタ導体パター
ン層を形成するとともに、前記インダクタ導体パターン
層上に磁性ペースト層を形成してインダクタ層を有した
第１の基板を形成する第１工程と、第２のセラミック基
板の一面上に誘電体層を介在したコンデンサ導体パター
ン層を形成してコンデンサ層を有した第２の基板を形成
する第２工程と、前記第１の基板の一面側または前記第
２の基板の一面側の少なくとも一方にガラスペースト層
を形成するとともに、前記第１の基板および前記第２の
基板を前記ガラスペースト層を介して互いに張り合わせ
て張合体を形成する第３工程と、前記張合体を焼成して
焼成体を形成する第４工程と、前記焼成体に外部電極を
形成する第５工程を備え、前記第１工程前に第１の未焼
成セラミック基板および第２の未焼成セラミック基板を
焼成して第１のセラミック基板および第２のセラミック
基板を形成する工程を設けた製造方法である。上記製造
方法により、インダクタ層およびコンデンサ層はセラミ
ック基板上に形成するので、特性の向上を図ることがで
きる。さらに、第１のセラミック基板および第２のセラ
ミック基板は、未焼成のセラミック基板である第１の未
焼成セラミック基板および第２の未焼成セラミック基板
を焼成して形成しているので、張合体を焼成して焼成体
を形成する際に、第１のセラミック基板および第２のセ
ラミック基板が全体的に熱収縮することがない。これに
より、第１、第２のセラミック基板上に形成したインダ
クタ層およびコンデンサ層が第１、第２のセラミック基
板の収縮に合わせて収縮してしまうことがなく、寸法精
度を向上させることができるとともに、後工程等におい
て寸法を調整する必要もなく、製造工程を簡略化するこ
ともできる。

【０００９】本発明の請求項２記載の発明は、第１のセ
ラミック基板の一面上にインダクタ導体パターン層を形
成するとともに、前記インダクタ導体パターン層上に磁
性ペースト層を形成してインダクタ層を有した第１の基
板を形成する第１工程と、複数個の貫通穴を形成した第
２のセラミック基板の一面上に誘電体層を介在したコン
デンサ導体パターン層を形成すると共に前記貫通穴に銀
電極を形成し、コンデンサ層と銀電極を有した第２の基
板を形成する第２工程と、前記第１の基板の一面側また
は前記第２の基板の一面側の少なくとも一方にガラスペ
ースト層を形成するとともに、前記第１の基板および前
記第２の基板を前記ガラスペースト層を介して互いに張
り合わせて張合体を形成する第３工程と、前記張合体を
焼成して焼成体を形成する第４工程と、前記銀電極が側
面に表出するように焼成体を個片に分割して焼成個片体
を形成し、前記銀電極を外部電極として形成する第５工
程を備え、前記第１工程前に第１の未焼成セラミック基
板および第２の未焼成セラミック基板を焼成して第１の
セラミック基板および第２のセラミック基板を形成する
工程を設けた固体複合部品の製造方法である。上記製造
方法により、第２のセラミック基板に貫通孔を形成する
ので、張合体の焼成時にガラスペースト層の中間層から
発生するガスが貫通孔から抜けるので、細かいボイドも
発生せず、信頼性を非常に向上させることができる。

【００１０】本発明の請求項３記載の発明は、請求項１
または２記載の発明において、第１工程は、可撓性樹脂
基材からなる凹版の表面に設けたパターン溝に導電性ペ
ーストを充填し、乾燥する工程と、前記凹版と第１のセ
ラミック基板の一面とを加熱および加圧しながら張り合
わせる工程と、前記凹版を前記第１のセラミック基板か
ら剥離して前記導電性ペーストを前記第１のセラミック
基板上に転写する工程と、前記第１のセラミック基板を
焼成する工程とを含む製造方法である。上記製造方法に
より、パターン形状の良い、ファインな配線で、かつ膜
厚の厚いインダクタ導体パターン層を形成することがで
きる。

【００１１】本発明の請求項４記載の発明は、請求項１
または２記載の発明において、第２の工程は、第２のセ
ラミック基板とコンデンサ層との間にガラスペースト層
の中間層含む工程を設けた製造方法である。上記製造方
法により、第２のセラミック基板とコンデンサ層との間
にガラスペースト層の中間層を形成しているので、コン
デンサ層への第２の基板からの影響を抑制することがで
きる。

【００１２】本発明の請求項５記載の発明は、請求項４
記載の発明において、ガラスペースト層の材質を、ホウ
珪酸、ホウ珪酸鉛、ホウ珪酸カルシウム、ホウ珪酸アル
ミニウム、ホウ珪酸チタンのいずれか一つ、またはその
混合物からなるガラスフリットを使用する製造方法であ
る。上記製造方法により、コンデンサ層への第２のセラ
ミック基板からの影響を抑制することができる。

【００１３】本発明の請求項６記載の発明は、請求項１
または２記載の発明において、第３工程において、ガラ
スペースト層を形成した後に脱バインダ処理する工程を
設けた製造方法である。上記製造方法により、ガラスペ
ースト層を形成した後に脱バインダするので、ボイドが
発生せず、信頼性を向上させることができる。

【００１４】本発明の請求項７記載の発明は、請求項１
記載の発明において、第４工程後に焼成体を個片に分割
し、焼成個片体を形成する工程を設けた製造方法であ
る。上記製造方法により、大量生産を効率よくすること
ができる。

【００１５】本発明の請求項８記載の発明は、請求項１
または２記載の発明において、第４工程後に第１のセラ
ミック基板または第２のセラミック基板の少なくとも一
方を研削した工程を設けた製造方法である。上記製造方
法により、薄型化を図ることができる。

【００１６】本発明の請求項９記載の発明は、請求項１
または２記載の発明において、第１のセラミック基板お
よび第２のセラミック基板は熱膨張係数を互いに同等に
した製造方法である。上記製造方法により、第１のセラ
ミック基板および第２のセラミック基板の熱膨張係数を
互いに同等にしているので、張合体の焼成時における第
１、第２のセラミック基板の膨張率が等しくなり、歪み
等が生じず、寸法精度を向上させることができる。

【００１７】本発明の請求項１０記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、第１のセラミック基板
の材質をフェライトを有した材質とし、第２のセラミッ
ク基板の材質をフォルステライトを有した材質とした製
造方法である。上記製造方法により、良好な性能を得る
ことができる。

【００１８】本発明の請求項１１記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、コンデンサ導体パター
ン層の面積を誘電体層の面積よりも大きくした製造方法
である。上記製造方法により、コンデンサ層への第２の
セラミック基板、ガラスペースト層の中間層からの影響
を抑制することができる。

【００１９】本発明の請求項１２記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、コンデンサ導体パター
ン層の材質中に、ホウ珪酸、ホウ珪酸鉛、ホウ珪酸カル
シウム、ホウ珪酸アルミニウム、ホウ珪酸チタンのいず
れか一つ、またはその混合物からなるガラスフリットを
含有した製造方法である。上記製造方法により、コンデ
ンサ導体パターン層の誘電体への影響を抑制することが
できる。

【００２０】本発明の請求項１３記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、インダクタ導体パター
ン層を複数層形成する工程を有した製造方法である。上
記製造方法により、良好なインダクタ層を形成すること
ができる。

【００２１】本発明の請求項１４記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、インダクタ導体パター
ン層は、線状導体を渦巻状にした渦巻状導体部を有し、
前記渦巻状導体部の前記線状導体は、導体幅に対する導
体厚比を０．３を越えるようにした製造方法である。上
記製造方法により、渦巻状導体部の厚さが厚くなるの
で、インダクタ性能を良好にすることができる。

【００２２】本発明の請求項１５記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、インダクタ導体パター
ン層は、線状導体を渦巻状にした渦巻状導体部を少なく
とも２個有し、隣接する前記渦巻状導体部間の誘導結合
を抑止するように非磁性材料を形成する工程を設けた製
造方法である。上記製造方法により、インダクタ間の相
互誘導を防止することができる。

【００２３】本発明の請求項１６記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、インダクタ導体パター
ン層は、線状導体を渦巻状にした渦巻状導体部を少なく
とも２個有し、前記渦巻状導体部間の誘導結合を抑止す
るように、第１のセラミック基板に溝を形成した中に非
磁性材料を形成する工程を設けた製造方法である。上記
製造方法により、インダクタ間の相互誘導を防止するこ
とができる。

【００２４】本発明の請求項１７記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、インダクタ導体パター
ン層は、線状導体を渦巻状にした渦巻状導体部と、線状
導体をリング状にしたリング状導体部とを有し、前記渦
巻状導体部の外側に前記リング状導体部を形成する工程
を設けた製造方法である。上記製造方法により、渦巻状
導体部によるインダクタンスに逆磁界が発生して作用
し、周波数特性が延び、高周波領域でも良好な減衰量を
得ることができる。

【００２５】本発明の請求項１８記載の発明は、請求項
１または２記載の発明において、インダクタ導体パター
ン層は、線状導体を渦巻状にした渦巻状導体部と、線状
導体をリング状にしたリング状導体部とを有し、前記渦
巻状導体部の外側に前記リング状導体部を形成するとと
もに、前記リング状導体部を磁性ペースト層中に形成す
る工程を設けた製造方法である。上記製造方法により、
リング状導体部を磁性ペースト層中に形成するので、よ
り一層、渦巻状導体部によるインダクタンスに逆磁界が
発生して作用し、周波数特性が延び、高周波領域でも良
好な減衰量を得ることができる。

【００２６】本発明の請求項１９記載の発明は、請求項
１７記載の発明において、リング状導体部をアース接続
する工程を設けた製造方法である。上記製造方法によ
り、高周波領域でさらに良好な減衰量を得ることができ
る。

【００２７】本発明の請求項２０記載の発明は、請求項
１７記載の発明において、渦巻状導体部とリング状導体
部とを同時に同一平面上に形成する工程を設けた製造方
法である。上記製造方法により、製造工程を簡略化する
ことができる。

【００２８】以下に本発明の実施の形態について図１か
ら図４を用いて説明する。（実施の形態１）図１は、本発明の第１の実施の形態に
おける固体複合部品の製造方法を示しており、（ａ）は
第１のセラミック基板の断面図、（ｂ）は個片にした時
の渦巻き状導体パターンであるインダクタ電極の平面
図、（ｃ）は第２のセラミック基板の断面図、（ｄ）は
第１、第２のセラミック基板を張り合わせた時の断面
図、（ｅ）は分割したセラミック基板の断面図である。
第１のセラミック基板１上にインダクタ電極２を形成
し、その上にフェライト層３を形成し、第２のセラミッ
ク基板４上にコンデンサ下部電極５、誘電体層６、コン
デンサ上部電極７からなるコンデンサを形成し、第１、
第２のセラミック基板を接着ガラス層８を挟んで接着
し、個片に切断している。

【００２９】以下に製造方法を説明すると、焼成ずみの
セラミック基板１上に凹版転写にて銀のペーストを使用
してインダクタ電極２のパターンを形成し、パターン形
成を行った基板をピーク温度８５０℃、１０分保持で焼
成を行い、インダクタ電極２を形成した。この時、イン
ダクタ電極２の線幅に対する膜厚の比は０．４とした。
前記インダクタ電極２上にフェライトペーストでフェラ
イト層３のパターンをスクリーン印刷で形成を行い、パ
ターン形成を行った基板を９３０℃、２時間で焼成を行
い、フェライト層３を形成した。次に、第１のセラミッ
ク基板１とほぼ同じ熱膨張係数を持つ焼成ずみのセラミ
ック基板４上に、ホウ珪酸鉛からなるガラスフリットを
添加したＡｇペーストでコンデンサ下部電極５のパター
ンをスクリーン印刷で形成を行い、下部電極５上に誘電
体ペーストを使用して誘電体層６のパターンをスクリー
ン印刷で形成を行い、誘電体層６上に下部電極に用いた
Ａｇペーストによりコンデンサ上部電極７のパターンを
スクリーン印刷で形成する。この基板をピーク温度９０
０℃、１０分キープで焼成を行い、コンデンサを形成す
る。この時、下部電極５、上部電極７のパターンは誘電
体層６よりも小さくならないパターンにて形成し、膜厚
は１５μｍとした。次に前記第１のセラミック基板１上
のインダクタ電極２を形成した面にガラスペーストで接
着ガラス層８のパターンをスクリーン印刷で形成を行
い、５００℃、３０分で脱バインダ処理を行った。そし
て、接着ガラス層８を挟んで第１のセラミック基板１、
第２のセラミック基板４を張り合わせ、基板をピーク温
度６００℃、１０分保持で焼成を行い、第１のセラミッ
ク基板１、第２のセラミック基板４を接着する。なお、
第２のセラミック基板４はコンデンサ形成面をガラス層
側に向けている。焼成の終了した後、基板を個片に切断
し、側面に外部電極（図示せず）を形成することで固体
複合部品とした。

【００３０】これにより、セラミック基板を基台として
用いることにより特性がよく、基板は熱膨張係数を合わ
せているため寸法精度がよく、かつ製造工程が短いもの
となる。インダクタ電極の線幅に対する膜厚の比が０．
３を越えて膜厚を厚くしたことで、インダクタの性能を
良好なものと出来る。また第２のセラミック基板の誘電
体を挟み込むコンデンサ導体を、少なくとも焼成後の膜
厚を１０μｍ以上とし、誘電体のパターンサイズよりも
小さくならないサイズで形成し、ホウ珪酸鉛からなるガ
ラスフリットを添加していることで、基板、ガラス層、
電極自身の誘電体への影響を抑制出来ることとなる。ま
た、前記第１の基板と前記第２の基板を接着するための
ガラス層は、接着前に脱バインダ処理するため、ボイド
が発生しづらい。以上のことより、信頼性が高い、固体
複合部品の製造方法を提供できる。

【００３１】（実施の形態２）図２は、本発明の第２の
実施の形態における固体複合部品の製造方法を示し、
（ａ）はフェライト基板の断面図、（ｂ）は個片にした
時の渦巻き状導体パターンであるインダクタ電極の平面
図、（ｃ）は個片にした時のフェライト層上のリング状
電極平面図、（ｄ）はフォルステライト基板の断面図、
（ｅ）はフェライト基板、フォルステライト基板を張り
合わせた時の断面図、（ｆ）は分割した基板の断面図で
ある。フェライト基板１１上にインダクタ電極１２を形
成し、その上にフェライト層１３を形成し、その上にリ
ング状電極１４を形成する。フォルステライト基板１５
上にガラス層１６、コンデンサ下部電極１７、誘電体層
１８、コンデンサ上部電極１９からなるコンデンサを形
成し、フェライト基板１１、フォルステライト基板１５
を接着ガラス層２０を挟んで接着し、個片に切断してい
る。

【００３２】以下に製造方法を説明すると、焼成ずみの
フェライト基板１１上に凹版転写にて銀・パラジウムの
ペーストを使用してインダクタ電極１２のパターンを形
成し、パターン形成を行った基板をピーク温度８５０
℃、１０分保持で焼成を行い、インダクタ電極１２を形
成した。この時、インダクタ電極１２の線幅に対する膜
厚の比は０．８とした。前記インダクタ電極１２を形成
した上にフェライトペーストを用いてフェライト層１３
のパターンをスクリーン印刷で形成を行い、９５０℃、
３時間で焼成を行い、フェライト層１３を形成する。前
記フェライト層１３上に銀・パラジウムのペーストを使
用してスクリーン印刷でリング状電極１４のパターンを
形成し、パターン形成を行った基板をピーク温度８５０
℃、１０分保持で焼成を行い、リング状電極１４を形成
した。次に、前記フェライト基板１１とほぼ同じ熱膨張
係数を持つ焼成ずみのフォルステライト基板１５上に、
ホウ珪酸チタンからなるガラスペーストを用いてガラス
層１６のパターンをスクリーン印刷で形成を行い、ピー
ク温度９００℃、１０分キープで焼成を行い、ガラス層
１６を形成する。そして、ガラス層１６上にホウ珪酸ア
ルミニウムからなるガラスフリットを添加した銀・パラ
ジウムペーストでコンデンサ下部電極１７のパターンを
スクリーン印刷で形成を行い、下部電極１７上に誘電体
ペーストを使用して誘電体層１８のパターンをスクリー
ン印刷で形成を行い、誘電体層１８上に下部電極に用い
た銀・パラジウムペーストによりコンデンサ上部電極１
９のパターンをスクリーン印刷で形成する。この基板を
ピーク温度８５０℃、１０分キープで焼成を行い、コン
デンサを形成する。この時、下部電極１７、上部電極１
９のパターンは誘電体層１８よりも小さくならないパタ
ーンにて形成し、膜厚は２０μｍとした。次にフェライ
ト基板１１上のインダクタ電極１２を形成した面と、フ
ォルステライト基板１５のコンデンサを形成した面にガ
ラスペーストで接着ガラス層２０のパターンをスクリー
ン印刷で形成を行い、５００℃、３０分で脱バインダ処
理を行った。そして、接着ガラス層２０を挟んでフェラ
イト基板１１、フォルステライト基板１５を張り合わ
せ、基板をピーク温度７００℃、１０分保持で焼成を行
い、フェライト基板１１、フォルステライト基板１５を
接着する。焼成の終了した後、基板を個片に切断し、側
面に外部電極（図示せず）を形成することで固体複合部
品となる。

【００３３】これにより、基板は熱膨張係数を合わせて
いるため寸法精度がよいものとなる。インダクタ電極の
線幅に対する膜厚の比が０．３を越えて膜厚を厚くし、
パターン間に非磁性材料を形成し、インダクタ電極上に
リング状電極を形成したことで、１つの部品中にインダ
クタ電極を複数個形成してもインダクタの性能を良好な
ものとすることが出来る。またコンデンサの下にホウ珪
酸チタンからなるガラス層を形成し、誘電体を挟み込む
コンデンサ導体を、膜厚を１０μｍ以上とし、誘電体の
パターンサイズよりも小さくならないサイズで形成し、
ホウ珪酸アルミニウムからなるガラスフリットを添加し
ていることで、基板、ガラス層、電極自身の誘電体への
影響を抑制出来ることとなる。また、前記フェライト基
板と前記フォルステライト基板を接着するためのガラス
層は、接着前に脱バインダ処理するため、ボイドが発生
しづらい。以上のことより、信頼性が高い、固体複合部
品の製造方法を提供できる。

【００３４】（実施の形態３）図３は、本発明の第３の
実施の形態における固体複合部品の製造方法を示し、
（ａ）はフェライト基板の断面図、（ｂ）は個片にした
時の渦巻き状導体パターンであるインダクタ電極の平面
図、（ｃ）は貫通穴を形成したフォルステライト基板の
平面図、（ｄ）はフォルステライト基板の断面図、
（ｅ）はフェライト基板、フォルステライト基板を張り
合わせた時の断面図、（ｆ）は分割した基板の断面図で
ある。フェライト基板２１上に非磁性ガラス層２２とイ
ンダクタ電極２３を形成し、これらの上にフェライト層
２４を形成する。フォルステライト基板２５に貫通穴２
６を形成した後、前記フォルステライト基板上にコンデ
ンサ下部電極２７、誘電体層２８、コンデンサ上部電極
２９からなるコンデンサを形成し、フェライト基板２
１、フォルステライト基板２５を接着ガラス層３０を挟
んで接着し、個片に切断している。

【００３５】以下に製造方法を説明すると、焼成ずみの
フェライト基板２１上に溝を形成し、この溝にガラスペ
ーストを用いて非磁性ガラス層２２のパターンをスクリ
ーン印刷で形成を行い、ピーク温度９００℃、１０分で
焼成を行い、ガラス層２２を形成する。そして、凹版転
写によって銀・パラジウムのペーストを使用してインダ
クタ電極２３のパターンを形成し、パターン形成を行っ
た基板をピーク温度８５０℃、１０分保持で焼成を行
い、インダクタ電極２３を形成した。この時、インダク
タ電極の線幅に対する膜厚の比は１．５とした。前記イ
ンダクタ電極２３を形成した上にフェライトペーストを
用いてフェライト層２４のパターンをスクリーン印刷で
形成を行い、９５０℃、３時間で焼成を行い、フェライ
ト層２４を形成する。次に、前記フェライト基板２１と
ほぼ同じ熱膨張係数を持つ、貫通穴２６を形成した焼成
ずみのフォルステライト基板２５上に、ホウ珪酸カルシ
ウムからなるガラスフリットを添加した銀・白金ペース
トでコンデンサ下部電極２７のパターンをスクリーン印
刷で形成を行い、下部電極２７上に誘電体ペーストを使
用して誘電体層２８のパターンをスクリーン印刷で形成
を行い、誘電体層２８上に下部電極に用いた銀・白金ペ
ーストによりコンデンサ上部電極２９のパターンをスク
リーン印刷で形成する。この基板をピーク温度９００
℃、１０分キープで焼成を行い、コンデンサを形成す
る。この時、下部電極２７、上部電極２９のパターンは
誘電体層２８よりも小さくならないパターンにて形成
し、膜厚は１３μｍとした。次にフェライト基板２１上
のインダクタ電極２３を形成した面と、フォルステライ
ト基板２５のコンデンサを形成した面にガラスペースト
で接着ガラス層３０のパターンをスクリーン印刷で形成
を行い、５００℃、３０分で脱バインダ処理を行った。
そして、接着ガラス層３０を挟んでフェライト基板２
１、フォルステライト基板２５を張り合わせ、基板をピ
ーク温度６８０℃、１０分保持で焼成を行い、フェライ
ト基板２１、フォルステライト基板２５を接着する。焼
成の終了した後、基板を個片に切断し、側面に外部電極
（図示せず）を形成することで固体複合部品となる。

【００３６】これにより、基板は熱膨張係数を合わせて
いるため寸法精度がよいものとなる。インダクタ電極の
線幅に対する膜厚の比が０．３を越えて膜厚を厚くし、
パターン間の溝に非磁性材料であるガラス層を形成した
ことで、１つの部品中にインダクタ電極を複数個形成し
てもインダクタの性能を良好なものとすることが出来
る。また誘電体を挟み込むコンデンサ導体を、膜厚を１
０μｍ以上とし、誘電体のパターンサイズよりも小さく
ならないサイズで形成し、ホウ珪酸カルシウムからなる
ガラスフリットを添加していることで、基板、ガラス
層、電極自身の誘電体への影響を抑制出来ることとな
る。また、前記フェライト基板と前記フォルステライト
基板を接着するためのガラス層は、フォルステライト基
板にあらかじめ貫通穴を形成したことで、接着層の焼成
時、発生するガスが貫通穴へぬけるため、細かいボイド
も発生せず、より高い信頼性を得られるものとなる。以
上のことより、信頼性が高い、固体複合部品の製造方法
を提供できる。

【００３７】（実施の形態４）図４は本発明の第４の実
施の形態における固体複合部品の製造方法を示し、
（ａ）はフェライト基板の断面図、（ｂ）は個片にした
時の渦巻き状導体パターンであるインダクタ電極の平面
図、（ｃ）はフォルステライト基板の断面図、（ｄ）は
フェライト基板、フォルステライト基板を張り合わせた
時の断面図、（ｅ）は分割した基板の断面図である。フ
ェライト基板３１上にインダクタ電極３２とリング状電
極３３、非磁性ガラス層３４を形成し、これらの上にフ
ェライト層３５を形成する。フォルステライト基板３６
上にガラス層３７を形成し、前記ガラス層３７上にコン
デンサ下部電極３８、誘電体層３９、コンデンサ上部電
極４０からなるコンデンサを形成し、フェライト基板３
１、フォルステライト基板３６を接着ガラス層４１を挟
んで接着し、個片に切断している。

【００３８】以下に製造方法を説明すると、焼成ずみの
フェライト基板３１上に凹版転写によって銀のペースト
を使用してインダクタ電極３２とリング状電極３３のパ
ターンを形成し、パターン形成を行った基板をピーク温
度９００℃、１０分保持で焼成を行い、インダクタ電極
３２とリング状電極３３を形成した。この時、インダク
タ電極の線幅に対する膜厚の比は１．５とした。また、
前記リング状電極はビアにより接続されている（図示せ
ず）。前記電極を形成した基板上にガラスペーストを用
いて非磁性ガラス層３４のパターンをスクリーン印刷で
形成を行い、ピーク温度９００℃、１０分で焼成を行
い、ガラス層３４を形成する。前記インダクタ電極３２
を形成した上にフェライトペーストを用いてフェライト
層３５のパターンをスクリーン印刷で形成を行い、９７
０℃、３時間で焼成を行いフェライト層３５を形成す
る。次に、前記フェライト基板３１とほぼ同じ熱膨張係
数を持つ焼成ずみのフォルステライト基板３６上に、ホ
ウ珪酸ガラスのペーストを用いてガラス層３７のパター
ンをスクリーン印刷で形成を行い、ピーク温度９００
℃、１０分キープで焼成を行い、ガラス層３７を形成す
る。そして、ガラス層３７上にホウ珪酸チタンからなる
ガラスフリットを添加した銀・白金ペーストでコンデン
サ下部電極３８のパターンをスクリーン印刷で形成を行
い、下部電極３８上に誘電体ペーストを使用して誘電体
層３９のパターンをスクリーン印刷で形成を行い、誘電
体層３９上に下部電極に用いた銀・白金ペーストにより
コンデンサ上部電極４０のパターンをスクリーン印刷で
形成する。この基板をピーク温度９００℃、１０分キー
プで焼成を行い、コンデンサを形成する。この時、下部
電極３８、上部電極４０のパターンは誘電体層３９より
も小さくならないパターンにて形成し、膜厚は１３μｍ
とした。次にフェライト基板３１上のインダクタ電極３
２を形成した面と、フォルステライト基板３６のコンデ
ンサを形成した面にガラスペーストで接着ガラス層４１
のパターンをスクリーン印刷で形成を行い、５００℃、
３０分で脱バインダを行った。そして接着ガラス層４１
を挟んでフェライト基板３１、フォルステライト基板３
６を張り合わせ、基板をピーク温度７３０℃、１０分保
持で焼成を行い、フェライト基板３１、フォルステライ
ト基板３６を接着する。焼成の終了した後、基板を個片
に切断し、側面に外部電極（図示せず）を形成すること
で固体複合部品となる。

【００３９】これにより、基板は熱膨張係数を合わせて
いるため寸法精度がよいものとなる。インダクタ電極の
線幅に対する膜厚の比が０．３を越えて膜厚を厚くし、
パターン間に非磁性材料であるガラス層を形成し、イン
ダクタ電極周辺にリング状電極を形成したことで、１つ
の部品中にインダクタ電極を複数個形成してもインダク
タの性能を良好なものとすることが出来る。またコンデ
ンサの下にホウ珪酸ガラスの層を形成し、誘電体を挟み
込むコンデンサ導体を、膜厚を１０μｍ以上とし、誘電
体のパターンサイズよりも小さくならないサイズで形成
し、ホウ珪酸チタンからなるガラスフリットを添加して
いることで、基板、ガラス層、電極自身の誘電体への影
響を抑制出来ることとなる。以上のことより、信頼性が
高い、固体複合部品の製造方法を提供できる。

【００４０】なお、以上の説明では４つの実施の形態の
例で説明したが、その他熱膨張係数をほぼ同じくする電
極配線を必要とするような配線基板においても同様に実
施可能である。さらに、本請求項には、渦巻き状導体パ
ターンは単層のもので行っているが、複数層に形成して
も同様の固体複合部品が得られるものである。また渦巻
き状導体パターンは、インダクタ電極として使用できる
構成の配線電極パターンであるならば、同様に実施可能
である。

【００４１】また第１、第２のセラミック基板を接着層
により接合した後に少なくとも一方を研削し基板厚みを
薄くしても同様の固体複合部品が得られるものである。
コンデンサ導体に使用するガラスフリットに４種類のも
ので説明しているが、ホウ珪酸、ホウ珪酸鉛、ホウ珪酸
カルシウム、ホウ珪酸アルミニウム、ホウ珪酸チタンの
いずれか、もしくはそれらの混合物、もしくはそれらの
化合物からなるガラスフリットであるならば同様の効果
が得られるものである。またコンデンサの下に形成する
ガラス層は２種類のもので説明しているが、ホウ珪酸、
ホウ珪酸鉛、ホウ珪酸カルシウム、ホウ珪酸アルミニウ
ム、ホウ珪酸チタンのいずれか、もしくはそれらの混合
物、もしくはそれらの化合物からなるガラスフリットで
あるならば同様の効果が得られるものである。またリン
グ状導体は２パターンのもので説明しているが、第１の
セラミック基板と第２のセラミック基板の接着後にリン
グ状導体を形成するか、リング状の導体がグランド層に
接続されているものでも同様の効果があるものである。

【００４２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、インダク
タ層およびコンデンサ層はセラミック基板上に形成する
ので、特性向上を図ることが出来る。さらに、第１のセ
ラミック基板および第２のセラミック基板は、未焼成の
セラミック基板である第１の未焼成セラミック基板およ
び第２の未焼成セラミック基板を焼成したものであり、
インダクタ、コンデンサの形成時に全体的に熱収縮する
ことがない。これにより、第１、第２のセラミック基板
上に形成したインダクタ層およびコンデンサ層が第１、
第２のセラミック基板の収縮にあわせて、収縮してしま
うことが無く、寸法精度を向上させることができるとと
もに、後工程において、寸法を調整する必要もなく、製
造工程を簡略化することもできる。この結果、特性向上
および寸法精度の向上を図った固体複合部品の製造方法
を提供することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の第１の実施の形態の固体複合部
品の製造方法における第１のセラミック基板の構造を示
す断面図（ｂ）同第１のセラミック基板上の個片にした時のイン
ダクタ電極パターンの平面図（ｃ）同第２のセラミック基板の構造を示す断面図（ｄ）同第１のセラミック基板と第２のセラミック基板
を接着層を介して一体化したときの断面図（ｅ）同固体複合部品を切断した時の断面図

【図２】（ａ）本発明の第２の実施の形態の固体複合部
品の製造方法におけるフェライト基板の構造を示す断面
図（ｂ）同フェライト基板上の個片にした時のインダクタ
電極パターンの平面図（ｃ）同フェライト基板のフェライト層状のリング状電
極パターンの平面図（ｄ）同フォルステライト基板の構造を示す断面図（ｅ）同フェライト基板とフォルステライト基板を接着
層を介して一体化したときの断面図（ｆ）同固体複合部品を切断した時の断面図

【図３】（ａ）本発明の第３の実施の形態の固体複合部
品の製造方法におけるフェライト基板の構造を示す断面
図（ｂ）同フェライト基板上の個片にした時のインダクタ
電極パターンの平面図（ｃ）同貫通穴を形成したフォルステライト基板の平面
図（ｄ）同フォルステライト基板の構造を示す断面図（ｅ）同フェライト基板とフォルステライト基板を接着
層を介して一体化したときの断面図（ｆ）同固体複合部品を切断した時の断面図

【図４】（ａ）本発明の第４の実施の形態の固体複合部
品の製造方法におけるフェライト基板の構造を示す断面
図（ｂ）同フェライト基板上の個片にした時のインダクタ
電極パターンの平面図（ｃ）同フォルステライト基板の構造を示す断面図（ｄ）同フェライト基板とフォルステライト基板を接着
層を介して一体化したときの断面図（ｅ）同固体複合部品を切断した時の断面図

【符号の説明】

１第１のセラミック基板２インダクタ電極３フェライト層４第２のセラミック基板５コンデンサ下部電極６誘電体層７コンデンサ上部電極８接着ガラス層１１フェライト基板１２インダクタ電極１３フェライト層１４リング状電極１５フォルステライト基板１６ガラス層１７コンデンサ下部電極１８誘電体層１９コンデンサ上部電極２０接着ガラス層２１フェライト基板２２非磁性ガラス層２３インダクタ電極２４フェライト層２５フォルステライト基板２６貫通穴２７コンデンサ下部電極２８誘電体層２９コンデンサ上部電極３０接着ガラス層３１フェライト基板３２インダクタ電極３３リング状電極３４非磁性ガラス層３５フェライト層３６フォルステライト基板３７ガラス層３８コンデンサ下部電極３９誘電体層４０コンデンサ上部電極４１接着ガラス層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者三浦和裕大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者山田輝光大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１のセラミック基板の一面上にインダ
クタ導体パターン層を形成するとともに、前記インダク
タ導体パターン層上に磁性ペースト層を形成してインダ
クタ層を有した第１の基板を形成する第１工程と、第２
のセラミック基板の一面上に誘電体層を介在したコンデ
ンサ導体パターン層を形成してコンデンサ層を有した第
２の基板を形成する第２工程と、前記第１の基板の一面
側または前記第２の基板の一面側の少なくとも一方にガ
ラスペースト層を形成するとともに、前記第１の基板お
よび前記第２の基板を前記ガラスペースト層を介して互
いに張り合わせて張合体を形成する第３工程と、前記張
合体を焼成して焼成体を形成する第４工程と、前記焼成
体に外部電極を形成する第５工程を備え、前記第１工程
前に第１の未焼成セラミック基板および第２の未焼成セ
ラミック基板を焼成して第１のセラミック基板および第
２のセラミック基板を形成する工程を設けた固体複合部
品の製造方法。
【請求項２】第１のセラミック基板の一面上にインダ
クタ導体パターン層を形成するとともに、前記インダク
タ導体パターン層上に磁性ペースト層を形成してインダ
クタ層を有した第１の基板を形成する第１工程と、複数
個の貫通穴を形成した第２のセラミック基板の一面上に
誘電体層を介在したコンデンサ導体パターン層を形成す
ると共に前記貫通穴に銀電極を形成し、コンデンサ層と
銀電極を有した第２の基板を形成する第２工程と、前記
第１の基板の一面側または前記第２の基板の一面側の少
なくとも一方にガラスペースト層を形成するとともに、
前記第１の基板および前記第２の基板を前記ガラスペー
スト層を介して互いに張り合わせて張合体を形成する第
３工程と、前記張合体を焼成して焼成体を形成する第４
工程と、前記銀電極が側面に表出するように焼成体を個
片に分割して焼成個片体を形成し、前記銀電極を外部電
極として形成する第５工程を備え、前記第１工程前に第
１の未焼成セラミック基板および第２の未焼成セラミッ
ク基板を焼成して第１のセラミック基板および第２のセ
ラミック基板を形成する工程を設けた固体複合部品の製
造方法。
【請求項３】第１工程は、可撓性樹脂基材からなる凹
版の表面に設けたパターン溝に導電性ペーストを充填
し、乾燥する工程と、前記凹版と第１のセラミック基板
の一面とを加熱および加圧しながら張り合わせる工程
と、前記凹版を前記第１のセラミック基板から剥離して
前記導電性ペーストを前記第１のセラミック基板上に転
写する工程と、前記第１のセラミック基板を焼成する工
程とを含む請求項１または２記載の固体複合部品の製造
方法。
【請求項４】第２の工程は、第２のセラミック基板と
コンデンサ層との間にガラスペーストの中間層を形成す
る工程を含む請求項１または２記載の固体複合部品の製
造方法。
【請求項５】中間層は、ホウ珪酸、ホウ珪酸鉛、ホウ
珪酸カルシウム、ホウ珪酸アルミニウム、ホウ珪酸チタ
ンのいずれか一つまたはその混合物からなるガラスフリ
ットを使用した請求項４記載の固体複合部品の製造方
法。
【請求項６】第３工程において、ガラスペースト層を
形成した後に脱バインダ処理する工程を設けた請求項１
または２記載の固体複合部品の製造方法。
【請求項７】第４工程後に焼成体を個片に分割し、焼
成個片体を形成する工程を設けた請求項１記載の固体複
合部品の製造方法。
【請求項８】第４工程後に第１のセラミック基板また
は第２のセラミック基板の少なくとも一方を研削する工
程を設けた請求項１または２記載の固体複合部品の製造
方法。
【請求項９】第１のセラミック基板および第２のセラ
ミック基板は、熱膨張係数を互いに同等にした請求項１
または２記載の固体複合部品の製造方法。
【請求項１０】第１のセラミック基板の材質をフェラ
イトを有した材質とし、第２のセラミック基板の材質を
フォルステライトを有した材質とした請求項１または２
記載の固体複合部品の製造方法。
【請求項１１】コンデンサ導体パターン層の面積を誘
電体層の面積よりも大きくした請求項１または２記載の
固体複合部品の製造方法。
【請求項１２】コンデンサ導体パターン層の材質中
に、ホウ珪酸、ホウ珪酸鉛、ホウ珪酸カルシウム、ホウ
珪酸アルミニウム、ホウ珪酸チタンのいずれか一つまた
はその混合物からなるガラスフリットを含有した請求項
１または２記載の固体複合部品の製造方法。
【請求項１３】インダクタ導体パターン層を複数層形
成する工程を設けた請求項１または２記載の固体複合部
品の製造方法。
【請求項１４】インダクタ導体パターン層は線状導体
を渦巻状にした渦巻状導体部を有し、前記渦巻状導体部
の前記線状導体は導体幅に対する導体厚比を０．３を越
えるようにした請求項１または２記載の固体複合部品の
製造方法。
【請求項１５】インダクタ導体パターン層は線状導体
を渦巻状にした渦巻状導体部を少なくとも２個有し、隣
接する前記渦巻状導体部間の誘導結合を抑止するように
非磁性材料を形成する工程を設けた請求項１または２記
載の固体複合部品の製造方法。
【請求項１６】インダクタ導体パターン層は線状導体
を渦巻状にした渦巻状導体部を少なくとも２個有し、前
記渦巻状導体部間の誘導結合を抑止するように第１のセ
ラミック基板に溝を形成した中に非磁性材料を形成する
工程を設けた請求項１または２記載の固体複合部品の製
造方法。
【請求項１７】インダクタ導体パターン層は線状導体
を渦巻状にした渦巻状導体部と、線状導体をリング状に
したリング状導体部とを有し、前記渦巻状導体部の外側
に前記リング状導体部を形成する工程を設けた請求項１
または２記載の固体複合部品の製造方法。
【請求項１８】インダクタ導体パターン層は線状導体
を渦巻状にした渦巻状導体部と、線状導体をリング状に
したリング状導体部とを有し、前記渦巻状導体部の外側
に前記リング状導体部を形成するとともに、前記リング
状導体部を磁性ペースト層中に形成する工程を設けた請
求項１または２記載の固体複合部品の製造方法。
【請求項１９】リング状導体部をアース接続する工程
を設けた請求項１７記載の固体複合部品の製造方法。
【請求項２０】渦巻状導体部とリング状導体部とを同
時に同一平面上に形成する工程を設けた請求項１７記載
の固体複合部品の製造方法。