JP2005150710A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
   前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
   前記導電膜上に、絶縁膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
2. 導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
   前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
   前記導電膜上に、有機化合物を含む層を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
3. 導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
   前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
   前記導電膜の表面を研磨することを特徴とする半導体素子の作製方法。
4. 導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
   前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
   前記導電膜の表面を研磨し、
   前記導電膜上に、絶縁膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
5. 導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
   前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
   前記導電膜の表面を研磨し、
   前記導電膜上に、有機化合物を含む層を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
6. 請求項３乃至５のいずれか一項において、
   前記研磨は、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）法によって行われることを特徴とする半導体素子の作製方法。
7. 導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
   前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
   前記導電膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜及び前記導電膜の一部をエッチング除去することにより、前記導電膜の表面を平坦化させることを特徴とする半導体素子の作製方法。
8. 導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
   前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
   前記導電膜上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜及び前記導電膜の一部をエッチング除去することにより、前記導電膜の表面を平坦化させ、
   前記導電膜上に、第２の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
9. 導電材料を含む組成物を吐出することにより導電膜を形成し、
   前記導電膜に対して少なくとも窒素及び酸素を含み、かつ、前記酸素の組成比は１０％〜２５％である雰囲気下において加熱処理を行い、
   前記導電膜上に絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜及び前記導電膜の一部をエッチング除去することにより、前記導電膜の表面を平坦化させ、
   前記導電膜上に、有機化合物を含む層を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
10. 請求項１、４、８のいずれか一項において、
    前記絶縁膜又は前記第２の絶縁膜は、窒化珪素を含むことを特徴とする半導体素子の作製方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項において、
    前記導電材料は、Ａｇであることを特徴とする半導体素子の作製方法。
12. 請求項１、３、４、７、８のいずれか一項において、
    基板上にＴｉを含む薄膜を形成し、
    前記Ｔｉを含む薄膜上に前記導電材料を含む組成物を吐出することにより前記導電膜を形成することを特徴とする半導体素子の作製方法。
13. 請求項１２において、
    前記加熱処理を行うことにより、前記チタンを含む薄膜をＴｉＯ _２ とすることを特徴とする半導体素子の作製方法。