JP2005150487A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型のコレクタ層2、p型のベース層4、n型のエミッタ層5が順次積層された化合物半導体によるHBT用エピタキシャルウェハにおいて、上記ベース層4がアクセプタとドナーによる複数のドーパントによりp型化されたInGaAs層から成る構成とし、アクセプタとしてCを含有させ、同時にドナーとしてSi、Ge、Sn、Pb、S、Se、Te、Poから選ばれた1種を含有させる。
【選択図】 図1
Description
本発明者は、上記の目的を達成するために鋭意工夫を重ねた結果、複数の不純物を同時にInGaAsベース層にドーピングすることによって高いアクセプタ濃度を示すことを見出した。
2 コレクタ層
3 コレクタ遷移層
4 ベース層
5 エミッタ層
Claims (5)
- n型のコレクタ層、p型のベース層、n型のエミッタ層が順次積層された構造を具備する化合物半導体によるへテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、
上記ベース層がアクセプタとドナーによる複数のドーパントによりp型化されたInGaAsから成ることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ。 - 請求項1記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、
上記InGaAsベース層が、上記アクセプタとしてC(炭素)を含有すると共に、上記ドナーとして、IV族元素のSi(シリコン)、Ge(ゲルマニウム)、Sn(錫)、Pb(鉛)からなる群から選ばれる1種、又はVI元素のS(硫黄)、Se(セレン)、Te(テルル)、Po(ポロニウム)からなる群から選ばれる1種を含有しており、且つInGaAsベース層のキャリア濃度が2×1019cm-3以上であることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ。 - 請求項1又は2記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、
上記InGaAsベース層は、キャリア濃度がエミッタ側からコレクタ側にかけて漸次減少していることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ。 - 請求項1又は2記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、
上記InGaAsベース層は、In組成がエミッタ側からコレクタ側にかけて漸次増加していることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ。 - 請求項1〜4のいずれかに記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、
上記コレクタ層がGaAsからなり、且つ上記InGaAsベース層とGaAsコレクタ層との間に、InGaAsベース層側からGaAsコレクタ層側まで段階的にIn組成が変化するコレクタ遷移層を介設したことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ。
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