JP2005150471A - 積層体の製造方法及び有機電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の積層体の製造方法は、有機薄膜2と金属膜4とを積層して積層体1を形成した後に、得られた積層体1に対して、有機薄膜2と金属膜4の積層方向に圧力を加えるものである。
【選択図】 図1
Description
J. Vac. Soc. Jpn., Vol. 45, No.11, 791(2002) J. Appl. Phys., Vol.42, 672(2003)
(有機FETの製造)
まず、ゲート絶縁膜として約200nmの熱酸化膜を形成させたゲート電極を兼ねる高ドープのn型シリコン基板(バルク抵抗率:1Ωcm)を準備した。次に、この基板におけるゲート絶縁膜上に、ペンタセンを真空蒸着して、約50nmの厚さの有機半導体層を形成させた。この有機半導体層上に、シャドウマスクを介して厚さ約100nmの金の膜を真空蒸着して、所定のパターンを有するソース電極及びドレイン電極を形成させて有機FETを得た。なお、チャネル長は50μmとし、チャネル幅は5mmとした。
得られた有機FETサンプルを用い、FET構造における電界効果移動度及びゲート電圧のしきい値(Vth)を算出した。具体的には、有機FETサンプルについて、ゲート電圧に対するドレイン電流の変化を測定した。このゲート電圧に対するドレイン電流の変化の測定は、半導体パラメータ・アナライザ(4155C、Agilent Technologies社製)を用いて行い、種々の値のドレイン/ソース電極間の電圧(ドレイン電圧)に対して、ゲート/ソース電極間の電圧(ゲート電圧)を連続的に変化させた場合に、ソース電極及びドレイン電極間に流れる電流(ドレイン電流)の値をモニターすることにより行った。
以下に示す方法にしたがって、有機FETサンプルにおける有機半導体層に接している側のソース電極表面の形状を原子間力顕微鏡(AFM;セイコーインスツルメンツ社製、SPI3800)により観察した。
プレスを、0.5kg/cm2(実施例2)、又は、1kg/cm2(実施例3)の圧力で実施したこと以外は実施例1と同様にして有機FETサンプルを製造し、これを用いて移動度及びVthを測定した。また、この有機FETサンプルから、実施例1と同様にしてAFM観察用サンプルを作成し、これらのサンプルの金属箔表面をAFMにより観察した。得られた移動度及びVthの結果、並びに、AFM観察に基づく評価結果をまとめて表1に示す。
有機FETのプレスを実施しなかったこと、すなわち圧力を加えなかったこと以外は実施例1と同様にして有機FETサンプルを製造し、これを用いて移動度及びVthを測定した。また、この有機FETサンプルから実施例1と同様にしてAFM観察用サンプルを作成し、このサンプルの金属箔表面をAFMにより観察した。得られた移動度及びVthの結果を表1に示すとともに、AFM観察により得られたAFM像を図9〜図11に、これらに基づく評価結果を表1に示す。
参考例として、比較例1の有機FETサンプルにおけるソース電極の表面を直接AFMにより観察して得られたAFM像を図12〜図14に示す。図12は、比較例1で得られた有機FETサンプルにおける電極表面のAFMによる測定結果を斜め方向から示すAFM像である。また、図13は、図12に示したサンプルの測定結果を上方から示すAFM像である。さらに、図14は、図13においてC3で示される切断部の断面形状を示すAFM像である。
Claims (12)
- 金属膜と有機薄膜とを積層して積層体を形成した後に、この積層体に対して積層方向に圧力を加える積層体の製造方法。
- 前記有機薄膜は、有機半導体からなる薄膜である請求項1記載の積層体の製造方法。
- 前記金属膜を、物理的気相堆積法により前記有機薄膜上に形成して前記積層体を形成する請求項1又は2記載の積層体の製造方法。
- 前記金属膜を、蒸着法により前記有機薄膜上に形成して前記積層体を形成する請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
- 前記金属膜を、金属粒子を含むペーストを塗布する方法により前記有機薄膜上に形成して前記積層体を形成する請求項1又は2記載の積層体の製造方法。
- 前記金属膜は、白金、金、アルミニウム、銅及び銀のうち少なくとも一種の金属からなる請求項1〜5のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
- 前記圧力の値を、0.02〜1kgf/cm2とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
- 前記積層体に対して、プレスにより前記圧力を加える請求項1〜7のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
- 一対のロール間を、前記積層体を通過させることにより、前記積層体に対して前記圧力を加える請求項1〜8のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
- 前記積層体を、搬送シート上に配して前記ロール間を通過させる請求項9記載の積層体の製造方法。
- 少なくとも一方が金属材料から構成されているソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接するとともに、当該両電極間のチャネルとなる有機半導体層と、前記チャネルを通る電流量を制御するためのゲート電極と、を有する積層体を得る工程と、
前記積層体に対して、前記金属材料から構成されている電極と前記有機半導体層との積層方向に圧力を加える工程と、
を有する有機電界効果トランジスタの製造方法。 - ソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルとなる有機半導体層と、金属材料から構成され、且つ、前記チャネルを通る電流量を制御するためのゲート電極と、有機材料から構成され、且つ、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に、前記ゲート電極に接するように配置される絶縁層と、を有する積層体を得る工程と、
前記積層体に対して、前記ゲート電極と前記絶縁層との積層方向に圧力を加える工程と、
を有する有機電界効果トランジスタの製造方法。
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