JP2005142540A - シリコン・コバルト膜形成用組成物、シリコン・コバルト膜およびその形成方法 - Google Patents
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-
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Abstract
【解決手段】 シリコン化合物およびコバルト化合物を含有するシリコン・コバルト膜形成用組成物。この組成物を基体に塗布し、熱や光により処理するとシリコン・コバルト膜が形成される。
【選択図】 なし
Description
シリコン・コバルト膜形成用組成物
本発明のシリコン・コバルト膜形成用組成物は、シリコン化合物およびコバルト化合物を含有する。
SiiX2i+2 (1a)
(ここで、Xは水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基でありそして、iは2以上(i≧2)の整数である)
で表される化合物、
SijX2j (1b)
(ここで、Xは水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基でありそして、jは3以上(j≧3)の整数である)
で表される化合物、
SimX2m-2 (1c)
(ここで、Xは水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基でありそしてmは4以上(m≧4)の整数である)
で表わされる化合物および
SikXk (1d)
(ここで、Xは水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基でありそして、kは6、8または10である)
のそれぞれで表される化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、上記シリコン・コバルト膜形成用組成物であることができる。
かご状シラン化合物として、例えばヘキサシラプリズマン、オクタシラキュバン等を挙げることができる。
L1 cCo(CO)dYe ・・・(2)
ここで、L1は下記式(2)−1
(CH3)nCp ・・・(2)−1
ここで、Cpはη5−シクロペンタジエニル基でありそしてnは0〜5の整数である、
で表される基、インデニル基、または1,3−シクロオクタジエン、1,4−シクロオクタジエン、1,5−シクロオクタジエン、1,3−ブタジエン、ノルボルナジエンおよびアリルのうちから選択される配位子であり、Yはハロゲン原子、水素原子、メチル基またはエチル基であり、cは1または2であり、dは0、1、2または4であり、eは0または2であり、c+d+eは2、3、4または5である、但しcが2のときは、2のL1は同一であっても互いに異なっていてもよい、
で表される化合物、下記式(3)
L2 fCo2(CO)gRh ・・・(3)
ここで、L2の定義は上記式(2)−1と同じであるかまたは1,3−シクロヘキサジエン、1,4−シクロヘキサジエン、アリル、ノルボルナジエンおよびシクロオクテンのうちから選択される配位子であり、Rはハロゲン原子、PhC:::CPh(:::は三重結合を意味する)、CCH3、CH3、CH2、CHまたはCPhであり、fは0、1、2または4であり、gは1、2、4、6または8であり、hは0、1または2であり、 f+g+hは4、6、7または8である、
で表される化合物、下記式(4)
Co3(CO)9CZ ・・・(4)
ここで、Zはハロゲン原子である、
で表される化合物、下記式(5)
Co3(CO)12 ・・・(5)
で表される化合物および下記式(6)
Co4(CO)12 ・・・(6)
で表される化合物を挙げることができる。
シクロペンタジエニルジカルボニルコバルト、シクロペンタジエニルカルボニルコバルトジフルオライド、シクロペンタジエニルカルボニルコバルトジクロライト、シクロペンタジエニルカルボニルコバルトジブロマイド、シクロペンタジエニルカルボニルコバルトジヨーダイド、ビス(シクロペンタジエニル)コバルト、ビス(シクロペンタジエニル)カルボニルコバルト、ビス(シクロペンタジエニル)ジカルボニルコバルト、メチルシクロペンタジエニルジカルボニルコバルト、メチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジフルオライド、メチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジクロライト、メチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジブロマイド、メチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジヨーダイド、ビス(メチルシクロペンタジエニル)コバルト、ビス(メチルシクロペンタジエニル)カルボニルコバルト、ビス(メチルシクロペンタジエニル)ジカルボニルコバルト、テトラメチルシクロペンタジエニルジカルボニルコバルト、テトラメチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジフルオライド、テトラメチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジクロライト、テトラメチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジブロマイド、テトラメチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジヨーダイド、ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)コバルト、ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)カルボニルコバルト、ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジカルボニルコバルト、1,5−シクロオクタジエンジカルボニルコバルト、1,5−シクロオクタジエンカルボニルコバルトジフルオライド、1,5−シクロオクタジエンカルボニルコバルトジクロライド、1,5−シクロオクタジエンカルボニルコバルトジブロマイド、1,5−シクロオクタジエンカルボニルコバルトジヨーダイト、ビス(1,5−シクロオクタジエン)コバルト、ビス(1,5−シクロオクタジエン)カルボニルコバルト、1,3−シクロオクタジエンジカルボニルコバルト、1,3−シクロオクタジエンカルボニルコバルトジフルオライド、1,3−シクロオクタジエンカルボニルコバルトジクロライド、1,3−シクロオクタジエンカルボニルコバルトジブロマイド、1,3−シクロオクタジエンカルボニルコバルトジヨーダイト、ビス(1,3−シクロオクタジエン)コバルト、ビス(1,3−シクロオクタジエン)カルボニルコバルト、インデニルジカルボニルコバルト、インデニルカルボニルコバルトジフルオライド、インデニルカルボニルコバルトジクロライド、インデニルカルボニルコバルトジブロマイド、インデニルカルボニルコバルトジヨーダイド、ビス(インデニル)コバルト、ビス(インデニル)カルボニルコバルト、η3−アリルトリカルボニルコバルト、η3−アリルカルボニルコバルトジフルオライド、η3−アリルカルボニルコバルトジクロライド、η3−アリルカルボニルコバルトジブロマイド、η3−アリルカルボニルコバルトジヨーダイド、ビス(η3−アリル)カルボニルコバルト、シクロペンタジエニル(1,5−シクロオクタジエン)コバルト、シクロペンタジエニル(テトラメチルシクロペンタジエニル)コバルト、テトラメチルシクロペンタジエニル(1,5−シクロオクタジエン)コバルト、シクロペンタジエニル(メチルシクロペンタジエニル)コバルト、メチルシクロペンタジエニル(テトラメチルシクロペンタジエニル)コバルト、メチルシクロペンタジエニル(1,5−シクロオクタジエン)コバルト、シクロペンタジエニル(1,3−シクロオクタジエン)コバルト、テトラメチルシクロペンタジエニル(1,3−シクロオクタジエン)コバルト、メチルシクロペンタジエニル(1,3−シクロオクタジエン)コバルト、シクロペンタジエニル(シクロオクタテトラエニル)コバルト、シクロペンタジエニル(1,3−ブタジエン)コバルト、シクロペンタジエニル(ノルボルナジエン)コバルト、テトラカルボニルコバルトハイドライド、シクロペンタジエニルカルボニルコバルトジハイドライド、メチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジハイドライド、テトラメチルシクロペンタジエニルカルボニルコバルトジハイドライド、メチルテトラカルボニルコバルト、エチルテトラカルボニルコバルトを挙げることができる。
ビス(シクロペンタジエニル)ジカルボニルジコバルト、ビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジカルボニルジコバルト、オクタカルボニルジコバルト、(ノルボルネン)ヘキサカルボニルジコバルト、シクロオクチンヘキサカルボニルジコバルト、ビス(シクロペンタジエニル)ジメチルジカルボニルジコバルト、テトラ(η3−アリル)ジコバルトジヨーダイド、ビス(1,3−シクロヘキサジエニル)テトラカルボニルジコバルト、ビス(ノルボルネン)テトラカルボニルジコバルト、ビス(シクロペンタジエニル)ジカルボニルジコバルトおよび下記式(i)〜(v)のそれぞれで表される錯体を挙げることができる。
かくして得られた本発明のシリコン・コバルト膜形成用組成物は基体上に塗布されて組成物の塗膜を形成する。基体の材質、形状等は特に制限はないが、材質は次工程において熱処理を行う場合にはその処理温度に耐えられるものが好ましい。また、塗膜を形成する基体は平面でもよく段差のある非平面でもよく、その形態は特に限定されるものではない。これらの基体の材質としては、例えばガラス、金属、プラスチック、セラミックスなどを挙げることができる。ガラスとしては、例えば石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、ソーダガラス、鉛ガラスが使用でき、金属としては金、銀、銅、ニッケル、シリコン、アルミニウム、鉄の他ステンレス鋼などが使用できる。プラスチックとしては、例えばポリイミド、ポリエーテルスルホン等を挙げることができる。さらにこれらの材質形状は塊状、板状、フィルム形状などで特に制限されるものではない。
上記のようにして得られたシリコン・コバルト膜は、金属性を示し、その用途により適宜の膜厚とすることができる。例えば、半導体用途に使用する場合には好ましくは5〜1,000nm、さらに好ましくは30〜500nmとすることができ、また、配線用の導電膜として使用する場合には好ましくは50〜5,000nm、さらに好ましくは100〜3,000nmとすることができる。
窒素雰囲気中で、シクロペンタシランの20%トルエン溶液2.0gとシクロペンタジエニルジカルボニルコバルトの20%トルエン溶液1.2gを混合した溶液に高圧水銀ランプを用いて紫外線(365nmで50mW/cm2)を10分間照射した後、溶液を孔径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製フィルターで濾過して塗布液を調整した。この塗布液を石英基板に1,000rpmでスピンコートし100℃で5分間、さらに400℃で30分間加熱処理することにより金属光沢を有する薄膜が得られた。この膜厚をαstep(Tenchor社製)で測定したところ150nmであった。この膜をESCA分析したところCoとSiのみが検出され、その強度比は1:2であった。そのESCAスペクトルを図1に示す。またこの膜の比抵抗を4端子法で測定したところ21μΩcmであった。
実施例1のシクロペンタジエニルジカルボニルコバルトに替えてビス(シクロペンタジエニル)コバルト1.3gを用いた他は実施例1と同様にして塗布液を調整した。この塗布液をディップ法で石英基板に塗布した。100℃のホットプレート上で10分間プレベークした後、さらに500℃で加熱処理して膜厚3.2μmの金属光沢を有する膜を得た。この膜のESCA分析ではCoとSiのみが検出されその強度比は1:2であった。またこの膜の比抵抗を4端子法で測定したところ32μΩcmであった。
実施例1に用いた溶媒のトルエンをドデシルベンゼンに替え、他は実施例1と同様にして塗布液を調整した。この塗布液をインクジェット法で石英基板上に直線状にパターン塗布し、さらにホットプレート上で400℃で1時間加熱処理して金属光沢を有する膜厚0.2μmの直線パターンを形成した。このもののシート抵抗は160Ω/□であった。
実施例1のシクロペンタジエニルジカルボニルコバルトに替えてオクタカルボニルジコバルト1.6gを用いた他は実施例1と同様にして塗布液を調整した。溶液を孔径0.1μmのPTFE製フィルターで濾過して塗布液を調整した。この塗布液を石英基板に1,000rpmでスピンコートし100℃で5分間、さらに400℃で30分間加熱処理することにより金属光沢を有する薄膜が得られた。この膜のESCA分析ではCoとSiのみが検出されその強度比は1:2であった。またこの膜の比抵抗を4端子法で測定したところ27μΩcmであった。
窒素雰囲気中で、シクロペンタシランに高圧水銀ランプを用いて紫外線(365nmで50mW/cm2)を5分間照射した後、20%トルエンの溶液を調整した。この溶液2.0gとシクロペンタジエニルジカルボニルコバルトの20%トルエン溶液1.2gを混合した溶液を孔径0.1μmのPTFE製フィルターで濾過して塗布液を調整した。この塗布液を石英基板に1,000rpmでスピンコートし100℃で5分間、さらに400℃で30分間加熱処理することにより金属光沢を有する膜厚が150nmの薄膜が得られた。この膜をESCA分析したところCoとSiのみが検出され、強度比は1:2であった。またこの膜の比抵抗を4端子法で測定したところ18μΩcmであった。
窒素雰囲気中で、シクロペンタシランに高圧水銀ランプを用いて紫外線(365nmで50mW/cm2)を5分間照射した後、20%トルエンの溶液を調整した。この溶液2.0gとシクロペンタジエニルジカルボニルコバルトの20%トルエン溶液1.2gを混合した溶液を孔径0.1μmのPTFE製フィルターで濾過して塗布液を調整した。この塗布液を石英基板に1,000rpmでスピンコートし100℃で5分間、さらに400℃で30分間加熱処理することにより金属光沢を有する薄膜が得られた。この薄膜の上でさらに同じ条件で濾過した塗布液をスピンコート、加熱することによって膜厚が290nmの薄膜を得ることが出来た。この膜をESCA分析したところCoとSiのみが検出され、その強度比は1:2であった。またこの膜の比抵抗を4端子法で測定したところ42μΩcmであった。
Claims (5)
- シリコン化合物およびコバルト化合物を含有することを特徴とするシリコン・コバルト膜形成用組成物。
- 上記シリコン化合物が、下記式(1a)〜(1d)
SiiX2i+2 (1a)
(ここで、Xは水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基でありそして、iは2以上の整数である)
で表される化合物、
SijX2j (1b)
(ここで、Xは水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基でありそして、jは3以上の整数である)
で表される化合物、
SimX2m-2 (1c)
(ここで、Xは水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基でありそしてmは4以上の整数である)
で表わされる化合物および
SikXk (1d)
(ここで、Xは水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基でありそして、kは6、8または10である)
のそれぞれで表される化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項1に記載のシリコン・コバルト膜形成用組成物。 - 上記コバルト化合物が、配位子COおよびπ配位子の少なくともいずれか一方を有するコバルト錯体である請求項1または2に記載のシリコン・コバルト膜形成用組成物。
- 基体上に請求項1ないし3のいずれかに記載のシリコン・コバルト膜形成用組成物の塗膜を形成し、次いで熱および/または光処理することを特徴とするシリコン・コバルト膜の形成方法。
- 請求項4の方法により形成されたシリコン・コバルト膜。
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