JP2005142280A - モジュール基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 実装密度を高め得るモジュール基板を提供する。
【解決手段】 上側表面にパッド７６ａ、７６ｂのみを配置し、パッド７６ａ、７６ｂへ接続する配線パターン５４ａ，３４ａを内層に配置してある。このため、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子部品を表面に実装して電子モジュールを構成するモジュール基板及びその製造方法に関するものである。

携帯電話、テレビ、ビデオ、ビデオカメラ等に内蔵されるプリント配線板上には、複数の能動素子、受動素子を一体化させたモジュールが配置される。このモジュールとしては、ＶＣＯ（電子制御型発信回路）、ＰＬＬ（フェーズロックループ）、ＰＡ、フロントエンド、ダイプレクサ、ディプレクサ、ＳＡＷフィルタ、バンドパスフィルタ、ローパスフィルタ等の種々のモジュールが用いられている。

モジュールは、ＩＣ等の能動素子、コンデンサ、抵抗、コイル等の受動素子を小型のモジュール基板に表面実装してなる。モジュール基板としては、セラミック、樹脂基板を積層してなる多層基板が用いられており、モジュール基板の表層には、上記素子を実装するためのパッドと、パッドへの配線パターンが設けられ、内層には、配線パターンが設けられ、裏面には、プリント配線板側に接続するためのパッド、該パッドへの配線パターンが設けられている。内層の配線パターンと外装の配線パターンとは、バイアホール又はスルーホールにより接続が取られている。

特許文献１、特許文献２には、モジュールの内層に部分的にコンデンサを形成する方法が開示されている。
特開２０００−２０８９４５号公報 特開２００２−３６７８５８号公報

通信機器、電子機器の小型化に伴い、これらに用いられるモジュールの小型化が求められている。このモジュールを小型化するためには、モジュールを構成するモジュール基板への電子部品の実装密度を高める必要がある。
外層パターンは従来の多層プリント配線板と同じように導体パターンの引き回しを行い、必要な場合は内層パターンを使用して引き回し（パターン設計）を行い、受動部品を内層に形成している。即ち、外形サイズを小さくするためのパターン設計の検討が具体的に行われていないため、モジュール基板の外形サイズが大きくなっている。しかしながら、外層に実装される部品、外層の導電パターン、外層と内層の導電パターンの接続方法に関して何ら提案がない。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、実装密度を高め外形サイズを小さくし得るモジュール基板及びその製造方法を提供することにある。

上記した目的を達成するため請求項１は、電子部品を表面に実装して電子モジュールを構成する多層基板からなるモジュール基板であって、前記電子部品を実装するための実装用パッドと、該実装用パッドに接続する配線パターンとを備えるモジュール基板において、
表面に前記実装用パッドのみを配置し、実装用パッドへ接続する配線パターンは内層に配置したことを技術的特徴とする。

請求項２は、電子部品を表面に実装して電子モジュールを構成する多層基板からなるモジュール基板であって、前記電子部品を実装するための表面の実装用パッド及び内層の接続用パッドと、該実装用パッドを接続する表面の配線パターン及び内層の配線パターンとを備えるモジュール基板において、
表面の配線パターンにより接続された隣合わない実装用パッドの数が、表面の配線パターンにより接続された隣合う実装用パッドを除いた実装用パッドの数の半分以下であることを技術的特徴とする。

請求項３は、電子部品を表面に実装して電子モジュールを構成する多層基板からなるモジュール基板であって、前記電子部品を実装するための表面の実装用パッド及び内層の接続用パッドと、該実装用パッドを接続する表面の配線パターン及び内層の配線パターンとを備えるモジュール基板において、
表面の配線パターンにより接続された隣合わない実装用パッドの数が、表面の配線パターンにより接続された隣合う実装用パッドを除いた実装用パッドの数の４割以下であることを技術的特徴とする。

また、請求項９は、少なくとも（ａ）〜（ｆ）の工程を備える、電子部品を表面に実装して電子モジュールを構成する多層基板からなるモジュール基板の製造方法を技術的特徴とする。：
（ａ）コア基板の両面に配線パターンを形成する工程；
（ｂ）前記コア基板に、片面に導体箔を設けた内層用樹脂層を貼り付ける工程；
（ｃ）前記内層用樹脂層の前記導体箔をエッチングして配線パターンを形成する工程；
（ｄ）前記内層用樹脂層に最外層用樹脂層を貼り付ける工程；
（ｅ）前記最外層用樹脂層にレーザでバイアホール用開口を穿設する工程；
（ｆ）前記バイアホール用開口に導体層を形成することで、表面に前記パッドのみを配置する工程。

請求項１のモジュール基板では、表面にパッドのみを配置し、パッドへ接続する配線パターンを内層に配置したため、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。消費電力、及び、発振出力の変動が減り、発振効率が向上する。

請求項２のモジュール基板では、表面の配線パターンにより接続された隣合わない実装用パッドの数が、表面の配線パターンにより接続された隣合う実装用パッドを除いた実装用パッドの数の半分以下であるため、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。消費電力、及び、発振出力の変動が減り、発振効率が向上する。

請求項３のモジュール基板では、表面の配線パターンにより接続された隣合わない実装用パッドの数が、表面の配線パターンにより接続された隣合う実装用パッドを除いた実装用パッドの数の４割以下であるため、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。消費電力、及び、発振出力の変動が減り、発振効率が向上する。

請求項４では、他の実装用パッドと表面の配線パターンにより接続されていない実装用パッドは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランド又はスルーホールのランド、或いは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランド又はスルーホールのランドに表面の配線パターンで接続された実装用ランドからなるため、表面の実装用パッドの実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。

請求項５では、他の実装用パッドと表面の配線パターンにより接続されていない実装用パッドは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランドから成り、或いは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランドに表面の配線パターンで接続された実装用ランドからなるため、表面の実装用パッドの実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。

請求項６のモジュール基板では、パッドは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランドから成り、該バイアホールを介して下層の配線パターンのランドに接続されているため、表面にパッドのみを配置し、パッドへ接続する配線パターンを内層に配置することが可能になる。

請求項７のモジュール基板では、内層の樹脂層に受動部品を配置したため、表面に実装する電子部品の数を減らすことができ、モジュールの小型化が可能になる。また、内層に受動部品を配置することで、配線長を短くすることができ、高性能化が可能になる。

請求項８のモジュール基板では、コア基板に層間樹脂絶縁層を構成する樹脂層を設けてなる。このため、複数の基板（コア基板）を積層してなるモジュール基板よりも薄く構成でき、パッドへ接続する配線パターンを内層に配置したことと相まって、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。

請求項９のモジュール基板の製造方法では、表面にパッドのみを配置し、パッドへ接続する配線パターンを内層に配置したため、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。また、モジュール基板がコア基板に層間樹脂絶縁層を構成する樹脂層を設けてなるため、複数の基板（コア基板）を積層してなるモジュール基板よりも薄く構成できる。このため、パッドへ接続する配線パターンは内層に配置したことと相まって、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。また、レーザにより、バイアホール用開口を穿設するため、微細な孔が開けられ、高密度化できる。

先ず、本発明の第１実施例に係るモジュール基板の構成について図１，図２を参照して説明する。
図２（Ａ）は、ＶＣＯ回路を構成する第１実施例に係るモジュール基板１０の平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すモジュール基板１０のパッド７６にコンデンサＣ１〜Ｃ４、インダクタンスＬ１〜Ｌ３、ダイオードＤ１，Ｄ２、Ｄ３、ＩＣチップＱを表面実装してなるモジュールの平面図である。図１は、図２（Ａ）のＡ−Ａ断面を示している。図示しないが、内層には、インダクタンス１個、コンデンサ１０個、抵抗８個が収容されている。

モジュール基板１０は、配線パターン３４ａ及びランド３４ｂが形成されたコア基板３０の両面に、配線パターン５４ａ及びランド５４ｂが形成された内層樹脂絶縁層５０、バイアホール７６Ａ、７６Ｂの形成された外層樹脂絶縁層６０を配設した多層プリント配線板からなる。コア基板３０には、スルーホール３６が形成されている。また、モジュール基板を貫通するスルーホール８６が形成されている。上側のバイアホール７６Ａのランド７６ａ、バイアホール７６Ｂのランド７６ｂは、図２（Ｂ）を参照して上述した電子部品を実装するパッドを形成している。外層樹脂絶縁層６０の表面には、ソルダーレジスト層９０が設けられている。下側のソルダーレジスト層９０から露出するバイアホール７６Ａのランド７６ａは、プリント配線板へモジュール基板を実装する際のパッドを構成する。

コア基板３０上面には内蔵用の抵抗４３が、下面にはコンデンサ４８が配置されている。抵抗４３は、配線パターン３４ａ、３４ａ間にカーボンペースト層４２を配置することで構成されている。コンデンサ４８は、コア基板３０上に設けられた第１電極３４ｃと、高誘電体ペースト層４４と、該高誘電体ペースト層４４上に設けられた第２電極層３４ｄから成る。

第１実施例のモジュール基板１０では、上側表面にパッド７６ａ、７６ｂのみを配置し、パッド７６ａ、７６ｂへ接続する配線パターン５４ａ、３４ａを内層に配置してある。このため、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。また、消費電力、及び、発振出力の変動が減り、発振効率が向上する。

また、第１実施例に係るモジュール基板１０では、パッド７６ａ、７６ｂは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホール７６Ａ、７６Ｂのランド７６ａ、７６ｂから成り、該バイアホール７６Ａ、７６Ｂを介して下層の配線パターンのランド３４ｂ、５４ｂに接続されているため、表面にパッド７６ａ、７６ｂのみを配置し、パッド７６ａ、７６ｂへ接続する配線パターン５４ａ、３４ａを内層に配置することが可能になる。

更に、内層に抵抗４３及びコンデンサ４８等の受動部品を配置したため、表面に実装する電子部品の数を減らすことができ、モジュールの小型化が可能になる。また、内層に受動部品４３，４８を配置することで、配線長を短くすることができ、高性能化が可能になる。

また更に、第１実施例のモジュール基板は、コア基板３０に層間樹脂絶縁層を構成する樹脂層５０，６０を設けてなる。このため、複数の基板（コア基板）を積層してなるモジュール基板よりも薄く構成でき、パッドへ接続する配線パターンを内層に配置したことと相まって、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。

なお、図２（Ａ）中に示すように、パッド７６ａ、７６ｂ内にあるバイアホール７６Ａ、７６Ｂは、１個でも複数でもよい。また、パッド内のバイアホールの位置は、パッド内であれば、どの位置でも良く下層のパターン配置から最適な位置にバイアホールを形成すればよい。更に、形状は４角に限らず、円形、楕円形、多角形形状のどんな形状であってもよい。

更に、ランドの大きさは、図２中では、素子の電極よりも大きく形成されているが、図８（Ｂ）に示すようにランド７６ｂを素子Ｄ３の電極と同じ大きさに形成することも、また、８（Ｃ）に示すようにランド７６ｂを素子Ｄ３の電極よりも小さく形成することも可能である。なお、図１中では、貫通スルーホール８６が形成されているが、モジュール基板のサイズを小さくするために全てバイアホールで構成することも可能である。

また、内層のコンデンサ４８は、図１中で第１電極層３４ｃ及び第２電極層３４ｄが、共にコア基板３０側の配線パターンに接続されていたが、図７中に示すようにコア基板に高誘電体ペースト層４４を介して配置される第２電極層３４ｄを、コア基板側の配線パターンを介さずバイアホール７６Ｂを介して接続させることも可能である。なお、内層にインダクタンスを配置する場合には、スパイラルコイル、櫛形形状コイル等を配線パターンにより形成することで構成可能である。

引き続き、図３〜図６を参照して該モジュール基板の製造方法について説明する。
なお、本実施例のモジュール基板は、サブトラック法、ＲＦＣ法、ビルドアップ法等種々の方法で形成でき、パターン形成方法は、エッチング法、セミアディティブ法、フルアディティブ法等どんな方法をも用いることができる。
(1) 厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂、ＦＲ４，ＦＲ５，又はＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に18μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした（図３（Ａ））。

(2)まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に配線パターン３４a、ランド３４ｂ、第１電極３４ｃ、スルーホール３６を形成する（図３（Ｂ））。

(3)スルーホール３６内に樹脂充填剤４０を充填し、乾燥炉内の温度100 ℃，２０分間乾燥させる（図３（Ｃ））。
ここで、樹脂充填剤としては、下記の原料組成物を用いることができる。
〔樹脂組成物（ｉ）〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ２ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で３６０00〜49,000cps に調整して得た。
〔硬化剤組成物（ｉｉ）〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。

(4)前記(3) の処理を終えた基板の片面を、スルーホール３６の開口からはみ出した樹脂充填剤４０の表面を平滑化するように研磨し、次いで、研磨による傷を取り除くためのバフ研磨やベルトサンダーによる研磨を行う。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行う。研磨の際、半硬化状態にして行っているが、完全に硬化した後行ってもよい。

次いで、100 ℃で１時間、 150℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填剤を完全に硬化した。
樹脂充填材を構成する樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂、トリアジン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などを意味して、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいは、それぞれの複合体でもよく、樹脂内にシリカ、アルミナなどの無機フィラーなどを含有させて熱膨張率などを整えたものでもよい。また、導電性樹脂、金、銀、銅などの導電性のある金属フィラーを主とするペーストを用いてもよい。更に、上記のもので各々の複合体でもよい。

(5)コア基板３０の上面側所定の配線パターン３４ａ間にカーボンペースト層４２を設け、抵抗４３を構成する。また、下面側の第１電極層３４ｃ上に高誘電体ペースト層４４を設ける（図４（Ａ））。

(6)高誘電体ペースト層４４の上に銅めっきにより第２電極層３４ｄを設け、コンデンサ４８を形成する（図４（Ｂ））。

(7)基板３０を水洗いした後、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を、スプレーやバブリング等の酸素共存条件で作用させて、配線パターンの銅導体を溶解させボイドを形成する処理により、配線パターン３４a、ランド３４ｂの表面に粗化層を設ける。
それ以外にも、酸化−還元処理や無電解めっきの合金によって粗化層を設けてもよい。形成される粗化層は、０．１〜５μｍの範囲にあるものが望ましい。その範囲であれば、配線パターンと層間樹脂絶縁層の剥離が起きにくく、エッチングで金属層を除去しても残留しにくいからである。

第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾールがよい。中でも、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチレイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール等がよい。アゾール類の第二銅錯体の添加量は、１〜15重量％がよい。溶解性及び安定性に優れるからである。

また、酸化銅を溶解させるために、有機酸をアゾール類の第二銅錯体に配合する。具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種がよい。有機酸の含有量は、0.1 〜30重量％がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ溶解安定性を確保するためである。

発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。

また、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオン等をエッチング液に加えてもよい。本発明では、塩酸、塩化ナトリウム等を添加して、ハロゲンイオンを供給することができる。ハロゲンイオン量は、0.01〜20重量％がよい。形成された粗化面と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。

アゾール類の第二銅錯体と有機酸（必要に応じてハロゲンイオン）を、水に溶解してエッチング液を調整する。また、市販のエッチング液、例えば、メック社製、商品名「メック エッチボンド」を使用し、本発明にかかる粗化面を形成することができる。

(8)該コア基板の表面に、片面に銅箔５２が貼り付けられた下層層間樹脂絶縁層となる半硬化状態にした樹脂フィルム５０αを、温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇf／ｃｍ²で真空圧着ラミネートして貼り付ける（図４（Ｃ））。もしくは、予め粘度を調整し、塗布できる状態にした樹脂を、ロールコーター、カテーンコーターなどで塗布して形成してもよい。
該樹脂フィルムとしては、難溶性樹脂、可溶性樹脂粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。

本発明の製造方法において使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。

上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、配線パターンとの密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。

上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。

上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリエーテルスルフォン、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。

また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。

上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。

上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と配線パターンとの間で剥離が発生しないからである。

上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。

上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルスルフォン、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。

本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する配線パターンの金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した配線パターン間の絶縁性が確実に保たれる。

上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した配線パターン間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。

上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。

上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りモジュール基板の性能を向上させることができる。

また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。

(9)フィルム５０αを加熱して硬化させ、内層の樹脂絶縁層５０とした後、銅箔５２をエッチングし、配線パターン５４ａ及びパッド５４ｂを形成する（図５（Ａ））。

(10)下層の樹脂絶縁層５０の表面に、片面に銅箔６２が貼り付けられた外層樹脂絶縁層となる半硬化状態にした樹脂フィルム６０αを、温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇf／ｃｍ²で真空圧着ラミネートして貼り付ける（図５（Ｂ））。

(11)フィルム６０αを加熱して硬化させ、外層の樹脂絶縁層６０とした後、銅箔６２をエッチングし、中央に開口を有するパッド６４ｂ、開口を有しないパッド６４ｃを形成する（図５（Ｃ））。

(12)炭酸、エキシマ、ＹＡＧ、又はＵＶレーザにより、開口を有するパッド６４ｂをコンフォーマルマスクとして用い、内層樹脂絶縁層５０上のパッド５４ｂに至る開口６６、コア基板上のパッド３４ｂに至る直径５０μｍ〜１００μｍの開口６８を穿設する。また、ドリルにより、開口を有しないパッド６４ｃに、全体を貫通する通孔７２を穿設する。本実施例では、レーザによりバイアホール用開口を穿設するため、開口６６、６８を小径に穿設でき、高密度化が可能である。

(13)次に、クロム酸、又は、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム）から成る酸化剤により、開口６６，６８のデスミヤ処理を行うと同時に、樹脂絶縁層６０の表面の粗化処理を行い粗化層を形成する。

(14)バイアホール７６Ａを開口６６に、バイアホール６８を開口６８に、また、通孔７２にスルーホール８６を形成する（図６（Ｂ））。ここでは、表面を粗化した樹脂絶縁層の表面に、パラジウム触媒を付与し、無電解めっき水溶液中で、０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を形成する。無電解銅めっき膜を形成した基板を水洗いした後、所定パターンのめっきレジストを形成する。そして、基板を電解めっき液中に浸漬し、無電解銅めっき膜を介して電流を流し、電解銅めっき膜を形成する。その後、レジストを剥離し、めっきレジスト下の無電解銅めっき膜をライトエッチングにより剥離することで、無電解銅めっき膜及び電解銅めっき膜からなるバイアホール７６Ａ、バイアホール６８、スルーホール８６を形成する。

(15)バイアホール７６Ａ、７６Ｂ及びスルーホール８６に、酸化―還元処理により粗化層を形成する。この酸化―還元処理の代わりに、エッチングにより（例 第二銅錯体と有機酸塩とを配合した液によってスプレーや浸積することでエッチングさせている）、又は、粗化層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金）を無電解めっきにより粗化層を形成することも可能である。

(16)バイアホール７６Ａ、バイアホール７６Ｂ及びスルーホール８６内に、上記(3)と同じ樹脂充填材８８を充填する（図６（Ｃ））。

(17)引き続き、ソルダーレジスト層９０を形成する（図１）。ソルダーレジストの原料組成物は以下からなる。
ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。

ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。

特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて半田バンプを形成する場合には、「ノボラック型エポキシ樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート」からなり「イミダゾール硬化剤」を硬化剤として含むものが好ましい。
上記(16)で得られたモジュール基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布する。また、市販されているソルダーレジスト層を用いることもできる。

(18)次いで、８０℃で20分間、１００℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルムを密着させて載置し、1000mJ／cm²の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、開口部７１を有する（開口径 200μｍ）ソルダーレジスト層９０（厚み20μｍ）を形成する（図１）。

(19)そして、ソルダーレジスト層９０の開口部９１に、半田ペーストを印刷して電子部品を表面実装することでモジュールを完成する（図２（Ｂ））。

図８は、ＶＣＯ回路を構成する第２実施例のモジュール基板を示している。第１実施例では、モジュール基板１０の表面に配線パターンを形成していなかった。これに対して、第２実施例では、モジュール基板表面のバイアホール７６Ａ、７６Ｂ及び貫通スルーホール８６に表面の配線パターン９２を介してランド７６ｃが接続されている。なお、この第２実施例でも、第１実施例と同様に、配線パターンを介してパッドとパッドとが接続されていない。なお、円Ｄ中には、異形形状のパッド７６ｂを示している。この場合に、ランドの四角形のみを露出させ、バイアホール７６Ｂの上側にはソルダーレジストを被覆してもよい。更に、円Ｅ中には、バイアホール７６Ａとバイアホール７６Ｂとが表層の配線パターン９２を介して接続されている状態を示している。

引き続き、本発明の第３〜第５実施例に係るモジュール基板について説明する。
第３実施例〜第５実施例のモジュール基板は、第１、第２実施例と同様にＶＯＣ回路として構成されている。図９に、第３実施例〜第５実施例及び比較例のＶＣＯ回路の構成を示している。この構成部品は、Ｔｒ（集積回路）１個、ダイオード２個、インダクタンス３個、コンデンサ８個、抵抗６個からなる。図１０に第３実施例のモジュール基板を、図１１に第４実施例のモジュール基板を、図１２に第５実施例のモジュール基板を、図１３に比較例のモジュール基板の平面図を示している。第３実施例〜第５実施例及び比較例のモジュール基板では、抵抗６個、コンデンサ６個を内蔵部品とし、Ｔｒ１個、ダイオード２個、インダクタンス３個、コンデンサ２個を表面実装した。なお、内蔵の抵抗６個は、図１を参照して上述した第１実施例と同様にカーボンペーストにより、コンデンサ６個は、一対の電極層の間に高誘電体ペースト層を設けることで構成した。

図１８は、比較のための従来技術に係る全ての構成部品を表面実装したモジュール基板（２層構造）を示している。構成部品として、Ｔr（１．５×１．５mm）が１個、ダイオード（１．０×０．５）が２個、インダクタンス（１．６×０．８mm）が３個、コンデンサ（１．０×０．５mm）が６個、抵抗（１．０×０．５mm）が６個である。側面に設けた断面スルーホールによりマザーボードに実装している電子部品が一般的であり、その場合の基板外形寸法は１０．７×５．６mmになった。ここで、断面スルーホールを裏面パッドで実装する（半田ペースト印刷に直接マウントしてリフローする。または、半田バンプを形成しておく）構造、即ち、断面スルーホールを貫通スルーホールに代えることにより、基板外形寸法は９．７×４．６mmまで小型化できる。

図１０は第３実施例のモジュール基板（８層）の平面図を示している。外寸は２．８×４．０mmに構成できた。表面実装した構成部品として、Ｔr（１．５×１．５mm）が１個、ダイオード（１．０×０．５）が２個、インダクタンス（１．６×０．８mm）が３個、コンデンサ（１．０×０．５mm）が２個である。即ち、図１８を参照して上述した従来技術と同じ外形の部品を用いている。基板の最小ライン／スペースは１００μｍ／１００μｍである。ここで、
表層（最外層）の全パッド数：２０個
隣合うパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド：８個
隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド：０個
従って、
（隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド）／（隣合うパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッドを除いた表層のパッド数）＝０／１２＝０％
（隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド）／（表層の全パッド数）＝０／２０＝０％

図１１は第４実施例のモジュール基板（８層）の平面図を示している。外寸は３．３×４．５mmに構成できた。表面実装した構成部品として、図１８を参照して上述した従来技術と同じ外形の部品を用いている。基板の最小ライン／スペースは１００μｍ／１００μｍである。ここで、
表層（最外層）の全パッド数：２０個
隣合うパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド：８個
隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド：４個
従って、
（隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド）／（隣合うパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッドを除いた表層のパッド数）＝４／１２＝３３％
（隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド）／（表層の全パッド数）＝４／２０＝２０％

図１２は第５実施例のモジュール基板（８層）の平面図を示している。外寸は３．８×５．０mmに構成できた。表面実装した構成部品として、図１８を参照して上述した従来技術と同じ外形の部品を用いている。基板の最小ライン／スペースは１００μｍ／１００μｍである。ここで、
表層（最外層）の全パッド数：２０個
隣合うパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド：８個
隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド：６個
従って、
（隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド）／（隣合うパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッドを除いた表層のパッド数）＝６／１２＝５０％
（隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド）／（表層の全パッド数）＝６／２０＝３３％

図１３は比較例のモジュール基板（８層）の平面図を示している。外寸は４．３×５．５mmになった。表面実装した構成部品として、図１８を参照して上述した従来技術と同じ外形の部品を用いている。ここで、
表層（最外層）の全パッド数：２０個
隣合うパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド：８個
隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド：８個
従って、
（隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド）／（隣合うパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッドを除いた表層のパッド数）＝８／１２＝６７％
（隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド）／（表層の全パッド数）＝８／２０＝４０％

図１４は、従来技術と、第３〜第５実施例と、比較例との比較表である。第３実施例では、（隣合わないパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッド）／（隣合うパッドとパッドとの配線パターン接続があるパッドを除いた表層のパッド数）＝０％にすることで、基板の面積を従来技術品との比較で２５．１％にできた。また、第４実施例では、比率を３３％にすることで、基板の面積を従来技術品との比較で３３．３％にできた。また、第５実施例では、比率を５０％にすることで、基板の面積を従来技術品との比較で４２．６％にできた。一方、比較例では、比率が６７％と５０％を越えたため、基板の面積を従来技術品との比較で５３．０％と半分以下にできなかった。

携帯電話用発振器、測定機用発振器、オーディオ機器用発振器のＶＯＣでは、（ａ）発振周波数、（ｂ）高周波数、（ｃ）発振出力、（ｄ）位相ノイズ、（ｅ）チューニングセンシビティー（感度）が重要な特性となる。特に、携帯電話用発振器では（１）プッシング、（２）プリング、（３）消費電力も重要になる。
携帯電話用発振器のために重要な項目である以下の（１）〜（５）について、従来技術品及び第３実施例のモジュール基板について測定を行った。ここで、（１）〜（４）に関ついては、アンリツ製スペクトラムアナライザー（ＭＳ２６６３Ｃ）を用い、サンプル基板の裏面のパッドにプローブが当たるように治具をセットして測定を行った。また、（５）については、電流計で測定した。
（１）発振周波数（Ｖｔ（Tuning Voltage）が１Ｖ、３．５Ｖ時）
（２）高周波数（Ｖｔが１Ｖ、３．５Ｖ時の２次、３次、４次高周波）
（３）発振出力（Ｖｔが１Ｖ、３．５Ｖ時の発振周波数と、２次、３次、４次高周波出力）
（４）チューニングセンシビティー
（５）消費電力

図１５中に（１）発振周波数及び（３）発振出力の測定結果を示し、図１６中に（１）発振周波数、（３）２次高周波出力、（４）チューニングセンシビティー、位相ノイズ、（５）消費電力を示す。図１６中で、規格とは市販されているＶＣＯを参考にして決めた目標値である。発振周波数は、規格以上又は規格以下であれば問題がない。チューニングボルテージ（ＶＣＯ発振出力、２次高周波出力、チューニングセンシビティー）は、１Ｖ〜３．５Ｖでの最大値又は最小値が規格以下で、各項目の値はほぼ直線性を示すため、１Ｖ又は３．５Ｖのときの値を測定して測定結果とした。位相ノイズは、Ｖｔ＝１Ｖの１８５０ＭＨｚとＶｔ＝３．５Ｖの１９１９ＭＨｚとのセンター値である１８８０ＭＨｚのＶＣＯ発振出力と２０ＭＨｚオフセット（２０００ＭＨｚ）時のＶＯＣ発振出力の差を意味している。位相ノイズは、ＶＯＣ発振周波数から次式で求めた。
（（Ｖｔ＝３．５Ｖ）−（Ｖｔ＝１Ｖ））／２．５Ｖ

図１７は、第３実施例の変化割合を示している。図１７中の５項目に関して、第１実施例は従来技術品とほぼ同じ測定結果（±５％以下）となり、ＶＯＣとしての実用性に問題がなことが確認できた。本実施例のモジュール基板は、モジュール基板への電子部品の実装密度を高め、モジュールの小型化が可能になる。また、消費電力、及び、発振出力の変動が減り、発振効率が向上した。

第１実施例に係るモジュール基板の断面図である。 図２（Ａ）はモジュール基板の平面図で、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のモジュール基板に電子部品を実装したモジュールの平面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施例に係るモジュール基板を作製する工程の一部を模式的に示す断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施例に係るモジュール基板を作製する工程の一部を模式的に示す断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施例に係るモジュール基板を作製する工程の一部を模式的に示す断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、第１実施例に係るモジュール基板を作製する工程の一部を模式的に示す断面図である。 第１実施例の改変例に係るモジュール基板の断面図である。 図８（Ａ）は第２実施例に係るモジュール基板の平面図であり、図８（Ｂ）、図８（Ｃ）はランドの説明図である。 第３〜第５実施例、比較例、従来技術に係るモジュール基板の回路図である。 第３実施例に係るモジュール基板の平面図である。 第４実施例に係るモジュール基板の平面図である。 第５実施例に係るモジュール基板の平面図である。 比較例に係るモジュール基板の平面図である。 従来技術と、第３〜第５実施例と、比較例との比較表である。 第３実施例のモジュール基板の発振周波数を測定した結果を示す図表である。 第３実施例のモジュール基板の発振出力及び消費電力を測定した結果を示す図表である。 第３実施例のモジュール基板を測定した変化割合の結果を示す図表である。 従来技術に係るモジュール基板の平面図である。

符号の説明

３０ コア基板
３４ａ 配線パターン
３４ｂ パッド
３６ バイアホール
５０ 内層樹脂絶縁層
５４ａ 配線パターン
５４ｂ パッド
６０ 外層樹脂絶縁層
７６Ａ、７６Ｂ バイアホール
７６ａ、７６ｂ ランド（パッド）

Claims (9)

1. 電子部品を表面に実装して電子モジュールを構成する多層基板からなるモジュール基板であって、前記電子部品を実装するための実装用パッドと、該実装用パッドに接続する配線パターンとを備えるモジュール基板において、
   表面に前記実装用パッドのみを配置し、実装用パッドへ接続する配線パターンは内層に配置したことを特徴とするモジュール基板。
2. 電子部品を表面に実装して電子モジュールを構成する多層基板からなるモジュール基板であって、前記電子部品を実装するための表面の実装用パッド及び内層の接続用パッドと、該実装用パッドを接続する表面の配線パターン及び内層の配線パターンとを備えるモジュール基板において、
   表面の配線パターンにより接続された隣合わない実装用パッドの数が、表面の配線パターンにより接続された隣合う実装用パッドを除いた実装用パッドの数の半分以下であることを特徴とするモジュール基板。
3. 電子部品を表面に実装して電子モジュールを構成する多層基板からなるモジュール基板であって、前記電子部品を実装するための表面の実装用パッド及び内層の接続用パッドと、該実装用パッドを接続する表面の配線パターン及び内層の配線パターンとを備えるモジュール基板において、
   表面の配線パターンにより接続された隣合わない実装用パッドの数が、表面の配線パターンにより接続された隣合う実装用パッドを除いた実装用パッドの数の４割以下であることを特徴とするモジュール基板。
4. 前記他の実装用パッドと表面の配線パターンにより接続されていない実装用パッドは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランド又はスルーホールのランド、或いは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランド又はスルーホールのランドに表面の配線パターンで接続された実装用ランドからなり、
   該バイアホール又はスルーホールを介して下層の配線パターンの接続用ランドに接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２のモジュール基板。
5. 前記他の実装用パッドと表面の配線パターンにより接続されていない実装用パッドは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランドから成り、或いは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランドに表面の配線パターンで接続された実装用ランドからなり、
   該バイアホールを介して下層の配線パターンの接続用ランドに接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２のモジュール基板。
6. 前記表面に配置された配線パターンにより接続されていない実装用パッドは、最外層の樹脂層に設けられたバイアホールのランドから成り、
   該バイアホールを介して下層の配線パターンの接続用ランドに接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１のモジュール基板。
7. 内層の樹脂層に、受動部品を配置したことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかのモジュール基板。
8. コア基板に層間樹脂絶縁層を構成する樹脂層を設けてなることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１のモジュール基板。
9. 少なくとも（ａ）〜（ｆ）の工程を備える、電子部品を表面に実装して電子モジュールを構成する多層基板からなるモジュール基板の製造方法：
   （ａ）コア基板の両面に配線パターンを形成する工程；
   （ｂ）前記コア基板に、片面に導体箔を設けた内層用樹脂層を貼り付ける工程；
   （ｃ）前記内層用樹脂層の前記導体箔をエッチングして配線パターンを形成する工程；
   （ｄ）前記内層用樹脂層に最外層用樹脂層を貼り付ける工程；
   （ｅ）前記最外層用樹脂層にレーザでバイアホール用開口を穿設する工程；
   （ｆ）前記バイアホール用開口に導体層を形成することで、表面に前記パッドのみを配置する工程。

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