JP2005135399A

JP2005135399A - 半導体内蔵カード

Info

Publication number: JP2005135399A
Application number: JP2004293634A
Authority: JP
Inventors: Akira Uragami; 明浦上
Original assignee: Japan Gore Tex Inc
Current assignee: Japan Gore Tex Inc
Priority date: 2003-10-07
Filing date: 2004-10-06
Publication date: 2005-05-26

Abstract

【課題】小型・薄型化の要請に応えつつ、曲げ応力が負荷された際の半導体実装基板とカードフレームとの間の剥離を高度に抑制した半導体内蔵カードを提供する。
【解決手段】半導体を実装した基板とカードフレームを構成要素に含む半導体内蔵カードであって、上記基板と上記カードフレームの間に、応力緩和層が介在しているものであることを特徴とする半導体内蔵カードである。
【選択図】図２

Description

本発明は、ＩＣカードやメモリーカードに代表される半導体内蔵カードに関するものである。

デジタルカメラや携帯電話などの電子機器に記録メディアとして使用されるメモリーカードや、ＩＣカードに代表される半導体内蔵カードでは、大記録容量化および小型・薄型化の要求が年々高まっている。

こうした事情の下、半導体内蔵カードに用いられる半導体（半導体素子）は、大容量化且つ小型化が要求されると共に、このような半導体を実装した基板（半導体実装基板）を保持するためのカードフレームでは、薄く且つ小型であることが求められる。

ところで、上記メモリーカードは、デジタルカメラ−コンピューター間などでのデータのやり取りに利用される場合が多く、装置（デジタルカメラやコンピューターなど）のスロットに入れたり、該スロットから取り出したりする際には、カードフレーム部分を指で把持するのが通常である。また、ＩＣカードの場合にも、カードケースから取り出したりする際などには、カードフレーム部分が指で把持される。

このように上記半導体内蔵カードでは、その使用形態上、カードフレーム部分が指で把持されるのが通常であり、その際、カードフレーム面に垂直に応力が負荷されるため、例えば、カードフレームの一部が指で把持され、他の部分が装置のスロットなどに保持されている場合には、半導体内蔵カードは曲げ応力を受けることとなる。

一般に半導体実装基板は強度が大きく、上記の如き曲げ応力を受けても変形し難い。これに対し、カードフレームは半導体実装基板よりも強度が小さく変形し易いことが通常であるため、半導体内蔵カードが上記の曲げ応力を受けた場合には、カードフレームの変形に半導体実装基板が追随できず、半導体実装基板−カードフレーム間での剥離が生じ易いといった問題がある。半導体内蔵カードは、装置スロットでの抜き差しなどが頻繁に行われるため、曲げ応力を受ける頻度も高く（すなわち、繰り返し曲げ応力を受けることとなる）、半導体実装基板−カードフレーム間での剥離を高度に抑制することが求められている。

こうした半導体実装基板−カードフレーム間の剥離を防止するには、カードフレームの強度、あるいは半導体内蔵カード全体の強度を高め、上記曲げ応力に対して変形し難くすることが考えられる。

半導体内蔵カードに係るカードフレームの強度や半導体内蔵カード全体の強度を向上させ得る技術としては、例えば、カード内部に金属枠を導入して補強する方法（特許文献１）、半導体実装基板を保持した第１のカードフレームを、第２のカードフレームで覆う技術（特許文献２）、カードフレームに剛性の高い支持物を導入して補強する方法（特許文献３）などがある。これらの技術を応用すれば、上記曲げ応力を受けた際のカードフレーム（半導体内蔵カード全体）の変形を抑制して、半導体実装基板−カードフレーム間の剥離を抑制できる可能性がある。

しかしながら、金属枠や、第２のカードフレーム、支持物といった補強材を導入する上記特許文献１〜３の技術では、半導体内蔵カード全体の大きさや厚さの増大をもたらすため、小型化・薄型化の要求に応えるには不十分である。
特開平５−９６８８９号公報（特許請求の範囲など）特開平６−１５９９２号公報（特許請求の範囲など）特開平７−１７１７５公報（特許請求の範囲など）

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、小型化・薄型化の要請に応えつつ、曲げ応力が負荷された際の半導体実装基板とカードフレームとの間の剥離を高度に抑制した半導体内蔵カードを提供することにある。

上記目的を達成し得た本発明の半導体内蔵カードは、半導体を実装した基板とカードフレームを構成要素に含み、上記基板と上記カードフレームの間に、応力緩和層が介在しているものであるところに要旨が存在する。上記応力緩和層は、樹脂フィルムから構成されてなるものであることが好ましく、該樹脂フィルムは、引張弾性率が１〜１３００ＭＰａであり、引張破壊伸びが５％以上であることが望ましい。

また、上記応力緩和層は、多孔質構造を有するものであることが好ましく、延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルムよりなるものであることが、より好ましい。上記延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムは、空孔率が３０〜９５％であることが推奨される。さらに、上記応力緩和層を構成する樹脂フィルムの厚さは、０．００５〜０．５ｍｍであることが望ましい。

上記応力緩和層と上記基板との間に接着層Ａが介挿され、かつ上記応力緩和層と上記カードフレームとの間にも接着層Ｂが介挿されており、これら接着層ＡおよびＢによって、上記応力緩和層が上記基板および上記カードフレームと固着されていることが、本発明の好ましい実施態様である。基板と接着層Ａとの界面の引き剥がし強度、およびカードフレームと接着層Ｂとの界面の引き剥がし強度は、例えば、いずれも０．４Ｎ／ｍｍ以上である。接着層Ａと接着層Ｂは、互いに異なる接着剤によって構成されていてもよく、接着層Ａの接着剤が熱硬化性樹脂（特に好ましくはエポキシ系樹脂）、接着層Ｂの接着剤が熱可塑性樹脂（特に好ましくはポリエステル系樹脂）であってもよい。接着層Ｂは、その引張弾性率と厚さの積が、５０ＭＰａ・ｍｍ以下であることが推奨される。また上記接着層Ａおよび／または接着層Ｂには、通常、延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの空孔に接着剤が充填されてなるものが使用される。

なお、本明細書でいう「フィルム」は、所謂「シート」を含む概念である。

本発明の半導体内蔵カードは、応力緩和層の導入により、曲げ応力を受けても半導体実装基板とカードフレームとの間での剥離が高度に抑制される。かかる応力緩和層は、極めて薄いものであっても、十分に上記効果が確保できるため、半導体内蔵カードの小型化・薄型化の要請にも応えることができる。

本発明者は、半導体実装基板とカードフレームの間に応力緩和層を介在させることで、半導体実装基板に比して強度の弱いカードフレームを用いた半導体内蔵カードであっても、上記曲げ応力を受けた際の半導体実装基板−カードフレーム間の剥離を抑制できることを見出した。また、上記応力緩和層は、上記特許文献１〜３に開示の補強材とは異なり、比較的薄い形態で上記の剥離抑制効果が確保可能であることから、半導体内蔵カードの厚さを薄くでき、さらに特許文献２のように第２のカードフレームを要しないため、半導体内蔵カードを小型化できることも見出し、本発明の完成に至った。図１に本発明の半導体内蔵カード（メモリーカード）の一例を示す。図１中、１０は半導体内蔵カード、１１はカードフレーム、１２は半導体実装基板、１３は接続端子である。また、図２は、図１の１−１線断面図であり、１４が応力緩和層である（後述の接着層は図示しない）。以下、本発明を詳細に説明する。

上記半導体実装基板は、回路が形成された基板（回路基板）に半導体素子を１個または複数個搭載したものである。本発明の半導体内蔵カードに用いられる半導体実装基板は特に限定されず、例えば、従来公知のメモリーカードやＩＣカードなどの半導体内蔵カードに用いられているものがそのまま適用可能である。

具体例を挙げると、半導体素子としては、シリコンやガリウム／ヒ素を素材としたメモリー、ワンチップマイクロコンピューターなどがある。メモリーカードの場合には、通常、ＮＡＮＤ型やＮＯＲ型のフラッシュメモリーのような不揮発性メモリーが用いられ、この他、不揮発性メモリーとしては、ＭＲＡＭ（ＭａｇｎｅｔｉｃＲＡＭ）、ＦｅＲＡＭ（ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＲＡＭ）も使用され得る。また、ＩＣカードの場合には、上記の如きメモリーの他に、ＣＰＵ（中央集積回路）が用いられることもある。半導体実装基板には、こうした半導体素子と共に、抵抗やコンデンサなどが実装される場合もある。

基板（回路基板）の素材としては、例えば、ガラス繊維−エポキシ樹脂複合体（所謂ガラスエポキシ）や、ガラスＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、セラミックス、ポリイミドフィルムなど、公知のものが適用可能である。

半導体を実装した基板では、半導体素子などの実装部品を封止樹脂によって封止することが一般的である。封止樹脂には、従来公知のエポキシ樹脂コンパウンドなどが適用できる。樹脂封止後の半導体実装基板の厚さは、３ｍｍ以下であるのが一般的である。

外部との情報の送受信のための接続端子は、半導体実装基板の片面に部品（半導体素子など）が実装されている場合には、半導体実装基板の部品実装面の反対面に設けることが一般的である（図１は、この態様を示している）。しかし、接続端子の形成箇所はこれに限定されず、半導体実装基板が両面に部品を実装している場合や、半導体内蔵カードの構造によっては、部品実装面側に形成してもよい。また、非接触型のメモリーカードやＩＣカードの場合では、接続端子に代えて、アンテナなどを備えた非接触型のデータ通信手段を有することもできる。

上記カードフレームは、樹脂製のものが一般的である。構成樹脂としては、半導体内蔵カードのフレームとしての機能を満たす成形体が得られるものであれば特に限定されず、従来公知のものが適用できる。カードフレームは、射出成形法により形成することが一般的であることから、射出成形に適した樹脂が好ましく用い得る。具体的には、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン）、ポリカーボネート、ポリエステル（ポリブチレンテレフタレートなど）などが挙げられる。また、カードフレームの補強や着色を目的として、公知の各種補強材や着色剤（棒状、繊維状、粒子状のフィラーなど）を添加することもできる。

カードフレームの形状も特に制限はなく、半導体内蔵カードに要求される外観と、半導体実装基板を設置する部分を有する形状であればよい。例えば、従来公知の各種メモリーカードやＩＣカードなどの半導体内蔵カードで採用されている形状が挙げられる。

なお、後述するように、応力緩和層は多孔質構造を有していることが好ましい。ところが、カードフレームと半導体実装基板との接着の際には、熱をかけることが通常であるため、応力緩和層の空孔内の空気が膨張することによる不具合が発生するときがある。よって、カードフレームの半導体実装基板設置部には、半導体実装基板を設置した後に、上記の膨張した空気を逃がすための隙間ができるように、カードフレームの形状を設計することが推奨される。隙間の幅は、例えば、０．０１ｍｍ以上とすることが好ましい。隙間の幅が上記範囲を下回ると膨張した空気が逃げ難くなる。また間隙の幅は、例えば、０．２ｍｍ以下としてもよい。間隙の幅が小さくなるほど、カードフレームの小型化が容易になる。

上記応力緩和層は、カードフレーム（半導体内蔵カード）に負荷された曲げ応力を緩和する層である。

上記曲げ応力が負荷された際の現象を図３によって説明する。図３は、本発明の半導体内蔵カードが上記曲げ応力を受けた際の、接続端子１３近傍の様子を拡大して示している。なお、図３に示す半導体内蔵カード１０では、応力緩和層１４は、接着層１５，１５を介してカードフレーム１１および半導体実装基板１２と接着している。

半導体内蔵カードに上記曲げ応力が負荷され、カードフレーム１１が変形した際には、応力緩和層１４は、カードフレーム１１から剥離せずに変形するが、曲げ応力は応力緩和層１４内で緩和されるため、半導体実装基板１２側に伝達される応力は大幅に低減される。よって、応力緩和層１４と半導体実装基板１２の界面剥離も抑えられ、結果として、半導体実装基板−カードフレーム間の剥離が高度に抑制される。この際、応力緩和層１４は、厚さ方向に伸びるが、この厚さ方向の伸びがカードフレーム１１と半導体実装基板１２との間の剥離抑制に大きく寄与する。

応力緩和層は樹脂フィルムから構成されていることが好ましいが、かかる樹脂フィルムは、引張弾性率が１ＭＰａ以上１３００ＭＰａ以下であり、且つ引張破壊伸びが５％以上であることが好ましい。本発明者等は、上述した応力緩和層が厚さ方向に伸びる機能の有無が、応力緩和層を構成する樹脂フィルムの引張弾性率と引張破壊伸びによって代替的に評価可能であることを見出した。すなわち、引張弾性率が上記範囲を満足すると共に、引張破壊伸びが上記下限値以上である樹脂フィルムから構成される応力緩和層であれば、応力緩和層が厚さ方向に伸びる機能が良好であるため、半導体実装基板−カードフレーム間の剥離抑制をより高度に達成できる。引張弾性率は５ＭＰａ以上８００ＭＰａ以下であることがより好ましく、また、引張破壊伸びは２０％以上であることがより好ましく、３０％以上であることが更に好ましい。

なお、引張弾性率が上記範囲を超えるか、または引張破壊伸びが上記下限値を下回る場合には、応力緩和層の厚さ方向での伸びが小さく、応力緩和層における曲げ応力の緩和が不十分となることがある。さらに、引張破壊伸びが上記下限値を下回る場合には、半導体内蔵カードが受ける曲げによるひずみが大きい場合に、応力緩和層が破断することがある。引張弾性率が上記範囲を下回る場合には、応力緩和層が不必要に変形して破断することがある。また、応力緩和層を構成する樹脂フィルムは、予め両面に接着層を設けた接着性積層フィルムとしてから、カードフレームと半導体実装基板との接着に供されることが好ましいが（詳しくは後述する）、引張弾性率が上記範囲を下回る樹脂フィルムの場合には、該接着性積層フィルム製造時において、ロール間を通過させる際などに圧縮応力が負荷されると、厚さを保持し難いといった製造上の問題が発生することがある。

なお、上記引張弾性率および引張破壊伸びは、ＪＩＳＫ７１１３の規定に準拠し、後述の実施例に記載の条件で測定して得られた値である。

応力緩和層を構成する素材としては、特に制限はなく、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）などのポリオレフィン系樹脂；ナイロン６、ナイロン６６などのポリアミド系樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル系樹脂；ポリウレタン系樹脂；アクリル系樹脂；ＰＴＦＥ、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体などのフッ素系樹脂が挙げられる。

応力緩和層は多孔質構造を有していることが好ましく、例えば、発泡フィルムなどの空洞含有フィルム、織布、不織布、延伸多孔質フィルムなどの多孔質フィルムが、応力緩和層を構成するものとして挙げられる。応力緩和層が多孔質構造であれば、半導体実装基板とカードフレームを、応力緩和層を介して接着剤で積層一体化する際に、接着剤に含まれる揮発成分を、その空孔を通過させて逃がすことができる。その結果、接着剤と被着体との界面にボイドが形成されにくく、ボイドの発生による接着強度の低下を防止できる。また、半導体内蔵カードを組み立てる際に、半導体実装基板とカードフレームを、応力緩和層を介して熱圧着する場合、カードフレームが熱で変形し易いという問題があるが、応力緩和層が多孔質構造であれば、半導体実装基板側から加熱すれば、応力緩和層が断熱層の役割を果たし、カードフレーム側に熱が伝わりにくくなるため、カードフレームの変形を防止することができる。

多孔質構造を有した応力緩和層としては、繊維状あるいはフィブリル状の樹脂により構成される多孔質フィルムが好ましい。このような多孔質フィルムから構成される応力緩和層の場合には、半導体内蔵カードが曲げ応力を受けた際に、変形が大きく、繊維やフィブリルが解かれるように伸びても、該応力が除去された際には、カードフレームの弾性回復力によって繊維やフィブリルが折りたたまれるようになり、応力緩和層の形状が元の状態に回復し易いため、半導体内蔵カード全体に反り（永久ひずみ）が残り難いといった利点がある。

特に極めて細いフィブリルを有する多孔質フィルムから構成される応力緩和層であれば、上記の回復効果が顕著である。よって、応力緩和層としては、延伸によって極めて細いフィブリルを形成でき、且つ引張破壊伸びが大きく、適度な引張弾性率も有する点で、延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムが特に好ましい。

半導体内蔵カードは、カード使用時に指で把持されるため、この際の圧縮力に耐え得るようにソリッドな材料で構成されるのが通常であり、半導体内蔵カードの一部を多孔質構造体で形成するという発想は全く新規なものである。半導体内蔵カードが指で把持された際に厚さ方向に潰れると、端子部の位置が低くなり、半導体内蔵カードを装置のスロットに差し込んだ際に、半導体内蔵カードの端子と装置の端子が接触不良を起こす場合がある。本発明者は、応力緩和層を構成する素材が多孔質構造体であっても、引張弾性率が上記範囲を満足するものを用いることにより、半導体内蔵カードが指で把持された際の圧縮力に耐え得ることを見出した。

上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムとしては、特開昭４６−７２８４号公報、特開昭５０−２２８８１号公報、特表平３−５０４８７６号公報などに開示のものが挙げられる。すなわち、ＰＴＦＥのファインパウダー（結晶化度９０％以上）を成形助剤と混合して得られるペーストを成形し、該成形体から成形助剤を除去した後、高温［ＰＴＦＥの融点（約３２７℃）未満の温度、例えば３００℃程度］高速度で延伸、さらに必要に応じて焼成することにより得られるものである。

延伸の際、ＭＤ方向（延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム製造時の長手方向）またはＴＤ方向（ＭＤ方向に直交する方向）の一軸方向のみに延伸すれば、一軸延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムが得られ、ＭＤ方向およびＴＤ方向の二軸方向に延伸すれば二軸延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムが得られる。本発明の応力緩和層としては、一軸延伸、二軸延伸のいずれの多孔質ＰＴＦＥフィルムを用いてもよいが、機械的異方性や電気的異方性が小さい点で、二軸延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムが、より好適である。

ちなみに、一軸延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムでは、ノード（折り畳み結晶）が延伸方向に直角に細い島状となっており、このノード間を繋ぐようにすだれ状にフィブリル（折り畳み結晶が延伸により解けて引き出された直鎖状の分子束）が延伸方向に配向している。そして、フィブリル間、またはフィブリルとノードとで画される空間が空孔となった繊維質構造となっている。また、二軸延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムでは、フィブリルが放射状に広がり、フィブリルを繋ぐノードが島状に点在していて、フィブリルとノードとで画された空間が多数存在するクモの巣状の繊維質構造となっている。

上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの空孔率は、３０％以上９５％以下であることが好ましく、５０％以上９０％以下であることがより好ましい。空孔率が小さ過ぎると、引張弾性率が上記範囲を超えることがあり、このようなフィルムを用いた応力緩和層では、曲げ応力を十分に緩和できない場合がある。他方、空孔率が大き過ぎると、フィルムの機械的強度が著しく低下してしまい、上記引張弾性率の下限を下回ることがある他、加工の際のハンドリング性（取り扱い性）が損なわれることがある。

なお、上記空孔率は、ＪＩＳＫ６８８５の規定に準じて測定される延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの見掛け密度ρ₁（ｇ／ｃｍ³）と、ＰＴＦＥの密度ρ₀（２．２ｇ／ｃｍ³）から、下式
空孔率（％）＝１００×（ρ₀−ρ₁）／ρ₀
を用いて求められる値である。本明細書における延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの空孔率の値は、全てこの方法で測定したものである。

また、延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの最大細孔径は、０．０１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの最大細孔径が上記範囲外であると、引張弾性率および引張破壊伸びを上記範囲内とすることが困難となる。

応力緩和層が延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの如き多孔質構造を有する樹脂フィルムにより構成されている場合、この応力緩和層に隣接する接着層（後述する）の接着剤が、応力緩和層の空孔中に侵入することによるアンカー効果によって、応力緩和層と接着層との密着性が向上する。しかし、応力緩和層を構成する延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの最大細孔径が上記範囲を下回ると、接着層の接着剤が空孔中に侵入し難くなるため、上記アンカー効果が不十分となる傾向にある。なお、ここでいう「最大細孔径」は、ＡＳＴＭＦ−３１６の規定に準じて測定される値である。本明細書における延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの最大細孔径は、全てこの方法で測定した値である。

応力緩和層を構成する樹脂フィルムの好適な厚さは、使用する樹脂フィルムの種類、空孔率などに応じて変動するが、例えば、延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの場合には、０．００５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることが一般的である。より好ましい厚さは０．０１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下、さらに好ましくは０．０３ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。また、他の樹脂フィルム（特に多孔質フィルム）の場合でも、厚さを上記範囲程度とすることが望ましい。厚さが上記範囲を超える樹脂フィルムを応力緩和層に用いると、半導体内蔵カードの薄型化の要請に応え難くなる。他方、厚さが上記範囲を下回る樹脂フィルムでは、強度が低下するなどの理由により、取り扱い性が損なわれたりする。

なお、ここでいう多孔質フィルムの厚さは、ダイヤルゲージ（例えば、テクロック社製１／１０００ｍｍダイヤルシックネスゲージ）で測定した平均厚さ（本体バネ荷重以外の荷重をかけない状態で測定した値）である。本明細書における多孔質フィルムの厚さは、全てこの方法で測定した値である。

応力緩和層−カードフレーム間、および応力緩和層−半導体実装基板間の接着は、接着層を介して行うのが望ましい（図３中、１５）。接着層の形成は、応力緩和層、カードフレーム（半導体実装基板）のいずれか一方または両方の接着面に液状の接着剤を塗布するか、接着剤フィルムを用いる方法が採用できる。

接着層としては、引き剥がし強度が０．４Ｎ／ｍｍ以上、好ましくは０．８Ｎ／ｍｍ以上になるものが推奨される。より詳細には、応力緩和層−半導体実装基板間の接着層を接着層Ａと称し、応力緩和層−カードフレーム間の接着層を接着層Ｂと称したとき、接着層Ａと半導体実装基板との界面の引き剥がし強度Ａ、および接着層Ｂとカードフレームとの界面の引き剥がし強度Ｂの少なくとも一方（好ましくは両方）が、０．４Ｎ／ｍｍ以上（好ましくは０．８Ｎ／ｍｍ以上）であることが推奨される。引き剥がし強度が低すぎると、接着界面での剥離が生じやすくなり、応力緩和層による応力緩和効果を十分に享受できなくなる。

なお上記引き剥がし強度は、ＪＩＳＣ６４８１の規定に準拠し、後述の実施例に記載の条件で測定して得られた値である。

接着剤としては、当該技術分野において公知の各種接着剤が利用可能であり、応力緩和層−半導体実装基板間の接着剤（接着層）Ａと、応力緩和層−カードフレーム間の接着剤（接着層）Ｂには、互いに同一のものを採用してもよく、互いに異なるものを採用してもよい。ただし接着剤は、被着体である半導体実装基板（この基板が、後述するように封止されている場合には、封止部材）とカードフレームの材質に応じて選択されるため、半導体実装基板（または封止部材）とカードフレームの材質が異なる場合には、接着剤ＡおよびＢには、異なるものが採用されることが多い。

カードフレーム側に使用する接着剤Ｂには、カードフレームの素材がポリカーボネート樹脂の場合、例えば、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂（シアノアクリレート系樹脂やその他のアクリル系樹脂）、ポリアミド系樹脂（ナイロン６、ナイロン６６など）、ポリエステル系樹脂［ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、後述の反応型ポリエステル系樹脂など］、ニトリルゴム（ＮＢＲ）系樹脂などが採用される。またカードフレームにＡＢＳ樹脂を用いた場合は、接着剤Ｂには、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂［シアノアクリレート系樹脂、第二世代の反応型アクリル系樹脂（ＳＧＡ）、その他のアクリル系樹脂］、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂［ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、後述の反応型ポリエステル系樹脂など］、ＮＢＲ系樹脂などが採用される。カードフレームの素材が上記ポリカーボネートやＡＢＳ樹脂とは異なる場合でも、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ニトリルゴム（ＮＢＲ）系樹脂などを適宜採用してもよい。

カードフレームには、上述したようにポリカーボネート樹脂などの熱可塑性樹脂が使用されることが多いため、接着剤Ｂとしても熱可塑性樹脂を使用することが特に推奨される。このようにすればカードフレームとの親和性が向上し、カードフレームに対する接着強度が向上する。特にカードフレームがポリカーボネート系樹脂の場合、該ポリカーボネートがエステル結合を有するため、接着剤Ｂにはポリエステル系樹脂を採用するのが親和性（接着強度）向上の観点から望ましい。

一方、半導体実装基板と応力緩和層を接着する場合、半導体実装基板の封止樹脂面と応力緩和層を接着するのが一般的である。封止樹脂としてエポキシ樹脂コンパウンドを使う場合、半導体実装基板と応力緩和層を接着するための接着剤Ａとしては、エポキシ系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アクリル系樹脂などの接着剤が好ましく、中でも熱硬化性樹脂（特にエポキシ系樹脂）が接着性に優れるため特に好ましい。なお封止樹脂がエポキシ樹脂以外の場合、或いは封止樹脂を使用しない場合であっても、前記と同様の樹脂を接着剤Ａとして採用してもよい。

接着剤Ａおよび／または接着剤Ｂに採用される前記エポキシ樹脂は、分子内に少なくとも２個のエポキシ基を含む硬化性化合物である。該硬化性化合物としては、フェノール類のグリシジルエーテルが代表的である。このフェノール類のグリシジルエーテルは、硬化性や硬化物特性に特に優れている。前記フェノール類には、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、ハロゲン化ビスフェノールＡなどのビスフェノール類；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのノボラック樹脂が挙げられる。なお、これらのエポキシ樹脂の一部（例えば、エポキシ樹脂全量に対して、５０質量％以下程度）には、分子内にエポキシ基を１個有する化合物を用いてもよい。

また、エポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤および硬化促進剤を併用することが好ましい。硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂（分子内にフェノール性水酸基を少なくとも２個有する樹脂）、ジシアンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド、エポキシ樹脂とアミン化合物の反応物などが挙げられる。

フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノールなどが挙げられる。また、ジカルボン酸ジヒドラジドとしては、例えば、アジピン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジドが例示できる。エポキシ基とアミン化合物の反応物としては、例えば、「ノボキュア」の商品名（旭化成工業社製）で市販されている化合物が使用できる。

これら硬化剤は、いずれもエポキシ樹脂のエポキシ基と反応し得る官能基を有している。通常、硬化剤は、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤の有する前記反応性官能基との当量比（反応性官能基／エポキシ基）が、例えば、０．３〜１．５、好ましくは０．５〜１．２になる範囲で使用する。

硬化促進剤としては、エポキシ樹脂の硬化促進剤として従来公知の各種化合物を用いることができる。例えば、イミダゾール類（２−エチル−４−メチルイミダゾールなど）、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニボレート、２−エチル−４−イミダゾールテトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレート、オクチル酸亜鉛等の金属触媒などが挙げられる。これら硬化促進剤の使用量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、０．０１〜５．０質量部とすることが好ましく、０．０５〜１．０質量部とすることがより好ましい。

また接着剤Ａおよび／または接着剤Ｂとして熱可塑性樹脂を使用する場合、反応型熱可塑性樹脂（例えば、日立化成ポリマー社製飽和ポリエステル系樹脂「ハイボン７６６３」、上記第二世代の反応型アクリル樹脂など）を使用してもよい。反応型熱可塑性樹脂を使用する場合、接着性、耐熱性、吸湿信頼性などを適宜を向上させるため、必要に応じて架橋剤を添加してもよい。架橋剤としては、たとえばポリエステル系樹脂の場合、イソシアネート、ブロックイソシアネート、メラミン樹脂などが挙げられる。なお架橋剤を使用する場合、架橋密度が高くなって接着層の弾性率が高くなり過ぎないように、適宜添加量を調整する必要がある。

これらの接着剤には、粘度をコントロールする目的で、熱可塑性樹脂を添加してもよい。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、熱可塑性ポリイミド、サーモトロピック液晶樹脂（液晶ポリエステル）、テトラフルオロプロピレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体などの各種熱可塑性樹脂が挙げられ、これらを単独で、または２種以上混合して用いることができる。また、応力緩和性やフレキシブル性の向上を目的として、ウレタン系、アクリル系、ゴム系などの可撓性樹脂を添加してもよい。さらに、接着剤には、必要に応じて、界面活性剤、カップリング剤、可塑剤、難燃剤などの添加剤；有機および／または無機の粉体や繊維などの充填剤；を添加してもよい。

また、これらの接着剤には、貼り付け作業性を改善するために、アクリル系樹脂などの常温で粘着性を発現させ得る成分を混合してもよい。

接着剤樹脂は、配合後の軟化点およびキュア温度が１５０℃以下となるように設定することが好ましい。これ以上温度が高くなると、接着の際の加工温度が高くなり過ぎて、カードフレームの変形が引き起こされる虞がある。

接着層を塗布により形成する場合の方法としては、ロールコーティング、ダイコーティング、スプレーコーティングなどの公知の塗布方法が採用できる。接着剤樹脂に有機溶剤を加えて希釈したり、接着剤樹脂を加熱したりして粘度を下げてから、上記塗布を行ってもよい。

接着層として接着剤フィルムを用いる場合には、例えば、キャスト法（離型フィルムの表面に塗布により接着剤樹脂含有層を形成し、必要に応じて乾燥する方法）などにより得られる接着剤フィルムを用いることができるが、多孔質の基材の空孔に接着剤を充填してなる接着剤フィルムを用いることがより好ましい。

例えば、接着剤として好適なエポキシ系樹脂は、加熱溶融すると粘度が低くなるため、樹脂フローが大きく、接着の際に接着すべき領域からはみ出してしまう部分ができ易く、接続端子の汚れなどの問題が生じることがある。こうした樹脂フローを制御する方法としては、無機や有機のフィラー、あるいはゴム成分をエポキシ系樹脂中に混入することなどが行われているが、この方法ではエポキシ系樹脂の粘度が増大しすぎて、塗布の際などに気泡をかむなどの問題が発生し易い。これに対し、多孔質基材の空孔に接着剤を充填してなる接着剤フィルムを用いれば、多孔質基材が接着剤樹脂のフローを抑制する役割を果たすため、上記の問題を回避することができる。

接着剤フィルムに用いる多孔質基材としては、発泡フィルムなどの空洞含有フィルム、織布、不織布、延伸多孔質フィルムなどの多孔質フィルムが挙げられるが、中でも、延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを用いることが好ましい。延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムは、上記の通り、非常に微細なフィブリル−ノード構造を有しているため、極めて良好に接着剤樹脂のフローを制御できる。延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムとしては、上記の応力緩和層に好適なものと同じものが使用可能である。

こうした多孔質基材に接着剤樹脂を充填する方法としては、液状の接着剤樹脂（ワニス）を、キスロール、スクイズ、ディップ、フローコート、ロール加圧含浸、真空含浸などの各種方法から要求精度などに合わせて選択された方法で、多孔質基材の空孔に含浸し、乾燥（固化）させる方法が採用できる。接着剤樹脂は、必要に応じて、有機溶剤を用いて希釈したり、加熱したりして粘度を下げてから、上記含浸に供してもよい。

なお、多孔質基材が例えば延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムなどのフッ素樹脂製フィルムの場合には、接着用樹脂（上記ワニス）との親和性が低く、弾きが生じて該接着用樹脂を十分に充填できない場合がある。よって、含浸前に多孔質樹脂フィルムに表面処理を施して、接着剤樹脂（ワニス）の濡れ性を向上させておくことも推奨される。このような表面処理としては、例えば、以下の（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の撥水性低下処理法が挙げられる。

（Ｉ）物理化学的手法
物理化学的手法とは、多孔質樹脂フィルムに、プラズマ、紫外線、電子線などを照射したり、コロナ放電処理を行う手法をいう。これにより、表面を酸化あるいはラジカル化して、撥水性を低下させることができる。

（ＩＩ）化学的手法
化学的手法とは、多孔質樹脂フィルムを構成する樹脂よりも撥水性の小さな化合物を該フィルムに含有させ、該化合物の作用によって撥水性を低下させる手法をいう。このような性質の化合物を多孔質樹脂フィルムに対して濡れ性を有する溶媒に溶解させ、これを多孔質樹脂フィルムに含浸させた後、溶媒のみを除去して、該化合物を多孔質樹脂フィルム骨格部分の表面（ノードとフィブリルの表面）に被覆させることができる。このような化合物としては、親水性基（ヒドロキシル基、エーテル基、ケトン基など）を有するポリマー、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ビニルアルコール−テトラフルオロエチレンブロック共重合体などの有機ポリマー類の他、アルコキシシランなどからゾルゲル反応によって得られる無機系のポリマーなどが挙げられる。

（ＩＩＩ）上記（Ｉ）と（ＩＩ）の組み合わせ
上記（Ｉ）のような照射や放電処理によって撥水性低下作用が発現するような化合物（または化合物群）を、予め上記（ＩＩ）のようにしてフィルムに含有させておく手法をいう。前記化合物群としては、例えば、特定の波長の光を吸収することで活性化する化合物（例えば、２，７−２−ナトリウムアントラキノン−２−スルホン酸塩のような光官能性の還元剤）と金属塩が挙げられる。この化合物群を、必要に応じて、ハロゲンイオン源、界面活性剤、溶剤などと混合し、多孔質樹脂フィルムに含浸させた後、乾燥し、所定の光（例えば、波長４００ｎｍ以下の紫外線）を照射することによって、金属イオンを還元し、多孔質樹脂フィルム表面に金属を固定させることができる。この固定金属の作用によって撥水性を低下させることができる。

接着剤樹脂の希釈に用いる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；トルエン、キシレン、メシチレンなどの芳香族炭化水素類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル酢酸エステル、酢酸エチルなどのエステル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類；などが挙げられ、接着剤樹脂の種類に応じて、これらを単独で、または２種以上混合して用いればよい。なお、乾燥後の残存溶剤量を低減する観点から、ＭＥＫなどの沸点が１５０℃以下（特に１３０℃以下）の低沸点溶剤を用いることが望ましい。

多孔質基材の空孔に接着剤樹脂を充填した接着剤フィルムにあっては、接着剤樹脂で空孔をできるだけ充填しておくことが望ましい。具体的には、空孔の体積充填率で８０〜１２０体積％とすることが好ましく、９０〜１１０体積％とすることがより好ましく、９５〜１０５体積％とすることが更に好ましい。充填率が低過ぎると、ボイドや接着不良発生の原因となり、高過ぎると樹脂フローが大きくなって接続端子を汚すことがある。なお、上記充填率が１００体積％を超える場合とは、多孔質基材の表面にも接着剤樹脂が存在する状態を意味している。

半導体内蔵カードの生産性を考慮すれば、予め応力緩和層を構成する樹脂フィルムの両面に接着層を形成した接着性積層フィルムを作製しておくことも好ましい。この方法によれば、液状の接着剤を半導体実装基板またはカードフレームに塗布するよりも、組み立て時の作業性がよくなり、また接着層の厚さ精度も向上する。予め樹脂フィルム（応力緩和層）の片面だけに接着層を形成しておき、半導体実装基盤またはカードフレームと積層する際に、該樹脂フィルム（応力緩和層）の残りの片面に液状の接着剤を塗布する方法も採用できる。上記接着性積層フィルムを得るには、応力緩和層を構成する樹脂フィルムの両面に接着剤を塗布・乾燥（固化）するか、応力緩和層を構成する樹脂フィルムの両面に接着剤フィルム（好ましくは多孔質基材の空孔に接着剤樹脂を充填した接着剤フィルム）を重ね、これを熱プレスや熱ロールなどで処理して接着剤樹脂（の一部）を溶融させ、接着一体化させる方法が採用できる。樹脂フィルムの片面に接着剤を塗布・乾燥し、残り片面に接着剤フィルムを接着一体化させる方法も可能である。なお延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを応力緩和層とする接着性積層フィルムを形成する場合には、この応力緩和層（延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム）と接着剤との塗れ性を向上させてもよい。接着剤との塗れ性を向上させる手法としては、前記表面処理（Ｉ）〜（ＩＩＩ）が採用できる。

接着剤樹脂に熱硬化性樹脂を用いる場合は、接着層形成後、溶剤を乾燥させて半硬化状態（所謂Ｂステージ）とし、半導体内蔵カードを組み立てる際に加熱硬化させるのが好ましい。

接着層の厚さは、０．００１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下とすることが一般的である。より好ましい厚さは０．００３ｍｍ以上０．１ｍｍ以下、さらに好ましくは０．００５ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下である。接着層の厚さが上記範囲を下回ると、接着性が不十分となる虞があり、接着層の厚さが上記範囲を超えると半導体内蔵カードの厚さが厚くなりすぎ、樹脂フローも大きくなりすぎる。

またカードフレーム側の接着層Ｂの厚さは、該接着層Ｂの弾性率に応じて調整してもよい。接着層Ｂの弾性率が高いときは、曲げ応力が接着界面に集中し、応力緩和層が十分に機能しなくなり易いため、接着層の弾性率が高くなるほど接着層を薄くして、曲げ応力の集中を回避することが推奨される。例えば、接着層Ｂの弾性率（単位：ＭＰａ）と厚さ（単位：ｍｍ）の積は、１００以下、好ましくは５０以下になるようにするのが望ましい。なお基板側の接着層Ａの厚さについては、実質的に接着層Ａは曲がらないため、前記数値範囲を満足している必要はない。

上記接着性積層フィルムでは、べた付き防止や、経時変化による自己接着防止を目的として離型フィルムを両表面に用いることも好ましい。離型フィルムとしては、紙に離型処理をしたものや樹脂フィルムが好適に用いられる。樹脂フィルムの素材は特に制限はないが、ＰＥ、ＰＰなどのポリオレフィン系樹脂；ＰＥＴなどのポリエステル系樹脂；などが一般的である。また、樹脂フィルムには、シリコン系樹脂などを樹脂フィルム表面にコーティングするなどの離型処理を施してもよい。

以下に、本発明の半導体内蔵カードの製造方法を、応力緩和層を構成する樹脂フィルムの両面に接着層を形成した上記接着性積層フィルムを用いた場合を例にとって説明する。

上記接着性積層フィルムを、必要に応じて、半導体実装基板や、カードフレームの半導体実装基板設置部のサイズに合わせて裁断する。勿論、接着性積層フィルムには、予めこのようなサイズに裁断された状態で供給されたものを用いてもよい。

次に、裁断された上記接着性積層フィルムを介して半導体実装基板とカードフレームを接着する。この際、まず、上記接着性積層フィルムの一方の面に半導体実装基板またはカードフレームのいずれか一方を接着し、その後他方の面に残りを接着する方法を採用してもよく、半導体実装基板−接着性積層フィルム−カードフレームの接着を同時に行う方法を用いても構わない。これらの接着には熱プレスや熱ロールを用いることが推奨される。なお半導体実装基板やカードフレームの被接着面は、接着強度向上のため、必要に応じて予めプラズマ処理、コロナ放電処理、プライマー処理などを施しておいてもよい。また、半導体実装基板の封止樹脂とカードフレームに用いる樹脂には、成型時の金型からの型離れを向上させる目的でワックス成分が含まれる事が多いため、このワックス成分を除去するための物理的、化学的な処理を施してもよい。

半導体実装基板に用いる封止樹脂は、トランスファーモールドで封止成型した後にキュアを行うが、封止面と接着を行う場合は、接着強度向上のため、キュア時間を短くして硬化度を下げておくことも好ましい。例えば、封止樹脂と接着剤の両方にエポキシ系樹脂を用いた場合、封止樹脂の硬化度を下げておくと、封止樹脂（エポキシ樹脂）の未反応基が、接着剤のエポキシ樹脂と反応して接着強度がより強固なものとなる。

接着時の温度は、カードフレームの変形を抑制する観点から、１５０℃以下とすることが好ましい。また、接着層の接着剤に熱硬化性樹脂を用いた場合には、硬化処理を行う必要があるが、この場合にもカードフレームの変形抑制のために、温度を１５０℃以下（好ましくは１３０℃以下）とすることが推奨される。

本発明の半導体内蔵カードは、メモリーカードやＩＣカードなどとして、従来公知の用途に用いることができる。

以下、実施例に基づいて本発明を詳細に述べる。ただし、下記実施例は、本発明を制限するものではなく、前・後記の趣旨を逸脱しない範囲で変更実施をすることは、全て本発明の技術的範囲に包含される。

なお下記実施例・比較例・参考例で使用する延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム（ジャパンゴアテックス社製「ゴアテックス（登録商標）」）は、いずれも、撥水性低下処理が施されていない。

また下記実施例・比較例・参考例で行った評価の方法は、以下の通りである。

＜応力緩和層を構成する樹脂フィルムの引張弾性率および引張破壊伸び＞
接着剤フィルムと積層する前の応力緩和層の引張弾性率および引張破壊伸びを測定する。測定は、引張試験機に東洋精機社製「ＳＴＲＯＧＲＡＰＨ−Ｒ３」を用い、ＪＩＳＫ７１１３の規定に準拠して、サンプル形状：短冊状（１０ｍｍ×１２０ｍｍ）、チャック間距離：７０ｍｍ、測定温度：常温、引張速度：２ｍｍ／ｍｉｎ、引張弾性率算出ひずみ量：０．１ｍｍ〜１ｍｍ、の条件で行う。

＜接着層を構成する接着剤フィルムの引張弾性率＞
応力緩和層と積層する前の接着剤フィルムの引張弾性率を、上記応力緩和層の場合と同様にして測定した。ただし、接着層がエポキシ樹脂を含む場合は、１２０℃、９０分のキュアを行ってから測定した。

＜曲げ剥離強度＞
圧縮試験機（東洋精機社製「ＳＴＲＯＧＲＡＰＨ−Ｒ３」）を用い、半導体内蔵カードの半導体実装基板側を下にしてカードフレームに見たてたポリカーボネート板（後述する）に圧子が接触するように３点曲げ荷重を掛ける。このとき半導体基板が支持台の支点間の中心に来るように試料をセットする。基板が剥がれたときの最大荷重を曲げ剥離強度として読み取る。また、破断時のストローク（圧子が試料に接触して荷重をかけてから破断するまでの圧子が動いた距離）を測定する。測定は、ＪＩＳＫ６８５６の規定に準拠し、圧子先端：Ｒ１ｍｍ、支持台支点間距離：２０ｍｍ、測定温度：常温、圧縮速度：１ｍｍ／ｍｉｎ、の条件で行う。また、剥離した後の剥離面が、半導体内蔵カードのどの部分であるかも確認する。

＜接着剤樹脂フロー＞
寸法測定機能のついた金属顕微鏡（オリンパス社製「ＳＴＭ−ＵＭ」）を用いて、半導体実装基板からはみ出した接着剤樹脂のフロー寸法を測定する（顕微鏡倍率：１００倍）。４辺方向の最大値を夫々計測し、これらの平均値を樹脂フロー（μｍ）とする。

＜引き剥がし強度＞
（１）半導体実装基板（封止面）と接着剤フィルムの引き剥がし強度
半導体実装基板としては、そのモデルとして、厚さ０．２ｍｍのＦＲ４ガラスエポキシ基板（三菱ガス化学社製「ＥＬ−１７０」）上に、各実験例・比較例・または参考例で使用された封止樹脂と同一の樹脂を圧縮成型した総厚さ１．０ｍｍの板（モデル板）を使用する。一方、接着剤フィルムとしては、各実験例・比較例・または参考例で応力緩和層と積層する前の接着剤フィルムを使用する。この接着剤フィルムの片面に離型ポリエステルフィルムを配置し（ただし、接着剤フィルムがキャスト法によって作製されている場合は、キャスト法で用いた離型ポリエステルフィルムをそのまま用い）、他方の面には、厚さ３５μｍの銅箔を配置し、これらを、ロールラミネーターを用いて、温度：１００℃、圧力：１ＭＰａの条件で圧着する。この圧着体を１０ｍｍ幅にカットし、離型フィルムを剥がした後、前記モデル板の封止面側にプレス機を用いて、温度：１２０℃、圧力：０．５ＭＰａ、時間：１０秒の条件で接着し測定試料を作製する。この際、接着剤フィルムとモデル板との間に、厚さ２５μｍのＦＥＰフィルム（離型フィルム）を端面から５０ｍｍの位置まで挟み込む。離型フィルムを挟み込んだ部分は接着されないため、引き剥がし強度測定時のチャッキング部となる。上記銅箔は、引き剥がし強度測定時の接着剤フィルムの伸びを防止するための補強材として用いる。

ＪＩＳＣ６４８１に準拠し、モデル板から接着剤フィルムを銅箔ごと９０度方向引き剥がすことによって、引き剥がし強度を測定する。

（２）カードフレームと接着剤フィルムの引き剥がし強度
モデル板に代えて、カードフレームに見立てた厚さ１．０ｍｍのポリカーボネート板（住友ダウ社製「ガリバー３０１−１０」）を用いる以外は、上記「（１）半導体実装基板（封止面）と接着剤フィルムの引き剥がし強度」と同様にする。

実施例１
エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製「ＥＰＩＣＬＯＮ２０５５」：ビスフェノールＡ型）に、フェノールノボラック樹脂（硬化剤、大日本インキ化学工業社製「ＴＤ−２１９３」）を、エポキシ基に対する反応性官能基の当量比で１．０となるように配合し、さらにこの配合物１００質量部に対して０．１２質量部の硬化促進剤（２−エチル−４−メチルイミダゾール）を配合した。次に、ここで得られた配合物にＭＥＫを加えて、該ＭＥＫ以外の成分の濃度が３８質量％の溶液（ワニス）を作製した。

上記ワニスについて、粘度計（東機産業社製「ＲＥ１００Ｌ」）を用いて、サンプル量：１ｍＬ、温度：２３℃の条件で測定した粘度は１５センチポイズであり、ゲル化試験機（日新科学社製「ＧＴ−Ｄ−ＳＦ」）を用い、ＪＩＳＣ６４８７の規定に準じて、熱板温度：１７０℃の条件で測定したゲルタイムは、２４０秒であった。

延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム（ジャパンゴアテックス社製「ゴアテックス（登録商標）」、厚さ：２０μｍ、空孔率：７０％、最大細孔径：０．２μｍ）に、キスロールコーターを用いて上記ワニスを含浸させ、１５０℃で５分乾燥させて、空孔の体積充填率が１００体積％（６４質量％）の接着剤フィルム（接着層）を得た。

応力緩和層として延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム（ジャパンゴアテックス社製「ゴアテックス（登録商標）」、厚さ：８０μｍ、空孔率：３５％、最大細孔径：０．１μｍ）の両面に上記の接着剤フィルムを配し、ロールラミネーターを用いて、温度：１００℃、圧力：１ＭＰａの条件で圧着して３層構造の接着性積層フィルムを得た。

裏面に端子回路のついたＦＲ４ガラスエポキシ回路基板（三菱ガス化学社製「ＥＬ−１７０」）の表面にフラッシュメモリーに見たてたシリコンチップ（厚さ：０．４ｍｍ、幅：７ｍｍ、長さ：１０）を実装し、エポキシ樹脂コンパウンドで封止した基板（外形サイズが、厚さ：１．５ｍｍ、幅：１０ｍｍ、長さ：１５ｍｍ）の封止面（端子面とは反対の面）に、該基板と同サイズに裁断した上記の接着性積層フィルムを、プレス機を用いて、温度：１１０℃、圧力：０．５ＭＰａ、時間：５秒の条件で仮接着して接着性積層フィルム付き基板を得た。次に、カードフレームに見たてたポリカーボネート板（住友ダウ社製「ガリバー３０１−１０」）（厚さ：１．０ｍｍ、幅：２０ｍｍ、長さ：３０ｍｍ）の中央に、該接着性積層フィルム付き基板を、その接着剤フィルム露出側をポリカーボネート板側にして、プレス機を用いて、温度：１２０℃、圧力：０．５ＭＰａ、時間：１０秒の条件で接着し、１２０℃、９０分の条件でキュアして半導体内蔵カードを得た。上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム、および半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

実施例２
応力緩和層を構成する延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを、厚さ：８０μｍ、空孔率：６５％、最大細孔径：０．２μｍのもの（ジャパンゴアテックス社製「ゴアテックス（登録商標）」）に変更した他は、実施例１と同様にして半導体内蔵カードを得た。上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム、および半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

実施例３
応力緩和層を構成する延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを、厚さ：８０μｍ、空孔率：８５％、最大細孔径：５．０μｍのもの（ジャパンゴアテックス社製「ゴアテックス（登録商標）」）に変更した他は、実施例１と同様にして半導体内蔵カードを得た。上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム、および半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

実施例４
ウレタン系樹脂（チッソ社製「リクソンボンドＵα−１１０１Ａ」）１００質量部とエポキシ樹脂（ダウケミカル社製「ＤＥＮ４３８−ＥＫ８５Ｊ」）３２質量部を配合し、ここで得られた配合物にＭＥＫを加え６５質量％の溶液（ワニス）を作製した。このワニスについて、実施例１と同様にして測定した粘度は３３０センチポイズであった。

このワニスを、ＰＥＴフィルム（離型フィルム、厚さ：５０μｍ）の表面に、ダイコーターを用いて２０μｍの厚さとなるように塗布し、１５０℃で５分乾燥させて、接着剤フィルムを得た。

接着性積層フィルムが有する接着層（接着剤フィルム）の片方のみを、上記キャスト法により得られたウレタン系樹脂接着剤フィルムに変更し、さらに応力緩和層を構成する延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを、実施例２で用いたのと同じものとした他は、実施例１と同様にして半導体内蔵カードを得た。なお、ウレタン系接着剤フィルムからなる接着層は、カードフレーム側とした。上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム、および半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

実施例５
飽和ポリエステル系樹脂（日立化成ポリマー社製「ハイボン７６６３」）にトルエンを加え６０質量％の溶液（ワニス）を作製した。このワニスについて、実施例１と同様にして測定した粘度は、粘度：３６０センチポイズであった。

このワニスを、ＰＥＴフィルム（離型フィルム、厚さ：５０μｍ）の表面に、ダイコーターを用いて２０μｍの厚さとなるように塗布し、１５０℃で５分乾燥させて、接着剤フィルムを得た。接着性積層フィルムが有する接着層の片方のみを、上記キャスト法により得られたポリエステル系接着剤フィルムに変更し、さらに応力緩和層を構成する延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを、実施例２で用いたのと同じものとした他は、実施例１と同様にして半導体内蔵カードを得た。なお、ポリエステル系接着剤フィルムからなる接着層は、カードフレーム側とした。上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム、および半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

比較例１
実施例１におけるワニスに用いたのと同じ配合物にＭＥＫを加えて、該ＭＥＫ以外の成分の濃度が６５質量％の溶液（ワニス）を作製した。このワニスについて、実施例１と同様にして測定した粘度およびゲルタイムは、粘度：３８０センチポイズ、ゲルタイム：２３０秒、であった。

このワニスを、キャスト法によりＰＥＴフィルム（離型フィルム、厚さ：５０μｍ）の表面に、ダイコーターを用いて１２０μｍの厚さとなるように塗布し、１５０℃で１０分乾燥させて、接着剤フィルムを得た。

離型フィルムから剥離した接着剤フィルムを、応力緩和層を有する上記接着性積層フィルムの代わりに用いた他は、実施例１と同様にして半導体内蔵カードを得た。この半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

実施例６
応力緩和層を構成する延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを、厚さ：８０μｍ、空孔率：２０％、最大細孔径：０．０５μｍのもの（ジャパンゴアテックス社製「ゴアテックス（登録商標）」）に変更した他は、実施例１と同様にして半導体内蔵カードを得た。上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム、および半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

参考例１
応力緩和層を構成する延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを、厚さ：８０μｍ、空孔率：９６％、最大細孔径：１０μｍのもの（ジャパンゴアテックス社製「ゴアテックス（登録商標）」）に変更して接着性積層フィルムを作製しようとしたが、接着剤フィルムを応力緩和層（延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム）に接着する際に、ロール間で応力緩和層（延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム）が潰されてしまい、厚さが十分に維持できなかったため、これを用いた半導体内蔵カードの作製は中止した。

実施例７
実施例２で使用した接着剤フィルムの厚さを３０μｍに変更した他は、実施例２と同様にして半導体内蔵カードを得た。上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム、および半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

実施例８
接着性積層フィルムの有する接着層の片方のみをポリエステル系接着剤フィルム（実施例５と同様のもの。ただし厚さは５０μｍ）に変更し、さらに応力緩和層を構成する延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムを、実施例２で用いたのと同じものとした他は、実施例１と同様にして半導体内蔵カードを得た。なお、ポリエステル系接着剤フィルムからなる接着層は、カードフレーム側とした。上記延伸多孔質ＰＴＦＥフィルム、および半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

比較例２
厚さを１２０μｍとした以外は実施例５と同様にポリエステル系接着剤フィルムを作製した。離型フィルムから剥離した上記ポリエステル系接着剤フィルムを、応力緩和層を有する上記接着性積層フィルムの代わりに用いた他は、実施例１と同様にして半導体内蔵カードを得た。この半導体内蔵カードについて、上述の評価を行った。結果を表１に示す。

表１の剥離面の欄は、曲げ剥離強度を測定した後の半導体内蔵カードにおいて、どの部分で剥離が生じているかを示しており、「接着性積層フィルム」は、応力緩和層の材料破壊を、「接着界面」は、接着層（接着剤フィルム）と半導体実装基板あるいはカードフレームとの界面を意味している。

表１から分かるように、半導体実装基板−カードフレーム間に応力緩和層が介在している半導体内蔵カード（実施例１〜８）では、応力緩和層を有しない半導体内蔵カード（比較例１、２）に比べて、曲げ剥離強度が大きく、半導体実装基板−カードフレーム間の剥離抑制効果が発揮されていることが確認できる。また、接着剤樹脂フローも小さくなっている。特に引張弾性率および引張破壊伸びの両者が好適な値である延伸多孔質ＰＴＦＥフィルムの応力緩和層を有し、引張弾性率と厚さの積の値が好適である接着層をカードフレーム側に形成した実施例１〜５および８の半導体内蔵カードでは、曲げ剥離強度が非常に良好であり、上記剥離抑制効果が顕著である。

本発明の半導体内蔵カード（メモリーカード）の構造の一例を示す模式図である。図１のメモリーカードの１−１線断面図である。本発明の半導体内蔵カードが曲げ応力を受けた際の様子を示す拡大図である。

符号の説明

１０半導体内蔵カード（メモリーカード）
１１カードフレーム
１２半導体実装基板
１３接続端子
１４応力緩和層
１５接着層

Claims

半導体を実装した基板とカードフレームを構成要素に含む半導体内蔵カードであって、
上記基板と上記カードフレームの間に、応力緩和層が介在しているものであることを特徴とする半導体内蔵カード。
上記応力緩和層は、樹脂フィルムから構成されてなるものである請求項１に記載の半導体内蔵カード。
上記応力緩和層を構成する樹脂フィルムは、引張弾性率が１〜１３００ＭＰａであり、且つ引張破壊伸びが５％以上である請求項１または２に記載の半導体内蔵カード。
上記応力緩和層は、多孔質構造を有するものである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体内蔵カード。
上記応力緩和層を構成する樹脂フィルムは、厚さが０．００５〜０．５ｍｍである請求項２〜４のいずれかに記載の半導体内蔵カード。
上記応力緩和層は、延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムよりなるものである請求項１〜５のいずれかに記載の半導体内蔵カード。
上記延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムは、空孔率が３０〜９５％である請求項６に記載の半導体内蔵カード。
上記応力緩和層と上記基板との間に接着層Ａが介挿され、かつ上記応力緩和層と上記カードフレームとの間にも接着層Ｂが介挿されており、これら接着層ＡおよびＢによって、上記応力緩和層が上記基板および上記カードフレームと固着されている請求項１〜７のいずれかに記載の半導体内蔵カード。
上記基板と上記接着層Ａとの界面の引き剥がし強度、および上記カードフレームと上記接着層Ｂとの界面の引き剥がし強度が、いずれも０．４Ｎ／ｍｍ以上である請求項８に記載の半導体内蔵カード。
上記接着層Ａと接着層Ｂが、互いに異なる接着剤によって構成されている請求項８または９に記載の半導体内蔵カード。
上記接着層Ａを構成する接着剤が、熱硬化性樹脂である請求項８〜１０のいずれかに記載の半導体内蔵カード。
上記熱硬化性接着剤がエポキシ系樹脂である請求項１１に記載の半導体内蔵カード。
上記接着層Ｂを構成する接着剤が、熱可塑性樹脂である請求項８〜１０のいずれかに記載の半導体内蔵カード。
上記熱可塑性樹脂がポリエステル系樹脂である請求項１３に記載の半導体内蔵カード。
上記接着層Ｂの引張弾性率と厚さの積が、５０ＭＰａ・ｍｍ以下である請求項８〜１４のいずれかに記載の半導体内蔵カード。
上記接着層Ａおよび接着層Ｂは、延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの空孔に接着剤が充填されてなるものである請求項８〜１５のいずれかに記載の半導体内蔵カード。