JP2005129697A - 半導体素子の温度監視装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 複数の半導体素子のうちの1つの半導体素子で温度上昇した場合でも正確に半導体素子の温度を検出して過温度による素子破壊から半導体素子を保護することのできる半導体素子の温度監視装置を提供する。
【解決手段】 それぞれの温度検出用ダイオード2a、2bに流れる電流を電流検出部3a、3bで検出し、検出された電流が所定の電流値より増加していることを電流増加検知回路4a、4bが検知すると、電源5に検知信号を出力する。電源5は検知信号を受信すると一定電流Istの電流値を減少させることによって、過温度による素子破壊から半導体素子1a、1bを保護する。
【選択図】 図1
【解決手段】 それぞれの温度検出用ダイオード2a、2bに流れる電流を電流検出部3a、3bで検出し、検出された電流が所定の電流値より増加していることを電流増加検知回路4a、4bが検知すると、電源5に検知信号を出力する。電源5は検知信号を受信すると一定電流Istの電流値を減少させることによって、過温度による素子破壊から半導体素子1a、1bを保護する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、IGBTなどの半導体素子の温度を検出して監視することによって、半導体素子を温度上昇による素子破壊から保護する半導体素子の温度監視装置に関する。
従来、モータを駆動するためのインバータ装置では、IGBTやパワーMOSに代表されるパワー半導体素子を、大電流を得るために複数並列接続させて各アームを構成し、これらの半導体素子をスイッチング動作させてモータに交流電力を供給していた。
このようなインバータ装置に使用されている半導体素子に過電流が流れた場合には、素子温度が上昇し破壊に至る。したがって、素子破壊に至る温度になる前に半導体素子をカットオフさせる必要があり、そのための保護回路を動作させるには素子温度を正確に監視する必要があった。
このような素子温度を監視する従来例として、特開平10−38964号公報(特許文献1)が開示されている。この公報で開示されている従来の温度検出装置では、スイッチング素子であるIGBT素子を2チップ並列に備えている場合について説明しており、各IGBT素子上には温度検出用のダイオードが備えられている。そして、各ダイオードを並列接続するとともに1つの電流源から一定電流を流してダイオードの順方向電圧をモニタしている。ここで、ダイオードの順方向電圧は温度に対してリニアに減少する特性なので、温度検出装置は順方向電圧をモニタすることによって所望の検出温度に達したことを検出することができる。
また、別の従来例として、特開2001−133330号公報(特許文献2)も開示されている。この従来例では、上述した特許文献1と同様に各IGBT素子にダイオードを設けて並列に接続し、各IGBT素子の温度を検出する半導体モジュールの温度検出装置が開示されている。ただし、特許文献2では複数のIGBT素子のそれぞれに抵抗を作りこみ、その抵抗と温度検出用ダイオードとを直列に接続する構成としている。
特開平10−38964号公報
特開2001−133330号公報
しかしながら、上述した特許文献1に開示された従来例は、すべてのIGBT素子が同様に温度上昇した場合には正確に温度を検出できるものの、複数のIGBT素子のうちの1つのIGBT素子のみで温度上昇が発生し、その他のIGBT素子で温度上昇が発生しなかった場合には、正確にIGBT素子の温度を検出できなくなるという問題点があった。
この問題点について説明すると、まず1つのIGBT素子のみで温度上昇が発生すると、複数のIGBT素子に均等に流れていた電源からの電流が、温度上昇したIGBT素子のダイオードに多く流れるようになる。これはダイオードの見かけ上の順方向抵抗が温度上昇により小さくなるためである。ところが、電源から供給される電流は一定であるため温度上昇したIGBT素子のダイオードに多く流れた分だけ、その他のIGBT素子のダイオードに流れる電流は少なくなる。
このとき、温度検出用ダイオードの順方向電圧は下がるものの、すべてのダイオードに均等に流れていた場合よりも電圧の低下が少なくなる。したがって、あらかじめ設定されている所定の電圧まで下がるのが遅れることになり、温度上昇しているIGBT素子をカットオフするのが遅れ、IGBT素子の温度は異常に上昇してしまうことになる。これにより複数のIGBT素子のうちの1つのIGBT素子のみに温度上昇が発生すると、特許文献1の従来例では温度上昇したIGBT素子が破壊に至るという可能性が大きかった。
さらに、順方向電圧が所定の電圧まで下がったときには温度上昇しているIGBT素子のダイオードには非常に大きな電流が流れているという問題点もあった。
また、上述した特許文献2に開示された従来例は、上述した特許文献1の問題点に鑑み、IGBT素子に設けられた温度検出用のダイオードに抵抗を直列に接続し、この直列接続されたダイオードと抵抗との端子間電圧に基づいて温度を検出する構成となっている。しかし、このような構成にしたことによってシステムとして考えた場合には検出温度の精度が向上しないという問題点があった。
この問題点について説明すると、一般的に抵抗の抵抗値は温度に対して正の特性を有しているため、一定電流を流した場合には抵抗両端の電圧は温度上昇に伴って大きくなる。一方、ダイオードの順方向電圧は温度に対して負の特性を有しているため、順方向電圧は温度の上昇に伴って低くなる。
このため、ダイオードと抵抗とを直列に接続すると、それぞれの特性が相殺されてしまうことになり、IGBT素子の温度上昇に対して端子間電圧の低下は緩やかなものになってしまう。
したがって、特許文献2に開示された従来例では、ダイオードと抵抗とを直列に接続したことによって端子間電圧の温度に対する特性が緩やかなものになってしまい、温度検出回路での検出精度が悪化するという問題点があった。
この発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、複数の半導体素子の中の1つの半導体素子で温度上昇が発生した場合でも、正確に半導体素子の温度を検出して過温度による素子破壊から半導体素子を保護することのできる半導体素子の温度監視装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、それぞれ並列に接続された複数の温度検出用ダイオードと、前記温度検出用ダイオードに一定電流を供給する電源と、前記温度検出用ダイオードの出力電圧に基づいて、半導体素子の温度を検出する温度検出手段とを備えた半導体素子の温度監視装置において、前記温度検出用ダイオードのそれぞれに流れる電流を検出する電流検出手段と、前記電流検出手段によって検出された前記温度検出用ダイオードに流れる電流が、所定の電流値より増加したことを検知すると、前記電源に検知信号を出力する電流増加検知手段とを備え、前記電源は前記検知信号を受信すると、前記一定電流の電流値を減少させることを特徴とする。
本発明に係る半導体素子の温度監視装置では、各温度検出用ダイオードに流れている電流を検出して電流の増加しているダイオードがあるときには、電源から供給される一定電流の電流値を減少させることによって、複数の半導体素子の中の1つの半導体素子で温度上昇が発生した場合でも正確に半導体素子の温度を検出することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図1は、本発明に係る半導体素子の温度監視装置の一実施形態の構成を示すブロック図である。同図に示すように、この温度監視装置は、温度の監視対象となるIGBTなどの半導体素子1a、1bと、これらの半導体素子1a,1bの温度を検出するための温度検出用ダイオード2a、2bと、それぞれの温度検出用ダイオード2a、2bに流れる電流を検出する電流検出部3a、3b(電流検出手段)と、この電流検出部3a、3bで検出された電流値が、所定の電流値より増加したことを検知すると、検知信号を出力する電流増加検知回路4a、4b(電流増加検知手段)と、温度検出用ダイオード2a、2bに一定電流を供給し、検知信号を受信すると一定電流の電流値を減少させる電源5と、温度検出用ダイオード2a、2bの順方向電圧Vfに基づいて温度検出用ダイオード2a、2bの温度を検出する温度検出回路6(温度検出手段)と、半導体素子1a、1bにカットオフする信号を出力するゲート制御回路7(半導体素子制御手段)とを備えている。
半導体素子1a、1bは、モータを駆動するためのインバータ装置などを構成している複数の並列接続されたスイッチング素子で、例えばIGBT素子などである。本実施形態では、並列接続された半導体素子が2つの場合について説明するが、3つ以上の半導体素子を並列に接続した場合でも同様に説明することが可能であり、本発明が2つの半導体素子を並列接続した場合に限定されるものではない。
温度検出用ダイオード2a、2bは、半導体素子1a、1bにそれぞれ作りこまれていて、半導体素子1a、1bの温度が上昇すると、温度検出用ダイオード2a、2bの順方向電圧Vfがリニアに減少する。
電流検出部3a、3bは、それぞれ温度検出用ダイオード2a、2bに流れる電流Ia、Ibを検出する。
電流増加検知回路4a、4bは、電流検出部3a、3bで検出された電流値があらかじめ設定されている所定の電流値よりも増加しているか否かを検出し、増加していることを検知したときには検知信号を電源5に出力する。ここで、電流検出部3a、3bと電流増加検知回路4a、4bの実施例を図2、図3に示す。同図に示すように、電流検出部3a、3bは抵抗Rsや電流センサ31を使って簡単に構成することができる。また、電流増加検知回路4a、4bも抵抗R1〜R8及びオペアンプOPE1〜OPE3を使った簡単な回路で構成することができる。ただし、本発明の電流検出部3a、3b及び電流増加検知回路4a、4bが図2、図3で示した実施例に限定されるものではない。
電源5は、通常の状態のときは温度検出用ダイオード2a、2bに一定電流を供給しているが、電流増加検知回路4a、4bからの検知信号を受信すると、一定電流の電流値を減少させる。そして、その後は減少した電流値の一定電流を再び検知信号を受信するまで供給し続ける。
温度検出回路6は、温度検出用ダイオード2a、2bの順方向電圧Vfを検出し、この順方向電圧Vfが、あらかじめ設定された電圧値より低くなったときには、ゲート制御回路7に検出信号を出力する。
ゲート制御回路7は、温度検出回路6からの検出信号を受信すると、半導体素子1a、1bをカットオフして、半導体素子1a、1bを過温度による阻止破壊から保護する。
次に、本実施形態に係る半導体素子の温度監視装置の動作について説明する。
半導体素子1a、1bにON/OFFの動作をさせることによって損失が発生すると、半導体素子1a、1bの温度が上昇する。このとき、半導体素子1a、1bの両方が同じように温度上昇する場合と、1つの半導体素子だけが温度上昇する場合とがあり、それぞれに分けて説明する。
まず、半導体素子1a、1bの両方が同じ温度だけ上昇した場合について説明する。電源5からは常に一定電流Istが出力され、温度検出用ダイオード2a、2bに供給されている。そして、半導体素子1a、1bの両方が温度Ta[K]から温度Tb[K]へと上昇したとすると、温度検出用ダイオード2a、2bの順方向電圧Vfは温度の上昇に伴ってリニアに減少する。
ここで、図4に温度検出用ダイオード2a、2bの温度−順方向電圧特性を示す。同図に示すように、半導体素子1a、1bの温度がTa[K]からTb[K]へと上昇すると、温度検出用ダイオード2a、2bの順方向電圧VfはVfaからVfbへとリニアに減少する。このとき温度検出用ダイオード2a、2bに流れる電流は、それぞれのダイオードに流れる電流をIa、Ibとすると、Ia=Ib=Ist/2で一定となる。
ここで、各温度における温度検出用ダイオード2a、2bの順方向電圧−電流特性を図5に示す。同図に示すように、Ta[K]のときの順方向電圧−電流特性は曲線Laとなり、Tb[K]のときの順方向電圧−電流特性は曲線Lbとなる。そして、温度がTa[K]からTb[K]へと上昇すると、電流Ia、Ibは図の矢印Aで示すように変化して電流値はIa=Ib=Ist/2で一定となる。したがって、電流検出部3a、3bで検出される電流には変化がなく、これによって電流増加検知回路4a、4bが電流の増加を検知することはない。したがって、電源5から供給される一定電流Istの電流値は変化しない。
一方、温度検出回路6は、温度検出用ダイオード2a、2bの順方向電圧Vfを検出しており、この順方向電圧Vfが、あらかじめ設定された電圧値より低くなったときには、半導体素子1a、1bの温度が高くなっていると判断して、ゲート制御回路7に検出信号を出力する。
そして、ゲート制御回路7は、温度検出回路6からの検出信号を受信すると、半導体素子1a、1bをカットオフし、これによって半導体素子1a、1bを温度上昇による素子破壊から保護している。
次に、何らかの原因により半導体素子1aのみが温度上昇した場合について説明する。ここでは、半導体素子1aが温度Ta[K]から温度Tb[K]へと上昇し、半導体素子1bは温度Ta[K]のままだったとする。このとき、電源5からは常に一定電流Istが出力されており、温度検出用ダイオード2a、2bに供給されている。
ここで、温度上昇前の温度検出用ダイオード2aに流れる電流をIa、温度検出用ダイオード2bに流れる電流をIbとし、温度上昇後の温度検出用ダイオード2aに流れる電流をIa'、温度検出用ダイオード2bに流れる電流をIb'とする。そして、半導体素子1aの温度が上昇するにしたがって温度検出用ダイオード2a、2bに流れている電流の均衡が崩れ、温度上昇前はIa=Ib=Ist/2だった関係が、温度上昇後の電流値はIa<Ia'、Ia'>Ib'という関係になろうとする。これは半導体素子1aの温度が上昇しているために、温度検出用ダイオード2aが温度検出用ダイオード2bと比較して見かけ上の抵抗が小さくなり、このために電源5からの一定電流Istが温度検出用ダイオード2aのほうに常に多く流れようとするからである。
しかし、こうして電流Ia'が増加すると、電流増加検知回路4aは、電流検出部3aで検出された電流値Ia'があらかじめ設定された所定の電流値より大きくなったことを検知し、検知信号を電源5に出力する。
電源5はこの検知信号を受信すると、それまで出力していた一定電流Istの電流値を減少させる。そして、電流増加検知回路4aは電流Ia'があらかじめ設定された電流値以下になるまで検知信号を出力し続けるので、電源5は電流Ia'の電流値が温度上昇前の電流Iaの電流値と等しくなるまで一定電流Istの電流値を減少させ続ける。
したがって、この結果温度上昇した温度検出用ダイオード2aに流れる電流Ia'は温度上昇後も変化することなくIa=Ia'で一定となり、一方温度上昇していない温度検出用ダイオード2bの電流Ib'は一定電流Istが減少したので減少する。
ここで、温度検出用ダイオード2a、2bの各温度における順方向電圧−電流特性を図6に示す。同図に示すように、Ta[K]のときの順方向電圧−電流特性は曲線Laとなり、Tb[K]のときの順方向電圧−電流特性は曲線Lbとなる。そして、温度がTa[K]からTb[K]へと上昇すると、電流Iaは図の矢印A1で示すような軌跡を通って変化し、電流値はIa=Ia'で一定となる。一方、温度上昇のなかった温度検出用ダイオード2bに流れる電流Ibの電流値は、電源5から供給される一定電流Istが減少するので、矢印A2で示すような軌跡を通って減少していく。
こうして温度検出用ダイオード2a、2bに流れる電流Ia、Ibが変化し、温度検出用ダイオード2a、2bの順方向電圧Vfが低下する。このとき、電圧Vfの低下する大きさ(矢印A1の長さ)は、図5で示した場合の電圧Vfの低下する大きさ(矢印Aの長さ)と同じになる。したがって、すべての半導体素子で温度上昇があった場合も、どれか1つの半導体素子のみで温度上昇があった場合も同じように順方向電圧Vfが低下する。
そして、温度検出回路6は順方向電圧Vfがあらかじめ設定された電圧値より低くなったときには、半導体素子1a、1bの温度が高くなっていると判断して、ゲート制御回路7に検出信号を出力する。
ゲート制御回路7は、温度検出回路6からの検出信号を受信すると、半導体素子1a、1bをカットオフし、これによって半導体素子1a、1bを温度上昇による素子破壊から保護している。
このように、本実施形態に係る半導体素子の温度監視装置では、それぞれの温度検出用ダイオードに流れる電流を検出し、電流が増加しているときには電源からの一定電流の電流値を減少させるので、複数の半導体素子の中の1つの半導体素子で温度上昇が発生した場合でも正確に半導体素子の温度を監視することができる。さらに、半導体素子の温度が所定の温度を超えると、半導体素子をカットオフするので、過温度による素子破壊から半導体素子を保護することができる。
また、モータを駆動するためのインバータ装置は、複数のIGBT素子などの半導体素子で構成されており、このようなIGBT素子は温度上昇によって素子破壊に至る可能性が大きいので、本実施形態の半導体素子の温度監視装置をインバータ装置の温度の監視に利用することは極めて有用である。
以上、本発明の半導体素子の温度監視装置を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は同様の機能を有する任意の構成のものに置き換えることができる。
例えば、上述した実施形態では、インバータ装置のIGBT素子を例に挙げたが、本発明はこれに限定されるものではなく、その他の半導体素子の温度監視についても適用することができる。
電気自動車等のモータを駆動するためのインバータ装置などにおける複数の半導体素子の温度の監視に極めて有用である。
1a、1b 半導体素子
2a、2b 温度検出用ダイオード
3a、3b 電流検出部
4a、4b 電流検知回路
5 電源
6 温度検出回路
7 ゲート制御回路
31 電流センサ
R1〜R8、Rs 抵抗
OPE1〜OPE3 オペアンプ
La、Lb 順方向電圧−電流特性
A、A1、A2 矢印
2a、2b 温度検出用ダイオード
3a、3b 電流検出部
4a、4b 電流検知回路
5 電源
6 温度検出回路
7 ゲート制御回路
31 電流センサ
R1〜R8、Rs 抵抗
OPE1〜OPE3 オペアンプ
La、Lb 順方向電圧−電流特性
A、A1、A2 矢印
Claims (3)
- それぞれ並列に接続された複数の温度検出用ダイオードと、
前記温度検出用ダイオードに一定電流を供給する電源と、
前記温度検出用ダイオードの出力電圧に基づいて、半導体素子の温度を検出する温度検出手段とを備えた半導体素子の温度監視装置において、
前記温度検出用ダイオードのそれぞれに流れる電流を検出する電流検出手段と、
前記電流検出手段によって検出された前記温度検出用ダイオードに流れる電流が、所定の電流値より増加したことを検知すると、前記電源に検知信号を出力する電流増加検知手段とを備え、
前記電源は前記検知信号を受信すると、前記一定電流の電流値を減少させることを特徴とする半導体素子の温度監視装置。 - 前記温度検出手段によって検出された温度が、所定の温度以上であるときには、前記半導体素子をカットオフする半導体素子制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の温度監視装置。
- 前記温度検出用ダイオードは、インバータ装置のスイッチング素子に設けられた温度検出用ダイオードであることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体素子の温度監視装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003363129A JP2005129697A (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 半導体素子の温度監視装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003363129A JP2005129697A (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 半導体素子の温度監視装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2005129697A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008092688A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Nissan Motor Co Ltd | インバータ制御装置 |
KR102111014B1 (ko) * | 2019-07-16 | 2020-05-14 | 스마트론파워(주) | 전원공급장치의 과 온도 제어 회로 및 제어 방법 |
-
2003
- 2003-10-23 JP JP2003363129A patent/JP2005129697A/ja active Pending
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JP2008092688A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Nissan Motor Co Ltd | インバータ制御装置 |
KR102111014B1 (ko) * | 2019-07-16 | 2020-05-14 | 스마트론파워(주) | 전원공급장치의 과 온도 제어 회로 및 제어 방법 |
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