JP2005128410A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 EL表示装置1において、各画素11には、EL素子20に印加する電流を供給するTFTからなる駆動用トランジスタ30と、駆動用トランジスタ30のゲートに接続された蓄積容量40と、蓄積容量40に直列に接続されて、蓄積容量40にデータ信号を書き込むタイミングを制御する第1のTFT50とが構成され、TFT50については、ソース領域側のチャネル幅寸法の小さな非対称構造のTFTを用いて、駆動用トランジスタ30のゲートバイアスを安定化する。
【選択図】 図2
Description
図4(A)、(B)は、本発明に係る非対称構造のTFTの平面図、および断面図である。図5は、非対称構造のTFT、従来のセルフアライン構造のTFT、および従来のLDD構造のTFTのゲート−ソース電圧と、ドレイン−ソース電流の関係を示すグラフである。
図6(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明に係る別の非対称構造のTFTの平面図である。なお、図6(A)、(B)、(C)、(D)に示すTFTは、基本的な構成が図4(A)、(B)に示すTFTと共通しているので、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
上記形態に係るEL表示装置1をカラー表示用に構成する場合には、EL素子20としては、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色のEL素子20が形成される。赤(R)用のEL素子、緑(G)用のEL素子、青(B)用のEL素子のいずれも、図3に実線L21で示すダイオード特性を有している場合には、赤(R)、緑(G)、青(B)のいずれの画素11においても、第2のTFT60がオン状態になった際、ドレイン−ソース電圧VdsがポイントP11からポイントP12に示す位置にシフトする。従って、オフ状態にある第1のTFT50では、ソース電位がドレイン電位よりも高くなる。それ故、赤(R)、緑(G)、青(B)のいずれの画素11においても、第1のTFT50として、図4および図6を参照して説明した非対称構造のTFTを用いればよい。
図7(A)、(B)はそれぞれ、本発明に係るEL表示装置1(電気光学装置)を用いた電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータの説明図、および携帯電話機の説明図である。
Claims (16)
- マトリクス状に配置された多数の画素の各々に、少なくとも、電気光学素子、および該電気光学素子を駆動するための1ないし複数のトランジスタを備えた電気光学装置において、
前記多数の画素には、前記トランジスタのうちの少なくとも1つに、ソース領域側のチャネル幅寸法とドレイン領域側のチャネル幅寸法が相違する非対称構造の薄膜トランジスタが用いられた複数の画素が含まれていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1において、前記多数の画素の全てにおいて、前記非対称構造の薄膜トランジスタが用いられていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1または2において、前記非対称構造の薄膜トランジスタはnチャネル型であり、ソース・ドレイン領域のうち、当該薄膜トランジスタのオフ時に高電位側となる方にチャネル幅寸法の小さい方が配置されていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1または2において、前記非対称構造の薄膜トランジスタはpチャネル型であり、ソース・ドレイン領域のうち、当該薄膜トランジスタのオフ時に低電位側となる方にチャネル幅寸法の小さい方が配置されていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1ないし4のいずれかにおいて、前記電気光学素子は、電流駆動型発光素子であることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項5において、前記電流駆動型発光素子は、エレクトロルミネッセンス素子であり、
前記多数の画素は各々、前記トランジスタとして、少なくとも、前記エレクトロルミネッセンス素子に印加する電流を制御する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタのゲートに接続された蓄積容量と、前記蓄積容量に直列に接続されて、当該蓄積容量にデータ信号を書き込むタイミングを制御する第1のスイッチング素子とを備え、
前記多数の画素には、前記第1のスイッチング素子として前記非対称構造の薄膜トランジスタが用いられている複数の画素が含まれていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項6において、前記多数の画素の各々には、前記トランジスタとして、前記駆動用トランジスタ、および前記第1のスイッチング素子に加えて、前記駆動用トランジスタに直列に接続されて前記EL素子に流す電流をオンオフする第2のスイッチング素子と、前記第1のスイッチング素子に対して前記蓄積容量とは反対側に直列接続された第3のスイッチング素子とを備え、
前記第1のスイッチング素子と前記第3のスイッチング素子との電気的な接続点と、前記駆動用トランジスタと前記第2のスイッチング素子との電気的な接続点とが短絡されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項6または7において、前記エレクトロルミネッセンス素子として、各色に対応する複数種類のエレクトロルミネッセンス素子が形成され、
いずれの色に対応する画素においても、ソース・ドレイン領域のうち、チャネル幅寸法の小さい方が前記蓄積容量の側に接続されているか、チャネル幅寸法の大きい方が前記蓄積容量の側に接続されているかが同一であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項6または7において、前記エレクトロルミネッセンス素子として、各色に対応する複数種類のエレクトロルミネッセンス素子が形成され、
ソース・ドレイン領域のうち、チャネル幅寸法の小さい方が前記蓄積容量の側に接続されているか、チャネル幅寸法の大きい方が前記蓄積容量の側に接続されているかが、画素が対応する色によって相違していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1ないし9のいずれかにおいて、前記非対称構造の薄膜トランジスタは、能動層が低温ポリシリコン膜から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1ないし10のいずれかにおいて、前記非対称構造の薄膜トランジスタは、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域がこの順に同心円状に配置されていることにより、ソース領域側のチャネル幅とドレイン領域側のチャネル幅が相違していることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1ないし10のいずれかにおいて、前記非対称構造の薄膜トランジスタは、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域がこの順に円弧状に配置されていることにより、ソース領域側のチャネル幅寸法とドレイン領域側のチャネル幅寸法が相違していることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1ないし10のいずれかにおいて、前記非対称構造の薄膜トランジスタは、半導体膜が三角あるいは台形の平面形状をもって形成され、その高さ方向において、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域がこの順に配置されていることにより、ソース領域側のチャネル幅寸法とドレイン領域側のチャネル幅寸法が相違していることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1ないし13のいずれかにおいて、前記非対称構造の薄膜トランジスタは、ダブルゲート構造を備えていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1ないし14のいずれかにおいて、前記非対称構造の薄膜トランジスタは、LDD構造あるいはオフセットゲート構造を備えていることを特徴とする電気光学装置。
- 請求項1ないし15のいずれかに規定する電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
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