JP2005124019A - 温度補償圧電発振器 - Google Patents
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Abstract
【課題】1次関数電圧発生回路13および3次関数電圧発生回路14の調整の段階では、どちらかの電圧発生回路をスイッチによって開放してそれぞれ個別に出力電圧を観測するため、調整に時間がかかる
【解決手段】可変容量ダイオードD1と、これより容量変化率が大きい、可変容量ダイオードD2と、コンデンサC1を水晶振動子Y1に直列に接続し、該水晶振動子Y1と発振回路5を接続して形成したVCXO6に、温度補償回路4の1次関数電圧発生回路2より前記可変容量ダイオードD1に、また、3次関数電圧発生回路3より前記可変容量ダイオードD2にそれぞれ補償電圧を印加する。
【選択図】図1
【解決手段】可変容量ダイオードD1と、これより容量変化率が大きい、可変容量ダイオードD2と、コンデンサC1を水晶振動子Y1に直列に接続し、該水晶振動子Y1と発振回路5を接続して形成したVCXO6に、温度補償回路4の1次関数電圧発生回路2より前記可変容量ダイオードD1に、また、3次関数電圧発生回路3より前記可変容量ダイオードD2にそれぞれ補償電圧を印加する。
【選択図】図1
Description
本発明は、温度補償水晶発振器に関し、特に温度センサ回路、1次関数特性及び3次関数特性の制御電圧発生回路を有する温度補償水晶発振器に関する。
近年、携帯電話端末等の移動体通信市場の急激な拡大に伴って、高い周波数安定度を有する温度補償水晶発振器(以下、TCXOという)が、移動体通信機器の基準周波数源として広く用いられている。そして、小型化、低価格化の要望は非常に強くなっている。
本来、水晶振動子を周波数制御素子として用いる水晶発振器は、それに用いる水晶振動子の周波数温度特性に従って周囲温度の変化に応じて発振周波数が変化する。
そこで、TCXOは、水晶振動子を含む発振ループ中に電圧制御可能な可変容量ダイオードを挿入接続し、該可変容量ダイオードに印加する電圧の変化量と発振周波数の変動量が比例するように構成した電圧制御水晶発振器(以下、VCXOという)を構成する。そして、前記可変容量ダイオードに該VCXOの温度による周波数変化を抑制するようにその容量を変化させる温度補償電圧を発振ループの外部より印加することで温度補償を行うものである。
本来、水晶振動子を周波数制御素子として用いる水晶発振器は、それに用いる水晶振動子の周波数温度特性に従って周囲温度の変化に応じて発振周波数が変化する。
そこで、TCXOは、水晶振動子を含む発振ループ中に電圧制御可能な可変容量ダイオードを挿入接続し、該可変容量ダイオードに印加する電圧の変化量と発振周波数の変動量が比例するように構成した電圧制御水晶発振器(以下、VCXOという)を構成する。そして、前記可変容量ダイオードに該VCXOの温度による周波数変化を抑制するようにその容量を変化させる温度補償電圧を発振ループの外部より印加することで温度補償を行うものである。
図3は、TCXOの温度補償動作の説明図である。同図(a)はTCXOの一般的な回路図であって、本TCXOはATカットの水晶振動子Yと可変容量ダイオードDと発振回路7とを含むVCXO8と、抵抗Rを介して前記VCXO8に温度補償制御電圧Vcを供給する温度補償回路9とで構成される。
前記VCXO8の周波数温度特性は、温度補償回路9からの制御電圧Vcが一定であるなら、同図(b)に実線で示される3次関数で近似される特性を有している。
さらに、前記可変容量ダイオードDの印加電圧Vcに対する容量値は、同図(c)に示される特性を有するものである。
したがって、図3(a)の温度補償回路9からは、同図(b)の点線で示されるような実線とは逆の3次関数に近似される特性の制御電圧VcがVCXO8に印加されれば、実線のVCXO8がもつ周波数温度特性を相殺して温度変化に対して周波数を一定に保つことができる。
前記VCXO8の周波数温度特性は、温度補償回路9からの制御電圧Vcが一定であるなら、同図(b)に実線で示される3次関数で近似される特性を有している。
さらに、前記可変容量ダイオードDの印加電圧Vcに対する容量値は、同図(c)に示される特性を有するものである。
したがって、図3(a)の温度補償回路9からは、同図(b)の点線で示されるような実線とは逆の3次関数に近似される特性の制御電圧VcがVCXO8に印加されれば、実線のVCXO8がもつ周波数温度特性を相殺して温度変化に対して周波数を一定に保つことができる。
前述の手段によって温度補償を行うTCXOにおいては、可変容量ダイオードに印加する温度補償制御電圧は、従来、サーミスタと抵抗を用いた回路網から発生させる手法が一般的であったが、最近では、本出願人等による特開平10−270942号公報に開示されているような、TCXOにおける温度補償回路が1次関数電圧発生回路と3次関数電圧発生回路とで構成される方式がある。
図4は、特開平10−270942号公報に開示された従来例としてのTCXOの回路図である。同図に示すように、本TCXOは温度補償回路10とVCXO11とで構成され、前記温度補償回路10は、温度センサ回路12と、該温度センサ回路12の出力する温度情報を入力とする1次関数電圧発生回路13および3次関数電圧発生回路14と、前記1次関数電圧発生回路13の出力端に直列接続したスイッチSW11及び前記3次関数電圧発生回路14の出力端に直列接続したSW12とで構成され、各電圧発生回路には係数調整用の可変抵抗である抵抗R11とR12がそれぞれ設けられている。
また、VCXO11は、可変容量ダイオードD11と水晶振動子Y11と発振回路15を含み、前記可変容量ダイオードD11には抵抗R13を介して温度補償回路10からの制御電圧Vconが印加される。
前記スイッチSW11、SW12は、通常の動作時においてはいずれも閉路されており、温度センサ回路12の出力電圧Vsenが1次関数電圧発生回路13及び3次関数電圧発生回路14に入力され、それぞれの関数電圧発生回路で温度に関する1次電圧及び3次電圧が生成され、これが合成されてVCXO11に出力される。
前記スイッチSW11、SW12は、通常の動作時においてはいずれも閉路されており、温度センサ回路12の出力電圧Vsenが1次関数電圧発生回路13及び3次関数電圧発生回路14に入力され、それぞれの関数電圧発生回路で温度に関する1次電圧及び3次電圧が生成され、これが合成されてVCXO11に出力される。
前記温度補償回路10の調整法は次のとおりである。まず、あらかじめ温度センサ回路12の温度−電圧特性を測定する。次に、温度変化に対しVCXO11の発振周波数を一定値(f0 )に保持するために必要な可変容量ダイオードD11に印加する制御電圧Vconを、補償すべき全温度範囲に亘って求める。
これらの測定結果を用いて印加制御電圧Vconの温度に関する3次近似式を計算し、制御電圧Vcの1次及び3次の係数を求める。
この1次及び3次係数を用いて任意の温度における1次関数発生回路13及び3次関数電圧発生回路14のそれぞれの温度補償電圧を計算し、温度センサ回路12の温度-発生電圧特性と組み合わせることによりVCXO11の可変容量ダイオードD11に印加する制御電圧Vcを得ることができる。
この場合、温度補償電圧の微調整は、前記関数電圧発生回路の1次及び3次係数調整用抵抗R11及びR12を用いて調整する。
特開平10−270942号公報
これらの測定結果を用いて印加制御電圧Vconの温度に関する3次近似式を計算し、制御電圧Vcの1次及び3次の係数を求める。
この1次及び3次係数を用いて任意の温度における1次関数発生回路13及び3次関数電圧発生回路14のそれぞれの温度補償電圧を計算し、温度センサ回路12の温度-発生電圧特性と組み合わせることによりVCXO11の可変容量ダイオードD11に印加する制御電圧Vcを得ることができる。
この場合、温度補償電圧の微調整は、前記関数電圧発生回路の1次及び3次係数調整用抵抗R11及びR12を用いて調整する。
しかしながら、前述の温度補償回路においては、1次及び3次関数電圧発生回路の調整は次のように行われる。即ち、1次関数電圧発生回路13の1次係数を調整する場合には、SW12を開放にした上で端子aの出力電圧をディジタルボルトメータ等の電圧測定手段で監視しながら1次係数調整用抵抗R11を調整して所望の1次の温度補償電圧が得られるように調整する。
同様に、3次関数電圧発生回路14の3次係数を調整する場合には、SW11を開放にした上で端子bの出力電圧を監視しながら3次係数調整用抵抗R12を調整し、所望の3次の温度補償電圧が得られるように調整する。そして、これらの調整が終了後、SW11とSW12を閉じて1次の補償電圧と3次の補償電圧を加算してVCXO11に印加する温度補償制御電圧Vcが得られることを確認する。
同様に、3次関数電圧発生回路14の3次係数を調整する場合には、SW11を開放にした上で端子bの出力電圧を監視しながら3次係数調整用抵抗R12を調整し、所望の3次の温度補償電圧が得られるように調整する。そして、これらの調整が終了後、SW11とSW12を閉じて1次の補償電圧と3次の補償電圧を加算してVCXO11に印加する温度補償制御電圧Vcが得られることを確認する。
上述のように、1次関数電圧発生回路13および3次関数電圧発生回路14の調整の段階では、どちらかの電圧発生回路をスイッチによって開放してそれぞれ個別に出力電圧を観測するため、調整に時間がかかるという問題がある。
さらに、この温度補償回路は、通常の使用時には不必要なスイッチを2個備えており、コスト高になるという欠点があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、1次関数電圧発生回路および3次関数電圧発生回路の調整手順が容易で、優れた性能を有する温度補償水晶発振器を提供することを目的とする。
さらに、この温度補償回路は、通常の使用時には不必要なスイッチを2個備えており、コスト高になるという欠点があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、1次関数電圧発生回路および3次関数電圧発生回路の調整手順が容易で、優れた性能を有する温度補償水晶発振器を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1の発明においては、発振ループ内に印加電圧に従ってその容量値が変化する可変容量素子を含む電圧制御圧電発振器と、前記可変容量素子に前記電圧制御圧電発振器の圧電振動子の周波数温度特性を相殺する補償電圧を印加する温度補償回路とから成る温度補償圧電発振器であって、前記電圧制御圧電発振器に含まれる前記可変容量素子が複数個であって、それぞれの可変容量素子に対応した補償電圧発生回路を備えていることを特徴とする。
また、請求項2の発明においては、請求項1に記載の温度補償圧電発振器において、前記複数の可変容量素子を、容量の電圧特性がそれぞれ異なる可変容量素子としたことを特徴とする。
また、請求項2の発明においては、請求項1に記載の温度補償圧電発振器において、前記複数の可変容量素子を、容量の電圧特性がそれぞれ異なる可変容量素子としたことを特徴とする。
請求項3の発明においては、請求項1または請求項2に記載の温度補償圧電発振器において、前記温度補償圧電発振器が、圧電素子としてATカットの水晶振動子を用い、且つ、2個の可変容量素子を備えた電圧制御水晶発振器であって、前記2個の可変容量ダイオードの一方の可変容量素子には温度補償回路としての1次関数電圧発生回路より補償電圧を印加し、他方の可変容量素子には温度補償回路としての3次関数電圧発生回路より補償電圧を印加するように構成したことを特徴とする。
本発明のTCXOは、温度センサ回路及び1次、3次の関数電圧発生回路からなる温度補償回路と負荷容量としての可変容量ダイオードを2個有するVCXOとを組み合わせたTCXOとし、1次及び3次の関数電圧発生回路の出力は、前記の別個の可変容量ダイオードにそれぞれ印加するように構成した。
その結果、1次電圧発生回路及び3次電圧発生回路を相互に独立して調整できるため、従来の調整法よりもはるかに調整法が容易になり、周波数温度特性を何度も測定する必要がなく、調整時間が大幅に短縮できるという効果を奏する。また、容量の電圧特性の異なる可変容量ダイオードを用いることによって、温度補償回路の最大出力電圧を下げることができ、温度補償回路における消費電力を低減できるという効果もある。
その結果、1次電圧発生回路及び3次電圧発生回路を相互に独立して調整できるため、従来の調整法よりもはるかに調整法が容易になり、周波数温度特性を何度も測定する必要がなく、調整時間が大幅に短縮できるという効果を奏する。また、容量の電圧特性の異なる可変容量ダイオードを用いることによって、温度補償回路の最大出力電圧を下げることができ、温度補償回路における消費電力を低減できるという効果もある。
図1は、本発明に係わる温度補償圧電発振器としての水晶発振器の実施の一形態例を示す電気回路図である。
同図に示されるように、本温度補償水晶発振器(以下、TCXOという)は、温度センサ回路1と、該温度センサ回路1の出力する温度情報を入力とする1次関数電圧発生回路2および3次関数電圧発生回路3とから成る温度補償回路4と、可変容量ダイオードD1、D2及びコンデンサC1を水晶振動子Y1に直列に接続し、該水晶振動子Y1と発振回路5を接続して形成される電圧制御水晶発振器(以下、VCXOという)6とで構成される。
前記可変容量ダイオードD1のカソードは前記1次関数電圧発生回路2の出力と、また、前記可変容量ダイオードD2のカソードは前記3次関数電圧発生回路3の出力と、それぞれ高周波阻止抵抗R1、R2を介して接続され、各ダイオードD1、D2のアノードは抵抗R3を介して接地される。
同図に示されるように、本温度補償水晶発振器(以下、TCXOという)は、温度センサ回路1と、該温度センサ回路1の出力する温度情報を入力とする1次関数電圧発生回路2および3次関数電圧発生回路3とから成る温度補償回路4と、可変容量ダイオードD1、D2及びコンデンサC1を水晶振動子Y1に直列に接続し、該水晶振動子Y1と発振回路5を接続して形成される電圧制御水晶発振器(以下、VCXOという)6とで構成される。
前記可変容量ダイオードD1のカソードは前記1次関数電圧発生回路2の出力と、また、前記可変容量ダイオードD2のカソードは前記3次関数電圧発生回路3の出力と、それぞれ高周波阻止抵抗R1、R2を介して接続され、各ダイオードD1、D2のアノードは抵抗R3を介して接地される。
同図において、周囲温度に対応した温度センサ回路1の出力電圧Vsenが1次関数電圧発生回路2及び3次関数電圧発生回路3に入力されると、それぞれの関数電圧発生回路2、3から当該温度に対応する1次電圧Vc1及び3次電圧Vc2が生成され、それぞれ抵抗R1、R2を介して可変容量ダイオードD1、D2に印加される。
その結果、前記可変容量ダイオードD1、D2の容量はそれぞれ所定の値に変化して、VCXO6の発振周波数は所定の値に温度補償される。
その結果、前記可変容量ダイオードD1、D2の容量はそれぞれ所定の値に変化して、VCXO6の発振周波数は所定の値に温度補償される。
図1の温度補償回路4の調整法は、次のとおりである。
まず、あらかじめ温度センサ回路1の温度対電圧特性を測定する。次に、一方の容量ダイオード(例えば、D2)に所定の基準電圧を印加しておき、温度変化に対してVCXO6の発振周波数を所定の値(f0 )に保持するために必要な他方の可変容量ダイオードD1に印加する電圧Vcを、補償すべき全温度範囲に亘って測定する。
この測定結果を用いて、温度に関する印加電圧Vcの3次近似式を計算し、該印加電圧Vcの1次及び3次の係数を求める。
この1次係数及び3次係数を用いて任意の温度における1次関数電圧発生回路2及び3次関数電圧発生回路3のそれぞれの温度補償電圧を計算する。そして、それぞれの計算結果と前記温度センサ回路1の温度-発生電圧特性とを組み合わせることにより可変容量ダイオードD1及びD2に印加する温度補償電圧を得ることができる。
まず、あらかじめ温度センサ回路1の温度対電圧特性を測定する。次に、一方の容量ダイオード(例えば、D2)に所定の基準電圧を印加しておき、温度変化に対してVCXO6の発振周波数を所定の値(f0 )に保持するために必要な他方の可変容量ダイオードD1に印加する電圧Vcを、補償すべき全温度範囲に亘って測定する。
この測定結果を用いて、温度に関する印加電圧Vcの3次近似式を計算し、該印加電圧Vcの1次及び3次の係数を求める。
この1次係数及び3次係数を用いて任意の温度における1次関数電圧発生回路2及び3次関数電圧発生回路3のそれぞれの温度補償電圧を計算する。そして、それぞれの計算結果と前記温度センサ回路1の温度-発生電圧特性とを組み合わせることにより可変容量ダイオードD1及びD2に印加する温度補償電圧を得ることができる。
図2は、図1のTCXOの可変容量ダイオードD1、D2に温度補償回路2より制御電圧Vcを加えて温度補償する動作の説明図であり、(a)は可変容量ダイオードD1、D2の制御電圧対VCXOの周波数変化特性図、(b)は1次関数電圧発生回路2及び3次関数電圧発生回路3の補償電圧の説明図である。
同図(a)に示されるように、前記可変容量ダイオードD1、D2は、図3(c)に示される電圧対容量特性の容量変化率が異なるものである。この可変容量ダイオードD1、D2を用いたVCXO6は、図2(a)に示すように、可変容量ダイオードD2は同一の制御電圧であっても可変容量ダイオードD1より大きな周波数変化が得られる。
同図(a)に示されるように、前記可変容量ダイオードD1、D2は、図3(c)に示される電圧対容量特性の容量変化率が異なるものである。この可変容量ダイオードD1、D2を用いたVCXO6は、図2(a)に示すように、可変容量ダイオードD2は同一の制御電圧であっても可変容量ダイオードD1より大きな周波数変化が得られる。
従来のように、可変容量ダイオードが1個のTCXOでは、全温度範囲において基準の温度t0におけるTCXOの発振周波数f0に一定に保つために必要な制御電圧が同図(b)の実線の3次関数曲線(イ)で示される特性の場合、1次関数電圧発生回路から出力される同図の(ロ)の1次曲線で示される特性の制御電圧と、3次関数電圧発生回路から出力される同図の(ハ)の3次曲線で示される特性の制御電圧とを合成して、前記3次関数曲線(イ)の電圧が得られる。
この合成した特性の制御電圧を可変容量ダイオードに加えることによって、TCXOの周波数変動の温度補償がおこなわれる。
この合成した特性の制御電圧を可変容量ダイオードに加えることによって、TCXOの周波数変動の温度補償がおこなわれる。
これに対して本発明のように、VCXO6が2個の可変容量ダイオードD1、D2を用いる場合に、容量変化率が可変容量ダイオードD1よりも大きい可変容量ダイオードD2を用いれば、1次関数電圧発生回路2から出力される同図の(ロ)の1次曲線で示される特性の制御電圧を可変容量ダイオードD1に加え、3次関数電圧発生回路3からは同図の(ニ)の3次曲線で示される特性の制御電圧を可変容量ダイオードD2に加えれば、所望の周波数変化量が得られて、発振周波数を一定に保つことができる。
したがって、容量変化率の大きな可変容量ダイオードを用いれば、3次関数電圧のような温度変化に対してより大きな出力電圧を必要とする3次関数電圧発生回路には、最大電圧の小さい電圧発生回路でよいことになる。
したがって、容量変化率の大きな可変容量ダイオードを用いれば、3次関数電圧のような温度変化に対してより大きな出力電圧を必要とする3次関数電圧発生回路には、最大電圧の小さい電圧発生回路でよいことになる。
上述のように、本VCXO6には可変容量ダイオードを2個用いて、それぞれ別個に温度補償用の制御電圧を印加して、同時に両電圧を観測しながら調整できるので、調整作業時間を短縮できる。を素早く行うことができる。
また、容量変化率の異なる可変容量ダイオードを用いることによって、補償電圧発生回路の最大出力電圧を低減することができるので、消費電力の小さい温度補償回路を構成することができる。
また、容量変化率の異なる可変容量ダイオードを用いることによって、補償電圧発生回路の最大出力電圧を低減することができるので、消費電力の小さい温度補償回路を構成することができる。
1・・温度センサ回路、 2・・1次関数電圧発生回路、 3・・3次関数電圧発生回路、
4・・温度補償回路、 5・・発振回路、 6・・電圧制御水晶発振器、
7・・発振回路、 8・・電圧制御水晶発振器、 9・・温度補償回路、
10・・温度補償回路、 11・・電圧制御水晶発振器、 12・・温度センサ回路、
13・・1次関数電圧発生回路、 14・・3次関数電圧発生回路、 15・・発振回路、
C1・・コンデンサ、 D、D1、D2、D11・・可変容量ダイオード、
R、R1、R2、R3、R11、R12、R13・・抵抗、
SW11、SW12・・スイッチ、
Y、Y1、Y11・・水晶振動子
4・・温度補償回路、 5・・発振回路、 6・・電圧制御水晶発振器、
7・・発振回路、 8・・電圧制御水晶発振器、 9・・温度補償回路、
10・・温度補償回路、 11・・電圧制御水晶発振器、 12・・温度センサ回路、
13・・1次関数電圧発生回路、 14・・3次関数電圧発生回路、 15・・発振回路、
C1・・コンデンサ、 D、D1、D2、D11・・可変容量ダイオード、
R、R1、R2、R3、R11、R12、R13・・抵抗、
SW11、SW12・・スイッチ、
Y、Y1、Y11・・水晶振動子
Claims (3)
- 発振ループ内に印加電圧に従ってその容量値が変化する可変容量素子を含む電圧制御圧電発振器と、前記可変容量素子に前記電圧制御圧電発振器の圧電振動子の周波数温度特性を相殺する補償電圧を印加する温度補償回路とから成る温度補償圧電発振器であって、
前記電圧制御圧電発振器に含まれる前記可変容量素子が複数個であって、それぞれの可変容量素子に対応した補償電圧発生回路を備えていることを特徴とする温度補償圧電発振器。 - 前記複数の可変容量素子を、容量変化率特性がそれぞれ異なる可変容量素子としたことを特徴とする請求項1に記載の温度補償圧電発振器。
- 前記温度補償圧電発振器が、圧電素子としてATカットの水晶振動子を用い、且つ、2個の可変容量素子を備えた電圧制御水晶発振器であって、前記2個の可変容量ダイオードの一方の可変容量素子には温度補償回路としての1次関数電圧発生回路より補償電圧を印加し、他方の可変容量素子には温度補償回路としての3次関数電圧発生回路より補償電圧を印加するように構成したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の温度補償圧電発振器。
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