JP2005123834A - 画像読取方法および装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 固体検出器から出力された電流を検出し、この電流の量に対応するアナログ信号をデジタル信号に変換して画像信号を生成する画像読取方法および装置において、高ビットのAD変換器を用いることなく、低線量領域のビット分解能を確保する。
【解決手段】 電流検出手段20により各画素毎に複数の異なるゲインGで固体検出器10から出力される電流を検出し、複数の異なるゲインGで検出した各電流の量に対応するアナログ信号をAD変換手段30によりデジタル信号に変換し、画像信号生成手段40により、各画素毎に各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、静電潜像が記録された固体検出器から静電潜像を読み取って画像を形成する画像読取方法および装置に関するものである。
今日、医療診断等を目的とするX線撮影において、固体検出器(半導体を主要部とするもの)を用いて、この固体検出器により被写体を透過したX線を検出して被写体に関するX線画像を表す画像信号を得るX線画像撮影装置が各種提案、実用化されている。
この装置に使用される固体検出器としても、種々の方式が提案されている。例えば、X線を電荷に変換する電荷生成プロセスの面からは、X線が照射されることにより蛍光体から発せられた蛍光を光導電層で検出して得た信号電荷を蓄電部に一旦蓄積して静電潜像を記録し、静電潜像に応じた電流を出力する光変換方式の固体検出器、あるいは、X線が照射されることにより光導電層内で発生した信号電荷を電荷収集電極で集めて蓄電部に一旦蓄積して静電潜像を記録し、静電潜像に応じた電流を出力する直接変換方式の固体検出器等がある。この方式における固体検出器は、光導電層と電荷収集電極を主要部とするものである。
また、記録された静電潜像を外部に読み出す電荷読出プロセスの面からは、読取光(読取用の電磁波)を検出器に照射して読み出す光読出方式のものや、特許文献1に記載されているような、蓄電部と接続されたTFT(薄膜トランジスタ)を走査駆動して読み出すTFT読出方式のもの等がある。
また本願出願人は、特許文献2等において改良型直接変換方式の固体検出器を提案している。改良型直接変換方式の固体検出器とは、直接変換方式、且つ光読出方式のものであり、記録光(X線またはX線の照射により発生した蛍光等)を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、潜像電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該潜像電荷と逆極性の輸送電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取用の電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、をこの順に積層して成るものであり、記録用光導電層と電荷輸送層との界面(蓄電部)に、画像情報を担持する信号電荷を蓄積して静電潜像を記録するものである。これら3層の両側には電極(第1の導電体層および第2の導電体層)が積層される。また、この方式における固体検出器は、記録用光導電層、電荷輸送層および読取用光導電層を主要部とするものである。
特開2000−244824号公報 特開2000−105297号公報
ところで、上述のような固体検出器を用いた撮影装置では、固体検出器から出力された電流を検出し、この電流の量に対応するアナログ信号をデジタル信号に変換して画像信号を生成するが、固体検出器から出力される電流は非常に微弱であるため、ログアンプにより検出を行うことができず、一般にリニア回路により電流の検出を行う。そのため、AD変換器のフルスケールを固体検出器に照射されるX線の最大線量に合わせると、低線量領域のビット分解能が低下し、補正処理等を施した際にビット落ち画像のような異常画像となってしまい、低線量領域から最大線量領域までの全ての領域で高いビット分解能を確保することが可能な高ビットのAD変換器を用いるとコストが増加してしまうという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、固体検出器から出力された電流を検出し、この電流の量に対応するアナログ信号をデジタル信号に変換して画像信号を生成する画像読取方法および装置において、高ビットのAD変換器を用いることなく、低線量領域のビット分解能を確保することを目的とするものである。
本発明による画像読取方法は、画像情報を担持する記録光の照射を受けて画像情報を静電潜像として記録し、記録した静電潜像に応じた電流を出力する固体検出器から、各画素毎に複数の異なるゲインGで電流を検出し、複数の異なるゲインGで検出した各電流の量に対応するアナログ信号をデジタル信号に変換し、各画素毎に各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成することを特徴とするものである。
また、本発明による画像読取装置は、画像情報を担持する記録光の照射を受けて画像情報を静電潜像として記録し、記録した静電潜像に応じた電流を出力する固体検出器と、固体検出器から出力される電流を各画素毎に複数の異なるゲインGで検出可能な電流検出手段と、電流検出手段により複数の異なるゲインGで検出された各電流の量に対応するアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換手段と、AD変換手段から出力された各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する画像信号生成手段とを備えてなることを特徴とするものである。
本発明において「固体検出器」とは、被写体の画像情報を担持する記録光の照射を受けて画像情報を静電潜像として記録し、記録した静電潜像に応じた電流(信号)を出力する検出器であって、入射した記録光を直接または一旦光に変換した後に電荷に変換し、この電荷を外部に出力させることにより、被写体に関する画像を表す信号を得ることができるものである。
この固体検出器には種々の方式のものがあり、例えば、記録光を電荷に変換する電荷生成プロセスの面からは、記録光が照射されることにより蛍光体から発せられた蛍光を光導電層で検出して得た信号電荷を蓄電部に一旦蓄積して静電潜像を記録し、静電潜像に応じた電流を出力する光変換方式の固体検出器、あるいは、記録光が照射されることにより光導電層内で発生した信号電荷を電荷収集電極で集めて蓄電部に一旦蓄積して静電潜像を記録し、静電潜像に応じた電流を出力する直接変換方式の固体検出器等、あるいは、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面からは、蓄電部と接続されたTFT(薄膜トランジスタ)を走査駆動して読み出すTFT読出方式のものや、読取光(読取用の電磁波)を検出器に照射して読み出す光読出方式のもの等、さらには、前記直接変換方式と光読出方式を組み合わせた本願出願人による上記特許文献2において提案している改良型直接変換方式のもの等がある。また、イメージングプレート等から発生した輝尽発光光を検出するCCDであってもよい。
ここで、「記録光」とは、画像情報を担持する電磁波であって、固体検出器に照射することにより該固体検出器に画像情報を静電潜像として記録させ得るものであればどのようなものを用いてもよく、例えば光や放射線等を用い得る。
また、「飽和していないデジタル信号」とは、デジタル信号が表し得る値の最大値以外を表しているものを意味する。
また、「選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する」とは、AD変換手段により変換されたデジタル信号は、同じデジタル信号であっても、異なるゲインGで検出された複数のアナログ信号に対応してしまうため、デジタル信号に対してゲインGに応じて乗算もしくは除算等の演算を行い、デジタル信号とアナログ信号とを整合させた上で画像信号を生成することを意味する。
本発明による画像読取装置において、ゲインGは、式G=Gmin×2(ただし、Gminは最小ゲイン、kは0以上の整数、k=0のとき最小ゲイン)を満たすことが好ましい。
また、画像信号生成手段は、デジタル信号のビットシフトを行うことが好ましく、このとき、ビットシフトの量Sは、式S=S+kmax−k(ただし、Sは所定シフト量、kmaxは最大ゲイン時の乗数)を満たすことが好ましい。
本発明による画像読取方法および装置によれば、画像情報を担持する記録光の照射を受けて画像情報を静電潜像として記録し、記録した静電潜像に応じた電流を出力する固体検出器から、各画素毎に複数の異なるゲインGで電流を検出し、複数の異なるゲインGで検出した各電流の量に対応するアナログ信号をデジタル信号に変換し、各画素毎に各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成するようにしたので、アナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換手段のフルスケールをX線の最大線量に合わせた場合でも、低線量領域においては高いゲインにより検出したアナログ信号をデジタル信号に変換して画像信号を生成するため、低線量領域のビット分解能を確保することが可能となる。
また、本発明による画像読取装置において、ゲインGを、式G=Gmin×2(ただし、Gminは最小ゲイン、kは0以上の整数、k=0のとき最小ゲイン)を満たすようにすることにより、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する際の演算を容易にすることができる。
また、画像信号生成手段を、デジタル信号のビットシフトを行うようにすることにより、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する際の演算を効率よく行うことができる。このとき、ビットシフトの量Sを、ゲインGが式G=Gmin×2を満たしている場合、式S=S+kmax−k(ただし、Sは所定シフト量、kmaxは最大ゲイン時の乗数)を満たすようにすることにより、効率よく演算を行うことができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本実施の形態による画像読取装置の概略図である。
この画像読取装置1は、画像情報を担持する記録光の照射を受けて画像情報を静電潜像として記録し、記録した静電潜像に応じた電流を出力する固体検出器10と、固体検出器から出力される電流を各画素毎に複数の異なるゲインGで検出可能な電流検出手段20と、電流検出手段により複数の異なるゲインGで検出された各電流の量に対応するアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換手段30と、AD変換手段から出力された各ゲインGに対応するデジタル信号の中から最適なデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する画像信号生成手段40とを備えている。
固体検出器10は、上記特許文献2に記載した改良型直接変換方式(直接変換且つ光読出方式)の静電記録体であって、被写体を透過したX線(記録光)が第1の導電層11に照射されることにより記録用光導電層12内に電荷が発生し、この発生した電荷を記録用光導電層12と電荷輸送層13との界面である蓄電部16に潜像電荷として蓄積し、読取光で第2の導電層15が走査されることにより読取用光導電層14内に電荷が発生し前記潜像電荷と電荷再結合して潜像電荷の量に応じた電流を発生するものである。読取用電極としての導電層15は、多数の線状電極(図中の斜線部)がストライプ状に配列されて成るものである。以下導電層15の電極をストライプ電極15といい、各線状電極をエレメント15aという。この固体検出器10は、ガラス基板17上に形成されている。
電流検出手段20は、各エレメント15a毎に接続されたI−V変換部21と、I−V変換部21から出力された信号を検出する複数の異なるゲインのアンプ22a、22b、22cと、アンプ22a、22b、22cの各々から出力されたアナログ信号のノイズを除去するローパスフィルタ(以下、LPFと記載する)23a、23b、23cとからなる。
本実施の形態においてアンプ22a、22b、22cの各ゲインGは、式G=Gmin×2(ただし、Gminは最小ゲイン、kは0以上の整数、k=0のとき最小ゲイン)を満たすようにすべく、アンプ22aのゲインG=1(k=0)、アンプ22bのゲインG=2(k=1)、アンプ22cのゲインG=4(k=2)としている。勿論、これ以外のゲインの組合せとしてもよい。
AD変換手段30は、LPF23a、23b、23cから出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換器31a、31b、31cからなる。
画像信号生成手段40は、AD変換器31a、31b、31cの各々から出力された各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する。
ここで、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する際の処理について詳細に説明する。図2(a)は各ゲインG毎のX線量とデジタル信号との関係を示す図、図2(b)は各ゲインG毎のデジタル信号のビットシフトの状態を示す図である。
図2(a)に示すように、AD変換手段30により変換されたデジタル信号は、同じデジタル信号であっても、異なるゲインGで検出された複数のアナログ信号に対応してしまうため、デジタル信号とアナログ信号とを整合させる必要がある。そのため、図2(b)に示すように、デジタル信号の各ゲインG(式G=Gmin×2)に応じて、ビットシフトの量Sが式S=S+kmax−k(ただし、Sは所定シフト量、kmaxは最大ゲイン時の乗数)を満たすようにLSB側からビットシフトすることにより、デジタル信号をX線量に対応したアナログ信号に一義的に対応させることができる。なお、図2(b)では、S=0、kmax=2となる。
画像信号生成手段40は、上記のようにデジタル信号とアナログ信号とを整合させた上で、このデジタル信号に基づいて画像信号を生成する。
次いで、このように構成される画像読取装置1の動作について説明する。
固体検出器10に静電潜像を記録させる際は、不図示の高電圧電源により第1の導電層11と各エレメント15aとの間に直流電圧を印加し第1の導電層11と各エレメント15aとを帯電させる。これにより固体検出器10内の第1の導電層11と各エレメント15aとの間に、エレメント15aをU字の凹部とするU字状の電界が形成される。
外部から画像情報を担持するX線が固体検出器10に照射されると、固体検出器10の記録用光導電層12内で正負の電荷対が発生し、その内の潜像極性電荷(本実施の形態においては負電荷)が上述の電界分布に沿ってエレメント15aに集中せしめられ、記録用光導電層12と電荷輸送層13との界面に形成された蓄電部16に負電荷が蓄積される。この蓄積された負電荷、すなわち潜像極性電荷の量は被写体を透過したX線量に略比例するので、この潜像極性電荷が静電潜像を担持することとなる。このようにして静電潜像が固体検出器10に記録される。一方、記録用光導電層12内で発生する正電荷は第1の導電層11に引き寄せられて、高電圧電源から注入された負電荷と電荷再結合し消滅する。
次に、固体検出器10から静電潜像を読み取る際の動作について説明する。
固体検出器10から静電潜像を読み取る際は、不図示のライン光で固体検出器10の第2の導電層15側の全面を副走査方向(エレメント15aの長手方向)に走査する。このライン光による走査により副走査位置に対応するライン光が入射した光導電層14内に正負の電荷対が発生し、その内の正電荷が蓄電部16に蓄積された負電荷(潜像極性電荷)に引きつけられるように電荷輸送層13内を急速に移動し、蓄電部16で潜像極性電荷と電荷再結合し消滅する。一方、読取用光導電層14に生じた負電荷は第2の導電層15に注入される正電荷と電荷再結合し消滅する。このようにして、固体検出器10に蓄積されていた負電荷が電荷再結合により消滅し、この電荷再結合の際の電荷の移動による電流が固体検出器10内に生じる。
このようにして生じた電流を、各エレメント15a毎に接続されたI−V変換部21によりI−V変換し、I−V変換部21から出力された信号をゲインG=1(k=0)のアンプ22a、ゲインG=2(k=1)のアンプ22b、ゲインG=4(k=2)のアンプ22cにより検出する。
AD変換器31a、31b、31cは、アンプ22a、22b、22cから出力され、LPF23a、23b、23cによりノイズが除去されたアナログ信号をデジタル信号に変換する。
画像信号生成手段40は、AD変換器31a、31b、31cの各々から出力された各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号とアナログ信号とを整合させた上で、このデジタル信号に基づいて画像信号を生成する。
上記のように構成することにより、AD変換手段のフルスケールをX線の最大線量に合わせた場合でも、低線量領域においては高いゲインにより検出したアナログ信号をデジタル信号に変換して画像信号を生成するため、低線量領域のビット分解能を確保することが可能となる。
次に、本発明による画像読取装置の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は上記第1の実施の形態と比較して、電流検出手段およびAD変換手段を変更したものである。図3に本実施の形態の画像読取装置の電流検出手段およびAD変換手段の概略図を示す。なお、図3においては、図1に示す上述の画像読取装置の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り省略する。
電流検出手段120は、各エレメント15a毎に接続されたI−V変換部121と、I−V変換部121から出力された信号を検出する複数の異なるゲインのアンプ122a、122b、122cと、アンプ122a、122b、122cの各々から出力されたアナログ信号のノイズを除去するLPF123a、123b、123cと、LPF123a、123b、123cの各々から出力されたアナログ信号を記憶するサンプルホールド回路124a、124b、124cと、サンプルホールド回路124a、124b、124cの各々から出力されたアナログ信号を多重化するマルチプレクサー125とからなる。
本実施の形態においてアンプ122a、122b、122cの各ゲインGは、式G=Gmin×2(ただし、Gminは最小ゲイン、kは0以上の整数、k=0のとき最小ゲイン)を満たすようにすべく、アンプ122aのゲインG=1(k=0)、アンプ122bのゲインG=2(k=1)、アンプ122cのゲインG=4(k=2)としている。勿論、これ以外のゲインの組合せとしてもよい。
AD変換手段は、マルチプレクサー125から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換器130からなる。
画像信号生成手段40は、AD変換器130から出力された各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する。
このような構成としても、上記第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本発明による画像読取装置の第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は上記第1の実施の形態と比較して、電流検出手段およびAD変換手段を変更したものである。図4に本実施の形態の画像読取装置の電流検出手段およびAD変換手段の概略図を示す。なお、図4においては、図1に示す上述の画像読取装置の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り省略する。
電流検出手段220は、各エレメント15a毎に接続されたI−V変換部221と、I−V変換部221から出力されたアナログ信号のノイズを除去するLPF222とからなる。
本実施の形態においてはI−V変換部221において、2つの帰還抵抗Rおよび1つの帰還抵抗R/2をオペアンプに並列に接続している。また、2つの帰還抵抗Rのうちの1つにはスイッチAが直列に接続され、帰還抵抗R/2にはスイッチBが直列に接続されている。
ここで、スイッチA、Bともにオープンとした場合、帰還抵抗Rに基づいた出力が得られ、このときの出力のゲインを4とすると、スイッチAをクローズとし、スイッチBをオープンとした場合には、帰還抵抗としては2つの帰還抵抗Rがオペアンプに並列に接続された状態、すなわち帰還抵抗R/2に基づいた出力が得られるので、スイッチA、Bともにオープンとした場合に比べて1/2倍のゲイン(すなわちゲイン2)となる。また、スイッチA、Bともにクローズとした場合には、帰還抵抗としては2つの帰還抵抗Rおよび1つの帰還抵抗R/2がオペアンプに並列に接続された状態、すなわち帰還抵抗R/4に基づいた出力が得られるので、スイッチA、Bともにオープンとした場合に比べて1/4倍のゲイン(すなわちゲイン1)となる。
すなわち、電流検出手段220としては、ゲインG=1(k=0)、ゲインG=2(k=1)、ゲインG=4(k=2)の3種類のゲインGでエレメント15aから出力される電流を検出することができる。勿論、これ以外のゲインの組合せとしてもよい。
AD変換手段は、LPF222から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換器230からなる。
画像信号生成手段40は、AD変換器230から出力された各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する。
このような構成としても、上記第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
次に、本発明による画像読取装置の第4の実施の形態について説明する。本実施の形態は上記第1の実施の形態と比較して、電流検出手段およびAD変換手段を変更したものである。図5に本実施の形態の画像読取装置の電流検出手段およびAD変換手段の概略図を示す。なお、図3においては、図5に示す上述の画像読取装置の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り省略する。
電流検出手段320は、各エレメント15a毎に接続されたチャージアンプ321と、チャージアンプ321から出力されたアナログ信号のノイズを除去するLPF322と、LPF322から出力されたアナログ信号を相関2重サンプリングするための、2つのサンプルホールド回路323a、323b、および、差動アンプ324と、差動アンプ324から出力された信号を検出する複数の異なるゲインのアンプ325a、325b、325cとからなる。
本実施の形態においてアンプ325a、325b、325cの各ゲインGは、式G=Gmin×2(ただし、Gminは最小ゲイン、kは0以上の整数、k=0のとき最小ゲイン)を満たすようにすべく、アンプ325aのゲインG=1(k=0)、アンプ325bのゲインG=2(k=1)、アンプ325cのゲインG=4(k=2)としている。勿論、これ以外のゲインの組合せとしてもよい。
AD変換手段330は、アンプ325a、325b、325cから出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換器331a、331b、331cからなる。
画像信号生成手段40は、AD変換器331a、331b、331cの各々から出力された各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する。
このような構成としても、上記第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
以上、本発明による画像読取装置の好ましい実施の形態について説明したが、本発明に使用される固体検出器は、上記実施の形態で説明したものに限定されるものではなく、被写体の画像情報を担持する記録光の照射を受けて画像情報を静電潜像として記録し、記録した静電潜像に応じた電流(信号)を出力するものであればどのようなものを用いてもよい。
また、電流検出手段およびAD変換手段の構成についても、上記以外の態様としてもよい。
本発明の第1の実施の形態の画像読取装置の概略図 各ゲインG毎のX線量とデジタル信号との関係を示す図(a)、各ゲインG毎のデジタル信号のビットシフトの状態を示す図(b) 本発明の第2の実施の形態の画像読取装置の電流検出手段およびAD変換手段の概略図 本発明の第3の実施の形態の画像読取装置の電流検出手段およびAD変換手段の概略図 本発明の第4の実施の形態の画像読取装置の電流検出手段およびAD変換手段の概略図
符号の説明
1 画像読取装置
10 固体検出器
20、120、220、320 電流検出手段
30、130、230、330 AD変換手段
40 信号処理部

Claims (5)

  1. 画像情報を担持する記録光の照射を受けて前記画像情報を静電潜像として記録し、記録した前記静電潜像に応じた電流を出力する固体検出器から、各画素毎に複数の異なるゲインGで電流を検出し、
    複数の異なるゲインGで検出した各電流の量に対応するアナログ信号をデジタル信号に変換し、
    各画素毎に各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、
    選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成することを特徴とする画像読取方法。
  2. 画像情報を担持する記録光の照射を受けて前記画像情報を静電潜像として記録し、記録した前記静電潜像に応じた電流を出力する固体検出器と、
    該固体検出器から出力される電流を各画素毎に複数の異なるゲインGで検出可能な電流検出手段と、
    該電流検出手段により複数の異なるゲインGで検出された各電流の量に対応するアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換手段と、
    該AD変換手段から出力された各ゲインGに対応するデジタル信号の中から、飽和していないデジタル信号がある場合には、その中の最大のゲインGに対応するデジタル信号を選択し、飽和していないデジタル信号がない場合には、その中のいずれかのデジタル信号を選択し、選択したデジタル信号に基づいて画像信号を生成する画像信号生成手段とを備えてなることを特徴とする画像読取装置。
  3. 前記ゲインGが、式G=Gmin×2(ただし、Gminは最小ゲイン、kは0以上の整数、k=0のとき最小ゲイン)を満たすことを特徴とする請求項2記載の画像読取装置。
  4. 前記画像信号生成手段が、前記デジタル信号のビットシフトを行うことを特徴とする請求項2または3記載の画像読取装置。
  5. 前記ビットシフトの量Sが、式S=S+kmax−k(ただし、Sは所定シフト量、kmaxは最大ゲイン時の乗数)を満たすことを特徴とする請求項4記載の画像読取装置。
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