JP2005122105A - 横電界型の液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明では、階調の反転によるカラーシフトによる視野角の特性の低下を防ぐ構造の横電界型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】開口領域の主領域がリング状または、螺旋形構造で構成できるパターン構造である共通電極及び画素電極を形成して、どちらの方向でも、液晶分子の方向子が同じなので、特定の角度でのカラーシフトなしに、対照比を向上させて、視野角の特性を高めることができる。そして、ブラックマトリックスとの重畳領域が減少され、合着ミスアライン時に、製品別に発生できる輝度の差が最小化される。
【選択図】 図5
Description
図示したように、カラーフィルター基板である上部基板10と、アレイ基板である下部基板20が、相互に向かい合って離隔しており、この上部基板10及び下部基板20間には、液晶層30が介在されている構造で、前記下部基板20の内部面には、共通電極22及び画素電極24が形成されている。
例えば、前記横電界型の液晶表示装置を正面から見た場合、上/下/左/右に約80°−85°方向で見ることができる。
図示したように、ゲート配線40及びデータ配線42が相互に交差して形成されており、ゲート配線40及びデータ配線42の交差地点には、薄膜トランジスタTが形成されている。ゲート配線40及びデータ配線42の交差領域は、画素領域Pとして定義され、画素領域Pには、共通電極44及び画素電極46が形成されており、両電極間の横電界により液晶が水平に配列される領域を実質的の開口領域Iとすることを特徴とする。
また、色の反転現象も同じく、全方向に対して視野角別の差が存在する。
前記目的を達成するために、本発明では、開口領域をリング状または、螺旋形構造で構成することができて、パターン構造として共通電極及び画素電極を形成して、液晶の方向子がどちらの方向から見ても、同じくなり、これにより、色の反転を防ぎ、視野角の特性を向上させる。
前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンの上部領域及び下部領域と重なる第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンを含む。
前記第1ストレージ電極パターンは、薄膜トランジスタに連結されている。
前記第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンは、相互に向かい合う面が、各々半円形状である。
前記画素領域は、実質的に、正四角形状である。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成する。前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成する。
前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記オープン部内に位置する。
前記データ配線の下部には、データ配線のような形状の半導体物質層をさらに含み、前記半導体層は、半導体物質層から分岐される。
前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンの上部領域及び下部領域と重なる第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンを含む。
前記第1ストレージ電極パターンは、薄膜トランジスタに連結されている。
前記第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンは、相互に向かい合う面が、各々半円形状である。
前記画素領域は、実質的に、正四角形状である。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成する。前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成する。
前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記円形状のオープン部内に位置する。
前記データ配線から分岐されるソース電極と、前記ソース電極で、前記ゲート電極を間にして、離隔されているドレイン電極と、前記データ配線の下部に、データ配線のような形で、半導体物質層と、前記半導体物質層で、前記ソース電極及びドレイン電極の下部へと分岐される半導体層を、第2マスク工程を利用して形成して、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極及びドレイン電極とで構成される薄膜トランジスタを形成する段階において、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記半導体層の両端を覆い、前記ソース電極及びドレイン電極間の半導体層は、露出されるように形成する段階と;前記薄膜トランジスタを覆うように、基板全面に、保護層を形成する段階と;前記ドレイン電極の一部を露出するドレインコンタクトホールを、第3マスク工程を利用して、前記保護層に形成する段階と;前記一番外側の共通電極パターンと重なり、ドレイン電極に連結されるストレージ電極と、前記ストレージ電極に連結される連結配線と、前記連結配線から分岐され、多数の画素電極パターン等を含む画素電極を、保護層の上部に、第4マスク工程を利用して、形成する段階において、前記一番内側の画素電極パターンは、実質的に、円形状であって、前記共通電極パターンのうち、一番内側の共通電極パターンと前記多数の画素電極パターン等は、リング状であり、前記開口領域も、リング状である横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンの上部領域及び下部領域と重なる第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンを含む。
前記第1ストレージ電極パターンは、薄膜トランジスタに連結されている。
前記第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンは、相互に向かい合う面が、各々半円形状である。
前記画素領域は、実質的に、正四角形状である。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成する。前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成する。
前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記円形状のオープン部内に位置する。
前記ストレージ電極は、前記第1共通電極パターンの円形状のオープン部に沿って、実質的に、丸い面を有する。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成する。
前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成する。
前記データ配線の下部には、データ配線のような形状の半導体物質層をさらに含み、前記半導体層は、半導体物質層から分岐される。
前記ストレージ電極は、前記第1共通電極パターンの円形状のオープン部に沿って、実質的に、丸い面を有する。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成する。
前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成する。
前記ストレージ電極は、前記第1共通電極パターンの円形状のオープン部に沿って、実質的に、丸い面を有する。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成する。
前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成する。
前記ストレージ電極は、前記連結配線を通じて、前記薄膜トランジスタに連結される。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンと重なり、第1ストレージキャパシターを形成して、前記接する画素領域の前記ゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成する。
前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記円形状のオープン部内に位置する。
前記ストレージ電極は、前記連結配線を通じて、前記薄膜トランジスタに連結される。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンと重なり、第1ストレージキャパシターを形成して、前記接する画素領域の前記ゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成する。
前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記円形状のオープン部内に位置する。
前記画素電極は、前記共通配線及び連結配線と重なり、前記第2コンタクトホールを通じて、前記連結配線と接触する。
前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に位置する。また、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、画素領域の中央に位置する。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記共通電極及び画素電極は、インジウム−スズ−オキサイド(ITO)で構成される。
前記共通電極は、前記データ配線の上部に形成する。
前記多数の画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が交差する画素領域の中央に位置する。
前記ストレージ電極は、前記連結配線を通じて、前記薄膜トランジスタに連結されている。
前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応する。
前記共通電極パターン及び前記画素電極パターンは、一番外側の共通電極パターンを除いて、全て、前記円形状のオープン部の内部に位置する。
前記多数の画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が交差する画素領域の中央に位置する。
前記ストレージ電極は、前記連結配線を通じて、前記薄膜トランジスタに連結されるように形成する。また、前記ストレージ電極は、前記共通電極パターンのうち、一番外側の共通電極パターンと重なるように形成して、前記一番外側の共通電極パターンとストレージキャパシターを形成する。
前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、一番外側の共通電極パターンを除いて、全て、前記円形状のオープン部内に位置するように形成する。
図示したように、基板100上に、第1方向へゲート配線112が形成されており、ゲート配線112が交差される第2方向へとデータ配線128が形成され、ゲート配線112とデータ配線128の交差地点には、薄膜トランジスタTが形成されている。
図示したように、第1方向へと共通配線214が形成されており、共通配線に連結され画素領域Pには、画素領域Pの枠部を取り囲む領域に位置して、内部に、円形状のオープン部218のある第1共通電極パターン220aと、前記第1共通電極パターン220aのオープン部218内に、螺旋形に、形成された第2共通電極パターン220bが形成されている。前記第1共通電極パターン220a、第2共通電極パターン220bは、共通電極220を構成して、共通電極220と共通配線214は、一体型パターンであることを特徴とする。
この段階では、前記図10に示すような原理の回折露光法を適用することができる。
例えば、前記パターン物質454は、金属物質または、透明導電性物質から選択される。
前記データ配線528の一端には、データパッド1314が位置する。
前記離隔領域IIは、第1共通電極パターン、第2共通電極パターン間で、前記共通配線514とは重ならなく、前記共通配線514を基準に、相互に対称構造に、離隔されるように位置する第1離隔領域IIaと、前記連結配線533と共通配線514間の交差領域で、前記連結配線533内に位置する第2離隔領域IIcとで構成される。離隔領域II及びオープン部XVIは、後続工程で、画素電極及びパッド電極が形成される領域に当たり、前記第1離隔領域IIa、第2離隔領域IIc及び第1オープン部XVIa、第2オープン部XVIbに位置する透明導電性物質537は、連結配線533、ゲートパッド1310及びデータパッド1314と、各々連結される。
従って、製品別輝度の差も減らすことができる。
前記画素電極1238と共通電極1220は、同一工程、同一物質で、構成されることを特徴とする。
前述した低導電率の保護層を構成する物質として、例えば、ベンゾシクロブテンBCBがある。
112:ゲート配線
114:共通配線
118:オープン部
120a:第1共通電極パターン
120b:第2共通電極パターン
120:共通電極
128:データ配線
138a:第1画素電極パターン
138b:第2画素電極パターン
138:画素電極
140a:第1ストレージ電極パターン
140b:第2ストレージ電極パターン
141:連結配線
T: 薄膜トランジスタ
P:画素領域
Cst:ストレージキャパシター
Claims (114)
- 第1方向へと形成されたゲート配線と;
第2方向へと、ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と;
前記画素領域の一角部分に形成されて、ゲート配線及びデータ配線に連結されており、半導体層を含む薄膜トランジスタと;
前記第1方向へと、ゲート配線と離隔するように形成された共通配線と;
前記共通配線から分岐され、多数の共通電極パターン等を含み、共通電極パターンのうち、一番外側の共通電極パターンが、実質的に、四角形状であって、中央に、円形状のオープン部を含む共通電極と;
前記四角形状の一番外側の共通電極パターンと重なり、前記薄膜トランジスタに連結されるストレージ電極と;
前記画素領域内で、前記データ配線と平行であって、前記ストレージ電極に連結されている連結配線と;
前記円形状のオープン部に位置して、前記連結配線から分岐されており、多数の画素電極パターン等を含み、前記共通電極と、一定間隔離隔して、交互に形成された画素電極を含み、前記一番内側の画素電極パターンは、実質的に、円形状であり、他の画素電極パターン等は、リング状であって、前記共通電極パターンのうち、一番内側のパターンは、リング状であり、前記画素領域内の前記開口領域は、実質的に、リング状である横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に位置することを特徴とする請求項1に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が交差する画素領域の中心に位置することを特徴とする請求項1に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンの上部領域及び下部領域と重なる第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンを含むことを特徴とする請求項1に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記第1ストレージ電極パターンは、薄膜トランジスタに連結されていることを特徴とする請求項4に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンは、相互に向かい合う面が、各々半円形状であることを特徴とする請求項4に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素領域は、実質的に、正四角形状であることを特徴とする請求項1に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項1に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項1に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項9に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記オープン部内に位置することを特徴とする請求項1に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記データ配線の下部には、データ配線様の形状の半導体物質層をさらに含み、前記半導体層は、半導体物質層から分岐されることを特徴とする請求項1に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- ゲート電極を含むゲート配線と、多数の共通電極パターン等を含む共通電極と、前記ゲート配線と平行であって、離隔された共通配線を、第1マスク工程を利用して形成する段階において、前記一番外側の共通電極パターンは、実質的に、四角形状であって、中央に、円形状のオープン部を含むように形成する段階と;
前記ゲート配線、共通電極、共通配線の上部に、ゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート電極の上部のゲート絶縁膜上に、第2マスク工程を利用して、半導体層を形成する段階と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と、前記データ配線から分岐されるソース電極と、前記ソース電極から離隔されているドレイン電極を、第3マスク工程を利用して形成して、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極及びドレイン電極で構成される薄膜トランジスタを形成する段階において、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記半導体層の両端を覆い、前記ソース電極及びドレイン電極間の半導体層は、露出されるように形成する段階と;
前記薄膜トランジスタを覆うように、基板全面に、保護層を形成する段階と;
前記ドレイン電極の一部を露出するドレインコンタクトホールを、第4マスク工程を利用して、前記保護層に形成する段階と;
前記一番外側の共通電極パターンと重なり、ドレイン電極に連結されるストレージ電極と、前記ストレージ電極に連結される連結配線と、前記連結配線から分岐され、多数の画素電極パターン等を含む画素電極を、保護層の上部に、第5マスク工程を利用して形成する段階において、前記一番内側の画素電極パターンは、実質的に、円形状であって、前記共通電極パターンのうち、一番内側の共通電極パターンと前記多数の画素電極パターン等は、リング状であり、前記開口領域は、リング状である横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に配置されていることを特徴とする請求項13に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が、交差する画素領域の中心に位置するように形成することを特徴とする請求項13に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンの上部領域及び下部領域と重なる第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンを含むことを特徴とする請求項13に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第1ストレージ電極パターンは、薄膜トランジスタに連結されていることを特徴とする請求項16に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンは、相互に向かい合う面が、各々半円形状であることを特徴とする請求項16に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素領域は、実質的に、正四角形状であることを特徴とする請求項13に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項13に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項13に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項21に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記円形状のオープン部内に位置することを特徴とする請求項13に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- ゲート電極を含むゲート配線と、多数の共通電極パターン等を含む共通電極と、前記ゲート配線と平行であって、離隔された共通配線を、第1マスク工程を利用して形成する段階において、前記一番外側の共通電極パターンは、実質的に、四角形状であって、中央に、円形状のオープン部を含むように、形成する段階と;
前記ゲート配線、共通電極、共通配線の上部に、ゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と、前記データ配線から分岐されるソース電極と、前記ソース電極で、前記ゲート電極を間にして、離隔されているドレイン電極と、前記データ配線の下部に、データ配線のような形で、半導体物質層と、前記半導体物質層で、前記ソース電極及びドレイン電極の下部へと分岐される半導体層を、第2マスク工程を利用して形成して、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極及びドレイン電極で構成される薄膜トランジスタを形成する段階において、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記半導体層の両端を覆い、前記ソース電極及びドレイン電極間の半導体層は、露出されるように形成する段階と;
前記薄膜トランジスタを覆うように、基板全面に、保護層を形成する段階と;
前記ドレイン電極の一部を露出するドレインコンタクトホールを、第3マスク工程を利用して、前記保護層に形成する段階と;
前記一番外側の共通電極パターンと重なり、ドレイン電極に連結されるストレージ電極と、前記ストレージ電極に連結される連結配線と、前記連結配線から分岐され、多数の画素電極パターン等を含む画素電極を、保護層の上部に、第4マスク工程を利用して形成する段階において、前記一番内側の画素電極パターンは、実質的に、円形状であって、前記共通電極パターンのうち、一番内側の共通電極パターンと前記多数の画素電極パターン等は、リング状であり、前記開口領域も、リング状である横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に配置されていることを特徴とする請求項24に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が、交差する画素領域の中心に位置するように形成することを特徴とする請求項24に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンの上部領域及び下部領域と重なる第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンを含むことを特徴とする請求項24に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第1ストレージ電極パターンは、薄膜トランジスタに連結されていることを特徴とする請求項27に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第1ストレージ電極パターン及び第2ストレージ電極パターンは、相互に向かい合う面が、各々半円形状であることを特徴とする請求項27に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素領域は、実質的に、正四角形状であることを特徴とする請求項24に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項24に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項24に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項32に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記円形状のオープン部内に位置することを特徴とする請求項24に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 基板上に、ゲート配線と;
前記ゲート配線と交差して、前記ゲート配線と開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と;
前記画素領域の一角部分に形成されて、ゲート配線及びデータ配線に連結されており、半導体を含む薄膜トランジスタと;
実質的に、長方形状であって、その中央に、円形状のオープン部を含んでいる第1共通電極パターンと、前記円形状のオープン部の中央に位置して、螺旋形状の第2共通電極パターンを含み、前記画素領域内に位置する共通電極と;
前記データ配線と、実質的に、垂直に交差して、接する画素領域の共通電極を連結する共通配線と;
前記第1共通電極パターンと重なり、前記薄膜トランジスタに連結されるストレージ電極と;
前記円形状のオープン部内に位置して、前記第2共通電極パターンに沿って、実質的に、螺旋形状の画素電極を含み、前記画素電極と前記第2共通電極パターンは、螺旋形状の開口領域を形成する横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記第2共通電極パターンは、前記第1共通電極パターンから延長されることを特徴とする請求項35に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極は、前記ストレージ電極から延長されており、延長された画素電極の始めの地点は、前記延長された第2共通電極パターンの始めの地点と接することを特徴とする請求項36に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記螺旋形状の画素電極の第1螺旋は、前記第1共通電極パターンと、前記螺旋形状の第2共通電極パターンの第1螺旋間に位置することを特徴とする請求項35に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記共通配線は、前記共通電極と、一体型に形成されることを特徴とする請求項35に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極は、前記第1共通電極パターンの円形状のオープン部に沿って、実質的に、丸い面を有することを特徴とする請求項35に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項35に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項35に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項42に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記データ配線の下部には、データ配線様の形状の半導体物質層をさらに含み、前記半導体層は、半導体物質層から分岐されることを特徴とする請求項35に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- ゲート電極を含むゲート配線と、第1共通電極パターン及び第2共通電極パターンを含む共通電極と、前記ゲート配線と平行であって、離隔された共通配線を、第1マスク工程を利用して形成する段階において、前記第1共通電極パターンは、実質的に、四角形状であって、中央に、円形状のオープン部を含むように形成して、前記第2共通電極パターンは、前記円形状のオープン部内で、螺旋形状になるように形成する段階と;
前記ゲート配線、共通電極及び共通配線の上部に、ゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート電極の上部のゲート絶縁膜上に、第2マスク工程を利用して、半導体層を形成する段階と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線、前記データ配線から分岐されるソース電極と、前記ソース電極で、離隔されているドレイン電極を、第3マスク工程を利用して形成して、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極及びドレイン電極で構成される薄膜トランジスタを形成する段階において、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記半導体層の両端を覆い、前記ソース電極及びドレイン電極間の半導体層は、露出されるように形成する段階と;
前記薄膜トランジスタを覆うように、基板全面に、保護層を形成する段階と;
前記ドレイン電極の一部を露出するドレインコンタクトホールを、第4マスク工程を利用して、前記保護層に形成する段階と;
前記第1共通電極パターンと重なり、ドレイン電極に連結されるストレージ電極と、前記円形状のオープン部内に位置して、前記第2共通電極パターンに沿って、実質的に、螺旋形状の画素電極を、第5マスク工程を利用して形成する段階において、前記ストレージ電極は、前記薄膜トランジスタに連結されており、前記画素電極と前記第2共通電極パターンは、螺旋形状の開口領域を形成する横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第2共通電極パターンは、前記第1共通電極パターンから延長されることを特徴とする請求項45に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極は、前記ストレージ電極から延長されており、延長された画素電極の始めの地点は、前記延長された第2共通電極パターンの始めの地点と接することを特徴とする請求項46に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記螺旋形状の画素電極の第1螺旋は、前記第1共通電極パターンと、前記螺旋形状の第2共通電極パターンの第1螺旋間に位置することを特徴とする請求項45に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記共通配線は、前記共通電極と、一体型に形成されることを特徴とする請求項45に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、前記第1共通電極パターンの円形状のオープン部に沿って、実質的に、丸い面を有することを特徴とする請求項45に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項45に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項45に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項52に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- ゲート電極を含むゲート配線と、第1共通電極パターン及び第2共通電極パターンを含む共通電極と、前記ゲート配線と平行であって、離隔された共通配線を、第1マスク工程を利用して形成する段階において、前記第1共通電極パターンは、実質的に、四角形状であって、中央に、円形状のオープン部を含むように形成して、前記第2共通電極パターンは、前記円形状のオープン部内で、螺旋形状になるように形成する段階と;
前記ゲート配線、共通電極及び共通配線の上部に、ゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線、前記データ配線から分岐されるソース電極と、前記ソース電極で、離隔されているドレイン電極と、前記データ配線の下部に、データ配線のような形状の半導体物質層と、前記ゲート電極の上部のゲート絶縁膜上に、前記半導体物質層から前記ソース電極及びドレイン電極の下部へと分岐された半導体層を、第2マスク工程を利用して形成して、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極及びドレイン電極で構成される薄膜トランジスタを形成する段階において、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記半導体層の両端を覆い、前記ソース電極及びドレイン電極間の半導体層は、露出されるように形成する段階と;
前記薄膜トランジスタを覆うように、基板全面に、保護層を形成する段階と;
前記ドレイン電極の一部を露出するドレインコンタクトホールを、第3マスク工程を利用して、前記保護層に形成する段階と;
前記第1共通電極パターンと重なるストレージ電極と、前記円形状のオープン部内に位置して、前記第2共通電極パターンに沿って、実質的に、螺旋形状の画素電極を、第4マスク工程を利用して形成する段階において、前記ストレージ電極は、前記薄膜トランジスタに連結されており、前記画素電極と前記第2共通電極パターンは、螺旋形状の開口領域を形成する横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第2共通電極パターンは、前記第1共通電極パターンから延長されることを特徴とする請求項54に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極は、前記ストレージ電極から延長されており、延長された画素電極の始めの地点は、前記延長された第2共通電極パターンの始めの地点と接することを特徴とする請求項55に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記螺旋形状の画素電極の第1螺旋は、前記第1共通電極パターンと、前記螺旋形状の第2共通電極パターンの第1螺旋間に位置することを特徴とする請求項54に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記共通配線は、前記共通電極と、一体型に形成されることを特徴とする請求項54に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、前記第1共通電極パターンの円形状のオープン部に沿って、実質的に、丸い面を有することを特徴とする請求項54に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項54に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項54に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項61に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 基板上のゲート配線と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と;
前記データ配線の下部で、前記データ配線のような形状の半導体物質層と;
前記画素領域の一角部分に形成されて、ゲート配線及びデータ配線に連結されており、ソース電極とドレイン電極及び前記半導体物質層から分岐された半導体層を含む薄膜トランジスタと;
前記ゲート配線と平行であって、離隔するように形成された共通配線と;
前記共通配線から分岐され、多数の共通電極パターン等を含み、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番外側の共通電極パターンは、実質的に、四角形状であって、中央に、円形状のオープン部を含む共通電極と;
接する画素領域のゲート配線と重なるように形成されたストレージ電極と;
前記円形状のオープン部に位置して、多数の画素電極パターン等を含む画素電極と;
前記画素領域内で、前記データ配線と平行であって、前記ストレージ電極と前記画素電極及び前記ドレイン電極とに連結されている連結配線を含み、前記画素電極は、前記連結配線の一部と重なり、連結配線と直接的に接触して、前記一番内側の画素電極パターンは、実質的に、円形状であり、他の画素電極パターン等は、リング状であって、前記共通電極パターンのうち、一番内側のパターンは、リング状であり、前記画素領域内の前記開口領域は、実質的に、リング状である横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に位置することを特徴とする請求項63に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が交差する画素領域の中心に位置することを特徴とする請求項63に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極は、前記連結配線を通じて、前記薄膜トランジスタに連結されることを特徴とする請求項63に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項63に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンと重なり、第1ストレージキャパシターを形成して、前記接する画素領域の前記ゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項63に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記円形状のオープン部内に位置することを特徴とする請求項63に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- ゲート電極を含むゲート配線と、多数の共通電極パターン等を含む共通電極と、前記ゲート配線と平行であって、離隔される共通配線を、第1マスク工程を利用して形成する段階において、前記一番外側の共通電極パターンは、実質的に、四角形状であって、中央に、円形状のオープン部を含むように形成する段階と;
前記ゲート配線、共通電極、共通配線の上部に、ゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と、前記データ配線から分岐されるソース電極と、前記ソース電極で、前記ゲート電極を間にして、離隔されているドレイン電極と、前記データ配線と、実質的に、平行であって、前記ドレイン電極に連結された連結配線と、前記連結配線から延長され、接する画素領域のゲート配線の上部に形成されたストレージ電極と、前記データ配線の下部で、前記データ配線のような形状の半導体物質層と、前記半導体物質層で、前記ソース電極及びドレイン電極の下部及び前記ゲート電極の上部へと分岐される半導体層を、第2マスク工程を利用して形成して、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極及びドレイン電極で構成される薄膜トランジスタを形成する段階において、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記半導体層の両端を覆い、前記ソース電極及びドレイン電極間の半導体層は、露出されるように形成する段階と;
前記薄膜トランジスタの上部に、前記多数の共通電極パターン等の間に、第3マスク工程を利用して、離隔領域を含むフォトレジストパターンを形成する段階と;
前記フォトレジストパターンを覆うように、基板全面に、透明導電性物質層を形成する段階と;
前記フォトレジストパターンを除去すると同時に、フォトレジストパターン上に形成された透明導電性物質層を除去して、多数の画素電極パターン等を含む画素電極を形成する段階において、前記画素電極は、前記離隔領域に位置して、前記連結配線と接触するように形成する段階を含み、前記一番内側の画素電極パターンは、実質的に、円形状であり、他の画素電極パターンは、リング状であって、前記共通電極パターンのうち、一番内側の共通電極パターンは、リング状であり、前記開口領域も、リング状になるように形成する横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に位置することを特徴とする請求項70に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が交差する画素領域の中心に位置することを特徴とする請求項70に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、前記連結配線を通じて、前記薄膜トランジスタに連結されることを特徴とする請求項70に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項70に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンと重なり、第1ストレージキャパシターを形成して、前記接する画素領域の前記ゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項70に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記円形状のオープン部内に位置することを特徴とする請求項70に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 基板上のゲート配線と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と;
前記データ配線の下部で、前記データ配線のような形状の半導体物質層と;
前記画素領域の一角部分に形成されて、ゲート配線及びデータ配線に連結されており、ソース電極とドレイン電極及び前記半導体物質層から分岐された半導体層を含む薄膜トランジスタと;
前記ゲート配線と平行であって、離隔するように形成された共通配線と;
接する画素領域のゲート配線と、重なるように形成されたストレージ電極と;
前記画素領域内で、前記データ配線と平行であって、前記ストレージ電極及び前記ドレイン電極とに連結されている連結配線と;
多数の共通電極パターン等を含む共通電極において、各々の前記共通電極パターンは、前記連結配線と重ならない状態で、前記連結配線により、2つの部分に、分離される共通電極と;
円形状のオープン部に位置して、前記共通配線と重ならない、多数の画素電極パターン等で構成された画素電極を含み、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番外側の共通電極パターンは、画素領域内で、実質的に、四角形状であって、その中央に、円形状のオープン部を含み、他の共通電極パターン等は、半円状であり、前記多数の画素電極パターン等のうちで、一番内側の画素電極パターンは、画素領域の中央で、前記連結配線の領域内に位置して、他の画素電極パターン等は、半円状であって、前記多数の共通電極パターン等と多数の画素電極パターン等は、リング状の開口領域を形成する横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記画素電極は、前記連結配線の一部と重なり、前記連結配線と直接接触することを特徴とする請求項77に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記共通電極は、前記共通配線の一部と重なり、前記共通配線と直接接触することを特徴とする請求項77に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- ゲート電極を含むゲート配線と、前記ゲート配線と平行であって、離隔される共通配線を、第1マスク工程を利用して形成する段階と;
前記ゲート配線と共通配線の上部に、ゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と、前記データ配線から分岐されるソース電極と、前記ソース電極で、離隔されているドレイン電極と、前記データ配線と、実質的に、平行であって、前記ドレイン電極に連結された連結配線と、前記連結配線から延長され、接する画素領域のゲート配線の上部に形成されたストレージ電極と、前記データ配線の下部で、前記データ配線のような形状の半導体物質層と、前記半導体物質層で、前記ソース電極及びドレイン電極の下部及び前記ゲート電極の上部へと分岐された半導体層を、第2マスク工程を利用して形成して、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極及びドレイン電極で構成される薄膜トランジスタを形成する段階において、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記半導体層の両端を覆い、前記ソース電極及びドレイン電極間の半導体層は、露出されるように形成する段階と;
前記薄膜トランジスタの上部に、第3マスク工程を利用して、フォトレジストパターンを形成する段階において、前記フォトレジストパターンは、前記連結配線と重ならなくて、前記連結配線に対して、対称的な2つの第1離隔領域と、前記共通配線と重ならなくて、前記共通配線に対して、対称的な2つの第2離隔領域を含むように形成する段階と;
前記フォトレジストパターンを、マスクを利用して、前記2つの第1離隔領域により露出されたゲート絶縁膜をエッチングして、下部の共通配線と連結配線を露出する段階と;
前記フォトレジストパターンを含む基板全面に、透明導電性物質層を形成する段階と;
前記フォトレジストパターンを除去すると同時に、フォトレジストパターン上に形成された透明導電性物質層を除去して、画素電極と共通電極を形成する段階において、前記共通電極及び画素電極は、前記第1離隔領域及び第2離隔領域と対応する位置に形成して、前記共通電極は、多数の共通電極パターン等を含み、前記画素電極は、多数の画素電極パターン等を含むように形成する段階を含み、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番外側の共通電極パターンは、画素領域内で、実質的に、四角形状であって、内部に、円形状のオープン部を含むように形成して、他の共通電極等は、半円形状になるように形成して、前記画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、画素領域の中央で、前記連結配線の領域内に位置するように形成して、他の画素電極パターン等は、半円状になるように形成して、前記多数の共通電極パターン等と多数の画素電極パターン等は、リング状の開口領域を形成する横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記画素電極は、前記連結配線の一部と重なり、前記連結配線と直接接触することを特徴とする請求項80に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記共通電極は、前記共通配線の一部と重なり、前記共通配線と直接接触することを特徴とする請求項80に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 基板上のゲート配線と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と;
前記画素領域の一角部分に形成されていて、ゲート配線及びデータ配線に連結されており、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層を含む薄膜トランジスタと;
前記ゲート配線と平行であって、離隔するように形成された共通配線と;
前記共通配線から延長され、多数の共通電極パターン等を含み、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番外側の共通電極パターンは、画素領域内で、長方形状であって、その中央に、四角形状のオープン部を含む共通電極と;
前記長方形状の共通電極パターンと重なり、薄膜トランジスタに連結されたストレージ電極と;
前記画素領域内で、前記データ配線と平行であって、前記ストレージ電極に連結された連結配線と;
前記四角形状のオープン部に位置して、前記連結配線から分岐されており、多数の画素電極パターン等を含む画素電極を含み、前記多数の画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、実質的に、円形状であって、他の画素電極パターン等は、リング状であり、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、リング状であって、リング状の開口領域を形成する横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に位置することを特徴とする請求項83に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が交差する画素領域の中心に位置することを特徴とする請求項83に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極は、前記一番外側の共通電極パターンの下部領域及び上部領域と、各々重なる第1ストレージキャパシターパターン及び第2ストレージキャパシターパターンを含むことを特徴とする請求項83に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記第1キャパシター電極パターンは、薄膜トランジスタに連結されていることを特徴とする請求項86に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項83に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極と前記共通電極は、相互に重なり、第1ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項83に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極は、接する画素領域のゲート配線と重なり、第2ストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項89に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、前記一番外側の共通電極パターンを除いて、実質的に、前記四角形状のオープン部内に位置することを特徴とする請求項83に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 基板上のゲート配線と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と;
前記データ配線の下部に、前記データ配線のような形で形成された半導体物質層と;
前記画素領域の一角部分に形成されて、ゲート配線及びデータ配線に連結されており、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び前記半導体物質層から分岐された半導体層を含む薄膜トランジスタと;
前記ゲート配線と平行であって、離隔するように形成された共通配線と;
接する画素領域のゲート配線と、重なるように形成されたストレージ電極と;
前記画素領域内で、前記データ配線と平行であって、前記ドレイン電極から延長されており、前記ストレージ電極及び前記ドレイン電極に連結されている連結配線と;
前記ストレージ電極及び連結配線の上部に形成されて、下部の共通配線及び連結配線を、各々露出させる第1コンタクトホール及び第2コンタクトホールが形成されている保護層と;
多数の共通電極パターン等を含み、前記保護層上に形成された共通電極において、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番外側の共通電極パターンは、接する画素の一番外側の共通電極パターン等を連結して、画素領域内で、その中央に、円形状のオープン部を含み、他の共通電極パターン等は、リング状である共通電極と;
多数の画素電極パターン等を含み、前記円形状のオープン部内に位置する画素電極において、多数の画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、円形状であって、前記共通配線と連結電極が交差する交差部に位置して、他の画素電極パターンは、リング状の画素電極を含む横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記共通電極は、前記共通配線及び連結配線と重なり、前記第1コンタクトホールを通じて、前記共通配線と接触することを特徴とする請求項92に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記画素電極は、前記共通配線及び連結配線と重なり、前記第2コンタクトホールを通じて、前記連結配線と接触することを特徴とする請求項92に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に位置することを特徴とする請求項92に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、画素領域の中央に位置することを特徴とする請求項92に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項92に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記共通電極及び画素電極は、インジウム−スズ−オキサイド(ITO)で構成されることを特徴とする請求項92に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記共通電極は、前記データ配線の上部に形成することを特徴とする請求項92に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- ゲート電極を含むゲート配線と、前記ゲート配線と平行であって、離隔される共通配線を、第1マスク工程を利用して形成する段階と;
前記ゲート配線と共通配線の上部に、ゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と、前記データ配線から分岐されるソース電極と、前記ソース電極で、離隔されているドレイン電極と、前記データ配線の下部で、前記データ配線のような形状の半導体物質層と、前記画素領域の一角部分に、ゲート配線及びデータ配線に連結された薄膜トランジスタと、接する画素のゲート配線と重なるストレージ電極と、前記データ配線と、実質的に、平行であって、前記ドレイン電極に連結された連結配線を、第2マスク工程を利用して形成する段階において、前記連結配線は、ストレージ電極及び薄膜トランジスタのドレイン電極に連結されるように形成する段階と;
前記薄膜トランジスタの上部に、保護層を形成する段階と;
前記保護層に、第3マスク工程を利用して、第1コンタクトホール及び第2コンタクトホールを形成する段階と;
多数の共通電極パターン等を含む共通電極を、前記保護層の上部に形成する段階において、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番外側の共通電極パターンは、接する画素の一番外側の共通電極パターンに連結されて、画素領域内で、その中央に、円形状のオープン部を含んでおり、一番内側の共通電極パターンは、リング状に形成する段階と;
多数の画素電極パターン等を含む画素電極を、前記円形状のオープン部内に形成する段階において、多数の画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、前記共通配線が、前記連結配線と交差する部分で、円形状に形成して、他の画素電極パターンは、リング状に形成する段階を含み、前記共通電極及び画素電極は、第4マスク工程を利用して形成する段階を含む横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記共通電極は、インジウム−スズ−オキサイド(ITO)で形成することを特徴とする請求項100に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記共通電極は、前記データ配線の上部に形成することを特徴とする請求項100に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 基板上のゲート配線と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と;
前記ゲート配線の一端に連結されたゲートパッドと;
前記データ配線の一端に連結されたデータパッドと;
前記ゲートパッドに連結されたゲートパッド電極と;
前記データパッドに連結されたデータパッド電極と;
前記データ配線の下部で、前記データ配線のような形で形成された半導体物質層と;
前記画素領域の一角部分に、前記ゲート配線及びデータ配線に連結されて、ソース電極、ドレイン電極及び半導体物質層から分岐された半導体層を含む薄膜トランジスタと;
前記ゲート配線と離隔されて、平行である共通配線と;
前記共通配線から分岐されて、多数の共通電極パターン等を含む共通電極において、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番外側の共通電極パターンは、画素領域内で、四角形状であって、その中央に、円形状のオープン部を含む共通電極と;
接する画素領域のゲート配線と重なるストレージ電極と;
前記円形状のオープン部内に位置して、多数の画素電極パターン等を含む画素電極と;
前記画素領域内で、前記データ配線と平行であって、前記画素電極及び薄膜トランジスタのドレイン電極に連結された連結配線を含み、前記多数の画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、前記連結配線の領域内に位置して、前記画素電極は、前記連結配線の一部と重なり、連結配線とは、直接接触して、前記一番内側の画素電極パターンを除いた他の画素電極パターン等は、半円状であって、前記半導体物質層は、前記ソース電極及びドレイン電極、前記連結配線、前記ストレージ電極の下部へと延長されており、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、リング状であって、開口領域を、リング状に構成する横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に位置することを特徴とする請求項103に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記多数の画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が交差する画素領域の中央に位置することを特徴とする請求項103に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記ストレージ電極は、前記連結配線を通じて、前記薄膜トランジスタに連結されていることを特徴とする請求項103に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記接する4つの画素領域は、各々赤色、緑色、青色、白色に対応することを特徴とする請求項103に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記共通電極パターン及び前記画素電極パターンは、一番外側の共通電極パターンを除いて、全て、前記円形状のオープン部の内部に位置することを特徴とする請求項103に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板。
- ゲート電極を含むゲート配線と、多数の共通電極パターン等を含む共通電極と、前記ゲート配線の一端に連結されたゲートパッドと、前記ゲート配線と離隔されて、平行である共通配線を、基板上に、第1マスク工程を利用して形成する段階において、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番外側の共通電極パターンは、実質的に、四角形状であって、その中央に、円形状のオープン部を有するように形成する段階と;
前記ゲート配線、共通電極、ゲートパッド、共通配線の上部に、ゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート配線と交差して、開口領域を含む画素領域を定義するデータ配線と、前記データ配線から分岐されたソース電極と、前記ソース電極と前記ゲート電極を間にして、離隔されたドレイン電極と、前記データ配線と、実質的に、平行であって、前記ドレイン電極から延長された連結配線と、接する画素領域のゲート配線と重なるストレージ電極と、前記データ配線の一端に連結されたデータパッドと、前記データ配線の下部で、前記データ配線のような形状の半導体物質層と、前記半導体物質層で、前記ゲート電極の上部と、前記ソース電極及びドレイン電極と、連結配線の下部へと分岐された半導体層を、第2マスク工程を利用して形成する段階において、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記ゲート電極の両端と重なり、前記ソース電極及びドレイン電極間の半導体層は露出されて、前記ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層は、薄膜トランジスタを構成する段階と;
前記データ配線、ソース電極及びドレイン電極、データパッド、連結配線及びストレージ電極の上部に、保護層を形成する段階と;
前記薄膜トランジスタを覆うように、前記保護層の上部に、フォトレジストパターンを形成する段階において、前記フォトレジストパターンは、前記多数の共通電極パターン等の間に、離隔領域を含み、前記ゲートパッド及びデータパッドを露出するコンタクトオープン部を含むように形成する段階と;
前記フォトレジストパターンを覆うように、基板全面に、透明導電性物質層を形成する段階と;
前記フォトレジストパターンを除去すると同時に、フォトレジストパターン上に形成された透明導電性物質層を除去して、画素電極、ゲートパッド電極、データパッド電極を形成する段階において、前記画素電極は、多数の画素電極パターン等を含み、前記離隔領域に位置して、前記連結配線と直接接触するように形成する段階を含み、前記多数の画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、棒状であって、他の画素電極パターンは、半円状であり、前記多数の共通電極パターン等のうち、一番内側の共通電極パターンは、リング状であって、リング状の開口領域を形成する横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記多数の共通電極パターン等は、前記多数の画素電極パターン等と、交互に位置することを特徴とする請求項109に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記多数の画素電極パターン等のうち、一番内側の画素電極パターンは、前記共通配線と前記連結配線が交差する画素領域の中央に位置することを特徴とする請求項109に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、前記連結配線を通じて、前記薄膜トランジスタに連結されるように形成することを特徴とする請求項109に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記ストレージ電極は、前記共通電極パターンのうち、一番外側の共通電極パターンと重なるように形成して、前記一番外側の共通電極パターンとストレージキャパシターを形成することを特徴とする請求項109に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記画素電極パターン及び共通電極パターンは、一番外側の共通電極パターンを除いて、全て、前記円形状のオープン部内に位置するように形成することを特徴とする請求項109に記載の横電界型の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
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