JP2005121629A - 放射線治療のためのx線像形成カセット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カバー側及び管側を有し、それらの間に放射線像貯蔵燐光体スクリーン、プレート又はパネル及び金属フィルタシート又は箔を含むX線像形成カセットに於いて、前記金属フィルタシート又は箔がタングステンからなり、かつ0.10〜0.60mmの範囲、より好ましくは0.10〜0.30mmの範囲の厚さを有するタングステンフィルタとしたX線像形成カセット。
【選択図】図1A
Description
図1Aでは放射線治療カセットのための層配置が概略的に与えられ、(放射線がカセットに衝突するX線像形成カセットの管側の(1)から出発して)以下の連続部分が認識され、層の相対的厚さは現実のものとは関連しないし、現実のものを示したものではない、なぜならば各特定の用途に対して別の適応された層厚さ配置が与えられるか又は与えられるかもしれないからである:
− カセット管側(1);
− 除去できない鋼箔(2)(磁気シート(5)に対する磁気対応物としてのもの、箔(2)はカセット管側(1)に除去不可能に取り付けられている);
− 鋼箔(2)と接触し、かつ前記鋼箔(2)と貯蔵燐光体プレート(4)の間にはさまれた、6MVで平衡を与えるために0.10〜0.30mmの好ましい厚さを有する(他の特定の用途のためにその変化を可能にするために)所望により除去可能なタングステンフィルタ箔(3);
− カセット管側カバーと反対のカセットカバーの間の中央部として除去可能なX線像貯蔵燐光体プレート(4);
− 磁気シートとカセット管側に除去できないように取り付けられた鋼箔の間のカセットを磁気的に閉じるための手段として作用する除去できないように(しかし(ハストファン(hastofaan))ストリップによって可撓的に移動可能に)取り付けられた磁気シート(5)(前記ストリップは磁気シート(5)と次の層をカバー側の方向に架橋する);
− X線像貯蔵パネルを通過したX線を吸収する除去できない鉛(又は鉛化合物)シート(6);
− 除去できない鉛(又は鉛化合物)シートと接触するカセットカバー(7)。
− 除去できない鉛(又は鉛化合物)シート(6)の上に図1Aからの厚い磁気箔(5)に加えて薄い鋼箔(5′)の存在;
− ポリマー層(5″)の上にフリース層(5′′′)の存在;
− タングステンフィルター箔(3)上にフリースパッド(3′)の存在。
(1)例えばUS−A 4239968に記載された燐光体におけるようなフッ素部分と化学量論的に等価であることができ、
(2)例えばEP−A 0021342又は0345904及びUS−A 4587036に記載されているようなフッ素部分に対して化学量論的に少なく存在させることができ、
(3)例えばUS−A 4535237に記載されているようにフッ素部分に対して化学量論的に多く存在させることができる。
(i)刺激性貯蔵燐光体に被写体を通過した又は被写体によって放出された前記透過放射線を吸収させ、前記透過放射線のエネルギーを貯蔵させる、
(ii)前記燐光体を刺激光で刺激して、蛍光として前記貯蔵されたエネルギーの少なくとも一部を放出させる、及び
(iii)前記刺激光を検出する、
工程を含み、前記燐光体は、個々に作られた二価のユウロピウムをドープしたバリウムフルオロハライド燐光体の2種以上の混合物からなり、その少なくとも1種はコドープされた燐光体の刺激スペクトルの特性を共同して決定するコドーパントを含有していることを特徴としている。
M1+X.aM2+X′2bM3+X″3:cZ (I)
式中、M1+はLi,Na,K,Cs及びRbからなる群から選択された少なくとも一つの要素であり、M2+はBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,Cu,Pb及びNiからなる群から選択された少なくとも一つの要素であり、M3+はSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Bi,In及びGaからなる群から選択された少なくとも一つの要素であり、ZはGa1+,Ge2+,Sn2+,Sb3+及びAs3+からなる群から選択された少なくとも一つの要素であり、X,X′及びX″は同じであっても異なってもよく、各々はF,Br,Cl,Iからなる群から選択されたハロゲン原子を表し、0≦a≦1、0≦b≦1及び0<c≦0.2である。かかる燐光体は例えばUS−A 5736069に開示されている。
− EuX′2,EuX′3及びEuOX′(但し、X′はF,Cl,Br及びIからなる群から選択された一つの要素である)からなる群から選択されたユウロピウム化合物の10−3〜5mol%と前記CsXを混合する;
− 前記混合物を450℃以上の温度で燃焼する;
− 前記混合物を冷却する;そして
− CsX:Eu燐光体を回収する。
− EuX′2,EuX′3及びEuOX′(但し、X′はF,Cl,Br及びIからなる群から選択された一つの要素である)からなる群から選択されたユウロピウム化合物の10−3〜5mol%と前記CsXを混合する;
− 前記混合物を450℃以上の温度で燃焼する;
− 前記混合物を冷却する;そして
− CsX:Eu燐光体を回収する。
(1)架橋性プレポリマー又はオリゴマー、又は反応性希釈性モノマーに溶解できるポリマーと組み合わされる、
(2)反応性希釈性モノマー、
及びUV硬化性配合の場合においては、
(3)光開始剤
を含有する。
− 本発明によるX線像形成カセットに放射線像貯蔵パネルを(ぴったりと、しかしこれに限定されない)装着する;
− 1kV〜50MVの範囲、より好ましくは放射線治療に関連した特定の用途に対して4MV〜50MVの範囲、のエネルギーを有する放射線源によって前記カセットを放射線照射に暴露する(但し、検査される前記被写体は放射線源とカセットの間に置かれ、放射線はまず前記カセットの管側上に衝突する);
− 被写体を透過した放射線、被写体によって放出された放射線、又は被写体によって散乱又は回折された放射線を放射線像貯蔵パネルによって捕獲し、貯蔵パネルの像貯蔵層上に潜像の形で適用された放射線のエネルギーを貯蔵する;
− 貯蔵燐光体パネルを取り出すことによってカセットを解放する;
− 可視又は赤外範囲の波長スペクトルにおいて刺激光で像貯蔵層の側上の像貯蔵パネルを照射して貯蔵燐光体層における燐光体を励起し、潜像の形で貯蔵層に貯蔵されたエネルギーを光の形で放出する;
− 光収集手段によって貯蔵燐光体層から放出された光を収集する;
− 収集された光を一連の電気信号に変換する;そして
− 電気信号から潜像に対応する像を生成する。
反射又は吸収特性を有するポリエチレンテレフタレート支持体上にBaSrFBr:Eu貯蔵燐光体ラッカーを被覆し、それにEB硬化保護被覆を与えることによって燐光体プレートを作った。前記燐光体プレートは図1Cのような層配置を有するカセットに挿入された。
1.5mmの厚さを有する銅フィルター箔を有するアセンブリを、銅箔と貯蔵燐光体プレートの間にフェルト布ありで又はなしで検査した。6及び18MV露光はフェルト布の存在なしでより良好な像(曇りが少ない)を与える。薄い銅箔は6MV露光の場合に品質的に良好な像を与える。
0.76mmの厚さを有するタングステンフィルター箔を有するアセンブリを、タングステンフィルターと貯蔵燐光体プレートの間にフェルト布なしで検査した。6MV露光は同じ厚さを有する銅フィルター箔について得られたものよりずっと良好な結果を与えた。さらに、1.0mm及び0.8mmの厚さをそれぞれ有するタンタルフィルター箔と比較すると、タングステンフィルター箔は0.8mmタンタルフィルタープレートと比較してほぼ同じ結果(コントラスト、像品質)を示し、1.0mmタンタルフィルター箔より良好な結果を示した。他方、4,6及び18MVのエネルギーのそれぞれでの露光について、0.76mmの厚さを有するタングステンフィルター箔は0.2mm、0.4mm及び0.6mmの厚さをそれぞれ有するタンタルフィルター箔を有するカセットと比較するとQC−3 PHANTOMの露光後に低い像品質を与えた。
0.2mm,0.4mm及び0.6mmの厚さをそれぞれ有するタングステンフィルター箔を有する貯蔵燐光体プレートのアセンブリを利用するとき、技術的なファントムを有するポータル像形成のために一般的なMV範囲の露光において最良のフィルター箔厚さ妥協を選択することは0.2mm厚タングステンフィルター箔に対する像品質に関して最も優れた結果を明らかに示す。
実験3とちょうど同じように同じ異なる厚さを有するタングステンフィルター箔を有するがカセットのカバー側と貯蔵燐光体プレートの間に厚紙を有し、従ってタングステンフィルター箔に対して貯蔵燐光体プレートの圧力による極めて良好な直接接触を与えるアセンブリを検査した。タングステンフィルター箔の存在が0.4mm及び0.6mmの厚さをそれぞれ有するタングステンフィルター箔と比較すると、0.2mm厚タングステンフィルター箔に対する像品質に関して最も優れた結果を与え、厚紙のない前の実験3より良好な結果を与えることが確立された。6及び18MV露光において優れた像が得られ、さらに好ましくは貯蔵燐光体パネルと直接接触する、後方散乱層としての薄い鉛箔の存在はさらに良好な像品質を与えることは明らかだった。
さらなる実験では0.2mmの厚さを有するタングステンフィルター箔と密着するBaFBr:Eu型貯蔵燐光体プレートのアセンブリは0.4mm及び0.6mmの厚さをそれぞれ有するタンタルフィルターと比較された。
金属フィルターと貯蔵燐光体プレートの間の接触に対する異なるシステムがコバルト源での技術的QC−3 PHANTOM露光及びLinac(6及び18MV Linac露光)において試験された。0.2mmの厚さを有するタングステンフィルター箔を有するアセンブリはこの実験のために使用されたが、タングステンフィルター箔と燐光体プレートの間の最適な接触はカセット内の磁気カセット“圧力”システムを使用して確立された。このカセットはタンタルフィルターと燐光体プレートの間の接触を増強するために余分のポリカーボネートプレートがカセットに与えられたカセットと比較された。第三アセンブリではポリエステル層はタングステンフィルター箔上に積層され、タングステンフィルターを燐光体プレートから少なくとも43mm分離した。
Genrad(登録商標)貯蔵燐光体プレート及び0.4mmの厚さを有するタンタルフィルター箔及び0.2mmのタングステンフィルター箔をそれぞれ有するアセンブリはアセンブリを6及び18MVに二重コントラスト露光しながら検査された。この二重コントラスト低線量“ローカライゼーション”像形成は両箔に対して良好な像品質を生成したが、その軽量性のおかげでタングステンフィルター箔の方が好ましいことが示された。
Claims (7)
- カバー側及び管側を有し、それらの間に放射線像貯蔵燐光体プレート又はパネル及び金属フィルター箔を含むX線像形成カセットにおいて、前記金属フィルター箔がタングステンからなり、かつ0.10〜0.60mmの範囲の厚さを有することを特徴とするX線像形成カセット。
- 前記厚さが0.10〜0.30mmの範囲である請求項1に記載のX線像形成カセット。
- 前記管側と前記貯蔵燐光体プレートの間に存在する圧縮可能な多孔質材料が前記スクリーン又はパネルと直接接触する請求項1又は2に記載のX線像形成カセット。
- 鉛のシート又は箔が存在し、前記鉛のシートがカバー側と燐光体貯蔵スクリーンの間に配置される請求項1〜3のいずれかに記載のX線像形成カセット。
- 圧縮可能な多孔質材料でカバーされた強靱なポリマープレートが前記カバー側と前記貯蔵燐光体プレートの間に存在する請求項1〜3のいずれかに記載のX線像形成カセット。
- 前記放射線像貯蔵燐光体プレートが支持された又は支持されない貯蔵燐光体層であり、その層が4MV〜50MVの範囲のエネルギーを有する放射線を貯蔵し、可視光又は赤外線の範囲の波長を有する光エネルギーでの照射により、光の形で貯蔵されたエネルギーを放出する請求項1〜5のいずれかに記載のX線像形成カセット。
- 下記工程を含む、放射線像を貯蔵及び再生するための方法:
− 請求項1〜6のいずれかに記載のX線像形成カセットに放射線像貯蔵パネルを装着する;
− 1kV〜50MVの範囲のエネルギーを有する放射線源によって前記カセットを放射線照射に暴露する(但し、検査される被写体は放射線源とカセットの間に置かれ、放射線は前記カセットの管側上に最初に衝突する);
− 被写体を透過した放射線、被写体によって放出された放射線、又は被写体によって散乱又は回折された放射線を放射線像貯蔵パネルによって捕獲し、貯蔵パネルの像貯蔵層上に潜像の形で適用された放射線のエネルギーを貯蔵する;
− 貯蔵燐光体パネルを取り出すことによってカセットを解放する;
− 可視又は赤外範囲の波長スペクトルにおいて刺激光で像貯蔵層の側上の像貯蔵パネルを照射して貯蔵燐光体層における燐光体を励起し、潜像の形で貯蔵層に貯蔵されたエネルギーを光の形で放出する;
− 光収集手段によって貯蔵燐光体層から放出された光を収集する;
− 収集された光を一連の電気信号に変換する;そして
− 電気信号から潜像に対応する像を生成する。
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