JP2005116559A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 均一に背の高いフィンガー電極を形成することができ、高出力の太陽電池を効率的に製造することができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性ペースト１１０をスクリーン印刷することにより電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、スクリーン印刷は、貫通孔８ａが形成されたスクリーン７ａ上に導電性ペースト１１０を塗布した後に、導電性ペースト１１０をスキージ１１１を移動させることにより行なわれる太陽電池の製造方法である。
【選択図】 図８

Description

本発明は、太陽電池の製造方法に関し、特に高出力の太陽電池を製造することができる太陽電池の製造方法に関する。

近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ₂の増加のような地球環境問題等からクリーンなエネルギの開発が望まれている。特に、太陽電池を用いた太陽光発電が、上記地球環境問題等を解決することができる新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。

図１１の模式的断面図に従来の太陽電池の製造工程の一例の一連の流れを示す。まず、図１１（Ａ）において、ｐ型のシリコン等からなる半導体基板１０１の製造時に生じる表面の加工変質層を除去し、半導体基板１０１の表面に微細なピラミッド状の凹凸を含むテクスチャ表面を形成するため、半導体基板１０１を水酸化ナトリウムを含む溶液（ＮａＯＨ溶液）中に浸漬することによって、半導体基板１０１のエッチング処理を行なう。

次に、図１１（Ｂ）に示すように、リン（Ｐ）等のｎ型の拡散源を含むドーパント液１０２を半導体基板１０１の表面に塗布する。

そして、ドーパント液１０２が塗布された半導体基板１０１を拡散炉で熱処理することによって、図１１（Ｃ）に示すように、半導体基板１０１の受光面側にｎ⁺層１０３が形成されてｐｎ接合を生じさせる。

その後、図１１（Ｄ）に示すように窒化シリコンからなる反射防止膜１０４をプラズマＣＶＤ法等を用いてｎ⁺層１０３上に成膜する。

次いで、図１１（Ｅ）に示すように、半導体基板１０１の受光面側の表面（以下、「受光面」という）には表面電極１０５が形成され、半導体基板１０１の受光面の反対側の面（以下、「裏面」という）にはアルミニウム（Ａｌ）電極１０６ａと銀（Ａｇ）電極１０６ｂとからなる裏面電極１０６が形成される。ここで、表面電極１０５は、まず反射防止膜１０４上に表面電極１０５の材料となるＡｇを含む導電性ペーストがスクリーン印刷され、その後熱処理されることによって、印刷された導電性ペーストが反射防止膜１０４を突き抜けて、ｎ⁺層１０３と接合する電極となったものである。なお、この熱処理の間にＡｌが半導体基板１０１中に拡散してｐ⁺層１１４が形成される。

このようにして得られた太陽電池の模式的な上面図を図１２に示す。図１２において、表面電極１０５は、反射防止膜１０４上で所定の方向に伸長しているバスバー電極１１２とバスバー電極１１２と交差している複数のフィンガー電極１１３とから構成されている。バスバー電極１１２は太陽電池同士を接続する場合にインターコネクタと呼ばれる銅線を半田付けすることを目的として設置されており、フィンガー電極１１３は太陽電池内の電流を収集することを目的として設置されている。

図１３の模式的断面図に、表面電極１０５の材料となるＡｇを含む導電性ペーストをスクリーン印刷する従来の工程を示す。図１３（Ａ）に示すように、表面電極１０５に対応する部分に貫通孔が形成されているマスク１０７と、マスク１０７上に設置されたスクリーン紗１０８とからなるスクリーン１０９を反射防止膜１０４上に被せ、図１３（Ｂ）に示すように、スクリーン紗１０８上に塗布された導電性ペースト１１０を、スキージ１１１を移動させることによって、反射防止膜１０４上の表面電極１０５に対応する部分に塗布する。そして、反射防止膜１０４上に被せられているスクリーン１０９を取り去ると、導電性ペースト１１０が反射防止膜１０４上に印刷されている。

スクリーン紗１０８を用いたスクリーン印刷においては、多彩な印刷が可能であり、また、スクリーン紗１０８の形状を変化させることによって導電性ペースト１１０の塗布量を変化させることができる点が利点である。

しかしながら、スクリーン紗１０８を用いたスクリーン印刷においては、スクリーン紗１０８の可撓性が要因となって、均一に背の高いフィンガー電極１１３を形成することができず、フィンガー電極１１３の背の高さにばらつきが生じてしまうという問題があった。背の高いフィンガー電極１１３は多くの電流量を収集できるが、背の低いフィンガー電極１１３は収集できる電流量が少なくなるため、フィンガー電極１１３の背の高さにばらつきが生じると太陽電池の出力電力量が低下する。

また、スクリーン紗１０８の形状が要因となって、反射防止膜１０４上に導電性ペースト１１０が届いていない部分が生じ、フィンガー電極１１３が断線するという問題もあった。フィンガー電極１１３が断線した場合には、一旦フィンガー電極１１３に流入した電流がフィンガー電極１１３よりも電気抵抗率の大きいｎ⁺層中を流れてからバスバー電極１１２に流入することとなり、電流損失が大きくなる。

また、特許文献１には、バスバー電極とフィンガー電極とを別々にスクリーン印刷する方法が開示されている。しかしながら、この方法においては、スクリーン印刷を２度行なう必要があるため製造工程数が増加し、さらにバスバー電極とフィンガー電極とが交差するように導電性ペーストをスクリーン印刷をする必要があるため、太陽電池の製造コストが増加するという問題があった。
特開昭６２−１５６８８１号公報

本発明の目的は、均一に背の高いフィンガー電極を形成することができ、高出力の太陽電池を効率的に製造することができる太陽電池の製造方法を提供することにある。

本発明は、導電性ペーストをスクリーン印刷することにより電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、スクリーン印刷は、貫通孔が形成されたスクリーン上に導電性ペーストを塗布した後に、導電性ペーストをスキージングすることにより行なわれる太陽電池の製造方法である。

ここで、本発明の太陽電池の製造方法においては、電極が、所定の方向に伸長しているバスバー電極と、バスバー電極と交差しているフィンガー電極とからなり、スクリーンにおけるバスバー電極に対応する部分に複数の不連続な貫通孔が形成されていることが好ましい。

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、スクリーンにおけるバスバー電極に対応する部分の厚みが、スクリーンの他の部分よりも薄いことが好ましい。

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、スクリーンの一方の面におけるバスバー電極に対応する部分が窪んでおり、スクリーンの窪んでいる面と反対側の面に導電性ペーストが塗布されてスクリーン印刷が行なわれることが好ましい。

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、バスバー電極に対応する部分以外のスクリーンの最大の厚みが、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。ここで、バスバー電極に対応する部分のスクリーンの最小の厚みが、バスバー電極に対応する部分以外のスクリーンの最大の厚みの１／２以下であることが好ましい。

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、バスバー電極に対応する貫通孔の間隔が、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、貫通孔の形状が、円形および半円形の少なくとも一方の形状であることが好ましい。

また、本発明の太陽電池の製造方法において、スキージングはフィンガー電極に対応する貫通孔の長手方向に行なわれることが好ましい。

また、本発明の太陽電池の製造方法において、スクリーンは金属からなることが好ましい。

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、導電性ペーストの粘度が３０Ｐａ・ｓ以上３４０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。

本発明によれば、均一に背の高いフィンガー電極を形成することができ、高出力の太陽電池を効率的に製造することができる太陽電池の製造方法を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本願の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。

図１の模式的断面図に本発明の太陽電池の製造工程の好ましい一例の一連の流れを示す。まず、図１（Ａ）において、ｐ型のシリコンからなる半導体基板１の製造時に生じる表面の加工変質層を除去し、半導体基板１の受光面に微細なピラミッド状の凹凸を含むテクスチャ構造を形成するため、半導体基板１の受光面をＮａＯＨ溶液中に浸漬することによって半導体基板１のエッチング処理を行なう。

次に、図１（Ｂ）に示すように、半導体基板１の受光面に、五酸化二リン（Ｐ₂Ｏ₅）をアルコールに溶解させたドーパント液２を塗布する。そして、ドーパント液２が塗布された半導体基板１を拡散炉で８００℃以上９００℃以下の温度で１０分間以上３０分間以下熱処理することによって、図１（Ｃ）に示すように、半導体基板１の受光面にｎ⁺層３が形成されてｐｎ接合を生じさせる。ここで、ｎ⁺層３は、半導体基板１を拡散炉に設置した後にオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ₃）中で加熱すること等によって行なうこともできる。

その後、図１（Ｄ）に示すように、反射防止膜４として酸化チタンからなる膜をｎ⁺層３上にＣＶＤ法を用いて６０ｎｍ以上９０ｎｍ以下の厚みで成膜する。ここで、反射防止膜４としては、プラズマＣＶＤ法を用いて窒化シリコンからなる膜をｎ⁺層３上に８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚みで成膜することもできる。

次いで、半導体基板１の裏面にＡｌを含む導電性ペーストおよびＡｇを含む導電性ペーストを印刷した後に印刷後の半導体基板１を６００℃以上８００℃以下の温度で焼成することによって、図１（Ｅ）に示すように、Ａｌ電極６ａとＡｇ電極６ｂとからなる裏面電極６が形成されると共に、Ａｌが半導体基板１中に拡散することによってｐ⁺層１６が形成される。

そして、図１（Ｆ）に示すように、半導体基板１の受光面には表面電極５が形成される。

ここで、本発明において表面電極５は、以下のようにして形成される。まず、図２の模式的上面図に示すスクリーン７を用意する。ここで、スクリーン７には、表面電極を構成するバスバー電極に対応する部分に貫通孔８が形成され、フィンガー電極に対応する部分に貫通孔９が形成されている。そして、図３の模式的側面図に示すように、このスクリーン７を反射防止膜４上に設置し、スクリーン７上にＡｇを含む導電性ペーストを塗布する。次いで、図４の模式的上面図に示す矢印１０ａまたは矢印１０ｂで表わされているフィンガー電極に対応する貫通孔９の長手方向に導電性ペーストをスクリーン７上においてスキージを移動させることによってスキージングする。この方向にスキージを移動させることによって、より均一な量の導電性ペーストを印刷することができるようになる。そして、スクリーン７を取り去った後、半導体基板１を熱処理することによって、印刷された導電性ペーストが反射防止膜４を突き抜けて、半導体基板１と電気的に接続する表面電極５が形成される。ここで、図５の模式的上面図に示すように、反射防止膜４上の表面電極５は所定の方向に伸長しているバスバー電極１２と、バスバー電極１２と交差しているフィンガー電極１３とから構成されている。

最後に、図１（Ｇ）に示すように、この表面電極５上に半田１１が被覆される。ここで、半田１１の被覆は、表面電極５を溶融半田浴中に数分浸漬させた後、表面電極５を温水で洗浄することにより行なわれる。

このように本発明においては、フィンガー電極の背の高さを不均一にし、さらにフィンガー電極の背の高さを低下させる原因となるスクリーン紗を用いることなく、導電性ペーストをスクリーン上に直接塗布することによってスクリーン印刷が行なわれるため、均一に背の高いフィンガー電極を形成することができる。また、本発明においては、バスバー電極とフィンガー電極とを１度にスクリーン印刷することができる。それゆえ、本発明においては、高出力の太陽電池を効率的に製造することができる。

図６に、本発明に用いられるスクリーンの他の好ましい一例の模式的な上面図を示す。このスクリーン７ａにおいては、バスバー電極に対応する部分に複数の不連続な貫通孔８ａが形成されていることに特徴がある。図２に示すスクリーン７の厚みがフィンガー電極の背の高さに好適な５０μｍ以上１５０μｍ以下である場合には、スクリーン７の厚みが非常に薄すぎて、スクリーン７上に塗布された導電性ペーストをフィンガー電極に対応する貫通孔９の長手方向にスキージングする際にスクリーン７の突部１４が上方に反り上がってしまうことがある。そこで、図６に示すスクリーン７ａのように、バスバー電極に対応する貫通孔を複数の不連続な貫通孔８ａとすることによって、図７の模式的上面図に示す矢印１０ａまたは矢印１０ｂで表わされているフィンガー電極に対応する貫通孔９の長手方向に導電性ペーストをスキージングした場合であっても、スクリーン７ａが上方に反り上がることがないことから、スクリーン７ａの最大の厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下という非常に薄い場合であっても、均一に背の高いフィンガー電極を形成することができる。ここで、フィンガー電極に対応する貫通孔９の長手方向の幅Ｗは５０μｍ以上１５０μｍ以下である。

図８（Ａ）に、図６に示すスクリーン７ａの模式的な拡大断面図を示す。図８（Ａ）に示すように、スクリーン７ａの一方の面のバスバー電極に対応する部分Ｙが窪んでおり、スクリーン７ａにおけるバスバー電極に対応する部分Ｙの厚みが、スクリーン７ａにおけるバスバー電極に対応する部分以外の部分Ｚよりも薄くなっている。

ここで、スクリーン７ａのバスバー電極に対応する部分以外の部分Ｚの最大の厚みＴ１が５０μｍ以上１５０μｍ以下である場合には、スクリーン７ａのバスバー電極に対応する部分Ｙの最小の厚みＴ２は、スクリーン７ａのバスバー電極に対応する部分以外の部分Ｚの最大の厚みＴ１の１／２以下であることが好ましい。この場合には、図８（Ｂ）の模式的断面図に示すように、スキージ１１１を用いて導電性ペースト１１０をスキージングしたときに、貫通孔８ａを通過してきた導電性ペースト１１０がスクリーン７ａの窪みによって形成される空洞１５において十分に広がるため、印刷される導電性ペースト１１０がドット状になりにくいことから、インターコネクタとバスバー電極との接触面積が減少せず、インターコネクタとバスバー電極との接合強度を向上させることができる傾向にある。

また、貫通孔８ａは、円形および半円形の少なくとも一方の形状であることが好ましい。この場合には、より均一な導電性ペーストの印刷が可能となり、導電性ペーストの印刷が途切れにくくなることから、インターコネクタとバスバー電極との接合強度をさらに向上させることができる傾向にある。

また、図８に示すように、スクリーン７ａに形成されているバスバー電極に対応する貫通孔８ａの間隔Ｘは、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。貫通孔８ａの間隔Ｘが１０μｍ未満である場合には、エッチング等による貫通孔８ａの形成が困難となる傾向にあり、貫通孔８ａの間隔Ｘが１００μｍよりも広い場合には、スクリーン７ａのバスバー電極に対応する部分に不連続な複数の貫通孔８ａを形成することができない傾向にある。

また、本発明に用いられる導電性ペーストの粘度は、３０Ｐａ・ｓ以上３４０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。導電性ペーストの粘度が３０Ｐａ・ｓ未満である場合には導電性ペーストの粘度が低すぎて印刷後に表面電極の形状が保持できない傾向にあり、導電性ペーストの粘度が３４０Ｐａ・ｓよりも高い場合には導電性ペーストの粘度が高すぎてスキージングしにくい傾向にある。ここで、本発明に用いられる導電性ペーストには、表面電極の材料となるＡｇの他、有機溶剤およびガラスフリット等が含まれる。

また、本発明に用いられるスクリーン７、７ａは金属からなることが好ましい。この場合には、導電性ペーストのスクリーン印刷の際にスクリーン７、７ａが上方に反り上がったり、移動したりする傾向が少ないことから、安定して導電性ペーストのスクリーン印刷をすることができる。また、スクリーン７、７ａに形成されている貫通孔の変形も少ないことから、スクリーン７、７ａを長期間使用することが可能となる。ここで、スクリーン７、７ａに用いられる金属としては、鉄またはステンレス等がある。

（実施例１）
まず、電気抵抗率が３Ω・ｃｍであって、厚み３００μｍのｐ型単結晶シリコン基板を洗浄した。そして、ｐ型単結晶シリコン基板の受光面をＮａＯＨ溶液中に浸漬し、ｐ型単結晶シリコン基板の受光面に微小ピラミッド状の凹凸を形成した。

次に、Ｐ₂Ｏ₅をエタノールに溶解させたドーパント液をｐ型単結晶シリコン基板の受光面に塗布し、拡散炉内において８００℃で１５分間、ｐ型単結晶シリコン基板の熱処理を行なって、ｐ型単結晶シリコン基板の受光面から下方へ約０．５μｍの領域にｎ⁺層を形成した。

そして、ＣＶＤ法を用いて、ｐ型単結晶シリコン基板の受光面上に反射防止膜として酸化チタンからなる膜を９０ｎｍの厚みで形成した。

次いで、ｐ型単結晶シリコン基板の裏面にＡｌを含む導電性ペーストおよびＡｇを含む導電性ペーストをそれぞれスクリーン印刷した後に、ｐ型単結晶シリコン基板を８００℃で加熱することにより裏面電極を形成した。

続いて、ｐ型単結晶シリコン基板の受光面側にある反射防止膜上に図７に示すステンレス製のスクリーン７ａを設置し、このスクリーン７ａ上にＡｇを含む導電性ペーストを塗布して、スクリーン７ａのフィンガー電極に対応する貫通孔の長手方向にスキージングすることによりスクリーン印刷を行なった。ここで、スクリーン７ａの一方の面のバスバー電極に対応する部分が窪んでスクリーン７ａにおけるバスバー電極に対応する部分の厚みがスクリーン７ａの他の部分よりも薄くなっており、スクリーン７ａの窪んでいる面と反対側の面に導電性ペーストを塗布してスクリーン印刷を行なった。また、バスバー電極に対応する部分以外のスクリーン７ａの厚みは５０μｍであって、バスバー電極に対応する部分のスクリーン７ａの厚みは２５μｍであった。また、バスバー電極に対応する複数の不連続な円形状の貫通孔同士の間隔は５０μｍであった。また、導電性ペーストの粘度は１００Ｐａ・ｓであった。

そして、スクリーン印刷後のｐ型単結晶シリコン基板を８００℃で加熱することにより、印刷されたＡｇを含む導電性ペーストが反射防止膜を通過してｐ型単結晶シリコン基板と電気的に接続し、バスバー電極とフィンガー電極とからなる表面電極が形成された。

図９に実施例１において形成されたフィンガー電極の背の高さの分布を示す。ここで、フィンガー電極の背の高さは、ｐ型単結晶シリコン基板の表面からの高さを測定したものである。また、フィンガー電極の背の高さは、実施例１において形成されたフィンガー電極から任意の数のフィンガー電極を抽出してその背の高さを測定したものであるため、図９に示す分布においてフィンガー電極の背の高さを表わすピークが多数存在している。なお、図９の分布において、ピークの最高点がそれぞれのフィンガー電極の背の高さの最高点を表わしている。

図９に示すように、実施例１において形成されたフィンガー電極の背の高さは３５μｍ以上４８μｍ以下であって、均一に背の高いフィンガー電極を形成できたことが確認できた。

さらに、実施例１の表面電極を溶融半田浴中に５分間浸漬させた後、表面電極を温水で洗浄して実施例１の太陽電池を完成させた。そして、実施例１の太陽電池の電流−電圧曲線（Ｉ−Ｖ曲線）を作成し、実施例１の太陽電池のフィルファクター（Ｆ.Ｆ.）および最大電力（Ｐ_max）を調査した。その結果を表１に示す。なお、表１において、Ｉscは短絡電流を示し、Ｖocは開放電圧を示す。

（比較例１）
スクリーン紗を図７に示すステンレス製のスクリーン７ａ上に設置してスクリーン印刷を行なったこと以外は実施例１と同様にして表面電極を形成し、フィンガー電極の背の高さを調査した。図１０にフィンガー電極の背の高さの分布を示す。

図１０に示すように、比較例１において形成されたフィンガー電極の背の高さは１２μｍ以上４２μｍ以下であって、実施例１のフィンガー電極と比べて、背の高さにばらつきが生じていた。

さらに、比較例１の表面電極を溶融半田浴中に５分間浸漬させた後、表面電極を温水で洗浄して比較例１の太陽電池を完成させた。そして、比較例１の太陽電池のＩ−Ｖ曲線を作成し、比較例１の太陽電池のフィルファクター（Ｆ.Ｆ.）および最大電力（Ｐ_max）を調査した。その結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１の太陽電池は、短絡電流（Ｉsc）および開放電圧（Ｖoc）においては比較例１の太陽電池とほとんど変わらなかったが、実施例１の太陽電池はフィルファクター（Ｆ.Ｆ.）および最大電力（Ｐ_max）において比較例１の太陽電池よりも優れていた。これは、実施例１の太陽電池は比較例１の太陽電池よりも均一に背の高いフィンガー電極を形成することができたことから太陽電池の出力をより引き出すことができ、また、フィンガー電極の断線も生じなかったことから電流損失が低減されたためであると考えられる。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の太陽電池の製造方法においては、均一に背の高いフィンガー電極を形成することによって高出力の太陽電池を効率的に製造することができることから、本発明は太陽電池分野に好適に利用できる。

（Ａ）は本発明で用いられる半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｂ）はドーパント液塗布後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｃ）はｎ⁺層形成後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｄ）は反射防止膜形成後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｅ）は裏面電極形成後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｆ）は表面電極形成後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｇ）は表面電極を半田で被覆した後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図である。 本発明に用いられるスクリーンの好ましい一例の模式的な上面図である。 本発明において図２に示すスクリーンを反射防止膜上に設置した後の半導体基板の模式的な側面図である。 図２に示すスクリーンを用いて導電性ペーストをスキージングする方向を示した図である。 本発明において表面電極が形成された後の半導体基板の模式的な上面図である。 本発明に用いられるスクリーンの他の好ましい一例の模式的な上面図である。 図６に示すスクリーンを用いて導電性ペーストをスキージングする方向を示した図である。 （Ａ）は図６に示すスクリーンの模式的な拡大断面図であり、（Ｂ）は導電性ペーストをスキージングする際の図６に示すスクリーンの模式的な拡大断面図である。 実施例１において形成されたフィンガー電極の背の高さの分布を示した図である。 比較例１において形成されたフィンガー電極の背の高さの分布を示した図である。 （Ａ）は従来の半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｂ）はドーパント液塗布後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｃ）はｎ⁺層形成後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｄ）は反射防止膜形成後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図であり、（Ｅ）は表面電極および裏面電極形成後の（Ａ）に示す半導体基板の模式的な断面図である。 従来の太陽電池の模式的な上面図である。 （Ａ）は反射防止膜上に設置された従来のスクリーンの模式的な断面図であり、（Ｂ）はスクリーン印刷が行なわれている際の（Ａ）に示すスクリーンの模式的な断面図である。

符号の説明

１，１０１ 半導体基板、２，１０２ ドーパント液、３，１０３ ｎ⁺層、４，１０４ 反射防止膜、５，１０５ 表面電極、６，１０６ 裏面電極、６ａ，１０６ａ Ａｌ電極、６ｂ，１０６ｂ Ａｇ電極、７，７ａ，１０９ スクリーン、８，８ａ，９ 貫通孔、１０ａ，１０ｂ 矢印、１１ 半田、１２，１１２ バスバー電極、１３，１１３ フィンガー電極、１４ 突部、１５ 空洞、１６，１１４ ｐ⁺層、１０７ マスク、１０８ スクリーン紗、１１０ 導電性ペースト、１１１ スキージ。

Claims (11)

1. 導電性ペーストをスクリーン印刷することにより電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、前記スクリーン印刷は、貫通孔が形成されたスクリーン上に前記導電性ペーストを塗布した後に、前記導電性ペーストをスキージングすることにより行なわれることを特徴とする、太陽電池の製造方法。
2. 前記電極が、所定の方向に伸長しているバスバー電極と、前記バスバー電極と交差しているフィンガー電極とからなり、前記スクリーンにおける前記バスバー電極に対応する部分に複数の不連続な貫通孔が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
3. 前記スクリーンにおける前記バスバー電極に対応する部分の厚みが、前記スクリーンの他の部分よりも薄いことを特徴とする、請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
4. 前記スクリーンの一方の面における前記バスバー電極に対応する部分が窪んでおり、前記スクリーンの窪んでいる面と反対側の面に前記導電性ペーストが塗布されて前記スクリーン印刷が行なわれることを特徴とする、請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
5. 前記バスバー電極に対応する部分以外の前記スクリーンの最大の厚みが、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項３または４に記載の太陽電池の製造方法。
6. 前記バスバー電極に対応する部分の前記スクリーンの最小の厚みが、前記バスバー電極に対応する部分以外の前記スクリーンの最大の厚みの１／２以下であることを特徴とする、請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
7. 前記バスバー電極に対応する貫通孔の間隔が、１０μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする、請求項２から６のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
8. 前記貫通孔の形状が、円形および半円形の少なくとも一方の形状であることを特徴とする、請求項２から７のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
9. 前記スキージングは、前記フィンガー電極に対応する前記貫通孔の長手方向に行なわれることを特徴とする、請求項２から８のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
10. 前記スクリーンは金属からなることを特徴とする、請求項１から９のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
11. 前記導電性ペーストの粘度が３０Ｐａ・Ｓ以上３４０Ｐａ・Ｓ以下であることを特徴とする、請求項１から１０のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。

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