JP2005109396A - 半導体装置の製造方法および絶縁膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この発明は、絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法において、絶縁膜形成の一工程として、不活性ガスにより希釈された0.5%以上20%以下の一酸化窒素ガスを含む、不活性ガスと一酸化窒素ガスの混合ガス雰囲気中での熱処理を含む、ことを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
G.Y.Chung et al.,Appl.Phys.Lett.76,1713(2000)
10 熱処理炉
11 反応管
12 赤外線ランプ
13 サセプタ
14 試料
20 ガス供給部
21,22,23 マスフローコントローラー
24 マニホールド
30 ガス排出部
31 NOガス除害装置
32 真空排気系
4 紫外線照射ユニット
4a 反射面
Claims (9)
- 絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法において、
上記絶縁膜形成の一工程として、不活性ガスにより希釈された0.5%以上20%以下の一酸化窒素ガスを含む、不活性ガスと一酸化窒素ガスの混合ガス雰囲気中での熱処理を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記絶縁膜は、最上層が炭化珪素層である半導体基板上に形成される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記不活性ガスがAr(アルゴン)である、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記熱処理の後、50℃/min以上の降温速度で冷却する、請求項1から3の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 上記絶縁膜の形成と上記熱処理を同一装置内で行う、請求項1から4の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成装置において、
不活性ガスと一酸化窒素ガスの混合ガスを供給しその流量を制御するとともに、その混合ガス中の一酸化窒素ガスの濃度を任意に変更可能なガス供給手段を備え、
上記半導体基板上に絶縁膜を形成するとともに、その絶縁膜に上記ガス供給手段からの混合ガスを供給することで熱処理を行う、
ことを特徴とする絶縁膜形成装置。 - 反応管内に載置した上記半導体基板を光照射により加熱するコールドウォール型の熱処理炉を用いる、請求項6に記載の絶縁膜形成装置。
- 反応管の冷却機構が付加されたコールドウォール型の熱処理炉を用いる、請求項7に記載の絶縁膜形成装置。
- 上記反応管のガス出口側に混合ガス中の一酸化窒素ガスの除害設備を備えた、請求項7または8に記載の絶縁膜形成装置。
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