KR102487935B1 - 성막 장치 - Google Patents

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KR102487935B1
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도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 성막 품질이나 성막 속도를 떨어뜨리지 않고, 저비용으로 기판 상에 박막을 성막할 수 있는 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고, 본 발명에 있어서, 적외광 조사기(2)는 하부 용기(62) 내의 컨베이어(53)로부터 이격된 위치에 배치된다. 적외광 조사기(2)는, 복수의 적외광 램프(22)로부터 상방을 향하여 적외광을 조사하여 벨트(52)의 상면에 적재된 복수의 기판(10)에 대한 가열 처리를 실행한다. 성막실(6A) 내에 있어서, 적외광 조사기(2)의 적외광 조사에 의한 가열 처리와, 박막 형성 노즐(1)에 의한 미스트 분사 처리를 동시에 실행함으로써, 벨트(52)의 상면에 적재된 기판(10) 상에 박막을 성막한다.

Description

성막 장치
본 발명은, 태양 전지 등의 전자 디바이스의 제조에 사용되며, 기판 상에 박막을 성막하는 성막 장치에 관한 것이다.
기판 상에 막을 성막하는 방법으로서, 화학 기상 성장(CVD(Chemical Vapor Deposition))법이 있다. 그러나, 화학 기상 성장법에서는 진공 하에서의 성막이 필요한 경우가 많아져, 진공 펌프 등에다가, 대형 진공 용기를 사용할 필요가 있다. 또한, 화학 기상 성장법에서는, 비용 등의 관점에서, 성막되는 기판으로서 대면적의 것을 채용하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다. 그래서, 대기압 하에서의 성막 처리가 가능한 미스트법이, 주목받고 있다.
미스트법을 이용한 성막 장치에 관한 종래 기술로서, 예를 들어 특허문헌 1에 관한 기술이 존재하고 있다.
특허문헌 1에 관한 기술에서는, 미스트 분사용 노즐 등을 포함하는 미스트 분사 헤드부의 저면에 마련되는 원료 용액 분출구 및 반응 재료 분출구로부터, 대기 중에 배치되어 있는 기판에 대하여 미스트화된 원료 용액 및 반응 재료가 분사되고 있다. 당해 분사에 의해, 기판 상에는 막이 성막된다. 또한, 반응 재료는 원료 용액과의 반응에 기여하는 재료를 의미한다.
도 3은 종래의 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 설명도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 기판 적재부인 기판 적재 스테이지(30)는 상면에 복수의 기판(10)을 적재하고 있다.
기판 적재 스테이지(30)는 진공 흡착에 의한 흡착 기구(31)를 갖고, 이 흡착 기구(31)에 의해, 적재된 복수의 기판(10) 각각의 이면 전체를, 기판 적재 스테이지(30)의 상면 상에 흡착할 수 있다. 또한, 기판 적재 스테이지(30)는 흡착 기구(31)의 하방에 가열 기구(32)가 마련되어 있고, 이 가열 기구(32)에 의해, 기판 적재 스테이지(30)의 상면에 적재된 복수의 기판(10)에 대한 가열 처리를 실행할 수 있다.
박막 형성 노즐(1)(미스트 분사부)은 분사면(1S)에 마련된 분사구로부터 하방으로 원료 미스트 MT를 분사하는 미스트 분사 처리를 실행한다. 또한, 원료 미스트 MT는 원료 용액을 미스트화하여 얻어지는 미스트이며, 박막 형성 노즐(1)에 의해 원료 미스트 MT를 대기 중에 분사할 수 있다.
박막 형성 노즐(1), 기판 적재 스테이지(30), 기판 적재 스테이지(30)의 상면에 적재된 복수의 기판(10)은 모두 성막실(60)에 수납된다. 성막실(60)은 상부 용기(68), 하부 용기(69) 및 도어(67)에 의해 구성된다. 성막실(60)은, 성막 처리를 행할 때, 도어(67)를 폐쇄 상태로 하여 상부 용기(68), 하부 용기(69) 간의 개구부를 폐색함으로써, 박막 형성 노즐(1), 기판 적재 스테이지(30) 및 복수의 기판(10)을 외부로부터 차단할 수 있다.
따라서, 성막실(60)의 도어(67)를 폐쇄 상태로 하고, 가열 기구(32)의 가열 처리 중에, 박막 형성 노즐(1)에 의해 미스트 분사 처리를 실행함으로써, 기판 적재 스테이지(30)의 상면에 적재된 기판(10) 상에 박막을 성막할 수 있다.
이와 같이, 종래의 성막 장치는, 박막 형성 노즐(1)에 의한 미스트 분사 처리와 가열 기구(32)에 의한 가열 처리를 동시에 실행함으로써 박막을 기판(10) 상에 성막하고 있다.
국제 공개 제2017/068625호
상술한 바와 같이, 종래의 성막 장치는, 성막 대상물이 되는 기재인 기판(10)을 상면 상에 적재하는 기판 적재 스테이지(30)의 내부에 가열 기구(32)를 마련하고, 기판 적재 스테이지(30)를 평면형 가열 수단으로서 사용하는 것이 일반적이었다.
기판 적재 스테이지(30)와 같은 평면형 가열 수단을 사용하는 경우, 기판 적재 스테이지(30)의 상면과 기판(10)의 이면을 접촉시키고, 기판 적재 스테이지(30), 기판(10) 간을 전열시켜 기판(10)의 가열 처리를 실행하게 된다.
그러나, 기판(10)이 평판 형상이 아니고, 그 하면이 만곡된 것이나, 하면에 요철이 있는 구조를 나타내는 경우, 평면형 가열 수단에서는, 기판 적재 스테이지(30)의 상면과 기판(10)의 이면의 접촉이 국소적으로 된다. 이 때문에, 가열 기구(32)에 의한 가열 처리의 실행 시에 기판(10)의 가열이 불균일해지거나, 기판(10)에 휨이 발생하여 변형되거나 하는 등의 문제점이 있었다.
본 발명에서는, 상기와 같은 문제점을 해결하여, 성막 품질이나 성막 속도를 떨어뜨리지 않고, 저비용으로 기판 상에 박막을 성막할 수 있는 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 성막 장치는, 기판을 적재하는 기판 적재부와, 상기 기판 적재부와 이격되어 마련되며, 적외광 램프를 갖고, 상기 적외광 램프로부터 적외광을 조사하여 상기 기판을 가열하는 가열 처리를 실행하는 가열 기구와, 원료 용액을 미스트화하여 얻어지는 원료 미스트를 상기 기판의 표면에 분사하는 미스트 분사 처리를 실행하는 미스트 분사부를 구비하고, 상기 가열 기구에 의한 상기 가열 처리와 상기 미스트 분사부에 의한 상기 미스트 분사 처리를 동시에 실행함으로써, 상기 기판의 표면에 박막을 성막하는 것을 특징으로 한다.
청구항 1에 기재된 본원 발명의 성막 장치는, 기판 적재부로부터 이격되어 마련되며, 적외광 램프로부터 적외광을 조사함으로써 기판을 가열하는 가열 처리를 실행하는 가열 기구를 구비하고 있다.
따라서, 청구항 1에 기재된 본원 발명은, 기판과 접촉 관계를 갖게 하지 않고, 가열 기구에 의해 기판을 직접 가열할 수 있기 때문에, 기판의 형상에 관계없이 균일한 가열을 기판을 변형시키지 않고 행할 수 있다.
그 결과, 청구항 1에 기재된 본원 발명의 성막 장치는, 성막 품질이나 성막 속도를 떨어뜨리지 않고, 저비용으로 기판 상에 박막을 성막할 수 있다.
본 발명의 목적, 특징, 국면 및 이점은, 이하의 상세한 설명과 첨부 도면에 의해, 보다 명백해진다.
도 1은 본 발명의 실시 형태 1인 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 설명도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태 2인 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 설명도이다.
도 3은 종래의 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 설명도이다.
<실시 형태 1>
도 1은 본 발명의 실시 형태 1인 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 설명도이다. 도 1에 XYZ 직교 좌표계를 기재한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 실시 형태 1의 성막 장치(11)는, 성막실(6A), 박막 형성 노즐(1), 적외광 조사기(2) 및 컨베이어(53)를 주요 구성 요소로서 포함하고 있다.
기판 적재부인 컨베이어(53)는 벨트(52)의 상면에 복수의 기판(10)을 적재하고 있다. 컨베이어(53)는 좌우(-X 방향, +X 방향) 양단에 마련된 반송용의 한 쌍의 롤러(51)와, 한 쌍의 롤러(51)에 걸쳐진 무단형의 반송용의 벨트(52)를 구비하고 있다.
컨베이어(53)는, 한 쌍의 롤러(51)의 회전 구동에 의해, 상방측(+Z 방향측)의 벨트(52)를 반송 방향(X 방향)을 따라서 이동시킬 수 있다.
컨베이어(53)의 한 쌍의 롤러(51)는 성막실(6A) 외부에 마련되고, 벨트(52)는 중앙부가 성막실(6A) 내에 마련되며, 성막실(6A)의 좌우(-X 방향, +X 방향) 측면의 일부에 마련되는 한 쌍의 개구부(63)를 통해 성막실(6A)의 내부와 외부 사이를 이동할 수 있다.
박막 형성 노즐(1), 컨베이어(53)의 일부, 컨베이어(53)의 벨트(52)의 상면에 적재된 복수의 기판(10) 및 적외광 조사기(2)는 성막실(6A) 내에 수납된다.
성막실(6A)은 상부 용기(61), 하부 용기(62) 및 한 쌍의 개구부(63)에 의해 구성된다. Z 방향인 높이 방향에 있어서 상부 용기(61)와 하부 용기(62) 사이에 한 쌍의 개구부(63)가 위치한다. 따라서, 성막실(6A) 내의 개구부(63, 63) 간에 마련되는 컨베이어(53)는 하부 용기(62)보다 높고, 상부 용기(61)보다 낮은 위치에 배치된다.
가열 기구인 적외광 조사기(2)는 하부 용기(62) 내의 컨베이어(53)로부터 이격된 위치에, 도시하지 않은 고정 수단으로부터 고정된다.
또한, 적외광 조사기(2)는, 성막실(6A) 내의 벨트(52)의 상면과 평면으로 보아 중복되는 위치에 배치된다.
적외광 조사기(2)는 램프 적재대(21) 및 복수의 적외광 램프(22)로 구성되고, 램프 적재대(21)의 상부에 복수의 적외광 램프(22)가 설치된다. 따라서, 적외광 조사기(2)는 복수의 적외광 램프(22)로부터 상방(+Z 방향)을 향하여 적외광을 조사할 수 있다. 적외광 조사기(2)에 의한 상술한 적외광 조사에 의해 벨트(52)의 상면에 적재된 복수의 기판(10)에 대한 가열 처리를 실행할 수 있다.
미스트 분사부인 박막 형성 노즐(1)은 상부 용기(61) 내에 도시하지 않은 고정 수단에 의해 고정 배치된다. 이때, 박막 형성 노즐(1)은, 분사면(1S)과 벨트(52)의 상면이 대향하는 위치 관계로 배치된다.
박막 형성 노즐(1)은 분사면(1S)에 마련된 분사구로부터 하방(-Z 방향)으로 원료 미스트 MT를 분사하는 미스트 분사 처리를 실행한다. 또한, 원료 미스트 MT는 원료 용액을 미스트화하여 얻어지는 미스트이며, 박막 형성 노즐(1)에 의해 원료 미스트 MT를 대기 중에 분사할 수 있다.
성막실(6A)은, 성막 처리를 행할 때, 에어 커튼(7)에 의해 상부 용기(61), 하부 용기(62) 간의 개구부(63)를 폐색함으로써, 박막 형성 노즐(1), 벨트(52) 상에 적재된 복수의 기판(10) 및 적외광 조사기(2)를 외부로부터 차단할 수 있다.
따라서, 실시 형태 1의 성막 장치(11)는, 에어 커튼(7)에 의해 성막실(6A)의 한 쌍의 개구부(63)를 폐쇄 상태로 하고, 컨베이어(53)의 벨트(52)를 반송 방향(X 방향)을 따라서 이동시켜 성막 환경을 설정할 수 있다.
그리고, 성막 장치(11)는, 상기 성막 환경 하에서, 적외광 조사기(2)의 적외광 조사에 의한 가열 처리와, 박막 형성 노즐(1)에 의한 미스트 분사 처리를 동시에 실행함으로써, 성막실(6A) 내에 있어서 벨트(52)의 상면에 적재된 기판(10) 상에 박막을 성막하고 있다.
이와 같이, 실시 형태 1의 성막 장치(11)는, 기판 적재부인 컨베이어(53)로부터 이격되어 마련되며, 적외광 램프(22)로부터 적외광을 조사하여 복수의 기판(10)을 직접 가열하는 가열 처리를 실행하는 적외광 조사기(2)를 가열 기구로서 구비하고 있다.
따라서, 실시 형태 1의 성막 장치(11)는, 기판(10)과 접촉 관계를 갖게 하지 않고, 적외광 조사기(2)에 의해 기판(10)을 직접 가열할 수 있기 때문에, 기판(10)의 형상에 관계없이 균일한 가열을, 기판(10)을 변형시키지 않고 행할 수 있다.
그 결과, 실시 형태 1의 성막 장치(11)는, 성막 품질이나 성막 속도를 떨어뜨리지 않고, 저비용으로 기판(10) 상에 박막을 성막할 수 있다.
또한, 실시 형태 1의 성막 장치(11)는, 가열 기구인 적외광 조사기(2)를 성막실(6A) 내에 마련함으로써, 성막실(6A)을 통하지 않고, 적외광을 기판(10)에 조사할 수 있는 만큼, 적외광의 조사 효율을 높일 수 있다.
또한, 컨베이어(53)의 하방(-Z 방향)에 위치하는 적외광 조사기(2)로부터의 적외광의 조사는, 상방(+Z 방향)을 향하여 행해지고 있기 때문에, 적외광은 컨베이어(53)의 벨트(52)(상방측 및 하방측)를 통해 복수의 기판(10)에 조사되게 된다.
이 점을 고려하여, 벨트(52)를 한 쌍의 선형의 컨베이어 체인의 조합에 의해 구성하고, 적외광 통과용의 개구 부분이 존재하는 구조로 하는 제1 대응과, 적외광을 흡수하지 않고, 적외광의 투과성이 우수한 적외광 투과 재료를 벨트(52)의 구성 재료로 하는 제2 대응을 생각할 수 있다.
따라서, 벨트(52)에 관해, 상기 제1 및 제2 대응 중 적어도 하나의 대응을 채용함으로써, 벨트(52)에 의한 적외광의 흡수 정도를 필요 최소한으로 억제할 수 있다.
제2 대응의 구체예를 이하에 설명한다. 적외광 투과 재료로서, 예를 들어, 게르마늄, 실리콘, 황화아연, 셀렌화아연 등을 생각할 수 있다. 단, 벨트(52)로서 사용하기 위한 강도를 만족시킬 필요가 있다.
또한, 적외광 조사기(2)로부터 조사되는 적외광의 파장은, 원료 미스트 MT의 흡수 파장 영역을 피하여 설정하는 제1 변형예를 채용하는 것이 바람직하다. 제1 변형예를 실현하는 구체적 설정으로서, 적외광 조사기(2)로부터 조사되는 적외광의 파장을 700 내지 900㎚의 범위로 설정하는 것을 생각할 수 있다. 상기 구체적 설정에 의해, 상정되는 용매를 사용한 원료 미스트 MT의 흡수 파장 영역을 피할 수 있기 때문이다.
상기 구체적 설정대로, 적외광 조사기(2)로부터 조사되는 적외광의 파장을 700 내지 900㎚의 범위로 설정하면, 성막 원료 용액의 용매가 물 혹은 톨루엔인 경우, 원료 미스트 MT의 흡수 파장 영역 이외가 되는 것은 기지의 사실로서 확인되어 있다.
성막 장치(11)는, 상기 제1 변형예를 채용함으로써, 원료 미스트 MT가 적외광 조사기(2)로부터 조사되는 적외광을 흡수하여, 원료 미스트 MT가 가열되어 증발된다고 하는, 원료 미스트 증발 현상의 발생을 피할 수 있다는 효과를 발휘한다.
특히, 제1 변형예로서 적외광의 파장을 700 내지 900㎚로 설정한다는 상기 구체적 설정을 채용함으로써, 상정되는 모든 원료의 원료 미스트 MT에 대하여 상기 원료 미스트 증발 현상의 발생을 피할 수 있는 효과를 발휘한다.
<실시 형태 2>
도 2는 본 발명의 실시 형태 2인 성막 장치의 개략 구성을 도시하는 설명도이다. 도 2에 XYZ 직교 좌표계를 기재한다.
도 2에 도시한 바와 같이, 실시 형태 2의 성막 장치(12)는, 성막실(6B), 박막 형성 노즐(1), 적외광 조사기(2) 및 컨베이어(53)를 주요 구성 요소로서 포함하고 있다.
이하, 실시 형태 1의 성막 장치(11)와 공통되는 구성부는, 동일 부호를 부여하여 설명을 적절히 생략하고, 실시 형태 2의 성막 장치(12)의 특징 개소를 중심으로 설명한다.
박막 형성 노즐(1), 컨베이어(53)의 일부, 및 컨베이어(53)의 벨트(52)의 상면에 적재된 복수의 기판(10)은 성막실(6B)에 수납된다. 성막실(6B)은 상부 용기(61), 하부 용기(62B) 및 한 쌍의 개구부(63)에 의해 구성되고, 한 쌍의 개구부(63)는 성막실(6B)의 좌우 측면의 일부에 마련된다. 또한, Z 방향인 높이 방향에 있어서 상부 용기(61)와 하부 용기(62B) 사이에 한 쌍의 개구부(63)가 위치한다.
성막실(6B)은 적외광 조사기(2)로부터 조사되는 적외광을 흡수하지 않고, 투과성이 우수한 적외광 투과 재료를 구성 재료로 하고 있다. 구체적으로는, 성막실(6B)은 구성 재료로서 석영 유리를 채용하고 있다.
가열 기구인 적외광 조사기(2)는 하부 용기(62B) 외부의 하방(-Z 방향)에, 컨베이어(53)로부터 이격된 위치에, 도시하지 않은 고정 수단으로부터 고정된다.
또한, 적외광 조사기(2)는, 성막실(6B) 내의 벨트(52)의 상면과 평면으로 보아 중복되는 위치에 배치된다.
적외광 조사기(2)는 복수의 적외광 램프(22)로부터 적외광을 상방을 향하여 조사함으로써, 하부 용기(62B) 및 벨트(52)를 통해 벨트(52)의 상면에 적재된 복수의 기판(10)에 대한 가열 처리를 실행할 수 있다.
성막실(6B)은, 성막 처리를 행할 때, 에어 커튼(7)에 의해 상부 용기(61), 하부 용기(62B) 간의 개구부(63)를 폐색함으로써, 박막 형성 노즐(1) 및 벨트(52) 상에 적재된 복수의 기판(10)을 외부로부터 차단할 수 있다.
따라서, 실시 형태 2의 성막 장치(12)는, 에어 커튼(7)에 의해 성막실(6B)의 한 쌍의 개구부(63)를 폐쇄 상태로 하고, 컨베이어(53)의 벨트(52)를 반송 방향(X 방향)으로 이동시킴으로써, 성막 환경을 설정할 수 있다.
그리고, 성막 장치(12)는, 상기 성막 환경 하에서, 적외광 조사기(2)의 적외광 조사에 의한 가열 처리와, 박막 형성 노즐(1)에 의한 미스트 분사 처리를 동시에 실행함으로써, 성막실(6B) 내에 있어서 벨트(52)의 상면에 적재된 기판(10) 상에 박막을 성막하고 있다.
이와 같이, 실시 형태 2의 성막 장치(12)는, 기판 적재부인 벨트(52)로부터 이격되어 마련되며, 적외광 램프(22)로부터 적외광을 조사하여 복수의 기판(10)을 가열하는 가열 처리를 실행하는 적외광 조사기(2)를 가열 기구로서 구비하고 있다.
따라서, 실시 형태 2의 성막 장치(12)는, 실시 형태 1과 마찬가지로, 기판(10)과 접촉 관계를 갖게 하지 않고, 적외광 조사기(2)에 의해 기판(10)을 가열할 수 있기 때문에, 기판(10)의 형상에 관계없이 균일한 가열을, 기판(10)을 변형시키지 않고 행할 수 있다.
그 결과, 실시 형태 2의 성막 장치(12)는, 실시 형태 1과 마찬가지로, 성막 품질이나 성막 속도를 떨어뜨리지 않고, 저비용으로 기판(10) 상에 박막을 성막할 수 있다.
또한, 실시 형태 2의 성막 장치(12)는, 적외광 조사기(2)를 성막실(6B) 외부에 마련함으로써, 적외광 램프(22)의 교체 등, 적외광 조사기(2)의 메인터넌스의 간략화를 도모할 수 있다.
게다가, 실시 형태 2의 성막 장치(12)의 성막실(6B)은, 적외광 램프(22)로부터 조사되는 적외광의 투과성이 우수한 적외광 투과 재료인 석영 유리를 구성 재료로 하고 있기 때문에, 성막실(6B)의 하부 용기(62)의 저면을 통해 기판(10)을 가열할 때의 하부 용기(62)의 저면에 의한 적외광의 흡수 정도를 필요 최소한으로 억제할 수 있는 효과를 발휘한다.
또한, 성막실(6B) 중, 적어도 하부 용기(62B)의 저면의 구성 재료를 적외광 투과 재료인 석영 유리로 하면 상기 효과를 발휘할 수 있다.
또한, 적외광 투과 재료로서, 석영 유리 이외에 예를 들어 이하의 재료를 생각할 수 있다. 붕규산 유리, 사파이어, 불화칼슘, 불화바륨, 불화마그네슘, 불화리튬 등이 근적외광에 대한 투과율이 높기 때문에, 석영 유리 이외의 적외광 투과 재료로서 생각할 수 있다. 즉, 성막실(6B)의 구성 재료는, 석영 유리, 붕규산 유리, 사파이어, 불화칼슘, 불화바륨, 불화마그네슘, 및 불화리튬 중 적어도 하나를 포함하면 된다.
또한, 실시 형태 2의 성막 장치(12)에 있어서도, 실시 형태 1과 마찬가지로, 벨트(52)에 의한 적외광 흡수에 관한 상기 제1 및 제2 대응 중 적어도 하나의 대응을 채용해도 된다.
또한, 실시 형태 2의 성막 장치(12)에 있어서, 실시 형태 1과 마찬가지로, 적외광 조사기(2)로부터 조사하는 적외광의 파장에 관해, 상기 제1 변형예(실시 형태 1에서 설명한 구체적 설정을 포함함)를 채용해도 된다.
또한, 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 각 실시 형태를 자유롭게 조합하거나, 각 실시 형태를 적절히, 변형, 생략하거나 하는 것이 가능하다.
본 발명은 상세하게 설명되었지만, 상기한 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시이며, 본 발명이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 상정될 수 있는 것으로 이해된다.
1: 박막 형성 노즐
2: 적외광 조사기
11, 12: 성막 장치
21: 램프 적재대
22: 적외광 램프
6A, 6B: 성막실
51: 롤러
52: 벨트
53: 컨베이어
61: 상부 용기
62, 62B: 하부 용기
63: 개구부

Claims (4)

  1. 기판(10)을 적재하는 기판 적재부(53)와,
    상기 기판 적재부와 이격되어 마련되며, 적외광 램프(22)를 갖고, 상기 적외광 램프로부터 적외광을 조사하여 상기 기판을 가열하는 가열 처리를 실행하는 가열 기구(2)와,
    원료 용액을 미스트화하여 얻어지는 원료 미스트(MT)를 상기 기판의 표면에 분사하는 미스트 분사 처리를 실행하는 미스트 분사부(1)를 구비하고, 상기 적외광 램프로부터 조사되는 적외광의 파장은, 상기 원료 미스트의 흡수 파장 영역과 중복되지 않고,
    상기 가열 기구에 의한 상기 가열 처리와 상기 미스트 분사부에 의한 상기 미스트 분사 처리를 동시에 실행함으로써, 상기 기판의 표면에 박막을 성막하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판, 상기 가열 기구 및 상기 미스트 분사부를 내부에 수용하는 성막실(6A)을 더 구비하는 성막 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 미스트 분사부를 내부에 수용하는 성막실(6B)을 더 구비하고,
    상기 가열 기구는 상기 성막실 외부에 배치되어, 상기 성막실을 통해 상기 가열 처리를 실행하고,
    상기 성막실은, 상기 가열 기구의 상기 적외광 램프로부터 조사되는 적외광에 대하여 투과성이 우수한 적외광 투과 재료를 구성 재료로 하는 성막 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 적외광 투과 재료는 석영 유리, 붕규산 유리, 사파이어, 불화칼슘, 불화바륨, 불화마그네슘, 및 불화리튬 중 적어도 하나를 포함하는 성막 장치.
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