JP2005109316A - 高誘電率無機材料及びそれを用いた高誘電率コンポジット材料 - Google Patents
高誘電率無機材料及びそれを用いた高誘電率コンポジット材料 Download PDFInfo
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Abstract
Description
2.3gの1,3,5−トリ(3,4−ジシアノフェノキシ)ベンゼンをジメチルアセトアミド(DMAc)とテトラヒドロフラン(THF)体積比1:1の混合液に溶解させた後、97.7gのBTO微粒子を加え48時間ボールミルで混合した。
3.4gの1,3,5−トリ(3,4−ジシアノフェノキシ)ベンゼンをジメチルアセトアミド(DMAc)とテトラヒドロフラン(THF)体積比1:1の混合液に溶解させた後、96.6gのBTO微粒子を加え48時間ボールミルで混合した。この後、THFをエバポレーターで除去し、さらにDMAcを真空乾燥機で除去した後、乳鉢とボールミルにより粉砕し微粉末にした。この微粉末をフラスコに入れ,320℃で1時間加熱した。この加熱により、BTO微粉末の表面はチタニルフタロシアニンの生成と推定される青い色に着色した。この粉末を集めて、乳鉢とボールミルにより微粉末に再粉砕した。
2.3gの1,3,5−トリ(3,4−ジシアノフェノキシ)ベンゼンをジメチルアセトアミド(DMAc)とテトラヒドロフラン(THF)体積比1:1の混合液に溶解させた後、97.7gのBTO微粒子を加え48時間ボールミルで混合した。この後、THFをエバポレーターで除去し、さらにDMAcを真空乾燥機で除去した後、乳鉢とボールミルにより微粉末に粉砕した。この微粉末をフラスコに入れ,320℃で1時間加熱した。この加熱により、BTO微粉末の表面はチタニルフタロシアニンの生成と推定される青い色に着色した。この粉末を集めて、乳鉢とボールミルにより微粉末に再粉砕した。
2.3gの1,3,5−トリ(3,4−ジシアノフェノキシ)ベンゼンをジメチルアセトアミド(DMAc)とテトラヒドロフラン(THF)体積比1:1の混合液に溶解させた後、97.7gのBTO微粒子を加え48時間ボールミルで混合した。この後、THFをエバポレーターで除去し、さらにDMAcを真空乾燥機で除去した後、乳鉢とボールミルにより微粉末に粉砕した。この微粉末をフラスコに入れ,320℃で1時間加熱した。この加熱により、BTO微粉末の表面はチタニルフタロシアニンの生成と推定される青い色に着色した。この粉末を集めて、乳鉢とボールミルにより微粉末に再粉砕した。
1,3,5−トリ(3,4−ジシアノフェノキシ)ベンゼンの替わりに1,2−ジシアノベンゼンジカルボン酸を用いた以外は、実施例4と全く同様にしてペースト状混合物を作製した。ただし、微粉末を320℃で1時間加熱する際に、昇華を防ぐためフラスコの替わりに耐圧容器を使用して密閉状態で行った。
2.3gの1,3,5−トリ(3,4−ジシアノフェノキシ)ベンゼンをジメチルアセトアミド(DMAc)とテトラヒドロフラン(THF)体積比1:1の混合液に溶解させた後、97.7gのBTO微粒子を加え48時間ボールミルで混合した。この後、THFをエバポレーターで除去し、さらにDMAcを真空乾燥機で除去した後、乳鉢とボールミルにより微粉末に粉砕した。この微粉末をフラスコに入れ,320℃で1時間加熱した。この加熱により、BTO微粉末の表面はチタニルフタロシアニンの生成と推定される青い色に着色した。この粉末を集めて、乳鉢とボールミルにより微粉末に再粉砕した。平均粒径が0.9μmのチタン酸バリウム(SB50)と0.1μmのチタン酸バリウム(SB1A)について上記の表面処理を施した。
平均粒径が0.9μmのチタン酸バリウム(SB50)と0.3μmのチタン酸バリウム(SB3A)をチッソ製のエポキシシラン系のカップリング剤(S−510)で表面処理を施した。
平均粒径が0.9μmのチタン酸バリウム(SB50)と0.15μmのNi微粉末についてエポキシシラン系のカップリング剤(S−510)で表面処理を施した。
平均粒径が0.9μmのチタン酸バリウム(SB50)と0.1μmのチタン酸バリウム(SB1A)についてチッソ製のアミノシラン系のカップリング剤で表面処理を施した。
テレフタル酸0.5モル、イソフタル酸0.5モル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル1モルから得られる重量平均分子量8,000のポリアミドのジメチルアセトアミド溶液(固形分8重量%)を用意した。
図3を用いて、キャパシタ内蔵の多層プリント板の製造法を説明する。0.2mm厚のガラスクロス強化エポキシプリプレグ1の両面に、ステンレス箔2に予め形成していた銅電極用パターン3を加熱加圧下、転写して両面に電極を有するガラスエポキシ基板4とする。加熱温度170℃、加熱時間90分である。次に、予め厚さ18μmの銅箔に、(実施例2)の条件で作製したポリマーコンポジットのペーストを均一に塗布して溶媒を乾燥除去して厚さ20μmの膜を形成した片面銅箔高誘電体シート5を両面から加熱加圧下、積層接着した。加熱温度170℃で加熱時間90分間である。次に、両面の銅箔をエッチアウトして電極6を形成した。
図4に示す製造プロセスでキャパシタを内蔵するLSI搭載用多層配線板を作製した。図では省略するが6層の銅配線を有するガラスセラミック多層板15の表面にポリイミド絶縁層(厚さ10μm)20をカーテンコート法により形成した後、レーザー穴あけと無電解銅めっきにより接続用のスタッドビア30を形成した。さらに、表面にクロム/銅のスパッタリングにより厚さ5μmの配線層40を形成した。ポリイミド表面との接着力確保のためのクロムの厚みは0.5μmである。次に、実施例7のペースト状コンポジットを用いて厚さ10μmのキャパシタ層50を印刷により形成した。
Claims (10)
- 二つの隣接するシアノ基を有するジシアノフェニル基を有する化合物及びその誘導体の少なくとも1種を担持することを特徴とする高誘電率無機材料。
- 上記無機材料は無機フィラであって、上記化合物の少なくとも1種を上記無機フィラの表面に塗布した後、加熱して上記無機フィラに担持させたことを特徴とする請求項1又は2記載の高誘電率無機材料。
- 上記無機材料が、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン−バリウム−ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス及び二酸化チタン系セラミックスの少なくとも1種の粒子であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の高誘電率無機材料。
- 上記無機材料がニッケル、銀、銅、アルミニウム、亜鉛、コバルト、カドミウム、鉄、クロム及びマンガンの少なくとも1種の粒子であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の高誘電率無機材料。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の表面処理された無機材料を、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の少なくとも1種を必須成分とする高分子材料内に存在させたことを特徴とする高誘電率コンポジット材料。
- 上記熱可塑性樹脂がポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテル、ポリエーテルイミド、ポリエステル、ベンゾオキサゾール及びポリスチレンの少なくとも1種であることを特徴とする請求項6に記載の高誘電率コンポジット材料。
- 上記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、BTレジン、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂及びジシクロペンタジエン樹脂の少なくとも1種であることを特徴とする請求項6に記載の高誘電率コンポジット材料。
- 電極間に誘電体層を設けてキャパシタを回路中に形成した多層配線板において、上記キャパシタが、請求項5に記載の高誘電率コンポジット材料であることを特徴とする多層配線板。
- 電極間に誘電体層を設けたキャパシタを内蔵し、半導体チップを搭載するためのモジュール基板において、前記キャパシタが、請求項5に記載の高誘電率コンポジット材料であることを特徴とするモジュール基板。
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