JP2005093963A - 封止膜形成方法およびその装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 支持テープ7の下面には、半導体ウエハ3にほぼ対応する大きさの封止膜形成用樹脂膜8が支持テープ7の長手方向に一定の間隔をおいて設けられている。そして、1つの封止膜形成用樹脂膜8を柱状電極19を有する半導体ウエハ3上に位置させ、加熱加圧ローラ4で加熱加圧処理を行なう。すると、1つの封止膜形成用樹脂膜8が加熱されて流動可能となり、柱状電極19を有する半導体ウエハ3上ほぼ全面に封止膜20が形成される。この場合、加熱されて流動可能となった封止膜形成用樹脂膜8は、柱状電極19の相対的な食い込みを許容する程度に流動すればよい。
【選択図】 図1
Description
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記加熱加圧処理は真空中で行なうことを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記半導体ウエハはステージ上に吸着されて配置されていることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記加熱加圧処理は加熱加圧ローラによって行い、前記封止膜形成用樹脂膜を加熱するとともに、前記半導体ウエハ上に向けた押し圧力を加えることを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜は1層であることを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜は複数層であり、最上層の封止膜形成用樹脂層は最下層の封止膜形成用樹脂層と異なるものからなることを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記最上層の封止膜形成用樹脂層は前記最下層の封止膜形成用樹脂層よりも流動性が高いものからなることを特徴とするものである。
請求項8に記載の発明は、請求項6に記載の発明において、前記最上層の封止膜形成用樹脂層は前記最下層の封止膜形成用樹脂層よりも弾性率が低いものからなることを特徴とするものである。
請求項9に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜は支持テープの一面にその長手方向に間隔をおいて設けられて、前記半導体ウエハ上に配置されることを特徴とするものである。
請求項10に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜は支持テープの一面にその長手方向に連続して設けられて、前記半導体ウエハ上に配置されることを特徴とするものである。
請求項11に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜はシート状に裁断された支持テープの一面に設けられていることを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明は、請求項9〜11のいずれかに記載の発明において、前記加熱加圧処理は前記支持テープを介して行われ、前記封止膜を形成する工程は、前記封止膜形成用樹脂膜の硬化後に前記支持テープを剥離する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項13に記載の発明は、請求項9〜11のいずれかに記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜の前記半導体ウエハのダイシングラインに対応する部分は予め除去されていることを特徴とするものである。
請求項14に記載の発明は、請求項9〜11のいずれかに記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜の前記半導体ウエハのダイシングラインに対応する部分は予め硬化されていることを特徴とするものである。
請求項15に記載の発明は、柱状電極を有する半導体ウエハが吸着されて配置されるステージと、前記ステージの上方に移動可能に配置された加熱加圧ローラと、一面にシート状の封止膜形成用樹脂膜を有する支持テープが巻き付けられた供給ローラと、前記供給ローラから繰り出されて前記ステージと前記加熱加圧ローラとの間を通過した前記支持テープを巻き取る巻取ローラとを備え、前記支持テープの一面に設けられた前記封止膜形成用樹脂膜の上面を前記ステージ上に吸着されて配置された前記柱状電極を含む前記半導体ウエハ上ほぼ全面に対向させて配置する手段と、前記封止膜形成用樹脂膜を前記加熱加圧ローラによる加熱加圧処理により前記柱状電極を含む前記半導体ウエハ上ほぼ全面に転写する手段と、前記転写された封止膜形成用樹脂膜を硬化させて前記半導体ウエハ上に封止膜を形成する手段と、を備えることを特徴とするものである。
請求項16に記載の発明は、請求項15に記載の発明において、前記加熱加圧処理を真空中で行なう手段を備えることを特徴とするものである。
3 半導体ウエハ
4 加熱加圧ローラ
5 供給ローラ
6 巻取ローラ
7 支持テープ
8 封止膜形成用樹脂膜
19 柱状電極
20 封止膜
21 半田ボール
22 ダイシングライン
Claims (16)
- 柱状電極を有する半導体ウエハ上ほぼ全面に、シート状の封止膜形成用樹脂膜を前記半導体ウエハ上に対向させて配置する工程と、
前記封止膜形成用樹脂膜を前記半導体ウエハ上に加熱加圧処理して、前記柱状電極を含む前記半導体ウエハ上ほぼ全面に転写する工程と、
前記転写された封止膜形成用樹脂膜を硬化させて前記半導体ウエハ上に封止膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする封止膜形成方法。 - 請求項1に記載の発明において、前記加熱加圧処理は真空中で行なうことを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体ウエハはステージ上に吸着されて配置されていることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記加熱加圧処理は加熱加圧ローラによって行い、前記封止膜形成用樹脂膜を加熱するとともに、前記半導体ウエハ上に向けた押し圧力を加えることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜は1層であることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜は複数層であり、最下層の封止膜形成用樹脂層は最上層の封止膜形成用樹脂層と異なるものからなることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項6に記載の発明において、前記最下層の封止膜形成用樹脂層は前記最上層の封止膜形成用樹脂層よりも流動性が高いものからなることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項6に記載の発明において、前記最下層の封止膜形成用樹脂層は前記最上層の封止膜形成用樹脂層よりも弾性率が低いものからなることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜は支持テープの一面にその長手方向に間隔をおいて設けられて、前記半導体ウエハ上に配置されることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜は支持テープの一面にその長手方向に連続して設けられて、前記半導体ウエハ上に配置されることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項1に記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜はシート状に裁断された支持テープの一面に設けられていることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項9〜11のいずれかに記載の発明において、前記加熱加圧処理は前記支持テープを介して行われ、前記封止膜を形成する工程は、前記転写された封止膜形成用樹脂膜の硬化後に前記支持テープを剥離する工程を含むことを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項9〜11のいずれかに記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜の前記半導体ウエハのダイシングラインに対応する部分は予め除去されていることを特徴とする封止膜形成方法。
- 請求項9〜11のいずれかに記載の発明において、前記封止膜形成用樹脂膜の前記半導体ウエハのダイシングラインに対応する部分は予め硬化されていることを特徴とする封止膜形成方法。
- 柱状電極を有する半導体ウエハが吸着されて配置されるステージと、前記ステージの上方に移動可能に配置された加熱加圧ローラと、一面にシート状の封止膜形成用樹脂膜を有する支持テープが巻き付けられた供給ローラと、前記供給ローラから繰り出されて前記ステージと前記加熱加圧ローラとの間を通過した前記支持テープを巻き取る巻取ローラとを備え、
前記支持テープの一面に設けられた前記封止膜形成用樹脂膜の上面を前記ステージ上に吸着されて配置された前記柱状電極を含む前記半導体ウエハ上ほぼ全面に対向させて配置する手段と、前記封止膜形成用樹脂膜を前記加熱加圧ローラによる加熱加圧処理により前記柱状電極を含む前記半導体ウエハ上ほぼ全面に転写する手段と、前記転写された封止膜形成用樹脂膜を硬化させて前記半導体ウエハ上に封止膜を形成する手段と、を備えることを特徴とする封止膜形成装置。 - 請求項15に記載の発明において、前記加熱加圧処理を真空中で行なう手段を備えることを特徴とする封止膜形成装置。
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