JP2005093732A - 膜形成材料、膜形成方法、膜および素子 - Google Patents
膜形成材料、膜形成方法、膜および素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005093732A JP2005093732A JP2003325165A JP2003325165A JP2005093732A JP 2005093732 A JP2005093732 A JP 2005093732A JP 2003325165 A JP2003325165 A JP 2003325165A JP 2003325165 A JP2003325165 A JP 2003325165A JP 2005093732 A JP2005093732 A JP 2005093732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- film forming
- silicite
- forming material
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 4
- DOYIBAKSKZZYPC-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;nickel(2+);prop-1-ene Chemical compound [Ni+2].[CH2-]C=C.C=1C=C[CH-]C=1 DOYIBAKSKZZYPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 229910005883 NiSi Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- WYDFSSCXUGNICP-CDLQDMDJSA-N C[C@@H]([C@H]1CC[C@H]2[C@@H]3[C@@H]4O[C@@H]4[C@@]4(O)CC=CC(=O)[C@]4(C)[C@H]3CC[C@]12C)[C@H]1C[C@]2(C)O[C@]2(C)C(O)O1 Chemical compound C[C@@H]([C@H]1CC[C@H]2[C@@H]3[C@@H]4O[C@@H]4[C@@]4(O)CC=CC(=O)[C@]4(C)[C@H]3CC[C@]12C)[C@H]1C[C@]2(C)O[C@]2(C)C(O)O1 WYDFSSCXUGNICP-CDLQDMDJSA-N 0.000 description 11
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 11
- -1 methyl cyclopentadienyl Chemical group 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910005881 NiSi 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- DWFZBUWUXWZWKD-UHFFFAOYSA-N pyridaben Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1CSC1=C(Cl)C(=O)N(C(C)(C)C)N=C1 DWFZBUWUXWZWKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28518—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
このようなことから、本発明者は、今後の半導体には、NiSiの導入が必須であろうと考えている。
このNiSi薄膜は、スパッタリング技術で容易に作成されるであろうと思われる。
しかしながら、スパッタリングでは、半導体素子に物理的ダメージを与える。しかも、NiSiは、高温下では、下地基板のSiを反応消費し、NiSi2を形成する反応を起こす恐れが有る。更には、大面積への均一成膜性には限界が有る。
すなわち、本発明が解決しようとする課題は、上記の問題点を解決できるNiSiと言ったシリサイト膜をCVDにより形成できる技術を提供することである。
を用いることが極めて好ましいことが判って来た。
更には、併せて、SixH(2x+2)やRxSiH(4−x)で表される化合物を用いると一層好ましいシリサイト膜が出来ることも判った。
すなわち、前記の課題は、Ni及びSiが用いられて構成されるシリサイト膜を形成する為の膜形成材料であって、
Ni源が下記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
Ni源が下記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
Ni源が下記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
Ni源が下記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
Ni源が下記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
Ni源が下記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である
ことを特徴とする膜形成材料によって解決される。
以下、具体的な実施例を挙げて説明する。
図1は成膜装置(CVD)の概略図である。同図中、1a,1bは原料容器、2は加熱器、3は分解反応炉、4は半導体(Si)基板、5は流量制御器である。
上記分解反応炉3内へのC5H5NiC3H5の導入時に、反応ガスとして水素で1%に希釈したSi3H8を20ml/minの割合で導入した。
このようにして、基板4上に膜が形成された。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例1において、C5H5NiC3H5の代わりにメチルシクロペンタジエニルアリルニッケル〔(CH3)C5H4NiC3H5〕を用いて同様に行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例1において、C5H5NiC3H5の代わりにエチルシクロペンタジエニルアリルニッケル〔(C2H5)C5H4NiC3H5〕を用いて同様に行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例1において、C5H5NiC3H5の代わりにイソプロピルシクロペンタジエニルアリルニッケル〔(i−C3H7C5H4NiC3H5)を用いて同様に行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例1において、C5H5NiC3H5の代わりにノルマルブチルシクロペンタジエニルアリルニッケル〔(n−C4H9)C5H4NiC3H5〕を用いて同様に行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例1において、Si3H8の代わりにSiH4,Si2H6を用いて同様に行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例2において、Si3H8の代わりにSiH4,Si2H6を用いて同様に行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例3において、Si3H8の代わりにSiH4,Si2H6を用いて同様に行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例4において、Si3H8の代わりにSiH4,Si2H6を用いて同様に行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例5において、Si3H8の代わりにSiH4,Si2H6を用いて同様に行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
実施例1において、化合物分解を加熱手段では無くプラズマ、光、レーザー照射によって行い、基板4上に膜を形成した。
従って、このものは次世代の半導体素子に好適なものであることが窺える。
2 加熱器
3 分解反応炉
4 Si基板
5 流量制御器
代理人 宇 高 克 己
Claims (14)
- Ni源がシクロペンタジエニルアリルニッケル、メチルシクロペンタジエニルアリルニッケル、エチルシクロペンタジエニルアリルニッケル、イソプロピルシクロペンタジエニルアリルニッケル、及びノルマルブチルシクロペンタジエニルアリルニッケルの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とする請求項1又は請求項2の膜形成材料。
- Si源がSixH(2x+2)(但し、xは1以上の整数。)及びRxSiH(4−x)(但し、Rは炭化水素基、xは0〜3の整数。Rが二つ以上ある場合、全てのRは同一でも異なっていても良い。)の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかの膜形成材料。
- Si源がSiH4,Si2H6,Si3H8の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかの膜形成材料。
- CVDにより形成する為の膜形成材料であることを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかの膜形成材料。
- 請求項1〜請求項6いずれかの膜形成材料と還元剤とを用いてシリサイト膜を形成することを特徴とする膜形成方法。
- 請求項1〜請求項6いずれかの膜形成材料と水素とを用いてシリサイト膜を形成することを特徴とする膜形成方法。
- 導電性のシリサイト膜を形成することを特徴とする請求項7又は請求項8の膜形成方法。
- CVDにより導電性のシリサイト膜を形成することを特徴とする請求項7又は請求項8の膜形成方法。
- 膜形成材料を同時または別々に分解させることを特徴とする請求項7〜請求項10いずれかの膜形成方法。
- 膜形成材料を熱、プラズマ、光、レーザーの群の中から選ばれる少なくとも何れか一つの手法を用いて分解させることを特徴とする請求項7〜請求項11いずれかの膜形成方法。
- 請求項7〜請求項12いずれかの膜形成方法により形成されてなるNi,Siを含むシリサイト膜であることを特徴とする膜。
- 請求項13のシリサイト膜を具備することを特徴とする素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003325165A JP4581119B2 (ja) | 2003-09-17 | 2003-09-17 | NiSi膜形成材料およびNiSi膜形成方法 |
US10/895,871 US7045457B2 (en) | 2003-09-17 | 2004-07-22 | Film forming material, film forming method, and silicide film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003325165A JP4581119B2 (ja) | 2003-09-17 | 2003-09-17 | NiSi膜形成材料およびNiSi膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005093732A true JP2005093732A (ja) | 2005-04-07 |
JP4581119B2 JP4581119B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=34270098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003325165A Expired - Lifetime JP4581119B2 (ja) | 2003-09-17 | 2003-09-17 | NiSi膜形成材料およびNiSi膜形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7045457B2 (ja) |
JP (1) | JP4581119B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008231473A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Tri Chemical Laboratory Inc | 膜形成方法および膜形成材料 |
WO2009081797A1 (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Showa Denko K.K. | ニッケル含有膜形成材料およびその製造方法 |
US7968463B2 (en) | 2006-05-25 | 2011-06-28 | Renesas Electronics Corporation | Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer |
JP2013165189A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Univ Of Electro-Communications | NiO系酸化物半導体発光素子および酸化物半導体単結晶層の成長方法 |
WO2014188629A1 (ja) | 2013-05-22 | 2014-11-27 | 田中貴金属工業株式会社 | 有機ニッケル化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 |
WO2015049989A1 (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-09 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学蒸着法によるSi基板上へのニッケル薄膜、及び、Si基板上へのNiシリサイド薄膜の製造方法 |
JP2016006228A (ja) * | 2015-06-25 | 2016-01-14 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学蒸着法によるSi基板上へのニッケル薄膜、及び、Si基板上へのNiシリサイド薄膜の製造方法 |
KR20160122396A (ko) * | 2015-04-14 | 2016-10-24 | (주)디엔에프 | 니켈 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 니켈 함유 박막 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4353371B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2009-10-28 | 株式会社トリケミカル研究所 | 膜形成方法 |
KR101502185B1 (ko) * | 2007-05-21 | 2015-03-12 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 반도체 적용을 위한 신규 금속 전구체 |
EP2155924A2 (en) * | 2007-05-21 | 2010-02-24 | L'air Liquide-societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | New cobalt precursors for semiconductor applications |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4992305A (en) * | 1988-06-22 | 1991-02-12 | Georgia Tech Research Corporation | Chemical vapor deposition of transistion metals |
JPH04211121A (ja) * | 1990-02-14 | 1992-08-03 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2744487A (en) * | 1953-08-21 | 1956-05-08 | Robert T Moore | Liquid sight glass |
DE1263415B (de) * | 1963-08-16 | 1968-03-14 | Danfoss As | Verfahren zur Herstellung eines Schauglases, insbesondere fuer Kaelteanlagen, und danach hergestelltes Schauglas |
JPS4927087B1 (ja) * | 1970-12-29 | 1974-07-15 | ||
US4245566A (en) * | 1979-06-29 | 1981-01-20 | The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration | Safety shield for vacuum/pressure chamber viewing port |
US4507401A (en) * | 1983-04-01 | 1985-03-26 | At&T Bell Laboratories | Intermetallic catalyst preparation |
US4746178A (en) * | 1987-03-26 | 1988-05-24 | Canty Thomas M | Light pipe for illuminating the interior of a pressure vessel |
US5230556A (en) * | 1992-09-08 | 1993-07-27 | J. M. Canty Associates Inc. | Lighting and viewing unit |
JPH06204173A (ja) | 1993-01-08 | 1994-07-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6777565B2 (en) * | 2000-06-29 | 2004-08-17 | Board Of Trustees, The University Of Illinois | Organometallic compounds and their use as precursors for forming films and powders of metal or metal derivatives |
US6450655B1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-09-17 | J.M. Canty Inc | Multi-port illuminating and viewing unit |
TW501735U (en) * | 2001-12-05 | 2002-09-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Tunable optical attenuator |
US7311946B2 (en) * | 2003-05-02 | 2007-12-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for depositing metal films on diffusion barrier layers by CVD or ALD processes |
-
2003
- 2003-09-17 JP JP2003325165A patent/JP4581119B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-22 US US10/895,871 patent/US7045457B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4992305A (en) * | 1988-06-22 | 1991-02-12 | Georgia Tech Research Corporation | Chemical vapor deposition of transistion metals |
JPH04211121A (ja) * | 1990-02-14 | 1992-08-03 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7968463B2 (en) | 2006-05-25 | 2011-06-28 | Renesas Electronics Corporation | Formation method of metallic compound layer, manufacturing method of semiconductor device, and formation apparatus for metallic compound layer |
JP2008231473A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Tri Chemical Laboratory Inc | 膜形成方法および膜形成材料 |
WO2009081797A1 (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Showa Denko K.K. | ニッケル含有膜形成材料およびその製造方法 |
JP2013165189A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Univ Of Electro-Communications | NiO系酸化物半導体発光素子および酸化物半導体単結晶層の成長方法 |
WO2014188629A1 (ja) | 2013-05-22 | 2014-11-27 | 田中貴金属工業株式会社 | 有機ニッケル化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 |
US9447495B2 (en) | 2013-05-22 | 2016-09-20 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Chemical vapor deposition raw material containing organic nickel compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material |
WO2015049989A1 (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-09 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学蒸着法によるSi基板上へのニッケル薄膜、及び、Si基板上へのNiシリサイド薄膜の製造方法 |
JP2015071805A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学蒸着法によるSi基板上へのニッケル薄膜、及び、Si基板上へのNiシリサイド薄膜の製造方法 |
US9805936B2 (en) | 2013-10-02 | 2017-10-31 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Method for producing nickel thin film on a Si substrate by chemical vapor deposition method, and method for producing Ni silicide thin film on Si substrate |
KR20160122396A (ko) * | 2015-04-14 | 2016-10-24 | (주)디엔에프 | 니켈 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 니켈 함유 박막 |
KR102075418B1 (ko) * | 2015-04-14 | 2020-02-11 | (주)디엔에프 | 니켈 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 니켈 함유 박막 |
JP2016006228A (ja) * | 2015-06-25 | 2016-01-14 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学蒸着法によるSi基板上へのニッケル薄膜、及び、Si基板上へのNiシリサイド薄膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7045457B2 (en) | 2006-05-16 |
US20050059243A1 (en) | 2005-03-17 |
JP4581119B2 (ja) | 2010-11-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4581119B2 (ja) | NiSi膜形成材料およびNiSi膜形成方法 | |
JP2006128611A (ja) | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 | |
US20060030161A1 (en) | Film forming method | |
JP2007023388A (ja) | 窒化ジルコニウム被膜の製造方法及び窒化ジルコニウム被膜の使用 | |
KR100485386B1 (ko) | 금속막 증착용 조성물 및 이를 이용한 금속막 형성 방법 | |
US20060068100A1 (en) | Film forming method | |
US7312140B2 (en) | Film forming method | |
JP4717335B2 (ja) | 膜形成方法、膜、及び素子 | |
KR100733825B1 (ko) | 막형성재료, 막형성방법 및 소자 | |
JP5088773B2 (ja) | 膜形成方法および膜形成材料 | |
JP2006097099A (ja) | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 | |
TWI515803B (zh) | 矽化鉭內的摻雜鋁 | |
TW202031923A (zh) | 以原子層沈積法製造釕金屬薄膜之方法 | |
JP2008187186A (ja) | 低誘電率膜の成膜装置 | |
KR101128303B1 (ko) | 막형성재료, 막형성방법 및 소자 | |
TW201825508A (zh) | 用於過渡金屬的金屬、金屬氮化物,及金屬氧化物系膜的沉積之前驅物 | |
CN108475638B (zh) | Cu膜的形成方法 | |
JPS61250172A (ja) | タングステンシリサイド膜の成長方法 | |
TW202104551A (zh) | 原子層蝕刻用之蝕刻材料 | |
KR20040048612A (ko) | 코발트막의 형성 방법 | |
JP2008091382A (ja) | シリコン窒化膜形成方法 | |
JP2006100812A (ja) | 有機金属化学気相成長法用原料液及び該原料液を用いたHf−Si含有複合酸化物膜の製造方法 | |
JP2006049603A (ja) | 膜形成材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060906 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100811 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100811 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4581119 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |