JP2013165189A - NiO系酸化物半導体発光素子および酸化物半導体単結晶層の成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア基板21の表面に、p型NiO層22が数μm程度の厚さに成長され、その上に、所望の発光波長に合せたバンドギャップを有する材料NiXO(XはNiOのバンドギャップを下げるような元素)からなる活性層23が積層されている。その上にn型NiO層24が同様に数μm程度の厚さに積層されている。p型NiO層22は、MOCVD法により、基板温度を厳密に制御し、導入ガスの流量も厳密に制御して導入することにより、直接単結晶層を成長する。
【選択図】図7
Description
2 基板
3 載置台
4 ヒータ
51、52 流量計
61〜64 バルブ
7 アリルシクロペンタジエニルニッケル
8 除害筒
9 ブロア
21 サファイア基板
22 p型NiO層
23 NixCo1-xO活性層
24 n型NiO層
25 n側電極
26 p側電極
Claims (5)
- 基板上に形成される第1導電型のNiO系単結晶半導体層と、該第1導電型NiO系単結晶半導体層の上に直接または他の酸化物半導体層を介して形成され、該第1導電型NiO系単結晶半導体層よりもバンドギャップの小さいNiO系半導体からなる活性層と、該活性層上に設けられる第2導電型酸化物単結晶半導体層とを有するNiO系酸化物半導体発光素子。
- 基板上に酸化ニッケル系酸化物単結晶半導体層を成長する方法であって、
MOCVD装置に基板を載置して基板の温度を制御し、有機金属ガスと酸化用ガスとを同時に前記MOCVD装置に導入し、前記基板表面に直接NiO系酸化物半導体単結晶層を成長することを特徴とする酸化半導体単結晶層の成長方法。 - 前記有機金属ガスがアリルシクロペンタジエニルニッケルであり、前記酸化用ガスが99.9999%以上の高純度酸素ガスであり、キャリアガスが、99.9999%以上の高純度窒素ガスである請求項2記載の酸化物半導体単結晶層の成長方法。
- 前記基板温度の制御温度が200℃を下回らない温度である請求項2または3記載の酸化物半導体単結晶層の成長方法。
- 前記基板表面に直接成長する酸化物半導体層がp型である請求項2〜4のいずれか1項に記載の酸化物半導体単結晶層の成長方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018043503A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社Flosfia | p型酸化物半導体及びその製造方法 |
CN112973696A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 合肥工业大学 | 一种Ni@NiO异质结二维片状纳米材料的制备方法及其应用 |
CN113130659A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001073170A1 (fr) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Materiau a semi-conducteurs d'oxyde de zinc |
JP2005093732A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Tri Chemical Laboratory Inc | 膜形成材料、膜形成方法、膜および素子 |
JP2007103407A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
US20100237344A1 (en) * | 2009-03-18 | 2010-09-23 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Cubic semiconductor alloys for deep uv applications |
-
2012
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001073170A1 (fr) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Materiau a semi-conducteurs d'oxyde de zinc |
JP2005093732A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Tri Chemical Laboratory Inc | 膜形成材料、膜形成方法、膜および素子 |
JP2007103407A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
US20100237344A1 (en) * | 2009-03-18 | 2010-09-23 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Cubic semiconductor alloys for deep uv applications |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018043503A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社Flosfia | p型酸化物半導体及びその製造方法 |
CN109643660A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-04-16 | 流慧株式会社 | p-型氧化物半导体及其制造方法 |
JPWO2018043503A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-07-04 | 株式会社Flosfia | p型酸化物半導体及びその製造方法 |
US11087977B2 (en) | 2016-08-31 | 2021-08-10 | Flosfia Inc | P-type oxide semiconductor and method for manufacturing same |
CN109643660B (zh) * | 2016-08-31 | 2024-03-05 | 株式会社Flosfia | p-型氧化物半导体及其制造方法 |
CN113130659A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备 |
CN113130659B (zh) * | 2019-12-31 | 2024-04-05 | 乐金显示有限公司 | 薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备 |
CN112973696A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 合肥工业大学 | 一种Ni@NiO异质结二维片状纳米材料的制备方法及其应用 |
CN112973696B (zh) * | 2021-02-05 | 2022-04-01 | 合肥工业大学 | 一种Ni@NiO异质结二维片状纳米材料的制备方法及其应用 |
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