JP2005079182A - 半導体量子ドット素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体量子ドット素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005079182A JP2005079182A JP2003304978A JP2003304978A JP2005079182A JP 2005079182 A JP2005079182 A JP 2005079182A JP 2003304978 A JP2003304978 A JP 2003304978A JP 2003304978 A JP2003304978 A JP 2003304978A JP 2005079182 A JP2005079182 A JP 2005079182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- buffer layer
- quantum dot
- layer
- semiconductor buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 236
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 136
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 192
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 15
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000003887 surface segregation Methods 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N tert-butylarsenic Chemical compound CC(C)(C)[As] QTQRGDBFHFYIBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/122—Single quantum well structures
- H01L29/127—Quantum box structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
- H01S5/3412—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires quantum box or quantum dash
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】
半導体基板上に結晶成長により形成された第1の半導体バッファ層と、第1の半導体バッファ層上に結晶成長により形成され、第1の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ、3次元成長が生じない膜厚を積層してなる第2の半導体バッファ層と、第2の半導体バッファ層上に形成され、単原子層平坦化が生じる膜厚を有する第3の半導体バッファ層と、第3の半導体バッファ層上に形成され、第3の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ3次元成長が生じる臨界膜厚以上の膜厚を積層してなる量子ドット層を有すること第3の半導体バッファ層の表面に2次元方向の様々な方向にステップを密に形成することができる。これにより量子ドットを2次元面内に均一且つ密に結晶成長させることができる。
【選択図】 図1
Description
「オプトロ二クス」オプトロ二クス社出版、第222巻第8号、p91−99「特集光とナノテクノロジー」
次に、図2を参照して、本発明の実施形態に係る半導体量子ドット素子の製造方法を説明する。本実施の形態では、第1の半導体バッファ層10にはGaAs、第2の半導体バッファ層20にはIn0.12Ga0.88As、第3の半導体バッファ層30にはGaAsを用いた。また、結晶成長法に、有機金属気相成長法(MOCVD法)を用いた。
20、21…第2の半導体バッファ層
30、31…第3の半導体バッファ層
40、41…量子ドット層
50、51…埋込層
60…結合歪バッファ層
110…半導体バッファ層
120…量子ドット層
130…埋込層
Claims (20)
- 半導体基板上に結晶成長により形成された第1の半導体バッファ層と、
前記第1の半導体バッファ層上に結晶成長により形成され、前記第1の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ、3次元成長が生じない膜厚を積層してなる第2の半導体バッファ層と、
前記第2の半導体バッファ層上に形成され、単原子層平坦化が生じる膜厚を有する第3の半導体バッファ層と、
前記第3の半導体バッファ層上に形成され、前記第3の半導体バッファ層と格子定数が異なり、且つ、3次元成長が生じる臨界膜厚以上の膜厚を積層してなる量子ドット層とを有することを特徴する半導体量子ドット素子。 - 前記量子ドット層上に、結晶成長により、該量子ドット層を埋め込むように形成された埋込層を有することを特徴とする請求項1記載の半導体量子ドット素子。
- 前記第1乃至第3の半導体バッファ層は、
III−V族化合物半導体によって形成されることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体量子ドット素子。 - 前記量子ドット層は、
III−V族化合物半導体によって形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子。 - 前記第2の半導体バッファ層は、
前記第1の半導体バッファ層との間の格子不整合度が0より大きく2.1%以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子。 - 前記第2の半導体バッファ層は、
少なくともIn元素を含有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子。 - 前記第2の半導体バッファ層は、
InxGa1-xAsの化合物半導体によって形成され、組成xは、0<x≦0.3であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子。 - 前記第1及び第3の半導体バッファ層は、
GaAsによって形成されることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子。 - 前記量子ドット層は、
InAsによって形成されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子。 - 前記第2の半導体バッファ層の膜厚d1は、
0<d1≦10nmであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子。 - 前記第3のバッファ層の膜厚d2は、
0<d2≦10nmであることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子。 - 結晶成長により、半導体基板上に積層して第1の半導体バッファ層を形成する工程と、
結晶成長により、前記第1の半導体バッファ層との間に格子不整合による3次元成長が生じない臨界膜厚以下の膜厚で前記第1の半導体バッファ層上に積層して第2の半導体バッファ層を形成する工程と、
前記第2の半導体バッファ層の表面をアニールした後に、結晶成長により、前記第2の半導体バッファ層上に単原子層平坦化を有するように第3の半導体バッファ層を形成する工程と、
結晶成長により、前記第3の半導体バッファ層との間に格子不整合による3次元成長が生じる臨界膜厚以上の膜厚で前記第3の半導体バッファ層上に積層して量子ドット層を形成する工程とを有することを特徴する半導体量子ドット素子の製造方法。 - 結晶成長により、前記量子ドット層上に、該量子ドット層を埋め込むように埋込層を形成する工程を有することを特徴とする請求項12に記載の半導体量子ドット素子の製造方法。
- 前記第2の半導体バッファ層は、基板温度500℃から700℃の範囲内でアニールすることを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体量子ドット素子の製造方法。
- 前記第1の半導体バッファ層、前記第3の半導体バッファ層、前記量子ドット層及び埋込層は、
III−V族化合物半導体によって形成されることを特徴とする請求項12乃至14のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子の製造方法。 - 前記第2の半導体バッファ層は、前記第1の半導体バッファ層との間の格子不整合度が、0より大きく2.1%以下であることを特徴とする請求項12乃至15のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子の製造方法。
- 前記第2の半導体バッファ層は、
InxGa1-xAsの化合物半導体によって形成され、組成xは、0<x≦0.3であることを特徴とする請求項12乃至16のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子の製造方法。 - 前記埋込層は、
トリエチルガリウムをガリウムの原料として形成されることを特徴とする請求項12乃至17のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子の製造方法。 - 前記第1及び第3の半導体バッファ層は、
GaAsによって形成されることを特徴とする請求項12乃至18のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子の製造方法。 - 前記量子ドット層は、
InAsによって形成されることを特徴とする請求項12乃至19のいずれか1項に記載の半導体量子ドット素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003304978A JP3692407B2 (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 半導体量子ドット素子の製造方法 |
PCT/JP2004/012355 WO2005022640A1 (ja) | 2003-08-28 | 2004-08-27 | 半導体量子ドット素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003304978A JP3692407B2 (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 半導体量子ドット素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005079182A true JP2005079182A (ja) | 2005-03-24 |
JP3692407B2 JP3692407B2 (ja) | 2005-09-07 |
Family
ID=34269285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003304978A Expired - Lifetime JP3692407B2 (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 半導体量子ドット素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3692407B2 (ja) |
WO (1) | WO2005022640A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311463A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Fujitsu Ltd | 量子ドット半導体装置 |
WO2011010389A1 (ja) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | パイオニア株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2011238929A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Toshiba Corp | 半導体素子、及び半導体素子製造方法 |
JP2013524513A (ja) * | 2010-03-29 | 2013-06-17 | ソイテック | Iii−v半導体構造およびiii−v半導体構造を形成する方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2002246489A1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-07-30 | Science And Technology Corporation @ Unm | Quantum dot lasers |
-
2003
- 2003-08-28 JP JP2003304978A patent/JP3692407B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-08-27 WO PCT/JP2004/012355 patent/WO2005022640A1/ja active Application Filing
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311463A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Fujitsu Ltd | 量子ドット半導体装置 |
WO2011010389A1 (ja) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | パイオニア株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2013524513A (ja) * | 2010-03-29 | 2013-06-17 | ソイテック | Iii−v半導体構造およびiii−v半導体構造を形成する方法 |
US9012919B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-04-21 | Soitec | III-V semiconductor structures and methods for forming the same |
JP2011238929A (ja) * | 2010-05-10 | 2011-11-24 | Toshiba Corp | 半導体素子、及び半導体素子製造方法 |
US8461569B2 (en) | 2010-05-10 | 2013-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and a method of fabricating a semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3692407B2 (ja) | 2005-09-07 |
WO2005022640A1 (ja) | 2005-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110337764B (zh) | 表面发射激光器和制造表面发射激光器的方法 | |
JP4795747B2 (ja) | 量子ドット光半導体素子の製造方法 | |
JP2007335848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6696372B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor structure having quantum wires and a semiconductor device including such structure | |
JP4651759B2 (ja) | 量子ドットを備えた素子 | |
JP2000196193A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3692407B2 (ja) | 半導体量子ドット素子の製造方法 | |
JP4041877B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006080293A (ja) | 量子ドットの形成方法 | |
JP3768790B2 (ja) | 量子ドット構造体及びそれを有する半導体デバイス装置 | |
JPH0620949A (ja) | 周期的ヘテロエピタキシャル半導体構造を含む製品の作製方法 | |
JP4762202B2 (ja) | 半導体量子ドット素子、その製造方法、光スイッチ、半導体レーザ、および光検出器 | |
JP4575173B2 (ja) | 量子井戸構造の製造方法 | |
JP5297519B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2980175B2 (ja) | 量子ドット構造の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子の製造方法 | |
JP4440876B2 (ja) | 半導体量子ドット構造の製造方法 | |
JP4284633B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP2006005256A (ja) | 半導体素子 | |
JP2001085665A (ja) | 量子ドットを用いた半導体素子 | |
Kovalenkov et al. | MOVPE self-assembling growth of nanoscaie InP and InAsP islands | |
JP4041887B2 (ja) | アンチモン系量子ドットの形成方法 | |
JPH1131811A (ja) | 歪多重量子井戸構造の成長方法 | |
JP6635462B2 (ja) | 半導体量子ドット素子の製造方法 | |
JP5890492B1 (ja) | 量子細線構造 | |
US20120119188A1 (en) | Semiconductor apparatus manufacturing method and semiconductor apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050609 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3692407 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |