JP2005079087A - 平板表示素子用ドナーフィルム及びそれを利用した有機電界発光素子製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、転写層との接着特性が改善された平板表示素子用ドナーフィルム及びそれを利用した有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナーフィルム８０は基材フィルム５０、基材フィルム５０上に位置した光−熱変換層５５、光−熱変換層５５上に位置した転写層７５、及び光−熱変換層５５と転写層７５間に介在した緩衝膜６５を備える。平板表示素子用ドナーフィルムを製造することにおいて光−熱変換層５５と転写層７５間に緩衝膜６５を導入することによって、転写層７５のドナー基板７０に対する接着力を改善させることができる。結果的に、ドナーフィルム８０を用いてアクセプタ基板上に転写層７０を転写させて有機膜パターンを形成することにおいて不良パターンがない養護なパターンを形成することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は平板表示素子のドナーフィルム及びそれを利用した有機電界発光素子の製造方法に係り、さらに詳細には転写層との接着力を改善したドナーフィルム及びそれを利用した有機電界発光素子の製造方法に関する。

一般的に平板表示素子である有機電界発光素子は、アノードとカソード、そして、前記アノードとカソード間に介在した有機膜を含む。前記有機膜は少なくとも発光層を含み、前記発光層外にも正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層をさらに含むことができる。このような有機電界発光素子は前記有機膜特に、前記発光層を形成する物質にしたがって高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子に分けられる。

このような有機電界発光素子において、フルカラー化を具現するためには前記発光層をパターニングしなければならないが、前記発光層をパターニングするための方法として低分子有機電界発光素子の場合にシャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を用いる方法があって、高分子有機電界発光素子の場合にインクジェットプリンティング（ｉｎｋ−ｊｅｔｐｒｉｎｔｉｎｇ）またはレーザーによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ；以下ＬＩＴＩという。）がある。このうちから前記ＬＩＴＩは前記有機膜を微細にパターニングすることができる長所があるだけでなく、前記インクジェットプリンティングが湿式工程なのに反し、これは乾式工程という長所がある。

このようなＬＩＴＩによる高分子有機膜のパターン形成方法は、少なくとも光源、有機電界発光素子基板すなわち、アクセプタ基板そしてドナーフィルムを必要とするが、前記ドナーフィルムは基材フィルムと転写層で構成される。前記転写層は前記基材フィルム上に順に積層した光−熱変換層と有機膜で構成される。前記アクセプタ基板上に有機膜をパターニングすることは前記光源から出た光が前記ドナーフィルムの光−熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換されて、前記熱エネルギーにより前記転写層を形成する有機膜が前記アクセプタ基板上に転写されながら遂行される。これは韓国特許出願第１９９８−５１８４４号及び米国特許第５、９９８、０８５号、６、２１４、５２０号及び６、１１４、０８８号に開示されている。

図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、ＬＩＴＩによる一般的な有機膜の転写過程において転写メカニズムを説明するための断面図である。図５（Ａ）を参考にすれば、基材フィルムＳ_１ａと光−熱変換層Ｓ_１ｂで構成されたドナー基板Ｓ_１に有機膜Ｓ_２が前記ドナー基板Ｓ_１と前記有機膜Ｓ_２間の第１接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ；Ｗ_１２）により接着されている。前記ドナー基板Ｓ_１下部にはアクセプタ基板Ｓ_３が位置する。

図５（Ｂ）を参考にすれば、前記基材フィルムＳ_１ａ上の第２領域Ｒ_２を除外した第１領域Ｒ_１にレーザーによる光が照射される。前記基材フィルムＳ_１ａを通過した光は前記光−熱変換層Ｓ_１ｂで熱に変換されて、前記熱は前記第１領域Ｒ_１の第１接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ；Ｗ_１２）に変化を誘発して前記有機膜Ｓ_２を前記アクセプタ基板Ｓ_３に転写させる。このような転写過程で前記有機膜Ｓ_２の転写特性を決定する因子は前記第２領域Ｒ_２のドナー基板Ｓ_１と前記有機膜Ｓ_２間の第１接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ；Ｗ_１２）、前記有機膜Ｓ_２内の粘着力（ｃｏｈｅｓｉｏｎ；Ｗ_２２）及び前記有機膜Ｓ_２と前記アクセプタ基板Ｓ_３との第２接着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ；Ｗ_２３）である。特に、前記第１接着力（Ｗ_１２）が小さい場合は前記有機膜Ｓ_２が前記ドナー基板Ｓ_１からあまりにも容易に取れて、前記レーザーにより光が照射できない第２領域Ｒ_２の有機膜Ｓ_２すなわち、転写されてはならない部分の有機膜Ｓ_２まで転写される不良を誘発できる。これは前記有機膜Ｓ_２が低分子物質を含む場合においてさらに顕著である。
韓国特許出願第１９９８−５１８４４号 米国特許第５、９９８、０８５号 米国特許第６、２１４、５２０号 米国特許第６、１１４、０８８号

本発明が解決しようとする技術的課題は、上述した従来技術の問題点を解決するためのものであって、転写層との接着特性が改善された平板表示素子用ドナーフィルム及びそれを利用した有機電界発光素子の製造方法を提供することにある。

前記技術的課題を達成するために本発明は平板表示素子用ドナーフィルムを提供する。前記ドナーフィルムは基材フィルム（ｂａｓｅ ｆｉｌｍ）と前記基材フィルム上に位置した光−熱変換層（ＬＴＨＣ）と前記光−熱変換層上に位置した転写層（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌａｙｅｒ）及び前記光−熱変換層と前記転写層間に介在した緩衝膜を含む。前記緩衝膜は、ガラス転移温度Ｔｇが２５℃以下である物質を含むことが望ましい。前記ガラス転移温度が２５℃以下である物質はシリコン高分子（ｓｉｌｉｃｏｎｅ ｐｏｌｙｍｅｒ）であるものが望ましい。この場合、前記緩衝膜は液状シリコン高分子を前記光−熱変換層上に形成して,紫外線硬化、常温硬化、低温硬化 及び触媒硬化で構成される群から選択される一つを用いて硬化することによって形成することが望ましい。前記緩衝膜は、２０μｍ以下の厚さを有することが望ましい。さらに望ましくは前記緩衝膜は５μｍ以下の厚さを有する。前記転写層は、発光性有機膜、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜で構成された群から選択される少なくても一つの膜を含むことができる。望ましくは前記転写層は発光性有機膜である。前記有機膜は各々低分子物質を含むことが望ましい。前記ドナーフィルムは、前記光−熱変換層と前記緩衝膜間に介在した層間挿入層（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）をさらに含むことが望ましい。

前記技術的課題を達成するために本発明は、前記ドナーフィルムを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供する。前記製造方法は画素電極が形成されたアクセプタ基板を提供して；前記基板から一定間隔離隔された位置に基材フィルム、前記基材フィルム上に光−熱変換層、緩衝膜及び転写層を順に積層したドナーフィルムを前記転写層が前記基板に向けるように配置して；前記基材フィルムの所定領域にレーザーを照射して前記転写層を前記画素電極上に転写することによって、前記画素電極上に有機膜パターンを形成することを含む。前記緩衝膜は、ガラス転移温度Ｔｇが２５℃以下である物質を含むことが望ましい。前記ガラス転移温度が２５℃以下である物質はシリコン高分子であるものが望ましい。前記有機膜パターンは、発光性有機膜、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜で構成された群から選択される少なくても一つの膜を含むことができる。望ましくは前記有機膜パターンは、発光性有機膜パターンである。前記有機膜は各々低分子物質を含むことが望ましい。

上述したように本発明によれば、平板表示素子用ドナーフィルムを製造することにおいて光−熱変換層と転写層間に緩衝膜を導入することによって、前記転写層のドナー基板に対する接着力を改善させることができる。結果的に、前記ドナーフィルムを用いてアクセプタ基板上に前記転写層を転写させて有機膜パターンを形成することにおいて不良パターンがない養護なパターンを形成することができる。

以下、本発明をさらに具体的に説明するために本発明による望ましい実施の形態を添付した図面を参照しながらさらに詳細に説明する。

図１は、本発明による平板表示素子用ドナーフィルム及びその製造方法を説明するための断面図である。図１を参考にすれば、基材フィルム５０を提供して、前記基材フィルム５０上に光−熱変換層（Ｌｉｇｈｔ−Ｔｏ−Ｈｅａｔ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ；ＬＴＨＣ、５５）を形成する。

前記基材フィルム５０は、透明性高分子で構成されているが、このような高分子としてはポリテレフタル酸エチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）のようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどを用いる。そのうちからポリテレフタル酸エチレンフィルムを主に用いる。前記基材フィルム５０は支持フィルムとして適当な光学的性質と充分な機械的安定性を有しなければならない。前記基材フィルム５０の厚さは１０ないし５００μｍであるものが望ましい。

前記光−熱変換層５５は、赤外線−可視光線領域の光を吸収して前記光の一部を熱に変換させる層であって、適当な光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ）を有しなければならなく、光吸収性物質を含む。前記光−熱変換層５５は金属膜または高分子有機膜であることができる。前記金属膜は前記光吸収性物質としてアルミニウム酸化物またはアルミニウム硫化物を含むことができる。前記高分子有機膜は前記光吸収性物質としてカーボンブラック、黒鉛または赤外線染料を含むことができる。この時、前記金属膜は真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパターリングを利用して１００ないし５、０００Å厚さに形成することが望ましく、前記高分子有機膜は一般的なフィルムコーティング方法であるロールコーティング（ｒｏｌｌ ｃｏａｔｉｎｇ）、グラビア（ｇｒａｖｕｒｅ）、圧出（ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ）、スピン（ｓｐｉｎ）及びナイフ（ｋｎｉｆｅ）コーティング方法を利用して０．１ないし１０μｍ厚さに形成することが望ましい。

続いて、前記光−熱変換層５５上に層間挿入層（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ；６０）を形成することができる。前記層間挿入層６０は前記光−熱変換層５５に含まれた前記光吸収性物質例えば、カーボンブラックが後続する工程で形成される転写層を汚染させることを防止する役割を有する。前記層間挿入層６０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）またはアルキド樹脂（ａｌｋｙｄ ｒｅｓｉｎ）で形成することができる。前記層間挿入層６０を形成することは溶媒コーティング等の一般的なコーティング工程と紫外線硬化過程等の硬化過程を経て遂行することができる。前記層間挿入層６０は１ないし２μｍの厚さに形成することが望ましい。

続いて、前記光−熱変換層５５上にまたは前記層間挿入層６０が形成された場合は前記層間挿入層６０上に緩衝膜６５を形成する。前記基材フィルム５０上に前記光−熱変換層５５及び前記緩衝膜６５を順に形成した結果物または前記基材フィルム５０上に前記光−熱変換層５５、前記層間挿入層６０及び前記緩衝膜６５を順に形成した結果物をドナー基板７０と定義する。続いて、前記ドナー基板７０上、すなわち前記緩衝膜６５上に転写層７５を形成することによってドナーフィルム８０を完成する。

前記緩衝膜６５は、前記ドナー基板７０と前記転写層７５の接着力すなわち、図５の第１接着力（Ｗ_１２）を向上させる役割を有する。これは図５を参照しながら説明したように、前記転写層７５を転写する過程で前記転写層７５が前記ドナー基板７０からあまりにも容易に取れて、転写されてはならない部分までアクセプタ基板上に転写されるパターニング不良を防止することができるようにする。結果的に前記緩衝膜６５の導入により前記転写層７５の転写特性を改善できる。また、前記緩衝膜６５は前記転写過程において、前記アクセプタ基板に対して緩衝役割をしてパターニング不良を減らすことができる。

前記緩衝膜６５は、ガラス転移温度Ｔｇが２５℃以下である物質を含むことが望ましい。一般的に高分子物質はガラス転移温度Ｔｇ以下では分子のミクローブラウン運動を凍結してガラス状態になるが、ガラス転移温度以上では柔軟であって屈曲性や弾性が豊富なので接着強度が高い。したがって、通常的に２５℃以上で進められるＬＩＴＩによる転写過程において、前記ガラス転移温度Ｔｇが２５℃以下である物質を有する緩衝膜６５は前記ドナー基板７０と前記転写層７５との接着力すなわち、図５の第１接着力（Ｗ_１２）を向上させる結果を有することができる。

さらに望ましくは前記緩衝膜６５は、シリコン高分子を用いて形成する。前記シリコン高分子は分子内シロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）結合（Ｓｉ−Ｏ）を有するポリマーであって耐熱性、化学的安定性などが優秀なだけでなく、ガラス転移温度が２５℃以下である物質である。前記緩衝膜６５をシリコン高分子で形成することは前記光−熱変換層５５または前記層間挿入層６０上に液状シリコン高分子をコーティングした後、硬化する過程を経て実施できる。前記硬化は紫外線硬化、常温硬化、低温硬化 及び触媒硬化で構成される群から選択される一つを用いて実施する。

前記緩衝膜６５は、スピンコーティング、ロールコーティング、ディップコーティング、グラビアコーティング、蒸着等のような方法で形成することが望ましい。前記緩衝膜６５は２０μｍ以下の厚さを有するように形成することが望ましい。さらに望ましくは前記緩衝膜６５は５μｍ以下の厚さを有するように形成する。これは前記ドナー基板７０から前記転写層７５に転写を受けるアクセプタ基板の被転写部位が平坦化された場合は前記緩衝膜６５の厚さは２０μｍ以下で形成することが望ましいが、前記被転写部位が平坦化されなくてリセスされた場合はパターニング不良を防止するために前記リセスされた被転写部位の隅部分までドナーフィルムが密着されなければならないので、前記緩衝膜は５μｍ以下の厚さを有するように形成する。

前記転写層７５は、発光性有機膜、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜で構成された群から選択される少なくても一つの膜で形成することができる。望ましくは前記転写層７５は発光性有機膜である。前記有機膜は各々低分子物質を含むことが望ましい。前記低分子物質を含む有機膜は一般的に接着力（図５のＷ_１２）が良好でないので、前記緩衝膜６５の導入により転写特性改善の程度が大きくなるためである。一方、前記低分子物質のうちには熱的安定性が低い場合があるが、前記熱的安定性が低い低分子物質を含む転写層７５の場合、ＬＩＴＩによる転写過程で前記光−熱変換層５５で発生する熱により損傷される現象がありえる。しかし、前記緩衝膜６５は前記熱を調節することができるので、このような熱損傷を防止することができる。

前記発光性有機膜、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜は、一般的に用いられる材料ならばすべて可能である。望ましくは前記電界発光性有機膜としては赤色発光材料であるＡｌｑ３（ホスト）／ＤＣＪＴＢ（蛍光ドーパント）、Ａｌｑ３（ホスト）／ＤＣＭ（蛍光ドーパント）、ＣＢＰ（ホスト）／ＰｔＯＥＰ（燐光ドーパント）などの低分子物質またはＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができ、緑色発光材料であるＡｌｑ３、Ａｌｑ３（ホスト）／Ｃ５４５ｔ（ドーパント）、ＣＢＰ（ホスト）／ＩｒＰＰｙ（燐光ドーパント）などの低分子物質またはＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。また、青色発光材料であるＤＰＶＢｉ、スピロ−ＤＰＶＢｉ、スピロ−６Ｐ、ジスチリルベンゼン（ｄｉｓｔｙｒｙｌ ｂｅｎｚｅｎｅ；ＤＳＢ）、ジスチリルアリレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌ ａｒｙｌｅｎｅ；ＤＳＡ）などの低分子物質またはＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。前記正孔注入性有機膜としてはＣｕＰｃ、ＴＮＡＴＡ、ＴＣＴＡ、ＴＤＡＰＢのような低分子またはＰＡＮＩ、ＰＥＤＯＴのような高分子物質を用いることができ、前記正孔輸送性有機膜としてはアリルアミン系低分子、ヒドラゾン(hydrazone)系低分子、スチルベン(stilbene)系低分子, スターバスト（ｓｔａｒｂｕｒｓｔ）系低分子としてＮＰＢ、ＴＰＤ、ｓ−ＴＡＤ、ＭＴＡＤＡＴＡ等の低分子またはカルバゾル系高分子、アリルアミン系高分子、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）系及びピロール（ｐｙｒｒｏｌｅ）系と分子としてＰＶＫのような高分子物質を用いることができる。前記電子輸送性有機膜としてはＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ−ＰＢＤのような高分子またはＡｌｑ３、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑのような低分子物質を用いることができる。また前記電子注入性有機膜としてはＡｌｑ３、ガリウム混合物（Ｇａ ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＰＢＤのような低分子物質であるがオキサジアゾール系（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）高分子物質を用いることができる。

前記転写層７５の形成は、一般的なコーティング方法である圧出、スピン、ナイフコーティング方法、真空蒸着法、ＣＶＤなどの方法を利用して１００ないし５０、０００Åの厚さにコーティングする。

図２は、本発明の実施例による平板表示素子用ドナーフィルムを用いた有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。図２を参考にすれば、画素電極２００が形成されたアクセプタ基板１００を提供する。一方、基材フィルム５０上に光−熱変換層５５、緩衝膜６５及び転写層７５を順に積層してドナーフィルム８０を製造する。前記緩衝膜６５を積層する前に前記光−熱変換層５５上には層間挿入層６０がさらに積層できる。前記ドナーフィルム８０の製造方法は上述したものと同じである。

続いて、前記ドナーフィルム８０を前記アクセプタ基板１００から一定間隔離隔された位置に前記転写層７５が前記アクセプタ基板１００に向けるように配置して、前記ドナーフィルム８０の所定領域にレーザー３００を照射して前記転写層を前記画素電極２００上に転写することによって、前記画素電極２００上に有機膜パターン２５０を形成する。

前記有機膜パターン２５０は、発光性有機膜、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜で構成された群から選択される少なくても一つの膜で形成されることができる。望ましくは前記有機膜パターン２５０は、発光性有機膜パターンである。前記有機膜は各々低分子物質を含むことが望ましい。

前記画素電極２００はアノードであって、前記ドナーフィルム８０を用いて前記画素電極２００上に発光性有機膜パターン２５０すなわち、発光層を形成する場合、前記発光層を形成する前に前記画素電極２００上に正孔注入層及び／または正孔輸送層をＬＩＴＩ、スピンコーティングまたは真空蒸着を用いて形成することができる。前記発光層を形成した後、前記発光層上に電子輸送層及び／または電子注入層をＬＩＴＩ、真空蒸着またはスピンコーティングを用いて形成することができる。続いて、前記電子輸送層及び／または電子注入層上にカソードである共通電極（図示せず）を形成することによって有機電界発光素子を完成する。

以下、本発明の理解を助けるために望ましい実験例（ｅｘａｍｐｌｅ）を提示する。ただし、下記の実験例は本発明の理解を助けるためのものであるだけで、本発明が下記の実験例により限定されることではない。

＜実験例１＞
１００μｍの厚さを有して、ポリテレフタル酸エチレンで構成された基材フィルムを提供した。前記基材フィルム上に光吸収性物質であるカーボンブラックを含む光−熱変換層を４μｍの厚さに形成した。続いて、前記光−熱変換層上に層間挿入層をアクリル樹脂で形成するが、１μｍの厚さに形成した。前記層間挿入層上に液状シリコン高分子である２５７７（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ社）を１μｍの厚さにスピンコーティングして、前記コーティングされた２５７７（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ社）を２５℃で１０分間乾燥させた後、８０℃で１０分間熱処理して２５℃で６時間以上放置することによって緩衝膜を形成した。前記液状シリコン高分子２５７７（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ社）は２５℃で水分と反応して硬化する高分子であって、８０℃における熱処理は硬化時間を短縮させる効果がある。前記緩衝膜上に発光性低分子のうち青色発光材料であるＩＤＥ１０５（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ社）が７重量％で含まれたＩＤＥ１４０（Ｉｄｅｍｉｔｓｕ社）を全面に真空蒸着して転写層を形成することによって、ドナーフィルムを製造した。

＜実験例２＞
前記層間挿入層上に液状シリコン高分子であるＵＶＨＣ３０００（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社）を１μｍの厚さにスピンコーティングして、前記コーティングされたＵＶＨＣ３０００（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ社）を２５℃で１０分間乾燥させた後、８０℃で１０分間熱処理してＵＶランプ（最大波長２５４ｎｍ）を用いて１５分間硬化させることによって、緩衝膜を形成した。これを除いては前記実験例１と同一の方法でドナーフィルムを製造した。
＜比較例１＞
前記層間挿入層上にガラス転移温度が２５℃以上（約１００℃）である紫外線硬化型シーラント６８（Ｎｏｒｌａｎｄ社）を５μｍの厚さにコーティングした後、８０℃で１０分間熱処理してＵＶランプ（最大波長２５４ｎｍ）を用いて１５分間硬化させることによって、緩衝膜を形成した。これを除いては前記実験例１と同一の方法でドナーフィルムを製造した。

＜比較例２＞
前記緩衝膜を形成しないものを除いて前記実験例１と同一の方法でドナーフィルムを製造した。

一方、画素電極が形成されたアクセプタ基板を準備した。続いて、前記実験例１、２、前記比較例１及び２によって製造されたそれぞれのドナーフィルムを前記アクセプタ基板上に位置させて、一般的なＬＩＴＩ法で前記転写層を前記アクセプタ基板上に転写させることによって前記アクセプタ基板上に発光層パターンを形成した。

図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、前記実験例１及び２によって製造されたドナーフィルムを用いて前記アクセプタ基板上に発光層パターンを形成したことを各々示す写真である。また、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、前記比較例１及び２によって製造されたドナーフィルムを用いて前記アクセプタ基板上に発光層パターンを形成したことを各々示す写真である。

図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参考にすれば、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）には各々発光層パターンＰと一緒に不良パターンＱが出た。前記不良パターンＱは転写されてはならない部分まで前記アクセプタ基板上に接着したものである。しかし図３（Ａ）及び図３（Ｂ）には発光層パターンＰは出たが不良パターンは出なかった。また、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は転写しようとした部分だけが転写された養護なパターンを見せる。これは前記ドナーフィルムの製造過程において、前記緩衝膜を導入することによって前記転写層のドナー基板に対する接着力を向上させた結果である。

本発明の実施例による平板表示素子用ドナーフィルム及びその製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施例による平板表示素子用ドナーフィルムを用いた有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。 実験例１及び２によって製造されたドナーフィルムを用いてアクセプタ基板上に発光層パターンを形成したことを各々示す写真である。 比較例１及び２によって製造されたドナーフィルムを用いてアクセプタ基板上に発光層パターンを形成したことを各々示す写真である。 ＬＩＴＩによる一般的な有機膜の転写過程において転写メカニズムを説明するための断面図である。

符号の説明

５５ 光−熱変換層
６５ 緩衝膜
７０ ドナー基板
７５ 転写層
８０ ドナーフィルム

Claims (16)

1. 基材フィルムと、
   前記基材フィルム上に位置した光−熱変換層と、
   前記光−熱変換層上に位置した転写層と、
   前記光−熱変換層と前記転写層間に介在した緩衝膜と、
   を有することを特徴とする平板表示素子用ドナーフィルム。
2. 前記緩衝膜は、ガラス転移温度Ｔｇが２５℃以下である物質を備えることを特徴とする請求項１に記載の平板表示素子用ドナーフィルム。
3. 前記ガラス転移温度が２５℃以下である物質は、シリコン高分子であることを特徴とする請求項２に記載の平板表示素子用ドナーフィルム。
4. 前記緩衝膜は、液状シリコン高分子を前記光−熱変換層上に形成して；紫外線硬化、常温硬化、低温硬化及び触媒硬化で構成される群から選択される一つを用いて硬化することによって形成することを特徴とする請求項３に記載の平板表示素子用ドナーフィルム。
5. 前記緩衝膜は、２０μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の平板表示素子用ドナーフィルム。
6. 前記緩衝膜は、５μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項５に記載の平板表示素子用ドナーフィルム。
7. 前記転写層は、発光性有機膜、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜で構成された群から選択される少なくても一つの膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示素子用ドナーフィルム。
8. 前記転写層は、発光性有機膜であることを特徴とする請求項7に記載の平板表示素子用ドナーフィルム。
9. 前記有機膜は、各々低分子物質を含むことを特徴とする請求項７に記載の平板表示素子用ドナーフィルム。
10. 前記光−熱変換層と前記緩衝膜間に介在した層間挿入層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の平板表示素子用ドナーフィルム。
11. 画素電極が形成されたアクセプタ基板を提供して；
    前記基板から一定間隔離隔された位置に基材フィルム、前記基材フィルム上に光−熱変換層、緩衝膜及び転写層を順に積層したドナーフィルムを前記転写層が前記基板に向けるように配置して；
    前記基材フィルムの所定領域にレーザーを照射して前記転写層を前記画素電極上に転写することによって、前記画素電極上に有機膜パターンを形成することを特徴とする有機電界発光素子製造方法。
12. 前記緩衝膜は、ガラス転移温度Ｔｇが２５℃以下である物質を含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子製造方法。
13. 前記ガラス転移温度が２５℃以下である物質は、シリコン高分子であることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光素子製造方法。
14. 前記有機膜パターンは、発光性有機膜、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜で構成された群から選択される少なくても一つの膜を有することを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子製造方法。
15. 前記有機膜パターンは、発光性有機膜パターンであることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光素子製造方法。
16. 前記有機膜パターンは、各々低分子物質を含むことを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光素子製造方法。

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