JP2005064828A - 固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2005064828A
JP2005064828A JP2003291942A JP2003291942A JP2005064828A JP 2005064828 A JP2005064828 A JP 2005064828A JP 2003291942 A JP2003291942 A JP 2003291942A JP 2003291942 A JP2003291942 A JP 2003291942A JP 2005064828 A JP2005064828 A JP 2005064828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
vertical transfer
solid
vertical direction
vertical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003291942A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4020041B2 (ja
Inventor
Masao Kimura
匡雄 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2003291942A priority Critical patent/JP4020041B2/ja
Priority to US10/911,547 priority patent/US20050035927A1/en
Priority to KR1020040062161A priority patent/KR20050019026A/ko
Publication of JP2005064828A publication Critical patent/JP2005064828A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4020041B2 publication Critical patent/JP4020041B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
    • H04N23/12—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths with one sensor only
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】全画素読み出し方式であっても、垂直転送部で同色複数画素の電荷の加算を行うことができるようにすること。
【解決手段】本発明は、水平方向および垂直方向に沿って各々複数の画素センサＳが配置されるセンサ領域と、センサ領域における垂直方向に沿った複数の画素センサＳで構成される画素列の各々に対応して各画素列の両脇に形成される２本の垂直転送部１０、１１と、各画素列における垂直方向で隣接する各画素センサＳで蓄積した電荷を２本の垂直転送部１０、１１の各々異なる方へ同じタイミングで読み出すとともに、各垂直転送部１０、１１で複数画素センサ分の電荷を加算して転送する制御を行う制御手段とを備える固体撮像装置およびその駆動方法である。また、この固体撮像装置を用いて画像を取り込み撮像装置でもある。
【選択図】図１

Description

本発明は、水平方向および垂直方向にマトリクス状に配置された複数の画素センサで蓄積した電荷を同じタイミングで読み出す全画素読み出し方式の固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置に関する。
固体撮像装置自体の機能の多様化により、多画素出力、高フレームレート対応、動画対応などがデジタルスチルカメラ用途の固体撮像装置にも要求されてきている。特に、動画に対しては、多画素固体撮像装置に対する単なる間引き機能の付加だけでは、折り返しノイズ、偽信号等が増加するため、一般的に画質の劣化が激しい。これに対して、画素信号を加算処理し、実質上の画素数を減少させる方式は、間引き処理に比べ画質の劣化が少なくてすみ、高フレームレートを得る方式として注目されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、電荷の転送方式として、デジタルスチルカメラなどに採用される全画素読み出し方式では、全ての画素の電荷を同じタイミングで読み出すことから時間差なく信号を得ることができる（例えば、特許文献２、３参照。）。
特開２０００−１１５６４３号公報 特開平９−１２９８６１号公報 特開平７−５９０１２号公報
しかしながら、全画素読み出し方式の固体撮像装置の場合、特に垂直方向の信号加算に関しては、異なる色成分を持った画素信号が上下連続して隣り合うように読み出させるため、そのままの加算処理では異なる色成分の加算となってしまう。したがって、読み出し時に垂直方向の偶数ラインと奇数ラインとに時間差をつける必要がある。例えば、奇数ラインを先に読み出し、加算処理用に一部数サイクル垂直転送を行った後、偶数ラインを読み出し、同様の垂直転送を行い加算処理を行うようにしている。
しかし、この場合、奇数ラインを読み出して以降、偶数ラインを読み出すまでの間に入射光量に大きな変化があると、加算後の画像にその状態が反映されてしまうため、全画素読み出しのメリットを十分に生かすことができないという問題が生じる。
本発明は、このような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明は、水平方向および垂直方向に沿って各々複数の画素センサが配置されるセンサ領域と、センサ領域における垂直方向に沿った複数の画素センサで構成される画素列の各々に対応して各画素列の両脇に形成される２本の垂直転送部と、各画素列における垂直方向で隣接する各画素センサで蓄積した電荷を２本の垂直転送部の各々異なる方へ同じタイミングで読み出すとともに、各垂直転送部で複数画素センサ分の電荷を加算して転送する制御を行う制御手段とを備える固体撮像装置およびその駆動方法である。また、この固体撮像装置を用いて画像を取り込み撮像装置でもある。
このような本発明では、垂直方向に沿った各画素列について、各々２本の垂直転送部を備えているため、垂直方向に隣接する画素センサで蓄積した電荷を各々異なる垂直転送部へ同時に読み出すことができる。つまり、垂直方向に隣接する画素センサで色成分が異なっていても、各色成分毎に異なる垂直転送部へ同時に読み出して加算および転送を行うことができるようになる。
本発明では、全画素読み出し方式の固体撮像装置において、読み出し時間差無しで垂直方向に沿った複数画素の電荷を加算することが可能となる。これにより、全画素読み出しにおける時間差のない高精細な画像を得られるというメリットとともに、従来の全画素読み出し方式よりも垂直転送にかける時間を短縮でき、固体撮像装置のフレームレートを向上させることも可能となる。
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。図１は、本実施形態に係る固体撮像装置を説明する模式図である。すなわち、この固体撮像装置は、水平方向および垂直方向に沿って各々複数の画素センサＳが配置されるセンサ領域と、センサ領域における垂直方向に沿った複数の画素センサＳで構成される画素列の各々に対応して各画素列の両脇に形成される２本の垂直転送部１０、１１とを備えている。
このような画素構成において、図示しない制御部により画素センサＳで蓄積した電荷の読み出し、転送等の制御を行っている。本実施形態では、制御部による電荷の読み出し、転送制御として、各画素列における垂直方向で隣接する各画素センサＳで蓄積した電荷を２本の垂直転送部１０、１１の各々異なる方へ同じタイミングで読み出すとともに、各垂直転送部１０、１１で複数画素センサ分の電荷を加算して転送する点に特徴がある。
図１に示す固体撮像装置では、センサ領域の垂直方向に沿った画素列の各画素センサが、１つおきに同じ色のフィルタを備えた構成となっている。つまり、画素列ｒ１では、図中上からＧ（緑）、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）…の順に対応し、画素列ｒ２では、図中上からＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｇ（緑）…の順に対応しており、同様の並び順で繰り返されている。
このような画素センサＳの配置において、Ｇ（緑）に対応した画素センサＳでは各画素列の図中左側の垂直転送部１０へ電荷を読み出し、Ｒ（赤）およびＢ（青）に対応した画素センサＳでは各画素列の図中右側の垂直転送部１１へ電荷を読み出している。つまり、１本の画素列では２色に対応した画素センサＳが交互に並ぶため、各々の色成分に対応した画素センサＳでの蓄積電荷を両脇の各々異なる垂直転送部１０、１１へ読み出すことにより、一つの垂直転送部１０（もしくは垂直転送部１１）では同じ色成分に対応した電荷のみが転送されることになる。このため、同じタイミングで全ての画素センサＳの蓄積電荷を垂直転送部１０、１１へ読み出しても異なる色成分の電荷が混じることなく転送できるようになる。
また、各垂直転送部１０、１１には同じ色成分の電荷のみが読み出されることから、転送のタイミングを制御することで垂直方向に沿った同色に対応する複数画素センサＳでの電荷を垂直転送部１０、１１で加算することが可能となる。
このような構成により、本実施形態の固体撮像装置では、全画素読み出し方式でありながら垂直転送部１０、１１で複数画素センサＳの電荷を加算して出力することができ、時間差無しでの垂直同色加算を実現できるようになる。
図２は、他の構成を説明する模式図である。この固体撮像装置では、先と同様に、垂直方向に沿った画素センサＳで構成される画素列の１本に対応してその画素列の両脇に２本の垂直転送部１０、１１が各々形成されているが、電荷の読み出し方向が異なるものである。すなわち、この例では、画素センサＳにおける垂直方向の位置によって読み出し方向が決まる構成で、例えば垂直方向１段目の画素センサＳにおいては各々左側にある垂直転送部１０へ読み出し、垂直方向２段目の画素センサＳにおいては各々右側にある垂直転送部１１へ読み出している。読み出し方向の設定は、各画素センサＳ間のチャネルストップ領域の形状や電極の形状を変えることで対応できる。
図３は、図１に示す読み出し方向の場合の具体的な画素構造を示す模式図である。すなわち、この画素構造では、画素センサＳの両側に垂直転送部１０、１１がそれぞれ読み出しゲート領域（図中○印参照）およびチャネルストップ領域ＣＳ２を間に挟んで配置される。同様の画素センサＳを数画素並べた際には、垂直転送部１０、１１同士が隣り合うことになるため、信号の混合を防止するために、その中間にチャネルストップ領域ＣＳ１を設けている。
このような画素構造にした場合、垂直転送電極は第１電極Ｄ１および第２電極Ｄ２の２層によって構成され、上記の２本の垂直転送部１０、１１に対して共通のクロックを印加するものとする。また、各画素センサＳにおいては、チャネルストップ領域ＣＳ２が形成されていない部分に対応する側の垂直転送部１０、１１へ電荷が読み出されるものとする（図中矢印参照）。
次に、この固体撮像装置の通常撮像時の動作（駆動方法）を図４のポテンシャル図に沿って説明する。本実施形態の固体撮像装置では、垂直加算機能を使用することを前提としているため、垂直転送クロックは、Ｖφ１〜Ｖφ８の８相駆動となる。
読み出しクロックは、Ｖφ１、Ｖφ３、Ｖφ５、Ｖφ７に印加されるため、印加時のポテンシャルは、図４のように表せる。なお、図４では、垂直転送クロックの上段が左側の垂直転送部１０の場合、下段が右側の垂直転送部１１の場合を示している。このときの信号の動きとしては、図３で示す部位にて説明すると、画素センサＳ１−１の電荷が右側の垂直転送部１１に読み出され（図中矢印参照）、画素センサＳ１−２の電荷が左側の垂直転送部１０に読み出され（図中矢印参照）、画素センサＳ１−３の電荷が右側の垂直転送部１１に読み出され（図中矢印参照）、画素センサＳ１−４の電荷が左側の垂直転送部１０に読み出される（図中矢印参照）。
また、画素センサＳ２−１の電荷が右側の垂直転送部１０に読み出され（図中矢印参照）、画素センサＳ２−２の電荷が左側の垂直転送部１１に読み出され（図中矢印参照）、画素センサＳ２−３の電荷が右側の垂直転送部１０に読み出され（図中矢印参照）、画素センサＳ２−４の電荷が左側の垂直転送部１１に読み出される（図中矢印参照）。
したがって、いずれの垂直転送部１０、１１内の読み出しパケットも、その前後に空パケットを有していることになるため、読み出し時には、Ｖφ２、Ｖφ６を同時にＨレベルにしておく。こうすることで、読み出し直後の垂直レジスタ内の取り扱い電荷量を十分確保することが出来る。
次に、垂直加算を行う場合の動作（駆動方法）を図５のポテンシャル図に沿って説明する。読み出しクロックは、通常転送時と変わりなく、Ｖφ１、Ｖφ３、Ｖφ５、Ｖφ７に印加されるため、印加時のポテンシャルは、図５のように表される。なお、図５も図４と同様に、垂直転送クロックの上段が左側の垂直転送部１０の場合、下段が右側の垂直転送部１１の場合を示している。
この際、通常時のＶφ２、Ｖφ６に加えて、Ｖφ４をＨレベルにしておくことによって、垂直同色２画素分の電荷を垂直転送部１０、１１内で加算することができる。
このように、全画素読み出し方式の固体撮像装置においても、本実施形態の構造を用いることにより、タイミング変更によって従来構造では不可能な時間差無しの垂直同色２画素加算を実現できる。
また、本発明による構造に変更することによって、１画素当たりの垂直転送電極を２枚に減少させることが出来るため、従来の垂直４相駆動の全画素読み出し方式に比べ、同一の垂直転送サイクル数で、たとえば垂直１０００ライン分を垂直転送するところを、半減の５００ライン分を転送する時間ですむため高速化にも対応することが可能となる。
なお、本実施形態では、制御部によるタイミング制御によって垂直同色２画素加算のほか、３画素、４画素加算など２画素加算以外であっても実現可能である。
上記説明した本実施形態に係る固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ等の撮像装置に適用可能である。つまり、撮像装置では、レンズ等の光学系、画像信号処理部、記録媒体等を備え、光学系を介して本実施形態の固体撮像装置で画像の取り込みを行い、画像信号処理部で所定の信号処理を施した状態で記録媒体への画像記録を行うことになる。
本実施形態に係る固体撮像装置を説明する模式図である。 他の構成を説明する模式図である。 具体的な画素構造を示す模式図である。 通常撮像時のポテンシャル図である。 垂直加算時のポテンシャル図である。
符号の説明
１０…垂直転送部、１１…垂直転送部、Ｄ１…第１電極、Ｄ２…第２電極、Ｓ…画素センサ、ｒ１…画素列、ｒ２…画素列

Claims (6)

  1. 水平方向および垂直方向に沿って各々複数の画素センサが配置されるセンサ領域と、
    前記センサ領域における垂直方向に沿った複数の画素センサで構成される画素列の各々に対応して各画素列の両脇に形成される２本の垂直転送部と、
    前記各画素列における垂直方向で隣接する各画素センサで蓄積した電荷を前記２本の垂直転送部の各々異なる方へ同じタイミングで読み出すとともに、各垂直転送部で複数画素センサ分の電荷を加算して転送する制御を行う制御手段と
    を備える固体撮像装置。
  2. 前記センサ領域を構成する全ての画素センサで蓄積した画素を同じタイミングで対応する垂直転送部へ読み出す
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  3. 前記垂直方向に沿った画素列では、その画素列を構成する複数の画素センサの１つおきに同じ色のフィルタを備えている
    ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
  4. 水平方向および垂直方向に沿って各々複数の画素センサが配置されるセンサ領域と、
    前記センサ領域における垂直方向に沿った複数の画素センサで構成される画素列の各々に対応して各画素列の両脇に形成される２本の垂直転送部と、
    前記センサ領域における各画素センサで蓄積した電荷を所定のタイミングで前記２本の垂直転送部へ読み出す制御を行う制御手段とを備える固体撮像装置の駆動方法において、
    前記制御手段は、前記各画素列における垂直方向で隣接する各画素センサで蓄積した電荷を前記２本の垂直転送部の各々異なる方へ同じタイミングで読み出すとともに、各垂直転送部で複数画素センサ分の電荷を加算して転送する制御を行う
    ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
  5. 前記制御手段は、前記センサ領域を構成する全ての画素センサで蓄積した画素を同じタイミングで対応する垂直転送部へ読み出す制御を行う
    ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置の駆動方法。
  6. 水平方向および垂直方向に沿って各々複数の画素センサが配置されるセンサ領域と、
    前記センサ領域における垂直方向に沿った複数の画素センサで構成される画素列の各々に対応して各画素列の両脇に形成される２本の垂直転送部と、
    前記各画素列における垂直方向で隣接する各画素センサで蓄積した電荷を前記２本の垂直転送部の各々異なる方へ同じタイミングで読み出すとともに、各垂直転送部で複数画素センサ分の電荷を加算して転送する制御を行う制御手段とを備える固体撮像装置を用いて画像の取り込みを行う
    ことを特徴とする撮像装置。
JP2003291942A 2003-08-12 2003-08-12 固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置 Expired - Fee Related JP4020041B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003291942A JP4020041B2 (ja) 2003-08-12 2003-08-12 固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置
US10/911,547 US20050035927A1 (en) 2003-08-12 2004-08-05 Solid state imaging device, driving method therefor, and imaging apparatus
KR1020040062161A KR20050019026A (ko) 2003-08-12 2004-08-06 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법 및 촬상 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003291942A JP4020041B2 (ja) 2003-08-12 2003-08-12 固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005064828A true JP2005064828A (ja) 2005-03-10
JP4020041B2 JP4020041B2 (ja) 2007-12-12

Family

ID=34131687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003291942A Expired - Fee Related JP4020041B2 (ja) 2003-08-12 2003-08-12 固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20050035927A1 (ja)
JP (1) JP4020041B2 (ja)
KR (1) KR20050019026A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008131331A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Fujifilm Corp 固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置
JP2009130575A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Fujifilm Corp 固体撮像素子の駆動方法、固体撮像素子、及び撮像装置
US8354600B2 (en) 2008-11-10 2013-01-15 Fujitsu Limited Printed wiring board and electronic device
US9137432B2 (en) 2011-09-16 2015-09-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Backside illumination image sensor, operating method thereof, image processing system and method of processing image using the same

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8786510B2 (en) * 2006-01-24 2014-07-22 Avery Dennison Corporation Radio frequency (RF) antenna containing element and methods of making the same
US7602430B1 (en) * 2007-04-18 2009-10-13 Foveon, Inc. High-gain multicolor pixel sensor with reset noise cancellation
JP2010010896A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP5290923B2 (ja) * 2009-10-06 2013-09-18 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
ES2739222T3 (es) 2010-06-14 2020-01-29 Avery Dennison Corp Método de fabricación de un dispositivo de identificación por radiofrecuencia
FI125720B (fi) 2011-05-19 2016-01-29 Tecnomar Oy Rullalta rullalle -massavalmistukseen soveltuva sähköisten siltojen valmistusmenetelmä
JP6305169B2 (ja) * 2014-04-07 2018-04-04 キヤノン株式会社 固体撮像素子、撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971065A (en) * 1975-03-05 1976-07-20 Eastman Kodak Company Color imaging array
JPS57190471A (en) * 1981-05-19 1982-11-24 Fuji Photo Film Co Ltd Two-dimensional solid state image pickup device
JPS5856458U (ja) * 1981-10-09 1983-04-16 株式会社日立製作所 カラ−固体撮像装置
JPH05130525A (ja) * 1991-11-07 1993-05-25 Fuji Film Micro Device Kk 固体撮像装置とその駆動方法
JPH1098648A (ja) * 1996-09-25 1998-04-14 Nec Corp 固体撮像装置
US6690421B1 (en) * 1996-10-30 2004-02-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Structure of solid state image pickup device
JP3819511B2 (ja) * 1997-02-13 2006-09-13 富士写真フイルム株式会社 Ｃｃｄ撮像デバイスにおけるモニタ方法およびディジタルスチルカメラ
JP4140077B2 (ja) * 1998-02-18 2008-08-27 ソニー株式会社 固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像素子、並びにカメラ
US6933976B1 (en) * 1999-09-03 2005-08-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state image pickup device
JP4515617B2 (ja) * 2000-10-23 2010-08-04 富士フイルム株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
JP2003319408A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Seiko Epson Corp カラーエリアセンサ及び撮像回路

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008131331A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Fujifilm Corp 固体撮像素子の駆動方法及び撮像装置
JP2009130575A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Fujifilm Corp 固体撮像素子の駆動方法、固体撮像素子、及び撮像装置
US8354600B2 (en) 2008-11-10 2013-01-15 Fujitsu Limited Printed wiring board and electronic device
US9137432B2 (en) 2011-09-16 2015-09-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Backside illumination image sensor, operating method thereof, image processing system and method of processing image using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050019026A (ko) 2005-02-28
US20050035927A1 (en) 2005-02-17
JP4020041B2 (ja) 2007-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102163310B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 카메라 시스템
US7564492B2 (en) Solid-state image sensing device and camera using the same
US7289150B2 (en) Solid-state image apparatus including a plurality of horizontal transfer registers for transferring image signals from an imaging area
JP2009246465A (ja) 撮像装置、撮像モジュール、及び撮像システム
JP4020041B2 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法ならびに撮像装置
CN106506997B (zh) 包括相位差检测像素的图像传感器
JP5084430B2 (ja) 撮像ユニット
JP4579072B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像装置
JP2009055321A (ja) 撮像装置及びｃｃｄ型固体撮像素子の駆動方法
US7564493B2 (en) Solid-state imaging apparatus and method for driving solid-state imaging device
JP2000201355A (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム
US7733403B2 (en) Method of driving CCD type solid-state imaging device and solid-state imaging apparatus
US7463299B2 (en) CCD imaging device and driving method for processing image data without frame memory buffer
JP5124549B2 (ja) 固体撮像素子の動画像信号読出方法及び撮像装置
JP2007235888A (ja) 単板式カラー固体撮像素子及び撮像装置
JP5045183B2 (ja) 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法、並びにカメラシステム
JP2007088732A (ja) 固体撮像素子
JP2003060185A (ja) 固体撮像装置及びその制御方法
JP4424101B2 (ja) 固体撮像装置
JP2008104017A (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法、電子情報機器
JP4377531B2 (ja) 撮像素子および撮像装置
JP2004200592A (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JP4060410B2 (ja) 固体撮像装置
JP2007281995A (ja) 固体撮像装置
JP2008042737A (ja) 固体撮像素子およびカメラ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070525

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070612

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070810

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070904

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070917

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4020041

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131005

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees