JP2005064117A - 近接場露光方法、近接場露光装置、および近接場露光マスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光用マスクを被露光基板に対して変形させることにより密着状態として露光する近接場露光において、露光用マスクを被露光基板表面の凹凸に倣わせて近接場露光に適した密着を得るため、該マスクの表面と裏面の間に与える圧力差を、被露光基板の表面粗さに応じた圧力差とするように構成し、また、露光用マスクの厚さを近接場露光に適した密着を得るための適切な厚さに構成する。
【選択図】 図1
Description
このように微細化が進む光リソグラフィーであるが、0.1μm以下の微細加工を行なうためには、光源のさらなる短波長化、その波長域でのレンズの開発等解決すべき課題も多い。
すなわち、本発明の近接場露光方法は、弾性変形可能な露光用マスクの表面と裏面の間に圧力差を与え、該露光用マスクを被露光基板に対して変形させて、該被露光基板の表面の凹凸状態に該露光用マスクの表面を倣わせ、これらを密着させて近接場光により露光する近接場露光方法であって、前記露光用マスクの表面と裏面の間に与える圧力差を、前記被露光基板の表面粗さに応じた所定の圧力差とすることを特徴としている。
また、本発明の近接場露光方法においては、前記所定の圧力差を、前記被露光基板の測定長aにおける最大表面粗さwに対し下記の式(1)を満足するようにして決定される最低圧力Pよりも、大きい圧力差とすることができる。
h;薄膜マスク母材の厚さ
E;ヤング率
ν;ポアソン比
Pm;第1の基板と第2の基板とを粗接触させるための圧力差
である。
また、本発明の近接場露光方法においては、前記被露光基板の表面粗さが、前記近接場光の到達深さより大きいときにのみ、前記所定の圧力差を前記最低圧力Pよりも、大きい圧力差とすることができる。
また、本発明の近接場露光装置は、薄膜マスクを保持する手段と、薄膜マスクの表面と裏面の間に圧力差を与えるための圧力印加が可能な圧力容器と、前記圧力差を制御する制御手段と、被露光基板を保持するステージと、光源とを有し、近接場光により露光する近接場露光装置であって、前記制御手段が、前記圧力差を前記被露光基板の表面粗さに応じた所定の圧力差に設定可能に構成されていることを特徴としている。
また、本発明の近接場露光装置においては、前記制御手段が、前記所定の圧力差を、前記被露光基板の測定長aにおける最大表面粗さwに対し上記の式(1)を満足するようにして決定される最低圧力Pよりも、大きい圧力差に設定可能に構成されている。また、本発明の近接場露光装置においては、前記被露光基板の表面粗さが、前記近接場光の到達深さより大きいときにのみ、前記所定の圧力差を前記最低圧力Pよりも、大きい圧力差に設定可能に構成されている。
また、本発明の近接場露光装置においては、前記被露光基板の表面粗さを測定する測定手段を有する構成を採ることができる。
また、本発明の近接場露光マスクは、露光時にその表面と裏面に圧力差を与えて被露光基板に対して変形させ、該被露光基板の表面の凹凸状態にその表面を倣わせて密着させ、近接場光により露光する際に用いる、透明な薄膜マスク母材とこの上に形成された遮光膜からなる近接場露光マスクであって、前記薄膜マスク母材が、前記被露光基板の表面粗さと、前記露光時におけるマスクの表面と裏面に与える圧力差とに基づいて定められる所定の厚さを有することを特徴としている。
また、本発明の近接場露光マスクにおいては、前記所定の厚さを、下記の式(2)−aおよび式(2)−bをそれぞれ満足するようにして決定される最大膜厚よりも、小さい厚さとすることができる。
h;薄膜マスク母材の厚さ
E;ヤング率
ν;ポアソン比
ΔP;粗接触後に付加する印加圧力
w;測定長aにおける表面粗さ
である。
また、本発明の近接場露光マスクにおいては、前記所定の厚さを、前記被露光基板に対する幾つかの異なる測定長における最大表面粗さのうち、その粗さの値が近接場光の到達距離よりも大きい値を有する基板部分のそれぞれに対して、上記式(2)−aおよび式(2)−bにより定められる最大膜厚の中での最小値よりも、小さい厚さとすることができる。
また、本発明の近接場露光方法または装置は、上記したいずれかの近接場露光マスクを用いて構成することができる。
図1に、本発明の第1の実施形態を説明するための近接場露光装置の構成を示す。
図1において、109は露光用の光源、104は弾性変形可能な薄膜マスクである。また、107は被露光基板、すなわちレジスト114を塗布したシリコンウェハである。
薄膜マスク104は、チッ化シリコンなどの透明な薄膜を母材101とし、その上に遮光膜である金属薄膜102を成膜して、パターニングしたものである。また、薄膜母材101の周辺部には支持体103が形成されている。
被露光基板107を平坦なウェハホルダ108上に吸着固定し、さらにこのウェハホルダ108をxyステージ113の上に固定する。また111は、被露光基板の表面粗さを測定する表面粗さ測定装置であり、所定の測定長での表面粗さを測定可能である。
まず、ステージ108を移動させてウェハを所定の位置に停止させる。
つぎに、圧力コントローラ110で圧力容器内に陽圧Pmを印加して、マスクを膨らませて、マスクとウェハを近接させる。ここで、表面粗さの測定長aのときの表面の最大粗さの値がwである状態を考える。
圧力Pmで変形したマスクは、基板の凹部(この深さがwである。)の上にあって、基板の微細な凸部では接触しているが、全面での接触とはなっていない。
ここでは、この状態を粗接触と定義し、この粗接触を単純化したモデルとして、直径aの円形の領域が外部の円周で支持されていて、平坦であり、一方被露光基板は平坦なマスク面から中央部が深さwで窪んでいるというモデルを用いて、解析を進める。
そこで、このような変位をあたえる圧力ΔPを知ることができれば、このΔPの値そのもの、あるいは、これにランダムな形状での変形を考慮した
安全係数C0(例えば1.5など)を乗じたものを、粗接触圧力Pmに加えて露光時の印加圧力とすればよい。
まず、はじめに、有限要素法によって薄膜の変形形状u(r)を調べて、下記の式(3)の形状が良い近似となっていることを確認した。ここで、rは円板の中心からの距離である。
上記何れかの方法で定めたPmに、式(3)から得られたΔPを加えて、マスクに印加する圧力の下限設定値Plowとする。下限設定値Plow以上の圧力を印加することで、マスクとウェハ間の距離を低減して良好な密着状態を達成できる。
ここで、最大表面粗さは、測定長内での基準線からの変位の最大点と変位の最小点との差である。これは測定長に依存する量であり、またウェハごとに変動する統計量である。
一方、圧力印加によるマスクの変位量wも、ここで考える円板の直径すなわち、粗さの測定長に依存する量である。これらは各々の複数の量のセットからなっているので、以下の、図2に示されるようなグラフを用いた比較を行って、ΔPの選定を行うことも有効である。
式(8a)の中のR(a,h,P)に、式(8b)を使うのである。これを用いて、図2のように、マスク中央での変位量 wcをモデル円板の直径aに対してプロットする。図2は、厚さ0.5nmの窒化シリコン膜に対する計算例である。
また、幾つかの異なる測定長において得られた表面粗さを、同じ図中にプロットして全てが網掛けの領域に入っていれば、マスクとウェハは良好なコンタクトをすることが分かる。
以上のような圧力差を与えて近接場露光するようにした本実施の形態によると、ウェハの表面粗さに応じた圧力でマスクを変形させ倣わせることができ、精度よくレジストパターンを形成することが可能となった。また、不必要に大きな圧力差をマスクに与える必要がないので、マスクの不要な変形を抑え、転写されるパターンの歪みを抑え、高いパタンの再現性が得られた。
図3に、本発明の第2の実施形態における露光装置の構成を示す。
図3において、211は露光用の光源、204は弾性変形可能な薄膜マスクである。また、209は被露光基板、すなわちレジストを塗布したシリコンウェハである。
薄膜マスク204は、チッ化シリコンなどの透明な薄膜を母材201とし、その上に遮光膜である金属薄膜202を成膜してパターニングしたものである。また、薄膜母材201の周辺部には支持体203が形成されている。
被露光基板209は、xyステージ210上の平坦なウェハホルダ214上に吸着固定している。ステージ210を移動させてウェハを所定の位置に停止させる。圧力コントローラ110で圧力容器内を減圧して、薄膜マスク204を膨らませて、マスクとウェハを近接させる。
本発明の第3の実施の形態は、近接場露光マスクの厚さを、前記被露光基板の表面粗さと、前記露光時におけるマスクの表面と裏面に与える圧力差とに基づいて、近接場露光に適した密着を得るための適切な厚さに構成するようにしたものである。
近接場露光に用いる被露光基板の表面粗さと、粗接触後の密着時に印加する圧力ΔPとが定まると、これに応じた薄膜マスク母材の膜厚を設計できることを以下に示す。
図4に、マスクの変位量wcをモデル円板直径aに対してプロットしたマスクの変位量wcと円板の直径aの関係を示す。ここでのパラメータは、薄膜マスク母材の膜厚であり、圧力ΔPを10kPaとした。図4は第1の実施形態の中で用いた式(8a)及び(8b)を用い、窒化シリコン膜に対する計算例に基づくものである。
また、例えば、複数回の露光を伴うプロセスの後半において、初期よりも表面粗さが増加することがわかっている場合には、式(8a)及び(8b)に基づいたプロット図である図4を参照して、プロセス前半に用いるマスク厚とプロセス後半に用いるマスク厚を異ならせてもよい。
102、202:金属薄膜
103、203:支持体
104、204:薄膜マスク
105、205:圧力容器
107、209:被露光基板
108:ウェハホルダ
113、210:xyステージ
109、211:光源
110、212:圧力コントローラ
111:表面粗さ測定装置
Claims (10)
- 弾性変形可能な露光用マスクの表面と裏面の間に圧力差を与え、該露光用マスクを被露光基板に対して変形させて、該被露光基板の表面の凹凸状態に該露光用マスクの表面を倣わせ、これらを密着させて近接場光により露光する近接場露光方法であって、
前記露光用マスクの表面と裏面の間に与える圧力差を、前記被露光基板の表面粗さに応じた所定の圧力差とすることを特徴とする近接場露光方法。 - 前記被露光基板の表面粗さが、前記近接場光の到達深さより大きいときにのみ、前記所定の圧力差を前記最低圧力Pよりも、大きい圧力差とすることを特徴とする請求項2に記載の近接場露光方法。
- 薄膜マスクを保持する手段と、薄膜マスクの表面と裏面の間に圧力差を与えるための圧力印加が可能な圧力容器と、前記圧力差を制御する制御手段と、被露光基板を保持するステージと、光源とを有し、近接場光により露光する近接場露光装置であって、
前記制御手段が、前記圧力差を前記被露光基板の表面粗さに応じた所定の圧力差に設定可能に構成されていることを特徴とする近接場露光装置。 - 前記制御手段が、前記所定の圧力差を、前記被露光基板の測定長aにおける最大表面粗さwに対し請求項2に記載の式(1)を満足するようにして決定される最低圧力Pよりも、大きい圧力差に設定可能に構成されていることを特徴とする請求項4に記載の近接場露光装置。
- 前記被露光基板の表面粗さが、前記近接場光の到達深さより大きいときにのみ、前記所定の圧力差を前記最低圧力Pよりも、大きい圧力差に設定可能に構成されていることを特徴とする請求項5に記載の近接場露光装置。
- 前記被露光基板の表面粗さを測定する測定手段を有することを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の近接場露光装置。
- 露光時にその表面と裏面に圧力差を与えて被露光基板に対して変形させ、該被露光基板の表面の凹凸状態にその表面を倣わせて密着させ、近接場光により露光する際に用いる、透明な薄膜マスク母材とこの上に形成された遮光膜からなる近接場露光マスクであって、
前記薄膜マスク母材が、前記被露光基板の表面粗さと、前記露光時におけるマスクの表面と裏面に与える圧力差とに基づいて定められる所定の厚さを有することを特徴とする近接場露光マスク。 - 前記所定の厚さが、前記被露光基板に対する幾つかの異なる測定長における最大表面粗さのうち、その粗さの値が近接場光の到達距離よりも大きい値を有する基板部分のそれぞれに対して、前記式(2)−aおよび式(2)−bにより定められる最大膜厚の中での最小値よりも、小さい厚さとされていることを特徴とする請求項9に記載の近接場露光マスク。
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