JP2005050604A - 遠赤外線放射体 - Google Patents
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Abstract
【課題】真空中でガラスを効率よく急速に加熱する遠赤外線放射体を提供すること、特には液晶基板用ガラスのような大面積のガラスを加熱する遠赤外線放射体を提供すること。
【解決手段】管状のセラミックスバルブの内側に抵抗発熱体を設け、該セラミックスバルブの表面は多層膜で被覆され、略2.8μmより短い波長の光を主に反射し、略2.8μmより長波長の光を主に透過することを特徴とする遠赤外線放射体とする。特には、セラミックスバルブがAl2O3(多結晶アルミナ)焼結体からなり、前記多層膜がSi(ケイ素)とSiO2(シリカ)の交互膜からなる。
【選択図】 図3
【解決手段】管状のセラミックスバルブの内側に抵抗発熱体を設け、該セラミックスバルブの表面は多層膜で被覆され、略2.8μmより短い波長の光を主に反射し、略2.8μmより長波長の光を主に透過することを特徴とする遠赤外線放射体とする。特には、セラミックスバルブがAl2O3(多結晶アルミナ)焼結体からなり、前記多層膜がSi(ケイ素)とSiO2(シリカ)の交互膜からなる。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はガラスを加熱する遠赤外線放射体に関し、特には液晶用ガラス基板のような大面積のガラスを加熱するに適する遠赤外線放射体に関する。
【0002】
【従来の技術】
ディスプレー用部材として液晶が広く使われている。液晶は2枚のガラス基板に液晶材料を挟んだ構造になっており、そのガラス基板には液晶を駆動する為に真空蒸着やスパッタ蒸着によって回路が形成されている。真空蒸着やスパッタ蒸着では、蒸着される側の基板の温度を200〜300℃程度に高めておかないと被覆膜の緻密性や密着性が悪くなると言われている。
【0003】
従来、蒸着前の真空中における基板の加熱には抵抗発熱ヒータやハロゲンランプヒータが使われていた。真空中では対流による熱伝達がないため、これらの抵抗発熱ヒータやハロゲンランプヒータによる加熱では、主として熱輻射と熱伝導による加熱を主として利用するものであり非常にエネルギー効率が悪かった。しかし、液晶用ガラス基板は大面積のガラスであり、真空中で急速に250℃程度の温度まで加熱するのは非常に難しく、従来は光で加熱する方法を取らざるを得なかった。
【0004】
現状行われている液晶用ガラス基板の加熱方法の模式図を図1に示す。図1では、ハロゲンランプヒータ1と被加熱物である液晶用ガラス基板2との間にカーボン板3をはさみ、まずハロゲンランプヒータ1でカーボン板3を550℃程度に加熱し、そのカーボン板3からの2次放射により液晶基板用ガラス2を加熱する方法をとっている。例えば特開平6−260422号公報に例示される。この方法ではハロゲンランプヒータ1への投入電力に対してそのうちの高々1〜2%のエネルギーしか液晶用ガラス基板2の加熱に寄与しておらず、極めて効率の悪いものであった。
【0005】
何故このような非効率的な加熱方法を取らざるを得ないかであるが、まず液晶用ガラス基板の分光透過率スペクトルを図2に示す。この液晶用ガラス基板は主に硬質ガラスからなり、光に対して約0.3μmからの長波長側は略透明であり、約2.8μmから5μmの間では約50%ほどの透過率であり、約5μm以上の長波長側の光が完全に吸収される。
【0006】
光で加熱する場合、ガラスが光を吸収しないとガラスが加熱されない。例えば、ヒータ用ハロゲンランプヒータの発熱体であるタングステンフィラメントのランプ点灯時の温度は約2100〜2300Kである。タングステンの5μm付近の放射率が0.1〜0.2であることを考慮すると、この約2100〜2300Kの温度では5μm以上の放射量は全波長域の放射量の1〜2%程度しかないであろう。
【0007】
しかもハロゲンランプヒータは石英ガラスバルブでタングステンフィラメントを覆っている構造からなっている。この石英ガラスバルブも5μm以上の光は吸収してしまいタングステンフィラメントからの光は放出されない。したがって、液晶用ガラス基板をハロゲンランプヒータで直接加熱する場合、ランプ点灯で加熱された石英ガラスバルブからの2次放射で放射される赤外線でわずかに加熱されるにすぎない。
【0008】
ハロゲンランプヒータによる直接加熱は勿論であるが、前述のように現行のハロゲンランプヒータにより加熱したカーボン板による2次放射加熱も極めて非効率的で投入エネルギーのほとんどを無駄にしているのが現状である。液晶用ガラス基板に限らず一般のガラス類を効率よく加熱する遠赤外線放射体が望まれている。
【0009】
【特許文献1】
特開平6−260422号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は真空中でガラスを効率よく急速に加熱する遠赤外線放射体を提供すること、特には液晶用ガラス基板のような大面積のガラスを加熱する遠赤外線放射体を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、管状のセラミックスバルブの内側に抵抗発熱体を設け、該セラミックスバルブの表面は多層膜で被覆され、略2.8μmより短い波長の光を主に反射し、略2.8μmより長い波長の光を主に透過することを特徴とする遠赤外線放射体とするものである。
【0012】
請求項2に記載の発明は、前記セラミックバルブがAl2O3(多結晶アルミナ)焼結体からなり、前記多層膜がSi(ケイ素)とSiO2(シリカ)との交互膜からなることを特徴とする請求項1に記載の遠赤外線放射体とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
図3に本発明の遠赤外線放射体の実施の形態を示す。図3(a)において、遠赤外線放射体10は、多結晶アルミナ管1の内部にアルゴン(Ar)および窒素(N2)ガスが封入され、タングステン製の発熱体2を有し、Al2O3とBaOとCaOを主成分としたフリットを使いアルミナエンドキャップ3で気密に1400°以上に加熱され熔融シールされている。多結晶アルミナ管1内の排気は油拡散ポンプなどで行われる。アルミナエンドキャップ3の中央部には孔(不図示)があり、そこから発熱体2にカシメ接続された給電線4がニオブ管5を通して出ており、ニオブ管5はアルミナ製エンドキャップ3と前記フリットを使い熔融シール(フリットシール)されている。ニオブ管5の先端部において給電線4はスポット溶接されている。給電線4は例えばニッケル線である。図3(b)は図3(a)の多結晶アルミナ管1の軸方向の部分断面図である。多結晶アルミナ管1には多層膜11が被覆され、略2.8μより長い波長の光は透過し、略2.8μmより短い波長の光を反射する。
【0014】
図3(c)では、遠赤外線放射体20は、短い多結晶アルミナ管1a、1b、1cを途中でアルミナ製つなぎ管7でつなぎ合わせて構成している。両端はモリブデン製キャップ6を発熱体2の保持のため具備しているが、多結晶アルミナ管の両端でカシメ固定しているだけで気密封止はしていない。
【0015】
5μm以上の光を透過する耐熱性の上市されている略円筒形材料としてアルミナ(Al2O3),窒化アルミ(AlN)、ジルコニア(ZrO2)、マグネシア(MgO)、イットリア(Y2O3)、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(Y3Al5O12)などある。シリコン(Si),ゲルマニム(Ge),セレン化亜鉛(ZnSe),硫化亜鉛(ZnS)などの半導体物質は比較的大きな吸収が長波長側にあり遠赤外域の透過帯が広いが、脆く管材料に加工しにくいのが難点である。
【0016】
しかし、コスト、供給性、耐熱安定性等を考えるとAl2O3が最も優れている。Al2O3管には単結晶アルミナ管と多結晶アルミナ管があるがコストや耐熱衝撃性から多結晶アルミナ管の方が好ましい。赤外域の透過特性は、物質特有の振動準移によって決まり、前述のAl2O3等の誘電体セラミックスでは大体10μm付近に大きな伸縮振動による吸収があり、透過波長は10μmまでの場合が多い。
【0017】
全波長域でみると、発熱体の温度が高いほど放射エネルギーは大きくなる。
しかし、放射エネルギーのピーク波長も短波長側にシフトするので、2.8〜10μm程度の長波長域は、それほど放射エネルギーは大きくならない。例えば、1500Kの黒体放射での比較では、2.8〜10μmの波長域のエネルギーは、2.8〜6.5μmの波長域のエネルギーの15%程度しか大きくならない。液晶用ガラスの加熱には、発熱体温度は1000〜1500K程度でよく、この温度では、6.5μmまで透過するアルミナでも十分大きな加熱効果がある。
【0018】
図3(c)のように、液晶用ガラス加熱のように真空中で使用される場合、この遠赤外線放射体20は真空気密に封止されていなくともよく、バルブは短いバルブをつなぎ合わせて所定の長さまで長くして使ってもよい。
【0019】
略2.8μmより短い波長の光を反射し発熱体に効率よく戻す多層膜物質は、0.5〜1μm以上の光に対し透明で、できるだけ高屈折率物質と低屈折率物質との屈折率差が大きく、1000K以上の耐熱性のある組み合わせがよい。これを満たす組み合わせとして、SiとSiO2,Fe2O3とSiO2,TiO2とSiO2,SiCとSiO2などがあり、真空中における使用ならSiとSiO2が大きな高屈折率物質と低屈折率物質との組合わせであり最適である。
【0020】
図4にAl2O3基板上のSiとSiO2との多層反射膜をコートしたときの反射率曲線の例を示す。
【0021】
発熱体物質としてはカーボン発熱体や通常のランプ用発熱体であるタングステンフィラメント発熱体が使用できる。カーボン発熱体やタングステンフィラメント発熱体の発光放射領域は図6に放射エネルギー曲線で示す。図6は発熱体温度1500Kのときの、カーボンの放射エネルギーを基準とした場合のカーボンとタングステンの単位面積あたりの放射エネルギーの比を示したものである。
【0022】
多結晶アルミナ管1には多層膜11が被覆され、略2.8μより長い波長の光は透過し、略2.8μmより短い波長の光を反射する。図4に多結晶アルミナ基板に多層膜11の被覆したときの分光特性を示す。この多層膜11はSiとSiO2との交互積層膜が屈折率差が大きく、少ない層数で大きな反射率が得られるという理由で好適に使われる。多層膜11は二帯域合成型であり、それぞれの光学膜厚は、536nmと330nmである。
【0023】
図4から分かるように、多結晶アルミナ管に多層膜51を被覆すると液晶用ガラス基板が略吸収する5μmより長波長の光も透過する。この多結晶アルミナ管に被覆する多層膜はSiとSiO2との交互積層膜に限られず、通常の耐熱性の高屈折率膜と低屈折率膜との組み合わせでよい。例えば、TiO2とSiO2、SiCとSiO2、Fe2O3とSiO2なども考えられる。
【0024】
<実験例>
ここで、本願発明の遠赤外線放射体を使用した液晶用ガラス基板の加熱実験について説明する。液晶用ガラス基板の加熱実験は、圧力30Paの真空チャンバーの中で行った。被加熱ワークは縦50mm、横50mm、厚み1.1mmの液晶用ガラス基板である。液晶用ガラス基板の加熱温度を測定する手段としては、液晶用ガラス基板の裏面側に熱電対を貼り付けた。
【0025】
本発明の遠赤外線放射体としては、図3(a)の構成において、多結晶アルミナ管1の周面に、SiとSiO2との多層膜をスパッタ蒸着法で被覆した。SiとSiO2との多層膜の膜設計は珪素(Si)基板側から、中心波長を550nmとして、3.9(0.5H・L・0.5H)4・2.4(0.5H・L・0.5H)4・4.8Lである。
【0026】
ここでHは高屈折率物質を意味し、ここではSiのことであり、Lは低屈折率物質を意味し、ここではSiO2である。カッコの乗数4は積層の繰り返し数を意味する。0.5Hは所定の膜厚の半分の厚みを意味し、カッコの前の係数3.9や2.4、および4.8Lの4.8は光学膜厚が中心波長550nmの1/4、すなわち137.5nmの3.9倍、2.4倍、4.8倍をそれぞれ表している。
【0027】
本発明における遠赤外放射体の発熱体は、タングステンフィラメント発熱体であり、100V、500Wである。
【0028】
本発明との比較のための加熱方法としては、図1に示した構成にて、透明石英ガラスをガラスバルブに使用した100V、700Wのハロゲンランプヒータを4本並べ合計2.8kWとし、被加熱ワークである液晶ガラス基板とハロゲンランプヒータの間を15mm離し、液晶ガラス基板とハロゲンランプヒータの中間に厚さ1mmのカーボン板を挿入し、ハロゲンランプヒータで加熱されたカーボン板からの間接加熱である。
【0029】
また、カーボン板を使用せず直接に100V、700W(合計2.8kW)のハロゲンランプヒータを4本での加熱も行った。
【0030】
図5にハロゲンランプヒータや遠赤外放射体を点灯開始してからの液晶ガラス基板の昇温曲線を示す。本発明の遠赤外線放射体による加熱結果が▲3▼、ハロゲンランプヒータとカーボン板を使用した加熱結果が▲1▼、ハロゲンランプヒータのみによる加熱結果が▲2▼であるが、本発明の遠赤外線放射体による加熱は、ハロゲンランプヒータとカーボン板を使用した加熱、およびハロゲンランプヒータのみによる加熱のいずれと比べても、低い入力にかかわらず大きな昇温となった。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば真空中でガラスを効率よく急速に加熱する放射体を提供すること、特には液晶基板用ガラスのような大面積のガラスを加熱する放射体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の液晶用ガラス加熱方法の模式図を示す。
【図2】液晶用ガラスの透過率曲線例を示す。
【図3】本発明の実施形態としての遠赤外線放射体の概略図を示す。
【図4】Al2O3基板上にSi−SiO2多層反射膜を被覆した場合の反射率曲線を示す。
【図5】本発明の遠赤外放射体による加熱法と従来の加熱法の加熱実験の結果を示す。
【図6】カーボン発熱体とタングステンフィラメント発熱体の放射エネルギー曲線を示す。
【符号の説明】
1 多結晶アルミナ管
2 発熱体
3 アルミナ製エンドキャップ
4 給電線
5 ニオブ管
6 モリブデン製キャップ
7 アルミナ製つなぎ管
10 遠赤外線放射体
11 多層膜
20 遠赤外線放射体
【発明の属する技術分野】
本発明はガラスを加熱する遠赤外線放射体に関し、特には液晶用ガラス基板のような大面積のガラスを加熱するに適する遠赤外線放射体に関する。
【0002】
【従来の技術】
ディスプレー用部材として液晶が広く使われている。液晶は2枚のガラス基板に液晶材料を挟んだ構造になっており、そのガラス基板には液晶を駆動する為に真空蒸着やスパッタ蒸着によって回路が形成されている。真空蒸着やスパッタ蒸着では、蒸着される側の基板の温度を200〜300℃程度に高めておかないと被覆膜の緻密性や密着性が悪くなると言われている。
【0003】
従来、蒸着前の真空中における基板の加熱には抵抗発熱ヒータやハロゲンランプヒータが使われていた。真空中では対流による熱伝達がないため、これらの抵抗発熱ヒータやハロゲンランプヒータによる加熱では、主として熱輻射と熱伝導による加熱を主として利用するものであり非常にエネルギー効率が悪かった。しかし、液晶用ガラス基板は大面積のガラスであり、真空中で急速に250℃程度の温度まで加熱するのは非常に難しく、従来は光で加熱する方法を取らざるを得なかった。
【0004】
現状行われている液晶用ガラス基板の加熱方法の模式図を図1に示す。図1では、ハロゲンランプヒータ1と被加熱物である液晶用ガラス基板2との間にカーボン板3をはさみ、まずハロゲンランプヒータ1でカーボン板3を550℃程度に加熱し、そのカーボン板3からの2次放射により液晶基板用ガラス2を加熱する方法をとっている。例えば特開平6−260422号公報に例示される。この方法ではハロゲンランプヒータ1への投入電力に対してそのうちの高々1〜2%のエネルギーしか液晶用ガラス基板2の加熱に寄与しておらず、極めて効率の悪いものであった。
【0005】
何故このような非効率的な加熱方法を取らざるを得ないかであるが、まず液晶用ガラス基板の分光透過率スペクトルを図2に示す。この液晶用ガラス基板は主に硬質ガラスからなり、光に対して約0.3μmからの長波長側は略透明であり、約2.8μmから5μmの間では約50%ほどの透過率であり、約5μm以上の長波長側の光が完全に吸収される。
【0006】
光で加熱する場合、ガラスが光を吸収しないとガラスが加熱されない。例えば、ヒータ用ハロゲンランプヒータの発熱体であるタングステンフィラメントのランプ点灯時の温度は約2100〜2300Kである。タングステンの5μm付近の放射率が0.1〜0.2であることを考慮すると、この約2100〜2300Kの温度では5μm以上の放射量は全波長域の放射量の1〜2%程度しかないであろう。
【0007】
しかもハロゲンランプヒータは石英ガラスバルブでタングステンフィラメントを覆っている構造からなっている。この石英ガラスバルブも5μm以上の光は吸収してしまいタングステンフィラメントからの光は放出されない。したがって、液晶用ガラス基板をハロゲンランプヒータで直接加熱する場合、ランプ点灯で加熱された石英ガラスバルブからの2次放射で放射される赤外線でわずかに加熱されるにすぎない。
【0008】
ハロゲンランプヒータによる直接加熱は勿論であるが、前述のように現行のハロゲンランプヒータにより加熱したカーボン板による2次放射加熱も極めて非効率的で投入エネルギーのほとんどを無駄にしているのが現状である。液晶用ガラス基板に限らず一般のガラス類を効率よく加熱する遠赤外線放射体が望まれている。
【0009】
【特許文献1】
特開平6−260422号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は真空中でガラスを効率よく急速に加熱する遠赤外線放射体を提供すること、特には液晶用ガラス基板のような大面積のガラスを加熱する遠赤外線放射体を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、管状のセラミックスバルブの内側に抵抗発熱体を設け、該セラミックスバルブの表面は多層膜で被覆され、略2.8μmより短い波長の光を主に反射し、略2.8μmより長い波長の光を主に透過することを特徴とする遠赤外線放射体とするものである。
【0012】
請求項2に記載の発明は、前記セラミックバルブがAl2O3(多結晶アルミナ)焼結体からなり、前記多層膜がSi(ケイ素)とSiO2(シリカ)との交互膜からなることを特徴とする請求項1に記載の遠赤外線放射体とするものである。
【0013】
【発明の実施の形態】
図3に本発明の遠赤外線放射体の実施の形態を示す。図3(a)において、遠赤外線放射体10は、多結晶アルミナ管1の内部にアルゴン(Ar)および窒素(N2)ガスが封入され、タングステン製の発熱体2を有し、Al2O3とBaOとCaOを主成分としたフリットを使いアルミナエンドキャップ3で気密に1400°以上に加熱され熔融シールされている。多結晶アルミナ管1内の排気は油拡散ポンプなどで行われる。アルミナエンドキャップ3の中央部には孔(不図示)があり、そこから発熱体2にカシメ接続された給電線4がニオブ管5を通して出ており、ニオブ管5はアルミナ製エンドキャップ3と前記フリットを使い熔融シール(フリットシール)されている。ニオブ管5の先端部において給電線4はスポット溶接されている。給電線4は例えばニッケル線である。図3(b)は図3(a)の多結晶アルミナ管1の軸方向の部分断面図である。多結晶アルミナ管1には多層膜11が被覆され、略2.8μより長い波長の光は透過し、略2.8μmより短い波長の光を反射する。
【0014】
図3(c)では、遠赤外線放射体20は、短い多結晶アルミナ管1a、1b、1cを途中でアルミナ製つなぎ管7でつなぎ合わせて構成している。両端はモリブデン製キャップ6を発熱体2の保持のため具備しているが、多結晶アルミナ管の両端でカシメ固定しているだけで気密封止はしていない。
【0015】
5μm以上の光を透過する耐熱性の上市されている略円筒形材料としてアルミナ(Al2O3),窒化アルミ(AlN)、ジルコニア(ZrO2)、マグネシア(MgO)、イットリア(Y2O3)、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(Y3Al5O12)などある。シリコン(Si),ゲルマニム(Ge),セレン化亜鉛(ZnSe),硫化亜鉛(ZnS)などの半導体物質は比較的大きな吸収が長波長側にあり遠赤外域の透過帯が広いが、脆く管材料に加工しにくいのが難点である。
【0016】
しかし、コスト、供給性、耐熱安定性等を考えるとAl2O3が最も優れている。Al2O3管には単結晶アルミナ管と多結晶アルミナ管があるがコストや耐熱衝撃性から多結晶アルミナ管の方が好ましい。赤外域の透過特性は、物質特有の振動準移によって決まり、前述のAl2O3等の誘電体セラミックスでは大体10μm付近に大きな伸縮振動による吸収があり、透過波長は10μmまでの場合が多い。
【0017】
全波長域でみると、発熱体の温度が高いほど放射エネルギーは大きくなる。
しかし、放射エネルギーのピーク波長も短波長側にシフトするので、2.8〜10μm程度の長波長域は、それほど放射エネルギーは大きくならない。例えば、1500Kの黒体放射での比較では、2.8〜10μmの波長域のエネルギーは、2.8〜6.5μmの波長域のエネルギーの15%程度しか大きくならない。液晶用ガラスの加熱には、発熱体温度は1000〜1500K程度でよく、この温度では、6.5μmまで透過するアルミナでも十分大きな加熱効果がある。
【0018】
図3(c)のように、液晶用ガラス加熱のように真空中で使用される場合、この遠赤外線放射体20は真空気密に封止されていなくともよく、バルブは短いバルブをつなぎ合わせて所定の長さまで長くして使ってもよい。
【0019】
略2.8μmより短い波長の光を反射し発熱体に効率よく戻す多層膜物質は、0.5〜1μm以上の光に対し透明で、できるだけ高屈折率物質と低屈折率物質との屈折率差が大きく、1000K以上の耐熱性のある組み合わせがよい。これを満たす組み合わせとして、SiとSiO2,Fe2O3とSiO2,TiO2とSiO2,SiCとSiO2などがあり、真空中における使用ならSiとSiO2が大きな高屈折率物質と低屈折率物質との組合わせであり最適である。
【0020】
図4にAl2O3基板上のSiとSiO2との多層反射膜をコートしたときの反射率曲線の例を示す。
【0021】
発熱体物質としてはカーボン発熱体や通常のランプ用発熱体であるタングステンフィラメント発熱体が使用できる。カーボン発熱体やタングステンフィラメント発熱体の発光放射領域は図6に放射エネルギー曲線で示す。図6は発熱体温度1500Kのときの、カーボンの放射エネルギーを基準とした場合のカーボンとタングステンの単位面積あたりの放射エネルギーの比を示したものである。
【0022】
多結晶アルミナ管1には多層膜11が被覆され、略2.8μより長い波長の光は透過し、略2.8μmより短い波長の光を反射する。図4に多結晶アルミナ基板に多層膜11の被覆したときの分光特性を示す。この多層膜11はSiとSiO2との交互積層膜が屈折率差が大きく、少ない層数で大きな反射率が得られるという理由で好適に使われる。多層膜11は二帯域合成型であり、それぞれの光学膜厚は、536nmと330nmである。
【0023】
図4から分かるように、多結晶アルミナ管に多層膜51を被覆すると液晶用ガラス基板が略吸収する5μmより長波長の光も透過する。この多結晶アルミナ管に被覆する多層膜はSiとSiO2との交互積層膜に限られず、通常の耐熱性の高屈折率膜と低屈折率膜との組み合わせでよい。例えば、TiO2とSiO2、SiCとSiO2、Fe2O3とSiO2なども考えられる。
【0024】
<実験例>
ここで、本願発明の遠赤外線放射体を使用した液晶用ガラス基板の加熱実験について説明する。液晶用ガラス基板の加熱実験は、圧力30Paの真空チャンバーの中で行った。被加熱ワークは縦50mm、横50mm、厚み1.1mmの液晶用ガラス基板である。液晶用ガラス基板の加熱温度を測定する手段としては、液晶用ガラス基板の裏面側に熱電対を貼り付けた。
【0025】
本発明の遠赤外線放射体としては、図3(a)の構成において、多結晶アルミナ管1の周面に、SiとSiO2との多層膜をスパッタ蒸着法で被覆した。SiとSiO2との多層膜の膜設計は珪素(Si)基板側から、中心波長を550nmとして、3.9(0.5H・L・0.5H)4・2.4(0.5H・L・0.5H)4・4.8Lである。
【0026】
ここでHは高屈折率物質を意味し、ここではSiのことであり、Lは低屈折率物質を意味し、ここではSiO2である。カッコの乗数4は積層の繰り返し数を意味する。0.5Hは所定の膜厚の半分の厚みを意味し、カッコの前の係数3.9や2.4、および4.8Lの4.8は光学膜厚が中心波長550nmの1/4、すなわち137.5nmの3.9倍、2.4倍、4.8倍をそれぞれ表している。
【0027】
本発明における遠赤外放射体の発熱体は、タングステンフィラメント発熱体であり、100V、500Wである。
【0028】
本発明との比較のための加熱方法としては、図1に示した構成にて、透明石英ガラスをガラスバルブに使用した100V、700Wのハロゲンランプヒータを4本並べ合計2.8kWとし、被加熱ワークである液晶ガラス基板とハロゲンランプヒータの間を15mm離し、液晶ガラス基板とハロゲンランプヒータの中間に厚さ1mmのカーボン板を挿入し、ハロゲンランプヒータで加熱されたカーボン板からの間接加熱である。
【0029】
また、カーボン板を使用せず直接に100V、700W(合計2.8kW)のハロゲンランプヒータを4本での加熱も行った。
【0030】
図5にハロゲンランプヒータや遠赤外放射体を点灯開始してからの液晶ガラス基板の昇温曲線を示す。本発明の遠赤外線放射体による加熱結果が▲3▼、ハロゲンランプヒータとカーボン板を使用した加熱結果が▲1▼、ハロゲンランプヒータのみによる加熱結果が▲2▼であるが、本発明の遠赤外線放射体による加熱は、ハロゲンランプヒータとカーボン板を使用した加熱、およびハロゲンランプヒータのみによる加熱のいずれと比べても、低い入力にかかわらず大きな昇温となった。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば真空中でガラスを効率よく急速に加熱する放射体を提供すること、特には液晶基板用ガラスのような大面積のガラスを加熱する放射体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の液晶用ガラス加熱方法の模式図を示す。
【図2】液晶用ガラスの透過率曲線例を示す。
【図3】本発明の実施形態としての遠赤外線放射体の概略図を示す。
【図4】Al2O3基板上にSi−SiO2多層反射膜を被覆した場合の反射率曲線を示す。
【図5】本発明の遠赤外放射体による加熱法と従来の加熱法の加熱実験の結果を示す。
【図6】カーボン発熱体とタングステンフィラメント発熱体の放射エネルギー曲線を示す。
【符号の説明】
1 多結晶アルミナ管
2 発熱体
3 アルミナ製エンドキャップ
4 給電線
5 ニオブ管
6 モリブデン製キャップ
7 アルミナ製つなぎ管
10 遠赤外線放射体
11 多層膜
20 遠赤外線放射体
Claims (2)
- 管状のセラミックスバルブの内側に抵抗発熱体を設け、該セラミックスバルブの表面は多層膜で被覆され、略2.8μmより短い波長の光を主に反射し、略2.8μmより長い波長の光を主に透過することを特徴とする遠赤外線放射体。
- 前記セラミックスバルブがAl2O3(多結晶アルミナ)焼結体からなり、前記多層膜がSi(ケイ素)とSiO2(シリカ)との交互膜からなることを特徴とする請求項1に記載の遠赤外線放射体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003204434A JP2005050604A (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | 遠赤外線放射体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003204434A JP2005050604A (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | 遠赤外線放射体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005050604A true JP2005050604A (ja) | 2005-02-24 |
Family
ID=34263440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003204434A Pending JP2005050604A (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | 遠赤外線放射体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005050604A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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- 2003-07-31 JP JP2003204434A patent/JP2005050604A/ja active Pending
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A621 | Written request for application examination |
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|
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